半导体存储装置及其操作方法
【专利摘要】一种半导体存储装置，可以包括：存储区；以及控制器，包括寄存器，寄存器被配置为储存参数设置数据，并且基于数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号根据参数设置命令或参数获取命令来使能。
【专利说明】半导体存储装置及其操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2015年3月19日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0038193的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过弓I用合并于此。
技术领域
[0003]各种实施例涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种半导体存储装置及其操作方法。
【背景技术】
[0004]通过快闪存储装置呈现的非易失性存储装置能够减小尺寸并增大容量。此外，非易失性存储装置具有高的数据处理速度。
[0005]近来，已经持续进行了各种研究以提升非易失性存储装置的性能。特别地，高速缓存操作已经被建议用来支持高速操作。当使用高速缓存操作时，在编程操作或读取操作期间能够通过管线(pipeline)方法来处理数据。
[0006]非易失性存储器件可以根据制造工艺和使用计数而具有不同的操作特性。此外，最新的非易失性存储装置已经被设计为根据被应用了非易失性存储装置的设备来改变操作特性，由此保证兼容性。
[0007]可以将基于操作模式而定义操作特性的操作参数储存在非易失性存储装置的特定区域中，以及可以基于储存的操作参数来执行编程操作、擦除操作或读取操作。此外，当发生要改变操作参数的事件时，要被改变的操作参数可以首先被储存然后被读取。编程操作、擦除操作或读取操作根据改变过的操作参数来执行。
【发明内容】
[0008]在一个实施例中，一种半导体存储装置可以包括存储区。该半导体存储装置也可以包括控制器，控制器包括寄存器，寄存器被配置为储存参数设置数据，并且基于数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号根据参数设置命令或参数获取命令来使能。
[0009]在一个实施例中，提供一种半导体存储装置的操作方法，该半导体存储装置包括存储区和用于控制存储区的控制器。该操作方法可以包括储存参数设置数据。该操作方法也可以包括根据数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号响应于参数设置命令或参数获取命令来使能。
[0010]在一个实施例中，一种半导体存储装置可以包括存储区。该半导体存储装置也可以包括控制器，控制器被配置为接收参数设置命令或参数获取命令，储存数据或参数设置数据，以及根据参数设置命令或参数获取命令来输出参数设置数据。
【附图说明】
[0011]图1是根据本发明的一个实施例的半导体存储装置的配置图；
[0012]图2是根据一个实施例的寄存器的配置图；
[0013]图3是根据一个实施例的寄存器的电路图；
[0014]图4是根据本发明的一个实施例的数据传输使能信号发生电路的配置图；
[0015]图5和图6是根据本发明的实施例的参数输出控制信号发生电路的配置图；
[0016]图7是根据本发明的一个实施例的数据处理系统的配置图；以及
[0017]图8和图9是根据实施例的电子系统的配置图。
【具体实施方式】
[0018]将参照附图来更详细地描述示例性实施例。在本文中参照为示例性实施例和中间结构的示意图的剖视图来描述示例性实施例。这样，可预期作为例如制造技术和/或容限的结果的来自示图的形状的变化。因此，实施例不应被解释为局限于本文中图示的区域的特定形状，而可以包括由例如制造所导致的形状偏差。在附图中，可以为了清晰而夸大层和区域的长度和尺寸。在附图中相同的附图标记表示相同的元件。也要理解，当一层被称作在另一层或衬底“上”时，其能够直接在另一层或衬底上，或者可以存在中间层。也要注意，在说明书中，“连接/耦接”不仅指一个部件直接耦接到另一个部件，也指一个部件通过中间部件而间接地耦接到另一个部件。此外，只要未明确提及，则单数形式可以包括复数形式，反之亦然。
[0019]在本文中参照为示例性实施例的示意图的剖视图和/或平面图来描述本发明构思。然而，实施例不应为限制性的或者不应被解释为局限于本发明构思。尽管将示出并描述若干实施例，但本领域技术人员将明白，在不脱离本发明构思的原理和精神的情况下，可以在这些示例性实施例中做出改变。
