存储器单元失效检测方法与系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及失效检测技术领域，特别是涉及存储器单元失效检测方法与系统。
【背景技术】
[0002]存储器单元用于存储记录数码，其广泛应用于各类控制设备。
[0003]在实际生产生活中，存储器单元刷写次数有限，且易受到强电干扰。当前，存储器单元的主要失效模式包括:(I)固定故障:单元的逻辑值总为1、0和开路的情况。其中固定故障分为以下情况:单元的逻辑值恒定在O、单元的逻辑值恒定在I以及单元一直开路或者无法访问，无法读取数值；(2)转换故障:转换故障时SAF故障的一种特殊形式，当写数码时某一存储器单元失效0—1转换或者1—0转换无法进行，表现为固定故障的形式；(3)耦合故障存储器单元中某些位的跳变导致其他位的逻辑值发生非预期的变化，它既可以发生在不同单元之间，也可以发生在同一单元不同位之间。比如:当往一个存储器单元写值时，相邻存储单位的数值在没有写的情况下发生了改变；(4)相邻单元矢量敏化故障:一个单元的活动导致其他单元的状态不正常，一个单元的相邻单元可以是5个，也可以是9个。
[0004]当前，存储器单元最常见的自检方法是方格存储器单元测试。方格存储器单元测试是交替地把O和I写到存储器单元。往存储器单元交替写入O和1(如01010101)，然后再把写入的数码读出检查其准确性。前一步准确后输入其互补样式进行测试(如01010101的互补样式是10101010)，然后把写入的数码读出检查其准确性。然而该种检测方式无法准确检测存储器单元是否失效，例如其不能检测存储器单元访问读写间隔操作时，引发的存储器单元转换故障;不能检测周边存储器单元数码操作引发的单个存储器单元的耦合故障。
【发明内容】
[0005]基于此，有必要针对一般存储器单元失效检测方式无法准确检测存储器单元是否失效的问题，提供一种能够准确检测存储器单元是否失效的存储器单元失效检测方法与系统。
[0006]—种存储器单元失效检测方法，包括步骤:
[0007]将存储器单元中每一位设为初始数码，并读出存储器单元中每一位的内容；
[0008]将存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码；
[0009]检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明存储器单元已失效，当未发生改变时，读出存储器单元中每一位的内容；
[0010]检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明存储器单元已经失效，当修改准确时，再次将存储器单元中每一位的内容由变反数码修改为初始数码，再次检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明存储器单元已经失效，当修改准确时，表明存储器单元正常；
[0011]其中，初始数码和变反数码分别包括二进制中两个不同的数码。
[0012]—种存储器单元失效检测系统，包括:
[0013]设置模块，用于将存储器单元中每一位设为初始数码，并读出存储器单元中每一位的内容；
[0014]修改模块，用于将存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码；
[0015]第一检测模块，用于检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明存储器单元已失效，当未发生改变时，读出存储器单元中每一位的内容；
[0016]第二检测模块，用于检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明存储器单元已经失效，当修改准确时，再次将存储器单元中每一位的内容由变反数码修改为初始数码，再次检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明存储器单元已经失效，当修改准确时，表明存储器单元正常；
[0017]其中，初始数码和变反数码分别包括二进制中两个不同的数码。
[0018]本发明存储器单元失效检测方法与系统，将存储器单元中每一位设为初始数码，并读出存储器单元中每一位的内容，将存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，当其他存储器单元中每一位的内容未发生改变时，读出存储器单元中每一位的内容，检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，再次将存储器单元中每一位的内容修改，再次检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改准确时，表明存储器单元正常。整个过程，能够检测可能发生的存储器单元转换故障以及对周边存储器单元数据操作引发的单个存储器单元的耦合故障，能够准确检测存储器单元是否失效。
【附图说明】
[0019]图1为本发明存储器单元失效检测方法第一个实施例的流程示意图；
[0020]图2为本发明存储器单元失效检测系统第一个实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0021 ]如图1所示，一种存储器单元失效检测方法，包括步骤:
[0022 ] SI 00:将存储器单元中每一位设为初始数码，并读出存储器单元中每一位的内容。
[0023]初始数码与后续的变反数码分别包括二进制中两个不同的数码，即初始数码包括O和I，变反数码包括O和I，在存储器单元的相同位上的初始码和变反码是相互对立的，即在存储器单元的相同位上，当初始码为O时，其变反码为I;当初始码为I时，其变反码为O。将存储器单元中每一位设置为初始数码(例如设置后为0110)，并读出存储器单元中每一位的内容，若存储器单元未失效，此时读出的每一位的内容应均为初始数码(存储器单元存储为0110)，若出现某一位的内容不为初始数码，则表明存储器单元已经出现故障已经失效(例如读取存储器单元为0001)。
[0024]S200:将存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码。
[0025]将存储器单元中每一位的内容从初始数码修改为变反数码，例如从0000修改为
Illlo
[0026]S300:检测其他存储器单元中每一位的内容是否发生改变，当发生改变时，表明存储器单元已失效，当未发生改变时，读出存储器单元中每一位的内容。
[0027]其他存储单元是指存储单元周围的存储单元，检测存储单元中内容被修改后是否会引起其他存储单元每一位的内容改变，当其他存储单元中每一位的内容发生改变时，表明存储单元引发了耦合故障，即表明存储单元已经失效，当未发生改变时，表明存储单元未引发耦合故障，读出存储器单元中每一位的内容。
[0028]S400:检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准确时，表明存储器单元已经失效，当修改准确时，再次将存储器单元中每一位的内容由变反数码修改为初始数码，再次检测存储器单元中每一位的内容是否修改准确，当修改不准