磁记录介质和磁记录再现装置的制造方法
【专利摘要】本发明涉及磁记录介质和磁记录再现装置。提供可以有效地防止磁记录介质的表面污染、可以防止磁记录介质上存在的污染物质向磁头附着(转印)的磁记录介质和具备其的磁记录再现装置。将磁记录介质的碳保护层氮化，作为润滑剂，混合使用下述通式(1)所示的化合物A和下述通式(2)所示的化合物B。R1?C6H4OCH2CH(OH)CH2OCH2?R2?CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(1)CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH‥‥(2)。
【专利说明】
磁记录介质和磁记录再现装置
技术领域
[0001] 本发明涉及硬盘驱动器等磁记录再现装置中优选使用的磁记录介质和具备其的 磁记录再现装置。
【背景技术】
[0002] 为了提高磁记录再现装置的记录密度，正在推进适于高记录密度的磁记录介质的 开发。
[0003] -直以来，作为磁记录介质，有:在磁记录介质用的基板上层叠记录层等，然后在 记录层上形成碳等保护层，进而在保护层上形成润滑剂层而得到的磁记录介质。保护层保 护记录层中记录的信息，且提高磁头的滑动性。然而，仅在记录层上设置保护层时，无法充 分获得磁记录介质的耐久性。
[0004] 因此，一般来说，在保护层的表面涂布润滑剂而形成润滑剂层。通过在保护层上设 置润滑剂层，从而可以防止磁记录再现装置的磁头和保护层直接接触，并且可以明显降低 在磁记录介质上滑动的磁头的摩擦力，耐久性得到提高。
[0005] 作为磁记录介质中使用的润滑剂，提出了全氟聚醚系润滑剂、脂肪族烃系润滑剂 等。
[0006] 例如，专利文献 1 中公开了 ：涂布了具有HOCH2-CF2〇-(C2F4〇)p-(CF2〇)q-CH2〇H(p、q 为整数。）的结构的全氟烷基聚醚的润滑剂而成的磁记录介质。
[0007] 另外，专利文献2中公开了 ：涂布 了具有110012(^(011)-(^2〇(^2〇?2〇-(〇2?4〇)口-(CF2〇) q-CF2CH2〇CH2-CH (OH) CH2〇H (p、q为整数。）的结构的全氟烷基聚醚（四醇）的润滑剂而 成的磁记录介质。
[0008] 进而，专利文献3中公开了：具有选自-CF2〇-或-CF2CF2O-中的全氟氧亚烷基单元和 磷腈化合物的磁记录介质用途的润滑剂。
[0009] 另外，专利文献4中记载了，通过使用以特定的范围混合磷腈化合物和具有全氟氧 亚烷基单元的化合物而成的润滑剂层，从而与保护层的结合力高，且即使在减小保护层的 层厚时也可以得到覆盖率高的润滑剂层。
[0010] 另外，专利文献5中公开了，含有Ri-Cf^o-ofeoKoiOafcoafe-i^-afc-o-R 3所示的化 合物的润滑剂。
[0011] 另外，专利文献6中公开了，成为引起磁记录再现装置的磁头的破损和/或污染的 原因的磁记录介质上的离子性的污染物质之一为来自作为用于密封磁记录再现装置的橡 胶密封件使用的硅氧烷系有机Si的排气。
[0012] 现有技术文献
[0013] 专利文献1:日本特开昭62-66417号公报
[0014] 专利文献2:日本特开平9-282642号公报
[0015] 专利文献3:日本特开2002-275484号公报
[0016] 专利文献4:日本特开2010-108583号公报
[0017] 专利文献5:日本特开2013-163667号公报
[0018] 专利文献6:日本特开2014-116060号公报
【发明内容】
[0019] 发明要解决的问题
[0020] 为了进一步减小磁记录再现装置的磁头的悬浮量、提高记录密度，要求进一步减 薄润滑剂层的厚度。
[0021] 然而，减薄润滑剂层的厚度时，在润滑剂层中形成间隙，润滑剂层对磁记录介质表 面的覆盖率降低，有时润滑剂层的下层的一部分露出。而且，在润滑剂层中形成间隙时，生 成污染物质的环境物质从润滑剂层的间隙侵入到润滑剂层的下层，使磁记录介质被污染。
[0022] 本发明是鉴于上述情况而作出的，目的在于，提供具有即使减薄厚度也可以以高 的覆盖率覆盖保护层的表面的润滑剂层、可以防止侵入至润滑剂层的下层的环境物质所导 致的离子成分的聚集、抑制污染磁记录介质的污染物质的生成、有效地防止磁记录介质的 表面污染、防止磁记录介质上存在的污染物质向磁头附着(转印）的磁记录介质和具备其的 磁记录再现装置。
[0023] 用于解决问题的方案