[0020]参见图1，描述了根据一个实施例的半导体存储装置的配置图。
[0021]如图1中所示，半导体存储装置100可以包括控制器110和存储区120。
[0022]控制器110可以根据从外部提供的信号来控制存储区120的全部操作。
[0023]特别地，控制器110可以从外部设备接收命令CMD和控制信号(CE(芯片使能)、CLE (命令锁存使能)、ALE (地址锁存使能)、RE (读取使能)、WE (写入使能)和RB (就绪/繁忙))。外部设备可以为例如主机设备。控制器110可以将数据1传输到外部设备或者从外部设备接收数据10。控制器110可以将命令CMD解码并执行与解码结果相对应的操作。
[0024]输入到控制器110的命令CMD可以包括参数设置命令SETPARA和/或参数获取命令GETPARA。在这种情形下，根据参数设置命令SETPARA之后接收到的地址信号和数据，控制器110可以将数据或参数设置数据储存在寄存器112的由地址信号指示的对应的区域中。
[0025]响应于参数设置命令SETPARA而被储存在寄存器112中的参数设置数据可以响应于参数获取命令GETPARA而从寄存器112输出。参数设置数据也可以被提供给存储区120。
[0026]在一个实施例中，寄存器112可以用多级锁存器或最好用二级锁存器来实施以支持高速缓存操作。此外，为了将储存在寄存器112中的参数设置数据输出，可能需要控制信号以将前级锁存器的数据传输到后级锁存器。
[0027]在一个实施例中，可以基于在施加参数获取命令GETPARA时使能的信号(例如，参数读取命令READPARA)来产生用于控制寄存器112的操作的数据传输使能信号。相应地，当参数获取命令GETPARA被施加时，前级锁存器的数据可以响应于参数读取命令READPARA而传输到后级锁存器并从寄存器112输出。
[0028]在一个实施例中，可以基于在施加参数设置命令SETPARA之后施加的命令(例如，建立命令(setup command) SETUP)来产生数据传输使能信号。因此，在参数设置数据根据参数设置命令SETPARA而被储存在寄存器112中之后，前级锁存器的数据可以响应于建立命令SETUP来传输到后级锁存器。
[0029]在一个实施例中，可以基于在施加参数设置命令SETPARA之后施加的命令(例如，参数设置确认命令SETCNFM)来产生数据传输使能信号。在这种情形下，在参数设置数据根据参数设置命令SETPARA而被储存在寄存器112中之后，前级锁存器的数据可以根据参数设置确认命令SETCNFM来传输到后级锁存器。
[0030]在一个实施例中，可以基于施加参数设置命令SETPARA之后施加的命令(例如，建立命令SETUP和参数设置确认命令SETCNFM)来产生数据传输使能信号。在这种情形下，在参数设置数据根据参数设置命令SETPARA而被储存在寄存器112中之后，在建立命令SETUP被施加之后数据传输使能信号可以被使能直到参数设置确认命令SETCNFM被禁止，使得前级锁存器中的数据能够传输到后级锁存器。
[0031]当参数设置数据被储存然后被输出时，储存在寄存器112中的参数设置数据可以响应于参数设置命令SETPARA或参数获取命令GETPARA而输出。结果，可以输出参数设置数据，而不执行用于操作寄存器112的不必要的虚设操作。
[0032]当需要改变半导体存储装置100的操作特性时，可以从外部设备(诸如，主机)提供参数设置命令SETPARA，但不局限为如此。
[0033]存储区120可以包括半导体存储单元阵列和用于半导体存储单元阵列的存取电路单元。存取电路单元可以包括行控制单元、列控制单元、输入/输出电路单元和电压提供单元等。
[0034]在一个实施例中，存储单元阵列可以包括多个块。此外，包括在每个块中的多个半导体存储单元可以通过串结构(string structure)而电親接在字线WL与位线BL之间。例如，形成存储单元阵列的存储单元可以包括快闪存储单元。存储单元可以用单级单元或多级单元来实施。
[0035]半导体存储装置可以包括一个或更多个存储区120。
[0036]参见图2，示出了根据一个实施例的寄存器的配置图。
[0037]如图2中所示，寄存器200可以包括第一储存单元210、传输单元220和第二储存单元230。
[0038]第一储存单元210可以在从外部设备(诸如，主机)提供了用于储存参数设置数据的位置信息(即，第一地址信号ADD1)时被使能。此外，第一储存单元210可以根据响应于参数设置命令SETPARA而产生的写入信号WT来储存数据DATA (即，参数设置数据)。
