测定方法、磁盘装置的制造方法及磁盘装置的制造方法

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测定方法、磁盘装置的制造方法及磁盘装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供测定方法,磁盘装置的制造方法以及磁盘装置。该测定方法用于盘装置,该盘装置具备盘和通过向加热器供给电力而向盘突出的头,该测定方法包括:按将盘划分所得的多个区的每个区,由包括事先测定的多个测定值的测定值分布取得基准值,测定中测定对应于盘与头接触时向加热器供给的电力的值,按每个区,取得由测定值分布和取得的基准值算出的数据组,参照每个区的数据组而选择多个区中的具有该数据组的值比其他区小的值的区来作为首先执行所述测定的第一区,基于每个区的数据组来选择第一区的下一个执行所述测定的区。
【专利说明】
测定方法、磁盘装置的制造方法及磁盘装置[0001]本申请要求以美国临时专利申请62/131,145号(申请日:2015年3月10日)为 在先申请的优先权。本申请通过参照该在先申请而包括在先申请的全部内容。
技术领域
[0002]本发明的实施方式涉及测定方法、磁盘装置的制造方法及磁盘装置。【背景技术】
[0003]在HDD(硬盘驱动器)的控制中,作为用于控制头和盘之间的间隔(头的上浮量) 的一个处理,已知有下触(touch down)测定。下触测定是向头的发热元件(加热器)施加电力以使头热膨胀、通过使头的一部分相对于盘突出而与盘接触、并测定在检测到与盘的接触时的施加电力(上浮量的控制值)的方法。
[0004]通常,在下触测定中,基于多次尝试进行而取得的测定值来算出可靠值作为真值。 在将相对于该真值而言过度的电力向头的加热器施加时,存在头与盘接触的可能性。头与盘接触会成为头故障及使装置可靠性下降的原因。
[0005]头的上浮量按搭载于各装置的每个头和/或盘的记录面的每个位置而不同,因此有时在HDD的制造工序中按每个头或盘的每个记录面实施下触测定。此时,需要将盘在半径方向上划分为多个测定区,按划分出的每个测定区实施下触测定,并计测每个测定区的上浮量(上浮曲线)。
【发明内容】

[0006]本发明的实施方式提供:能降低下触所导致的对于头和盘的损伤的测定方法、磁盘装置的制造方法及磁盘装置。
[0007]实施方式的测定方法,用于盘装置,该盘装置具备盘和通过向加热器供给电力而向所述盘突出的头,该测定方法包括:按将所述盘划分的多个区的每个区,根据包括事先测定的多个测定值的测定值分布取得基准值,所述测定中,测定对应于所述盘与所述头接触时的向所述加热器供给的电力的值,按所述区的每个区,取得根据所述测定值分布和所述取得的基准值所算出的数据组,参照所述每个区的数据组,选择所述多个区中的具有该数据组的值比其他区小的值的区,来作为首先执行所述测定的第一区,基于所述每个区的数据组来选择所述第一区的下一个执行所述测定的区。【附图说明】
[0008]图1是表示实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。
[0009]图2A是示意地表示实施方式的膨胀前的头的图。
[0010]图2B是示意地表示实施方式的膨胀后的头的图。
[0011]图3A是表示下触测定时的每个测定区的过度突出量的分布的一例的曲线图。
[0012]图3B是表示图3A的每个测定区的过度突出量的最大值及平均值的分布的曲线图。
[0013]图3C是表示图3A中的每个测定区的过度突出量的产生次数的分布的曲线图。
[0014]图3D是表示图3A中的每个测定区的过度突出量的产生率的分布的曲线图。
[0015]图4是实施方式的测定顺序的图表的一例。
[0016]图5是表示实施方式的极限值(limit value)的设定方法的概况的图。
[0017]图6是实施方式的测定区的顺序选择的流程图。
[0018]图7是实施方式的极限值的设定的流程图。
【具体实施方式】
[0019]下面参照附图来说明实施方式。
[0020](第一实施方式)