[0024]本发明人为了得到即使减薄厚度也能够以高的覆盖率覆盖保护层的表面而不会 成为岛状或网状的润滑剂层，而反复进行了深入研究。其结果发现:通过对包含碳或氢化碳 的保护层进行改性，制成具备作为特定化合物的润滑剂层的磁记录介质，从而能够实现可 以有效地防止磁记录介质的表面污染、可以防止磁记录介质上存在的污染物质向磁头附着 (转印）的磁记录介质，由此想到了本发明。
[0025] SP，本发明涉及以下内容。
[0026] [1] -种磁记录介质，其特征在于，其为在非磁性基板上至少依次具有磁性层、保 护层和润滑剂层的磁记录介质，前述保护层包含碳或氢化碳，前述润滑剂层与前述保护层 上相接触地形成，与前述润滑剂层的界面处的前述碳保护层包含氮，前述氮的含量为50原 子％~90原子％的范围内，前述润滑剂层包含下述通式（1)所示的化合物A和下述通式(2) 所示的化合物B，前述化合物A相对于前述化合物A和前述化合物B的质量比（A/(A+B))为 0.05~0.9的范围内，前述润滑剂层的平均膜厚为0.5nm~2nm的范围内。
[0027] Rl-C6H4〇CH2CH(OH)CH2〇CH2-R2-CH2〇CH2CH(OH)CH2〇H. ? ? ? (1)
[0028](通式（1)中，R1 为碳数 1~4 的烷氧基。R2 为-CF20(CF2CF20)x(CF20)yCF 2-(x、y的括 号内任选依次连接或以相反顺序连接或无规地连接（x、y分别为0~15的实数。）。）、或_ CF2CF2〇(CF2CF2CF2〇)zCF 2CF2-(z为1~15的实数。）、或-CF2CF2CF20(CF2CF2CF2CF20) nCF 2CF2CF2-(n为0~4的实数）。）。
[0029] CH2(OH)CH(OH)CH2〇CH2CF2CF2(OCF2CF2CF2)mOCF2CF2CH2〇CH2CH(OH)CH2〇H. ? ? ? (2) [0030](通式（2)中，m为4~60的范围的整数。）
[0031] [2]根据[1]所述的磁记录介质，其特征在于，前述化合物A的平均分子量为1000~ 2500的范围内。
[0032] [3]根据[1]或[2]所述的磁记录介质，其特征在于，前述化合物B的平均分子量为 1000~8000的范围内。
[0033] [4]根据[1]~[3]中任一项所述的磁记录介质，其特征在于，前述保护层是包含碳 或氢化碳、且仅与前述润滑剂层的界面进行了氮化的层。
[0034] [5]-种磁记录再现装置，其特征在于，其具备：[1]~[4]中任一项所述的磁记录 介质；沿记录方向驱动前述磁记录介质的介质驱动部;对前述磁记录介质进行信息的记录 再现的磁头;使前述磁头相对于前述磁记录介质进行相对运动的磁头移动部；以及，进行来 自前述磁头的记录再现信号的处理的记录再现信号处理部。
[0035] 发明的效果
[0036] 本发明的磁记录介质具备与保护层以强的结合力结合、即使减薄厚度也可以以高 的覆盖率覆盖保护层的表面而不会成为岛状或网状的润滑剂层，因此，可以防止生成离子 性杂质等污染物质的环境物质从润滑剂层的间隙侵入。因此，可以有效地防止如下现象:生 成污染物质的环境物质从润滑剂层的间隙侵入，侵入至润滑剂层的下层的环境物质使润滑 剂层的下层存在的离子成分聚集，生成污染磁记录介质的污染物质，从而使磁记录介质被 污染。由此，对于本发明的磁记录介质，在磁记录介质上存在的污染物质变少。
[0037] 另外，本发明的磁记录再现装置具备在磁记录介质上存在的污染物质少的本发明 的磁记录介质，因此防止了如下现象:磁记录介质上存在的污染物质被转印至磁记录再现 装置的磁头，记录再现特性降低，或者悬浮稳定性受损。其结果，本发明的磁记录再现装置 具有稳定的磁记录再现特性。
[0038] 另外，本发明的磁记录介质具有即使厚度薄也可以有效地防止磁记录介质的表面 污染的润滑剂层，因此，可以通过充分减薄润滑剂层的厚度来应对记录密度的进一步提高， 并且在高温状态下使用时，也不易被污染，耐环境性优异，具有稳定的磁记录再现特性。
【附图说明】
[0039 ]图1为示出本发明的磁记录介质的一例的截面示意图。
[0040]图2为示出本发明的磁记录再现装置的一例的立体图。
[0041 ] 附图标记说明
[0042] 1…非磁性基板、2…磁性层、3…保护层、4…润滑剂层、11…磁记录介质、101…磁 记录再现装置、123…介质驱动部、124…磁头、126…磁头移动部、128…记录再现信号处理 部。
【具体实施方式】
[0043]以下，对本发明的实施方式进行详细说明。
[0044] 图1为示出本发明的实施方式的磁记录介质的一例的截面示意图。
[0045] 如图1所示那样，本发明的实施方式的磁记录介质11在非磁性基板1上依次层叠有 磁性层2、保护层3和润滑剂层4。