[0039]传输单元220可以响应于数据传输使能信号ESDLE来将第一储存单元210的数据DATA传输到第二储存单元230。
[0040]第二储存单元230可以在从外部设备(诸如，主机)提供了用于储存参数设置数据的位置信息(即，第二地址信号ADD2)时被使能。此外，第二储存单元230可以根据基于参数获取命令GETPARA而产生的读取信号RD来将通过传输单元220传输的数据DATA输出。
[0041]参见图3，不出了根据一个实施例的寄存器的电路图。
[0042]如图3中所示，寄存器300可以包括第一储存单元310、传输单元320和第二储存单元330。
[0043]第一储存单元310可以包括输入单元312和第一锁存器314。第二储存单元330可以包括第二锁存器332和输出单元334。
[0044]更具体地，输入单元312可以在第一地址信号ADDl被提供时被使能。输入单元312也可以将写入信号WT和数据DATA施加到第一锁存器314。第一锁存器314可以暂时地储存从输入单元312提供的写入信号WT和数据DATA。
[0045]传输单元320可以响应于数据传输使能信号ESDLE来驱动。此外，传输单元320可以输出与第一锁存器314的写入信号WT相对应的读取信号RD以及与第一锁存器314的数据DATA相对应的数据DATA。
[0046]参见图4，描述了根据一个实施例的数据传输使能信号发生电路的配置图。
[0047]如上所述，数据传输使能信号ESDLE可以根据参数设置命令SETPARA或参数获取命令GETPARA来使能。
[0048]在一个实施例中，数据传输使能信号发生电路可以响应于参数设置命令SETPARA或参数获取命令GETPARA来产生参数输出控制信号CI_SDLE。数据传输使能信号发生电路也可以响应于参数输出控制信号CL_SDLE来产生数据传输使能信号ESDLE。图4图示了该配置的示例。
[0049]当寄存器112、200或300未正在执行高速缓存操作时，在参数输出控制信号CI_SDLE被使能的情形下，无论原始控制信号MC_SDLE如何数据传输使能信号发生电路400都可以使能数据传输使能信号ESDLE。
[0050]在一个实施例中，数据传输使能信号发生电路400可以包括高速缓存操作判定单元401、参数输出判定单元403和数据传输判定单元405。
[0051]高速缓存操作判定单元401可以判定寄存器112、200或300是否正在执行高速缓存操作。当寄存器112、200或300未正在执行高速缓存操作时，标志信号CACHEPGMFLAG或CACHEREADFLAG可以具有逻辑低态，标志信号CACHEPGMFLAG或CACHEREADFLAG指示是否对寄存器112、200或300执行编程操作或读取操作。相应地，当高速缓存操作未被执行时，用或非(NOR)门实施的高速缓存操作判定单元401的输出信号可以具有逻辑高电平。
[0052]参数输出判定单元403可以响应于高速缓存操作判定单元401的输出信号和参数输出控制信号CI_SDLE来判定是否输出参数。当由于施加了参数设置命令SETPARA或参数获取命令GETPARA而需要输出参数时，参数输出控制信号CI_SDLE可以具有逻辑高电平。因此，用与(AND)门实施的参数输出判定单元403的输出信号可以具有逻辑高电平。
[0053]数据传输判定单元405可以响应于参数输出判定单元403的输出信号和原始控制信号MC_SDLE来产生数据传输使能信号ESDLE。当数据传输判定单元405的输出信号处于逻辑高电平时，或者当寄存器112、200或300未正在执行高速缓存操作但参数输出控制信号CI_SDLE具有逻辑高电平时，无论原始控制信号MC_SDLE如何都可以输出处于逻辑高电平的数据传输使能信号ESDLE。对于该操作，数据传输判定单元405可以用或(OR)门来实施，但并不局限于这样的配置。
[0054]参见图5和图6，示出了根据实施例的参数输出控制信号发生电路的配置图。
[0055]如上所述，参数输出控制信号CI_SDLE可以基于响应于参数获取命令GETPARA而产生的参数读取命令READPARA来产生；可以基于响应于参数设置命令SETPARA而施加的建立命令SETUP来产生；可以基于响应于参数设置命令SETPARA而施加的参数设置确认命令SETCNFM来产生；或者可以基于响应于参数设置命令SETPARA而施加的建立命令SETUP和参数设置确认命令SETCNFM来产生。