[0021]在本实施方式中,作为评价DFH(Dynamic Flying Height,动态上浮高度)控制中的磁头(头)的上浮量的技术的一例,对下触测定方法进行说明。
[0022]在Dra控制中,使向设置于头的发热元件(加热器)施加的施加电力变化,以使头的一部分的热膨胀量变化,从而控制头和盘之间的距离(上浮量)。此外,详情在后面描述,下触测定是为了在Dra控制中控制上浮量而测定头和盘接触时的向加热器施加的施加电力(控制值(数模转换值:DAC值))的方法。作为一例,可举出使头和盘接触(下触)、将检测到该接触时的施加电力作为基准电力值的方法。在该方法中,检测到头和盘的接触时的施加电力成为Di7H控制的最大施加电力。即通过检测最大施加电力可检测下触。在检测到下触的情况下,由于能推定为头和盘接触,因此上浮量会成为最小值。
[0023]在本实施方式中,测定值分布(上浮曲线)是通过下触测定而按盘上的每个测定位置所取得的最大施加电力的分布。在下面,将测定值作为下触测定中的向加热器施加的最大施加电力的测定值进行记载。
[0024]下触测定在磁盘装置的制造中的测试工序或作为产品的磁盘装置中执行。
[0025]作为适用本实施方式的下触测定方法的装置的一例,说明磁盘装置I。
[0026]图1是表示本实施方式涉及的磁盘装置I的构成的框图。图2A及图2B是分别示意地表示本实施方式的头15和盘10的图。图2A是示意地表示膨胀前的头15的图,图2B是示意地表示膨胀后的头15的图。
[0027]磁盘装置I具备:后述的头盘组件(head-disk assembly:HDA);驱动IC20 ;头放大集成电路(以下称为头放大IC) 30 ;易失性存储器70 ;和包括I芯片的集成电路的系统控制器130。此外,磁盘装置I与主机系统(主机)100连接。
[0028]HDA具有:磁盘(以下称为盘)10 ;主轴马达(SPM) 12 ;搭载有头15的臂13 ;和音圈马达(VCM) 14。盘10通过主轴马达12而旋转。臂13及VCM14构成了致动器。致动器通过VCM14的驱动而将搭载于臂13的头15移动控制到盘10上的预定位置。盘10及头15分别设置有一个以上的数量。
[0029]头15具备薄膜头部151和滑块153。
[0030]薄膜头部(以下称为头部)151包括读取头15R、写入头15W和发热元件(加热器)15H。读取头15R读取在盘10上记录的数据。写入头15W在盘10上写入数据。下面,将读取头15R和写入头15W统称为记录再现元件。加热器15H通过被进行电力供给而发热。加热器15H可在读取头15R附近和写入头15W附近分体设置。
[0031]在图2A及图2B中,头15随着盘10的旋转而向图中的箭头X的方向移动。如图2A所示,在加热器15H没有发热的状态(通常状态)下,头部151的记录再现元件的周围(以下称为记录再现部155)没有向盘10突出。如图2B所示,在加热器15H发热的状态下,记录再现部155因该发热而膨胀(热膨胀)并向盘10突出。如图2B所示,在加热器15H发热的情况下,已热膨胀的记录再现部155的顶点成为头15的上浮最低点。
[0032]再有,头部151可在记录再现部155具备HDI (头盘干涉)传感器。HDI传感器具备电阻元件,用于检测微小的热。HDI传感器因头部151与盘10接触的情况下的摩擦热而产生热阻变化,因此电阻元件的电阻值变化。
[0033]回到图1,驱动IC20控制SPM12及VCM14的驱动。
[0034]头放大IC30具备未图示的读取放大器及写入放大器。读取放大器使由读取头15R读取的读取信号放大,并向后述的R/W信道40传输。此外,写入放大器将相应于从R/W信道40输出的写入信号的写入电流向写入头15W传输。
[0035]再有,头放大IC30作为向加热器15H供给电力、调整其电力量的调整电路发挥功會K。
[0036]还有,在头部151具备HDI传感器的情况下,头放大IC30可检测该HDI传感器的电阻元件的电阻值的变化。
[0037]易失性存储器70是在断开电源供给时保存的数据丢失的半导体存储器。易失性存储器70存储磁盘装置I的各部分的处理所需的数据等。易失性存储器70是例如SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器)。