[0046] 需要说明的是，本实施方式中，列举在非磁性基板1和磁性层2之间依次层叠有密 合层、软磁性基底层、晶种层和取向控制层的情况为例进行说明。密合层、软磁性基底层、晶 种层、取向控制层是根据需要设置的，也可以不设置它们中的一部分或全部。
[0047](非磁性基板）
[0048]作为非磁性基板1，可以使用：在由A1或A1合金等金属或合金材料形成的基体上形 成由NiP或NiP合金形成的膜而成的基板等。另外，作为非磁性基板1，可以使用由玻璃、陶 瓷、硅、碳化硅、碳、树脂等非金属材料形成的基板，也可以使用在由该非金属材料形成的基 体上形成NiP或NiP合金的膜而成的基板。
[0049] (密合层）
[0050] 密合层防止在使非磁性基板1和设置于密合层上的软磁性基底层相接触地配置的 情况下的非磁性基板1的腐蚀的进行。作为密合层的材料，例如可以适当选择Cr、Cr合金、 Ti、Ti合金等。为了充分得到通过设置密合层而实现的效果，密合层的厚度优选为2nm以上。 [0051 ] 密合层例如可以通过溅射法而形成。
[0052](软磁性基底层）
[0053]软磁性基底层优选具有：依次层叠有第1软磁性膜、由Ru膜形成的中间层和第2软 磁性膜而成的结构。即，软磁性基底层优选具有:通过在2层软磁性膜之间夹持由Ru膜形成 的中间层而使中间层的上下的软磁性膜进行了反铁磁耦合(AFC)的结构。通过具有软磁性 基底层进行了 AFC的结构，可以提高对于来自外部的磁场的耐性、以及对于垂直磁记录特有 的问题即WATE(广域磁道消磁(Wide Area Track Erasure))现象的耐性。
[0054]软磁性基底层的膜厚优选为15~80nm的范围，进一步优选为20~50nm的范围。软 磁性基底层的膜厚小于15nm时，无法充分吸收来自磁头的磁通量，写入变得不充分，有记录 再现特性恶化的担心，故不优选。另一方面，软磁性基底层的膜厚超过80nm时，生产率明显 降低，故不优选。
[0055]第1软磁性膜和第2软磁性膜优选由CoFe合金形成。第1软磁性膜和第2软磁性膜由 CoFe合金形成时，可以实现高的饱和磁通密度Bs (1.4(T)以上）。
[0056]另外，优选在第1软磁性膜和第2软磁性膜所使用的CoFe合金中添加Zr、Ta、Nb中的 任意种。由此，第1软磁性膜和第2软磁性膜的非晶质化得到促进，可以提高晶种层的取向 性，并且可以降低磁头的悬浮量。软磁性基底层可以通过溅射法形成。
[0057] (晶种层）
[0058] 晶种层用于控制设置于其上的取向控制层和磁性层2的取向、晶体尺寸，其是为了 增大由磁头产生的磁通量的与基板面垂直的方向的成分、并且更牢固地将磁性层2的磁化 方向固定为与非磁性基板1垂直的方向而设置的。
[0059]晶种层优选由NiW合金形成。晶种层由NiW合金形成时，也可以根据需要在NiW合金 中添加 13、]\111、1?11、？1：、]\1〇、13等其他元素。
[0060]晶种层的膜厚优选为2~20nm的范围。晶种层的膜厚小于2nm时，有时无法获得通 过设置晶种层而实现的效果。另一方面，晶种层的膜厚超过20nm时，晶体尺寸变大，故不优 选。
[0061 ]晶种层可以通过溅射法形成。
[0062] (取向控制层）
[0063] 取向控制层以使磁性层2的取向变良好的方式进行控制。取向控制层优选由Ru或 Ru合金形成。
[0064] 取向控制层的膜厚优选为5~30nm的范围。通过将取向控制层的膜厚设为30nm以 下，磁头和软磁性基底层之间的距离变小，可以使来自磁头的磁通量陡峭。另外，通过将取 向控制层的膜厚设为5nm以上，可以良好地控制磁性层2的取向。
[0065] 取向控制层可以仅由1层构成，也可以由多层构成。取向控制层由多层构成时，全 部取向控制层可以由相同材料形成，也可以至少一部分由不同的材料形成。
[0066] 取向控制层可以通过溅射法形成。
[0067] (磁性层）
[0068] 磁性层2由易磁化轴朝向与基板面垂直的方向的磁性膜构成。磁性层2包含Co和 Pt，进而为了进一步改善SNR特性，也可以包含氧化物、Cr、B、Cu、Ta、Zr等。
[0069] 作为磁性层2中含有的氧化物，可以举出：Si02、Si0、Cr203、Co0、Ta 203、Ti0：^。
[0070]磁性层2可以仅由1层构成，也可以由多层构成，所述多层由组成不同的材料形成。 [0071 ] 例如，磁性层2由第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层这3层构成时，优选的是，第1 磁性层为由包含Co、Cr、Pt、进而包含氧化物的材料形成的粒状结构。作为第1磁性层中含有 的氧化物，例如优选使用Cr、Si、Ta、A1、Ti、Mg、Co等的氧化物。其中，可以特别优选使用 Ti〇2、Cr 2〇3、Si〇2等。另外，第1磁性层优选包含添加有2种以上氧化物的复合氧化物。其中， 可以特别优选使用 Cr 2〇3-S i 02、Cr 2〇3-T i 02、S i 02-T i 02 等。
