磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及磁记录介质用玻璃基板和磁记录介质。
【背景技术】
[0002] 对于磁记录介质用玻璃基板而言，为了实现记录密度的更高密度化，要求减小表 面粗糖度、减少在表面上存在的缺陷。例如在专利文献1中记载了使用含有添加剂的抛光液 对玻璃基板的主平面进行抛光、并使用含有添加剂的清洗液对抛光后的玻璃基板进行清 洗，由此制造适合于高记录密度磁盘用的基板的磁盘用玻璃基板。通过在抛光后的玻璃基 板的主平面上形成磁性层等膜而得到磁记录介质。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[0005] 专利文献 1:W02010/038741A1
【发明内容】
[0006] 发明所要解决的问题
[0007] 希望通过磁记录介质的高密度化而减小进行磁记录介质的读写的磁头的距离磁 记录介质的浮动高度（W下，简称为"磁头的浮动高度"）。
[000引伴随着磁记录介质的高密度化，产生了难W减小磁头的浮动高度、难W稳定地进 行磁记录介质的读写的问题。
[0009] 本发明鉴于上述课题而作出，其主要目的在于提供可W稳定地进行磁记录介质的 读写的磁记录介质用玻璃基板。
[0010] 用于解决问题的手段
[0011] 为了解决上述课题，根据本发明的一个方式，提供一种磁记录介质用玻璃基板，其 为具有要形成磁性层的主平面的磁记录介质用玻璃基板，其中，
[0012] 在将上述玻璃基板的上述主平面的表层的第13族元素的原子浓度的合计设为Cl (原子％)、将上述表层的Si元素的原子浓度设为C2(原子％)、将上述玻璃基板的内部的第 13族元素的合计设为C3(原子％)、将上述玻璃基板的内部的Si元素的原子浓度设为C4(原 子％)时，由下述式(1)表示的Rl为0.30~0.90。
[0014] 发明效果
[0015] 根据本发明的一个方式，可W提供能够稳定地进行磁记录介质的读写的磁记录介 质用玻璃基板。
【附图说明】
[0016] 图1是表示基于本发明的一个实施方式的磁记录介质用玻璃基板的立体图。
[0017] 图2是表示使用基于本发明的一个实施方式的玻璃基板的磁记录介质的剖视图。
[0018] 图3是表示基于本发明的一个实施方式的玻璃基板的制造方法的流程图。
[0019] 图4是表示用于测定基于本发明的一个实施方式的玻璃基板中的各元素的原子浓 度的X射线光电子能谱仪的图。
[0020] 附图标记
[0021] 10磁记录介质用玻璃基板
[0022] 11第1主平面
[0023] 12第2主平面
[0024] 20磁记录介质
[0025] 21磁性层
[0026] 22保护层
[0027] 23润滑层
【具体实施方式】
[0028] W下，对用于实施本发明的方式参照附图进行说明。各附图中，对于相同的或对应 的构成，标记相同的或对应的符号并省略说明。本说明书中，表示数值范围的"~"是指包含 其前后的数值的范围。
[0029] 图1是表示基于本发明的一个实施方式的磁记录介质用玻璃基板的立体图。磁记 录介质用玻璃基板1〇( W下，也简称为"玻璃基板10")为圆盘状，并在中央部具有圆孔13。玻 璃基板10具有第1主平面11和第2主平面12。
[0030] 图2是表示使用基于本发明的一个实施方式的玻璃基板的磁记录介质的剖视图。 磁记录介质20具有玻璃基板10、磁性层21、保护层22和润滑层23等。磁性层21、保护层22和 润滑层23依次形成在玻璃基板10的第1主平面11上，但也可W形成在玻璃基板10的第2主平 面12上，还可W形成在运两个主平面(第1主平面11和第2主平面12)上。