[0038]系统控制器130包括R/W信道40、硬盘控制器(HDC) 50和微处理器(MPU)(控制器)60。
[0039]R/W信道40执行读取数据及写入数据的信号处理。R/W信道40执行从自头放大IC30供给的读取信号提取的读取数据的解码处理。R/W信道40将已解码处理的读取数据向HDC50及MPU60传输。读取数据包括用户数据及伺服数据。此外,R/W信道40将从HDC50及MPU60传输的写入数据进行编码调制,并将已编码调制的写入数据转换为写入信号。R/W信道40将写入信号向头放大IC30传输。
[0040]HDC50利用易失性存储器70来控制主机100和R/W信道40之间的数据传输。[0041 ] MPU60是控制磁盘装置I的各部分的主控制器。MPU60经驱动IC20来控制VCM14,执行进行头15的定位的伺服控制。再有,本实施方式的MPU60执行上浮量的测定(下触测定)。此时,MPU60向头放大IC30输出指示信号。
[0042]MPU60具备测定部602、选择部604和设定部606。这些处理在固件上执行。
[0043]测定部602控制盘10上的半径方向上的头15的位置和/或上浮量,执行下触测定。在本实施方式中,测定部602使用DHl控制。
[0044]此外,测定部602根据来自后述的选择部604和设定部606的指示信号来执行下触测定。
[0045]测定部602向头放大IC30输出表示电力供给的指示值的信号(DHl控制信号)。测定部602通过控制从头放大IC30向加热器15H施加的施加电力来控制头部151的上浮量。即、测定部602通过使该DHl控制信号增加及减小来使头部151靠近、离开盘10的表面。此处,Dra控制信号可由DAC值表示。例如,Dra控制信号为最小值即为ODAC值的情况下,上浮量为最大值。
[0046]测定部602将DHl控制信号向头放大IC30输出,有意地使头部151下触盘10的表面。测定部602将检测到下触时的向加热器15H施加的施加电力测定为基准电力量。检测到下触的时刻的由头放大IC30供给的施加电力成为最大施加电力。
[0047]测定部602用几个已知的方法来检测下触。作为一例,测定部602可通过监视头15相对于盘10上的半径方向的位置误差信号(posit1n error signal:PES)来检测下触。例如,测定部602在PES的大小或PES的变化量超过阈值的情况下判定为下触。作为其他例子,测定部602可参照读取信号的振幅、伺服VGA和/或数据VGA的值、或者VCM14的控制信号,来检测下触。
[0048]此外,在头部151设置有HDI传感器的情况下,测定部602可通过经头放大IC30而监视来自HDI传感器的输出信号(电阻值)的变化,来检测下触。
[0049]再有,在HDD的制造中的测试工序中,在可使用AE(Acoustic Emiss1n,声发射)传感器的情况下,可利用该AE传感器来检测下触所导致的头的振动。例如,测定部602可通过在致动器设置的AE传感器来检测头15的振动,并以检测到的振动为基础来检测下触。
[0050]测定部602尝试进行多次下触测定,按将盘10的区域划分所得的多个区(以下称为测定区)的每个取得多个测定值。测定部602由取得的多个测定值按每个测定区取得真值。例如,测定部602按盘10上的测定区的每个提取多个测定值的中央值(中央值分布),并将提取的每个测定区的中央值的各个设为真值。
[0051]此处,在各下触测定中,有时测定值相对于真值较大。将如上述那样相对于真值过大的测定值在下面称为Dra过度突出量(以下称为过度突出量)。
[0052]测定部602在检测到比预定值(例如真值)大的测定值的情况下将比该预定值大的测定值判断为过度突出量。测定部602根据按每个测定区预先测定的测定值(测定值分布)及预定值(例如,真值)来判断过度突出量,按每个测定区生成过度突出量的分布(突出值分布(数据组))的信息。
[0053]此外,测定部602也可由过度突出量的分布的信息来算出突出量的产生次数和/或产生率。测定部602可从存储器(例如,易失性存储器70)等取得盘10的测定区的划分的设定和/或按每个测定区预先测定的测定值等的信息。