[0072] 第1磁性层除了 (：〇、0、？扒氧化物之外，还可以包含选自8、了&1〇、(：11、恥、1、恥、3111、 Tb、Ru、Re中的1种以上的元素。通过包含上述元素，可以促进磁性颗粒的微细化，或提高结 晶性、取向性，可以得到更适于高密度记录的记录再现特性、热波动特性。
[0073]第2磁性层中可以使用与第1磁性层同样的材料。第2磁性层优选为粒状结构。
[0074]另外，第3磁性层优选为由包含(：〇、(^、？丨、且不含氧化物的材料形成的非粒状结 构。第3磁性层除了Co、Cr、Pt之外，还可以包含选自B、Ta、Mo、Cu、Nd、W、Nb、Sm、Tb、Ru、Re、Mn 中的1种以上的元素。通过第3磁性层除了 Co、Cr、Pt之外还包含上述元素，可以促进磁性颗 粒的微细化，或提高结晶性、取向性，可以得到更适于高密度记录的记录再现特性和热波动 特性。
[0075] 磁性层2的厚度优选设为5~25nm。磁性层2的厚度小于上述时，无法得到充分的再 现输出，热波动特性也降低。另外，磁性层2的厚度超过上述范围时，磁性层2中的磁性颗粒 发生肥大化，记录再现时的噪声增大，以信号/噪声比（S/N比）、记录特性(0W)为代表的记录 再现特性恶化，故不优选。
[0076] 另外，磁性层2由多层构成时，优选在相邻的磁性层之间设置非磁性层。磁性层2由 第1磁性层、第2磁性层和第3磁性层这3层构成时，优选在第1磁性层和第2磁性层之间、以及 第2磁性层和第3磁性层之间设置非磁性层。
[0077] 通过在磁性层之间以适当的厚度设置非磁性层，各个膜的反磁化变容易，可以减 小磁性颗粒整体的反磁化的分散，可以进一步提高S/N比。
[0078] 在磁性层之间设置的非磁性层可以优选使用例如Ru、Ru合金、CoCr合金、CoCrXl合 金(XI表示选自？1了3、21、1^、1?11、〇1、恥、附、]\111、66、51、0、^]\1〇、11、￥、21、8中的至少1种或 2种以上的元素。）等。
[0079] 另外，作为设置于磁性层之间的非磁性层，优选使用包含氧化物、金属氮化物、或 金属碳化物的合金材料。具体而言，分别地，作为氧化物，例如可以使用：S i〇2、A12O3、Ta2〇5、 〇203、1%0、￥20 3、!^02等，作为金属氮化物，例如可以使用:41131必4、了&1(^等，作为金属 碳化物，例如可以使用:TaC、BC、S i C等。
[0080] 设置于磁性层之间的非磁性层的厚度优选设为0.1~lnm。通过将非磁性层的厚度 设为上述范围，可以进一步提高S/N比。
[0081 ] 非磁性层可以通过溅射法形成。
[0082] 另外，对于磁性层2,为了实现更高的记录密度，优选为易磁化轴朝向与基板面垂 直的方向的垂直磁记录的磁性层，但也可以为面内磁记录。
[0083] 磁性层2可以通过蒸镀法、离子束溅射法、磁控溅射法等以往公知的任意方法而形 成，通常通过溅射法形成。
[0084](保护层、润滑剂层）
[0085] 保护层3用于保护记录层2。保护层3可以由一层构成，也可以由多层构成。本实施 方式的保护层3包含碳或氢化碳，优选包含碳。
[0086] 本申请发明中，以与保护层3相接触的方式设置润滑剂层4,与润滑剂层4的界面处 的保护层3的碳或氢化碳中含有氮。而且，与润滑剂层4的界面处的氮的含量设为50原子％ ~90原子％的范围内。通过设为这样的构成，保护层3和润滑剂层4以高的结合力结合，其结 果，成为即使减薄润滑剂层4的厚度也以高的覆盖率覆盖了保护层3的表面的磁记录介质 11，可以有效的防止磁记录介质11的表面污染。
[0087] 即，本申请发明的润滑剂层包含前述通式（1)所示的化合物A和前述通式(2)所示 的化合物B，化合物A相对于化合物A和B的质量比(A/(A+B))设为0.05~0.9的范围内，根据 本申请发明人的研究表明，化合物A中所含的六元环与碳原子牢固地结合，化合物B中所含 的羟基与氮原子牢固地结合。由此，通过将与润滑剂层4的界面处的包含碳的保护层3的氮 含量设为上述特定的范围内，将保护层3和润滑剂层4以高的结合力结合，由此即使减薄润 滑剂层4的厚度也可以以高的覆盖率覆盖保护层3的表面。