[0031] 磁性层21可W为垂直磁记录用磁性层，此时，具有相对于记录面垂直的易磁化轴。 从提高记录密度的观点考虑，记录方式优选能量辅助磁记录方式。
[0032] 磁性层21为垂直磁记录用磁性层时，由含有Co、Cr、Pt中的至少1种的材料形成，例 如由CoCrPt基合金形成。磁性层21为粒状结构，因此优选为在CoCrPt基合金等磁性材料中 添加了氧化物、类金属元素或金属元素的磁性层。作为氧化物，使用例如Si化、Cn化、CoO、 Ta2化或Ti化。作为类金属元素，使用例如B。作为金属元素，使用例如化、化、Ta或Zr。
[0033] 磁性层21可W与非磁性层交替层叠。由此，可W使磁性层21反铁磁性交换禪合。非 磁性层由例如Ru或Ru合金形成，具有例如0.6nm~1.2nm的厚度。
[0034] 在磁性层21与玻璃基板10之间可W进一步形成基底层。磁性层21为垂直磁记录用 磁性层时，基底层由Co、Fe或Ni等软磁性材料形成，发挥使来自磁头的记录磁场闭合的作 用。作为软磁性材料，使用FeCo基合金、FeNi基合金、FeAl基合金、Fe化基合金、Feh基合金、 FeMg基合金、Fe&基合金、FeC基合金、FeN基合金、FeSi基合金、FeP基合金、FeNb基合金、 化Hf基合金、或化B基合金等。
[0035] 在玻璃基板10与基底层之间可W进一步形成密合层。密合层抑制由玻璃基板10的 吸附气体或吸附水分、来自玻璃基板10的扩散成分等引起的基底层的腐蚀。作为密合层的 材料，使用化、化合金、Ti、或Ti合金等。密合层的厚度例如为2nm~40nm。作为密合层的形成 方法，使用例如瓣射法等。
[0036] 在磁性层21与基底层之间可W进一步形成取向控制层。取向控制层将磁性层的晶 粒细化，从而使记录再生特性提高。作为取向控制层的材料，使用Ru、Ru合金、含有Pt、Au和 Ag中的至少巧中的材料、Co化基合金、Ti、或Ti合金。取向控制层具有便于垂直磁记录用磁性 层21的外延生长的功能和切断基底层与磁性层的磁交换禪合的功能。
[0037] 在取向控制层与基底层之间可W进一步形成晶种层。晶种层控制取向控制层的晶 粒尺寸。晶种层由例如Ni W基合金形成。
[0038] 保护层22用于防止磁性层21的腐蚀、并且防止由与磁头的接触导致的磁性层21的 划痕的产生。作为保护层22的材料，使用C、Zr化或Si化等。作为保护层22的形成方法，使用例 如瓣射法或CV的去等。
[0039] 润滑层23用于减小与磁头的摩擦。作为润滑层23的材料，使用全氣聚酸、氣化醇或 氣化簇酸等。作为润滑层23的形成方法，使用例如浸溃法或喷雾法等。
[0040] 磁记录介质20的记录密度例如为660Gbit/平方英寸、750加it/平方英寸、1化it/ 平方英寸中的任一个，可W超过1町it/平方英寸。
[0041] 图3是表示基于本发明的一个实施方式的玻璃基板的制造方法的流程图。如图3所 示，玻璃基板的制造方法包括原板加工工序S11、第1研磨工序S12、倒角工序S13、端面抛光 工序S14、第2研磨工序S15、第1抛光工序S16、第1清洗工序S17、第2抛光工序S18和第2清洗 工序S19。
[0042] 原板加工工序Sll中，通过加工玻璃原板而得到在中央部具有圆孔的圆盘状的玻 璃基板。玻璃原板通过例如浮法、烙融法、压制成形法、引下法、重新引下法等成形。
[0043] 第1研磨工序S12中，对玻璃基板的两个主平面进行磨削。使用对玻璃基板的两个 主平面同时进行磨削的双面磨削装置。该双面磨削装置使用例如氧化侣、碳化娃、氧化错、 棚化碳、金刚石等游离磨粒，对玻璃基板的两个主平面同时进行磨削。需要说明的是，可W 在原板加工工序前实施一部分的研磨工