[0054]选择部604由所生成的过度突出量的分布的信息判断过度突出量小的测定区,并选择执行下触测定的顺序(以下称为测定顺序)。此处,过度突出量小的倾向起因于通过下触测定而取得的测定值的波动小。
[0055]首先,选择部604基于预先测定的过度突出量的分布的信息来按每个测定区判断过度突出量的大小。
[0056]接着,选择部604基于每个测定区的过度突出量的大小的判断结果而选择判断为过度突出量比其他测定区小的测定区,来作为首先执行下触测定的测定区。再有,选择部604基于每个测定区的过度突出量的大小的判断结果,对全部测定区执行:作为依次接下来执行下触测定的测定区而选择的处理。
[0057]接着,选择部604按选择的顺序来设定测定顺序。选择部604可将设定的测定顺序作为图表记录到存储器例如易失性存储器70等。
[0058]选择部604将与测定顺序相关联的信息向测定部602及设定部606输出。
[0059]接着,参照附图来说明基于下触测定时的过度突出量的分布的测定顺序的选择方法的一例。
[0060]首先,对每个测定区的过度突出量的大小的判断方法的一例进行说明。
[0061]图3A、图3B、图3C及图3D分别是表示某一设计批次的通过下触测定实验得到的过度突出量的分布的一例的图。
[0062]在图3A至图3D所示的例子中,盘10从外周方向朝内周方向依次被划分为由区段(zone) I?区段10表示的10个测定区。下面,将区段I?区段3称为外周,将区段4?区段7称为中周,将区段8?区段10称为内周。在图3A至图3D中,横轴表示这10个测定区。再有,测定区的划分也可以是10个以外的数量的区。此外,区段的顺序也可以是从内周方向朝外周方向依次分配。区段的间隔可以是均匀的,也可以是不均匀的。
[0063]图3A是表示下触测定时的每个测定区的过度突出量的分布的一例的曲线图,图3B是表示图3A的每个测定区的过度突出量的最大值及平均值的分布的曲线图。在图3A及图3B中,纵轴是由预先测定的测定值的真值与测定值(最大施加电力)的差所表示的DAC值(过度突出量)。在图3B中,折线LBl表示每个测定区的过度突出量的平均值,折线LB2表示平均值+3 σ (σ:标准偏差)值,折线LB3表示每个测定区的过度突出量的最大值。
[0064]此外,图3C是表示图3Α中的每个测定区的过度突出量的产生次数的分布的曲线图,图3D是表示图3Α中的每个测定区的过度突出量的产生率的分布的曲线图。在图3C中,过度突出量的产生次数是对超过预定的过度突出量的过度突出量的产生次数进行计数所得的次数。在图3D中,过度突出量的产生率是超过预定过度突出量的过度突出量的产生次数相对于每个测定区的测定次数的比例。
[0065]如图3Α所示,在该测定实验中,外周及内周的过度突出量的大小(测定值的波动量)大,中周(中部)的过度突出量的大小比外周和内周小。
[0066]选择部604参照图3Α至图3D所示的过度突出量的分布的信息来判断为中周的区段4?区段7的过度突出量比外周及内周小。S卩、选择部604判断为中周的区段4?区段7的下触测定时的对头15及盘10的损伤比外周和/或内周小。
[0067]其次,对选择测定区的方法的一例进行说明。
[0068]图4是测定顺序的图表的一例。在图4中,参照标记Gl表示图表整体,区段I?区段10分别表示测定区的划分,模式I?模式3分别表示设定的测定顺序的种类,在各模式的区段I?区段10记载的数字表示执行下触测定的顺序。再有,图4所示的测定顺序是根据图3Α至图3D的结果参照而设定的顺序。
[0069]下面,参照图4的图表Gl的模式I来说明测定区的选择方法的一例。
[0070]选择部604参照图3Α至图3D所示的信息,从判断为过度突出量比其他测定区小的中周的区段4?区段7中选择首先执行下触测定的测定区(第一测定区)。例如,选择部604选择区段5来作为第一测定区。
[0071]接着,选择部604从与第一测定区(区段5)相邻的两旁的测定区中选择区段6来作为接下来执行下触测定的测定区(第二测定区)。