[0088]保护层3的膜厚优选设为lnm~10nm的范围内。保护层3的膜厚为上述范围内时，可 以充分降低具备本实施方式的磁记录介质11的磁记录再现装置中的磁间距，可以应对记录 密度的进一步的提高，且可以提高耐久性。需要说明的是，磁间距是指磁头与磁性层4之间 的距离。越缩小磁间距，越可以提高磁记录再现装置的电磁转化特性。
[0089] 保护层3的膜厚小于lnm时，有时保护记录层2的效果变得不充分。另外，保护层3的 膜厚超过l〇nm时，有时磁间距的降低变得不充分。
[0090] 作为保护层3的成膜方法，可以利用:使用碳靶材的溅射法、使用乙烯、甲苯等烃原 料的CVD (化学蒸镀法)法，IBD (离子束蒸镀)法等。
[0091] 本申请发明中，作为使保护层3含有氮的方法，可以使用公知的方法，优选使用:使 成膜时的碳原料含有氮的方法、向保护层3中注入氮离子的方法。作为仅使保护层3的与润 滑剂层4的界面氮化的方法，特别优选采用：由碳或氢化碳形成保护层3,然后仅向其表面注 入氮离子的方法;将保护层3的表面暴露于氮等离子体来进行氮化的方法。
[0092]本申请发明中，将保护层3的与润滑剂层4的界面处的氮的含量设为50原子％~90 原子％的范围内时，其含量在前述方法中通过控制碳原料中含有的氮的浓度、氮离子的注 入量、暴露于氮等离子体的暴露时间、氮等离子体密度来进行。
[0093] 润滑剂层4如图1所示那样，以与保护层3上相接触的方式形成，包含上述通式（1) 所示的化合物A和上述通式(2)所示的化合物B。
[0094] (化合物A)
[0095]上述通式（1)所示的化合物A的平均分子量优选为1000~2500的范围内。
[0096] 作为化合物A，例如可以举出:ART-1(商品名：松村石油研究所(M0RESC0)株式会社 制造）、DART-1 (商品名：松村石油研究所(M0RESC0)株式会社制造）。ART-1 (商品名）是R1为 碳数1的烷氧基、x、y分别为3~7的范围内的物质。DART-1是通式（1)中的R1为碳数1的烷氧 基、R2为-CF2CF2〇(CF2CF2CF2〇)zCF 2CF2-(z为1~15的实数。）、平均分子量为1000~2500的范 围内的物质。
[0097] (化合物B)
[0098] 上述通式(2)所示的化合物B的平均分子量优选为1000~8000的范围内。平均分子 量更优选为1000~5000的范围内。
[0099] 作为化合物B，例如可以举出：D40H(商品名：松村石油研究所(M0RESC0)株式会社 制造KD40H(商品名）是通式（2)的m为4~30的范围内、平均分子量为1000~5000的范围内 的物质。
[0100](质量比(A/(A+B)))
[0101] 对于润滑剂层4，化合物A相对于化合物A和B的质量比(A/(A+B))为0.05~0.9的范 围内，优选为0.1~0.8的范围内。通过将质量比(A/(A+B))设为0.05~0.9的范围内，如前述 那样，化合物A和化合物B形成的润滑剂层4与形成保护层3的碳原子和氮原子的结合得到加 强，保护层3与润滑剂层4以充分高的结合力结合。另外，将质量比(A/(A+B))设为0.1~0.8 的范围内时，保护层3与润滑剂层4的结合力进一步变高，因此可以更有效地防止生成污染 物质的环境物质从润滑剂层4的间隙侵入。
[0102]质量比(A/(A+B))小于0.05时，化合物A不足，润滑剂层4容易变为岛状，保护层3的 覆盖率变得不充分。另外，质量比(A/(A+B))超过0.9时，化合物B不足，润滑剂层4容易变为 网状，保护层3的覆盖率变得不充分。
[0103](润滑剂层的膜厚）
[0104] 润滑剂层4的平均膜厚设为0.5nm(5A)~2nm(2〇A)的范围内，优选为lnm~ 1.9nm的范围内。
[0105] 通过将润滑剂层4的平均膜厚设为0.5nm以上，化合物A和化合物B形成的润滑剂层 4的特性得以发挥，可以以均匀的膜厚且以高的覆盖率覆盖保护层3的表面，而不会成为岛 状或网状。
[0106] 另外，通过将润滑剂层4的平均膜厚设为2nm以下，可以充分减小磁头的悬浮量，提 高磁记录介质11的记录密度。
[0107] 需要说明的是，对于仅使用化合物A而形成的平均膜厚为2nm以下的膜，化合物A具 有大的环状骨架的分子结构，因此，变为网状，无法以高的覆盖率充分覆盖保护层3的表面。
[0108] 另外，对于仅使用化合物B而形成的平均膜厚为2nm以下的膜，与保护层3的结合力 (润湿性)也不充分，因此，变为岛状，无法以高的覆盖率充分覆盖保护层3的表面。