[0072]进而,选择部604选择与选择完的测定区(包括区段5及区段6在内的复合测定区)相邻的两旁的未选择的测定区中的区段7来作为接下来执行下触测定的测定区(第三测定区)。选择部604反复进行此类选择处理,不断扩大选择完的测定区的范围地选择全部的测定区,来设定测定顺序。
[0073]此外,选择部604也可用图4的图表Gl所含的其他模式的选择方法来设定测定顺序。
[0074]参照图4的图表Gl的模式2来说明测定区的选择方法的其他例子。
[0075]例如,如上所述,选择部604从判断为过度突出量比其他测定区小的中周的区段4?区段7中选择第一测定区。例如,如图4所示的模式2那样,选择部604选择区段5来作为第一测定区。
[0076]接下来,选择部604从与第一测定区(区段5)相邻的两旁的测定区中选择区段4来作为接下来执行下触测定的测定区(第二测定区)。
[0077]进而,选择部604选择与选择完的测定区(包括区段4及区段5在内的复合测定区)相邻的两旁的未选择的测定区中的区段3来作为接下来执行下触测定的测定区(第三测定区)。选择部604在如上述那样从区段5向区段I扩大选择完的测定区的范围后从区段6向区段10扩大选择完的测定区。选择部604通过这样的选择处理来选择全部测定区,而设定测定顺序。
[0078]再有,参照图4的图表Gl的模式3来说明测定区的选择方法的其他例子。
[0079]例如,选择部604如图4所示的模式2那样选择区段5来作为第一测定区。
[0080]接着,选择部604从与第一测定区(区段5)相邻的两旁的测定区中选择区段6来作为接下来执行下触测定的测定区(第二测定区)。
[0081]进而,选择部604选择与选择完的测定区(包括区段5及区段6在内的复合测定区)相邻的两旁的未选择的测定区中的区段4来作为接下来执行下触测定的测定区(第三测定区)。选择部604如这样以区段5为中心向两侧方向交替地扩大选择完的测定区。选择部604通过这样的选择处理来选择全部测定区,而设定测定顺序。
[0082]再有,虽然说明了选择区段5来作为第一测定区的测定顺序,但是,选择部604参照图3A至图3D所示的信息,只要是判断为过度突出量比其他测定区小的测定区,则也可以选择其他测定区来作为第一测定区。例如,选择部604可参照图3A至图3D所示的信息,在中周的区段4?区段6中选择过度突出量的波动小的测定区和/或周围的测定区的过度突出量也小的测定区来作为第一测定区。例如,选择部604可参照图3A至图3D而选择区段6来作为第一测定区。选择部604以区段6为第一测定区,如上述那样不断扩大选择完的测定区地选择全部测定区,而设定测定顺序。
[0083]设定部606参照已设定的测定顺序,按每个测定区依次设定:接下来执行下触测定的测定区的测定值(下触测定值)的真值的预测值和过度突出量相对于该预测值的限制值(以下称为极限值)。此处,极限值是过度突出量的阈值。例如,在过度突出量超过该阈值的情况下,在头15及盘10存在产生损伤的可能性,或者,存在不能适当地取得测定值的可能性。
[0084]设定部606将所设定的测定区的预测值和极限值的信息向测定部602输出。参照这些信息,测定部602在下触测定的执行中控制头放大IC30以使过度突出量不超过极限值。
[0085]下面,将比预测值过大的极限值称为最大极限值(最大限制值),将比预测值过小的极限值称为最小极限值(最小限制值)。
[0086]此外,测定部602可在检测到过度突出量达到极限值的情况下停止DHl控制信号的输出以使过度突出量不为最大极限值以上。此时,测定部602控制头放大IC30以使过度突出量不超过最大极限值,对在途中停止下触测定的测定区再次执行下触测定。此外,测定部602在过度突出量比最小极限值低的情况下判断为下触测定的精度低。
[0087]图5是表示极限值的设定方法的概要的图。在图5中,纵轴表示下触测定值,横轴表示测定顺序。
[0088]在图5中,k是已执行下触测定的当前测定区(以下称为当前测定区)的测定顺序的序号,T-value[k]是已执行下触测定的当前的(第k个的)测定区的测定值。E-Value [k+Ι]是要执行下触测定的下一(第k+Ι个的)测定区(下面称为下一测定区)的下触预测值。N-Value [k]及N-Value [k+Ι]分别为将按每个测定区通过多次尝试进行而事先取得的多个测定值平均化所得的平均值。N-Value [k]是当前(第k个)测定区的平均值,N-Value [k+Ι]是下一(第k+Ι个)测定区的平均值。再有,N-Value [k]及N-Value [k+1]分别参照事先取得的测定值的每个测定区的平均值的分布(平均测定值分布(平均上浮曲线))来取得。
[0089]再有,Max-Limit [k+Ι]是下一测定区的最大极限值,Min-Limit [k+Ι]是下一测定区的最小极限值,d-max[k+l]是下一测定区的最大极限值的波动量,d-min[k+l]是下一测定区的最小极限值的波动量。
[0090]此处,d-max[k+l]及d_min[k+l]是基于按每个测定区预先测定的多个下触测定值和预测值(E-Value[k+Ι])的误差的波动量而算出的值。例如,d_maX[k+l]是按每个测定区事先测定的多个下触测定值和预测值(E-Value [k+Ι])的正的差值。此外,d_min[k+1]是按每个测定区事先测定的多个下触测定值和预测值(E-Value[k+Ι])的负的差值。
[0091]设定部606可由以下的式子算出每个测定区的极限值。
[0092]E-Value [k+1] = T-Value [k] + (N-Value [k+1] - N-Value [k])..?式(I)
[0093]Max-Limit[k+1] = E-Value[k+1]+d-max[k+1]..?式(2)
[0094]Min-Limit [k+1] = E-Value [k+1] - d-min [k+1]..?式(3)
[0095]设定部606将由上述式(I)至式(3)算出的下触预测值和最大及最小极限值的信息向测定部602输出。
[0096]参照图4的图表Gl的模式I的测定顺序来在下面表示极限值的设定步骤的一例。
[0097]由于设定部606不能在第一测定区(k = I)(区段5)的下触测定中使用上述式
(I)至式(3)来算出预测值和极限值,因此在最大极限值及最小极限值设定初始值。此处,作为初始值,最大极限值设定为足够大的值,最小极限值设定为足够小的值。再有,初始值可预先设定,也可任意设定。
[0098]设定部606在第二测定区(k+Ι = 2)(区段6)的下触测定中使用上述式⑴至式
(3)来如以下那样算出预测值及最大极限值和最小极限值。
[0099]E-value [2] = T-Value [I] + (N-Value [2] - N-Value [I])..?式(4)
[0100]Max-Limit [2] = E-Value [2]+d-max [2]..?式(5)
[0101]Min-Limit [2] = E-Value [2] - d-min [2]..?式(6)
[0102]与上述第二测定区同样地,设定部606根据模式I的测定顺序来算出从区段I到区段10的下触预测值和最大及最小极限值。
[0103]如上所述,设定部606依照设定的测定顺序来按每个测定区依次设定极限值。
[0104]图6是本实施方式的测定区的顺序选择的流程图。
[0105]在B601中,MPU60基于预先测定的每个测定区的过度突出量的分布而选择过度突出量小的测定区来作为第一测定区。在B602中,MPU60从与选择完的测定区相邻的两旁的未选择的测定区之中选择下一测定区。
[0106]在B603中,MPU60判断是否还存在下一测定区。在判断为存在下一测定区的情况下(B603的“是” ),MPU60返回B602的处理。
[0107]在判断为不存在下一测定区的情况下(B603的“否”),在B604中,MPU60以选择的顺序对测定区设定测定顺序,并结束处理。
[0108]图7是本实施方式的极限值的设定的流程图。
[0109]在B701中,MPU60参照已选择的测定顺序。在B702中,MPU60使头15移动到最初的(第一)测定区。在B703中,MPU60在第一测定区执行下触测定,并取得测定值。
[0110]在B704中,MPU60使头15移动到下一测定区。在B705中,MPU60基于当前测定区的测定值和当前及下一测定区的预先测定的平均值(平均测定值分布)来算出下一测定区的预测值及极限值。