[0109]保护层3的表面没有被润滑剂层4以高的覆盖率充分覆盖时，包含生成吸附于磁记 录介质11表面的离子性杂质等污染物质的环境物质的水穿过润滑剂层4的间隙，侵入至润 滑剂层4下。侵入至润滑剂层的下层的环境物质使隐藏于润滑剂层4下的微少的离子成分聚 集而生成离子性的污染物质。而且，磁记录再现时，该污染物质(聚集成分)附着(转印）于磁 头，使磁头破损，或者使磁记录再现装置的磁记录再现特性降低。
[0110]由这样的环境物质自润滑剂层4间隙的侵入所导致的问题在将磁记录介质11保持 于高温条件下时更明显地出现。
[0111] (润滑剂层的形成方法）
[0112] 形成这样的润滑剂层4时，例如如下形成:准备在非磁性基板1上形成有直至保护 层3为止的各层的制造中途的磁记录介质，在制造中途的磁记录介质的保护层3上涂布润滑 剂层形成用溶液，从而形成。
[0113] 润滑剂层形成用溶液可以如下得到：以化合物A相对于化合物A和B的质量比(A/(A +B))成为0.05~0.9的范围内的方式将化合物A和化合物B混合，用溶剂稀释，制成适于涂布 方法的粘度和浓度，从而得到。
[0114]作为润滑剂层形成用溶液中使用的溶剂，例如可以举出：Vertre 1 XF(商品名、Du Pont-Mitsui Fluorochemicals Co.，Ltd?制造）等氣系溶剂等。
[0115] 作为润滑剂层形成用溶液的涂布方法，没有特别限定，例如可以举出：旋涂法、浸 渍法等。
[0116] 使用浸渍法时，例如可以使用如下方法:将形成有直至保护层3为止的各层的非磁 性基板1浸渍在加入至浸涂装置的浸渍槽中的润滑剂层形成用溶液中，之后，将非磁性基板 1以规定的速度从浸渍槽中拉起，从而将润滑剂层形成用溶液涂布于非磁性基板1的保护层 3上的表面。通过使用浸渍法，可以将润滑剂层形成用溶液均匀地涂布于非磁性基板1的保 护层3上的表面，可以在保护层3上形成均匀膜厚的润滑剂层4。
[0117] (磁记录再现装置）
[0118]接着，对本发明的实施方式的磁记录再现装置的一例进行说明。图2为示出本发明 的实施方式的磁记录再现装置的一例的立体图。
[0119]本发明的实施方式的磁记录再现装置101具备：图1所示的本发明的实施方式的磁 记录介质11;沿记录方向驱动磁记录介质11的介质驱动部123;包含记录部和再现部的磁头 124;使磁头124相对于磁记录介质11进行相对运动的磁头移动部126;以及，进行来自磁头 124的记录再现信号的处理的记录再现信号处理部128。
[0120] 通过由GMR磁头或TMR磁头构成磁头124的元件部(再现部），在高记录密度下也可 以得到充分的信号强度，可以实现具有高记录密度的磁记录再现装置。
[0121] 本实施方式的磁记录再现装置101具备磁记录介质上存在的污染物质少的磁记录 介质11，因此，可以防止如下现象:磁记录介质11上存在的污染物质转印至磁记录再现装置 101的磁头124,记录再现特性降低，或者悬浮稳定性受损。因此，本发明的磁记录再现装置 1 〇 1具有稳定的磁记录再现特性。
[0122] 实施例
[0123] 以下，基于实施例具体地说明本发明。需要说明的是，本发明不仅限定于这些实施 例。
[0124] (实施例1~22、比较例1~10)
[0125] 将清洗过的玻璃基板(H0YA株式会社制造、外形2.5英寸)容纳在DC磁控溅射装置 (ANELVA株式会社制造的C-3040)的成膜腔室内，将成膜腔室内排气直至到达真空度成为1 X10- 5Pa〇
[0126] 之后，在该玻璃基板上，通过溅射法使用Cr靶将层厚10nm的密合层成膜。
[0127] 接着，通过溅射法，在密合层上，作为软磁性基底层，使用C〇-20Fe-5Zr-5Ta {Fe含 量20原子％、Zr含量5原子％、Ta含量5原子％、余量Co}的靶，在100°C以下的基板温度下，将 层厚25nm的第1软磁性层成膜，在其上将层厚0.7nm的由Ru形成的中间层和层厚25nm的由 C〇-20Fe-5Zr-5Ta形成的第2软磁性层成膜。
[0128] 接着，在软磁性基底层上，通过溅射法，使用Ni_6W{W含量6原子％、余量Ni}靶，将 层厚5nm的晶种层成膜。
[0129] 之后，在晶种层上，通过溅射法，将溅射压力设为0.8Pa，将层厚10nm的Ru层成膜作 为第1取向控制层。接着，在第1取向控制层上，通过溅射法，将溅射压力设为1.5Pa，将层厚 10nm的Ru层成膜作为第2取向控制层。
[0130] 接着，在第2取向控制层上，通过溅射法，将溅射压力设为2Pa，以层厚9nm将第1磁 性层成膜，所述第1磁性层由91(C 〇15Crl6Pt)-6(Si02)-3(Ti02){Cr含量15原子％、Pt含量16 原子％、余量Co的合金91mol%、由Si〇2组成的氧化物6mol%、由Ti〇2组成的氧化物3mol%} 形成。