[0111]在B706中,MPU60参照已算出的预测值及极限值来在下一测定区执行下触测定,并取得测定值。
[0112]在B707中,MPU60判断是否还存在下一测定区。在判断为存在下一测定区的情况下(B707的“是” ),MPU60返回B704的处理。
[0113]在判断为不存在下一测定区的情况下(B705的“否”),结束处理。
[0114]根据本实施方式,通过算出接下来测定的测定区的最大及最小的极限值,而能防止在下触测定时过大地施加对于加热器的控制信号。其结果,可减少过度的下触所导致的对头及盘的损伤。此外,通过从过度突出量小的测定区执行下触测定,而能减小测定值的波动。由此可防止磁盘装置的读/写时的头的上浮量异常。其结果,磁盘装置的读/写性能及可靠性提尚。
[0115]虽然说明了本发明的几个实施方式,但是,这些实施方式仅为例示,并不意在限定发明的范围。这些新的实施方式能以其他各种方式实施,在不脱离发明主旨的范围内,可进行各种省略、替换、改变。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或主旨内,且包含于技术方案记载的发明及其均等的范围内。
【主权项】
1.一种测定方法,用于盘装置,该盘装置具备盘和通过向加热器供给电力而向所述盘 突出的头,该测定方法包括:按将所述盘划分所得的多个区的每个区,根据包括事先测定的多个 测定值的测定值分布来取得基准值,所述测定中,测定对应于所述盘与所述头接触时向所 述加热器所供给的电力的值,按所述区的每个区,取得根据所述测定值分布和所述取得的基准值而算出的数据组,参照所述每个区的数据组,选择所述多个区中的、具有该数据组的值比其他区小的值 的区,来作为首先执行所述测定的第一区,基于所述每个区的数据组来选择所述第一区的下一个执行所述测定的区。2.根据权利要求1所述的测定方法,其中,选择与所述第一区相邻的区的任一个来作为第二区。3.根据权利要求2所述的测定方法,其中,选择与包括选择完的所述第一及所述第二区的第一复合区相邻的未选择的两个区的 任一个,来作为第三区,选择与包括所述第一、所述第二及所述第三区的第二复合区相邻的未选择的两个区的 任一个,来作为第四区,对所述多个区的全部执行下述处理:选择与包括选择完的区的区相邻的未选择的两个 区的任一个,对所述多个区,设定按所选择的顺序来执行所述测定的顺序。4.根据权利要求1所述的测定方法,其中,依照为了按所选择的顺序来对所述多个区执行所述测定而设定的顺序,取得所述第一 区的第一测定值,基于所述第一测定值和所述测定值分布,来算出下一测定区即第二区的第二测定值的 第一预测值。5.根据权利要求4所述的测定方法,其中,算出第一差值与该第一预测值的和即第一限制值,所述第一差值是所述第一预测值与 所述测定值分布的差,参照所述第一限制值来取得所述第二区的所述第二测定值。6.根据权利要求5所述的测定方法,其中,基于所述第二测定值和所述测定值分布,进一步算出下一测定区即第三区的第三测定 值的第二预测值,算出第二差值与该第二预测值的和即第二限制值,所述第二差值是所述第二预测值与 所述测定值分布的差,参照所述第二限制值来取得所述第三区的第三测定值。7.根据权利要求1所述的测定方法,其中,依照为了按所选择的顺序对所述多个区执行所述测定而设定的顺序,基于测定出的测 定值和所述测定值分布,来算出接下来执行所述测定的区的预测值,算出差值与所述预测值的和即限制值,所述差值为所述预测值与所述测定值分布的 差,对所述多个区的全部执行下述处理:参照所述限制值在所述接下来执行测定的区取得 测定值。8.根据权利要求7所述的测定方法,其中,在所述接下来执行测定的区中的测定值达到所述限制值的最大限制值的情况下,停止 向所述加热器的电力供给。9.根据权利要求8所述的测定方法,其中,在所述接下来执行测定的区中的测定值达到所述最大限制值的情况下,停止所述测 定,在停止该测定后,在该区再次执行所述测定。10.