[0131] 接着，在第1磁性层上，通过溅射法，以层厚0.3nm将非磁性层成膜，所述非磁性层 由88(Co30Cr)-12(Ti0 2){Cr含量30原子％、余量Co的合金88mol%、由Ti02组成的氧化物 12mol%}形成。
[0132] 之后，在非磁性层上，通过溅射法，将溅射压力设为2Pa，以层厚6nm将第2磁性层成 膜，所述第2磁性层由92(0)11&18?〇-5(310 2)-3(!102){(^含量11原子％、？七含量18原 子％、余量Co的合金92mo 1 %、由Si〇2组成的氧化物5mo 1 %、由Ti〇2组成的氧化物3mo 1 % }形 成。
[0133] 之后，在第2磁性层上，通过溅射法，以层厚0.3nm将由Ru形成的非磁性层成膜。
[0134] 接着，在非磁性层上，通过溅射法，使用由C〇-20Cr-14Pt-3B{Cr含量20原子％、Pt 含量14原子％、B含量3原子％、余量Co}形成的靶，将溅射压力设为0.6Pa，以层厚7nm将第3 磁性层成膜。
[0135] 接着，使用离子束蒸镀法，在磁性层的表面形成氢化碳膜。作为将氢化碳膜成膜时 的原料气体，使用气化的甲苯。作为成膜条件，首先，将供给至成膜室的原料气体的气体流 量设为2.9SCCM、反应压力设为0.2Pa。进而，将作为原料气体的激发源的阴极功率设为225W (AC22.5V、10A)。然后，将阴极电极与覆盖其的阳极电极之间的电压设为75V、电流设为 1650mA、离子的加速电压设为200V、180mA、成膜时间设为1.5秒，以厚度成为3.5nm的方式将 氢化碳膜成膜。
[0136] 形成氢化碳膜的工序后，停止原料气体的供给，将成膜室内进行2秒的排气。接着， 将反应压力设为5Pa，以气体流量2SCCM向成膜室内供给氮气。然后，将阴极功率设为128W (八(：16￥、84)。另外，将阴极电极与阳极电极之间的电压设为75￥、电流设为100〇1^、离子的加 速电压设为200V、90mA、处理时间设为1秒，将由氮气形成的氮离子照射于氢化碳膜的表面。 由此，进行氢化碳膜表面的脱氢化和氮化。
[0137] 氢化碳膜的表面处理后，用二次离子质谱法(SIMS)测定其最表面的组成，结果氮 为80原子％、碳为20原子％ (实施例1)。需要说明的是，实施例2~22、比较例1~10中，通过 调整氢化碳膜表面的脱氢化、氮化处理时间，使氢化碳膜的最表面(保护层的与润滑剂层的 界面部)的组成如表1和表2那样进行变化。
[0138] 接着，使用浸渍法，如以下所示那样，在保护层上形成润滑剂层。
[0139] 作为形成润滑剂层的化合物A，使用ART-1(商品名）或DART-1(商品名、平均分子量 1700)，作为化合物B，使用D40H(商品名），此外，如表1和表2所示那样，使用A20H-2000(商品 名：松村石油研究所(M0RESC0)社制造）（表1和表2中简记作"A20H"）或AD0H-2000 (商品名： 松村石油研究所(M0RESC0)株式会社制造）（表1和表2中简记作10011"。）(^201^0(^均不相 当于本申请发明的化合物A、B，但表1和表2中，方便起见记载为化合物A。
[0140] A20H-2000 (商品名）是下述通式(3)中的、x为 5、Ri 为 CF3、R2 为-OCH2CF2O (CF2CF2O) t (CF20) uCF2CH2OH (t 为 10 ? 5，u为 10 ? 1)的物质。
[0141] 另外，AD0H-2000(商品名）是下述通式（3)中的、x为5、以为0?3、1? 2为-0〇^?20 (CF2CF2O) P (CF20) qCF2CH2〇CH2CH (OH) CH20H( p为 10.7，q为 10.4)的物质。
[0143] (上述通式(3)中，x为1~5的整数，心为氢原子、碳数1~4的烷基、或碳数1~4的卤 代烷基中的任意者，R2的末端基团为-ch 2〇h或-CH(0H)CH20H的取代基。）
[0144] 而且，将以上的化合物的质量比(A/(A+B))如表1那样进行调整而制成润滑剂层形 成用溶液。需要说明的是，作为用于溶解实施例1~22和比较例1~10的润滑剂层形成用溶 液的溶剂，均使用Vertrel XF(商品名、Du Pont-Mitsui Fluorochemicals Co.，Ltd?制 造）。另外，实施例1~22和比较例1~10的润滑剂层形成用溶液中的润滑剂的浓度均设为 0.3质量％。
[0145] 接着，使用浸渍法，通过以下所示的方法，将实施例1~22和比较例1~10润滑剂层 形成用溶液分别涂布于非磁性基板的保护层上。
[0146] 即，将形成有直至保护层为止的各层的非磁性基板浸渍在加入至浸涂装置的浸渍 槽中的润滑剂层形成用溶液中，然后，将非磁性基板以一定的速度从浸渍槽中拉起，从而将 润滑剂层形成用溶液涂布于非磁性基板的保护层上的表面。润滑剂层的层厚均设为1.3nm。
[0147] 之后，使涂布有润滑剂层形成用溶液的表面干燥，从而形成润滑剂层，得到实施例 1~22、比较例1~10的磁记录介质。
[0148] 将如此得到的磁记录介质的化合物A相对于化合物A和B的质量比（A/(A+B))示于 表1和表2。
[0149] (磁记录介质的耐环境性评价）
[0150] 通过以下所示的方法评价实施例1~22和比较例1~10的磁记录介质的耐环境性。 以下所示的耐环境性的评价为考察高温环境下生成污染物质的环境物质所导致的磁记录 介质的污染的评价方法之一。以下所示的耐环境性的评价中，作为高温环境下生成污染物 质的环境物质，使用Si离子，作为由环境物质生成的污染磁记录介质的污染物质的量，测定 Si吸附量。
[0151] 具体而言，首先，将作为评价对象的磁记录介质在温度85°C、湿度0 %的高温环境 下、在硅氧烷系S i橡胶的存在下保持240小时。
[0152] 接着，使用S頂S，对磁记录介质的表面上存在的Si吸附量进行分析测定，将高温环 境下的环境物质即Si离子所导致的污染的程度以Si吸附量进行评价。
[0153] 需要说明的是，对于Si吸附量的评价，使用将比较例1的结果设为1.00时的数值进 行评价。将其结果示于表1和表2。
[0154] 根据表1和表2表明，实施例1~22的磁记录介质与比较例1~10的磁记录介质相 比，Si吸附量非常少，在高温环境下不易被环境物质所污染。
[0155] [表 1]
[0159] 产业上的可利用性
[0160] 本发明的磁记录介质和磁记录再现装置在利用/制造高记录密度的磁记录介质和 磁记录再现装置的产业上有可利用性。
【主权项】
1. 一种磁记录介质，其特征在于，其为在非磁性基板上至少依次具有磁性层、保护层和 润滑剂层的磁记录介质，所述保护层包含碳或氢化碳，所述润滑剂层与所述保护层上相接 触地形成，与所述润滑剂层的界面处的所述碳保护层包含氮，所述氮的含量为50原子％~ 90原子％的范围内，所述润滑剂层包含下述通式（1)所示的化合物A和下述通式(2)所示的 化合物B，所述化合物A相对于所述化合物A和所述化合物B的质量比(A/(A+B))为0.05~0.9 的范围内，所述润滑剂层的平均膜厚为〇.5nm~2nm的范围内， Rl-C6H4〇CH2CH(OH)CH2〇CH2-R2-CH2〇CH2CH(OH)CH2〇H· · · · (1) 通式（1)中，Rl为碳数 1~4的烷氧基，R2为-CF20(CF2CF20)x(CF20)yCF 2-、或-CF2CF2O (CF2CF2CF2O) ZCF2CF2-、或-CF2CF2CF2O (CF2CF2CF2CF2O) nCF2CF2CF2-，其中，X、y 的括号内任选 依次连接或以相反顺序连接或无规地连接，X、y分别为0~15的实数，z为1~15的实数，η为0 ~4的实数， CH2(OH)CH(OH)CH2OCH2CF2CF 2(OCF2CF2CF2)mOCF 2CF2CH2OCH2CH(OH)CH2OH- · · · (2) 通式(2)中，m为4~60的范围的整数。2. 根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述化合物A的平均分子量为1000 ~2500的范围内。3. 根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述化合物B的平均分子量为 1000~8000的范围内。4. 根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其特征在于，所述保护层是包含碳或氢化碳、 且仅与所述润滑剂层的界面进行了氮化的层。5. -种磁记录再现装置，其特征在于，其具备:权利要求1~4中任一项所述的磁记录介 质；沿记录方向驱动所述磁记录介质的介质驱动部;对所述磁记录介质进行信息的记录再 现的磁头;使所述磁头相对于所述磁记录介质进行相对运动的磁头移动部；以及，进行来自 所述磁头的记录再现信号的处理的记录再现信号处理部。
【文档编号】G11B5/725GK105895123SQ201610088013
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年2月16日
【发明人】丸山良彦, S·阿南德哈, Y·A·邱, 中村悟, 田沼广光, 山川荣进
【申请人】昭和电工株式会社