—种磁盘装置的制造方法,该磁盘装置具备:盘;通过向加热器供给电力而向所 述盘突出的头;存储器;和参照该存储器的数据来控制读取和写入时的头的上浮量的控制 器,该制造方法包括:按将所述盘划分所得的多个区的每个区,根据包括事先测定的多个 测定值的测定值分布取得基准值,所述测定中测定对应于所述盘与所述头接触时向所述加 热器供给的电力的值,取得根据所述测定值分布和所述取得的基准值而算出的数据组,参照所述数据组,选择所述多个区中的、具有该数据组的值比其他区小的值的区,来作 为首先执行所述测定的第一区,将所述取得的基准值和所述第一区的信息保存到所述存储器。11.根据权利要求10所述的磁盘装置的制造方法,其中,选择与所述第一区相邻的区的任一个来作为第二区,将所述第二区的信息保存到所述存储器。12.根据权利要求11所述的磁盘装置的制造方法,其中,选择与包括选择完的所述第一及所述第二区的第一复合区相邻的未选择的两个区的 任一个,来作为第三区,选择与包括所述第一、所述第二及所述第三区的第二复合区相邻的未选择的两个区的 任一个,来作为第四区,对所述多个区的全部执行下述处理:选择与包括选择完的区的区相邻的未选择的两个 区的任一个,对所述多个区设定按所选择的顺序执行所述测定的顺序,将所述顺序的信息保存到所述存储器。13.根据权利要求10所述的磁盘装置的制造方法,其中,依照为了按所选择的顺序对所述多个区执行所述测定而设定的顺序,来取得所述第一 区的第一测定值,基于所述第一测定值和所述测定值分布,来算出下一测定区即第二区的第二测定值的 第一预测值。14.根据权利要求13所述的磁盘装置的制造方法,其中,算出第一差值与该第一预测值的和即第一限制值,所述第一差值是所述第一预测值与 所述测定值分布的差,参照所述第一限制值来取得所述第二区的所述第二测定值。15.根据权利要求14所述的磁盘装置的制造方法,其中,基于所述第二测定值和所述测定值分布,进一步算出下一测定区即第三区的第三测定 值的第二预测值,算出第二差值与该第二预测值的和即第二限制值,所述第二差值是所述第二预测值与 所述测定值分布的差,参照所述第二限制值来取得所述第三区的第三测定值。16.根据权利要求10所述的磁盘装置的制造方法,其中,依照为了按所选择的顺序对所述多个区执行所述测定而设定的顺序,基于测定出的测 定值和所述测定值分布,来算出接下来执行所述测定的区的预测值,算出差值与所述预测值的和即限制值,所述差值是所述预测值与所述测定值分布的 差,对划分所得的所述多个区的全部执行下述处理:参照所述限制值在所述接下来执行测 定的区取得测定值。17.根据权利要求16所述的磁盘装置的制造方法,其中,在所述第二测定值达到所述第一限制值的第一最大限制值的情况下,停止向所述加热 器的电力供给。18.根据权利要求17所述的磁盘装置的制造方法,其中,在所述接下来执行测定的区中的测定值达到所述最大限制值的情况下,停止所述测 定,在停止该测定后,在该区再次执行所述测定。19.一种磁盘装置,其包括:盘;头,其通过向加热器供给电力而向所述盘突出;和控制器,该控制器中,具有以下控制:按将所述盘划分所得的多个区的每个区,根据包括事先测定的多个测 定值的测定值分布来取得基准值,所述测定中测定对应于所述盘与所述头接触时向所述加 热器供给的电力的值,取得根据所述测定值分布和所述取得的基准值而算出的数据组,参照所述数据组,选择所述多个区中的、具有该数据组的值比其他区小的值的区,来作 为首先执行所述测定的第一区,对所述多个区的全部执行下述处理:选择与包括选择完的区的区相邻的未选择的两个 区的任一个,对该多个区设定按所选择的顺序执行所述测定的顺序。20.根据权利要求19所述的磁盘装置,其中,所述控制器依照所述顺序来取得所述第一区的第一测定值,基于所述第一测定值和所述测定值分布,来算出下一测定区即第二区的第二测定值的 预测值,算出差值与该预测值的和即限制值,所述差值是所述预测值与所述测定值分布的差,参照所述限制值来取得所述第二区的第二测定值。
【文档编号】G11B5/56GK105976840SQ201510547541
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2015年8月31日
【发明人】松永俊孝
【申请人】株式会社东芝
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