[0056]首先，图5图示了其中参数输出控制信号发生电路根据参数读取命令READPARA、建立命令SETUP或参数设置确认命令SETCNFM来产生参数输出控制信号CI_SDLE的示例。此外，响应于参数获取命令GETPARA而被使能的信号包括参数读取命令READPARA。
[0057]参数输出控制信号发生电路500可以包括接收参数读取命令READPARA、建立命令SETUP或参数设置确认命令SETCNFM作为第一输入信号的脉冲发生单元510。参数输出控制信号发生电路500也可以从第一输入信号的延迟反相信号产生参数输出控制信号CI_SDLE0
[0058]第一输入信号READPARA、SETUP或SETCNFM可以由延迟单元511和反相器单元513延迟并反相，以及被产生为第二输入信号。
[0059]作为反相器单元513的输出信号的第一输入信号READPARA、SETUP或SETCNFM和第二输入信号可以输入到逻辑电路单元515。当两个输入信号都处于高电平时，逻辑电路单元515可以输出处于逻辑高电平的参数输出控制信号CI_SDLE。在一个实施例中，逻辑电路单元515可以用AND门来实施，但不局限为这样的配置。
[0060]图6图示了其中参数输出控制信号发生电路根据建立命令SETUP和参数设置确认命令SETCNFM来产生参数输出控制信号CI_SDLE的示例。
[0061]参数输出控制信号发生电路600可以包括脉冲发生单元610，脉冲发生单元610在建立命令SETUP被使能之后使能参数输出控制信号CI_SDLE直到参数设置确认命令SETCNFM被禁止。
[0062]第二输入信号SETCNFM可以通过延迟单元611延迟预设时间并被提供给逻辑电路单元613。此时，可以将第一输入信号SETUP与第二输入信号SETCNFM —起提供给逻辑电路单元613。在其中两个输入信号都不处于低电平的时段，逻辑电路单元613可以输出处于逻辑高电平的参数输出控制信号CI_SDLE。在一个实施例中，逻辑电路单元613可以用OR门来实施，但不局限为这样的配置。
[0063]同样地，当参数设置数据被储存并被输出时，参数输出控制信号CI_SDLE可以根据参数设置命令SETPARA或参数获取命令GETPARA来产生。然后，当寄存器112、200或300未正在执行高速缓存操作时，数据传输使能信号ESDLE可以根据参数输出控制信号CI_SDLE来使能。此外，储存在寄存器112、200或300中的参数设置数据可以响应于使能的数据传输使能信号ESDLE来输出。相应地，半导体存储装置能够输出参数设置数据而不执行用于操作寄存器112、200或300的不必要的虚设操作。
[0064]参见图7，描述了根据一个实施例的数据处理系统的配置图。
[0065]在图7中图示的数据处理系统70可以包括存储器控制器710和半导体存储装置720。
[0066]存储器控制器710可以被配置为根据主机的请求来访问半导体存储装置720。为了此操作，存储器控制器710可以包括处理器711、工作存储器713、主机接口 715和存储器接口 717。
[0067]处理器711可以控制存储器控制器710的全部操作。此外，工作存储器713可以储存存储器控制器710的操作所需的应用程序、数据和控制信号。
[0068]主机接口 715可以执行协议转换以在主机与存储器控制器710之间交换数据/控制信号。此外，存储器接口 717可以执行协议转换以在存储器控制器710与半导体存储装置720之间转换数据/控制信号。
[0069]例如，半导体存储装置720可以包括图1到图6中图示的包括寄存器的半导体存储装置。半导体存储装置720可以包括具有半导体存储元件的存储单元阵列、地址解码器、控制器和电压发生器等。相应地，根据来自主机的参数改变命令，半导体存储装置720可以将参数设置数据储存在寄存器中。半导体存储装置720也可以响应于参数设置命令SETPARA或参数获取命令GETPARA来将储存在寄存器中的参数设置数据输出。
[0070]图7中图示的数据处理系统可以被用作磁盘设备、便携式电子设备的内部/外部存储卡、图像处理器或其他应用芯片组等。
[0071]设置在存储器控制器710中的工作存储器也可以用以上示出的图1到图6中图示的半导体存储装置来实施。
[0072]参见图8和图9，描述了根据实施例的电子系统的配置图。
[0073]首先，图8中图示的电子系统80可以包括处理器801、存储器控制器803、半导体存储装置805、输入/输出设备807和功能模块800。
[0074]存储器控制器803可以根据处理器801的控制来控制半导体存储装置805的数据处理操作(例如，编程操作或读取操作)。
[0075]被编程在半导体存储装置805中的数据可以根据处理器801和存储器控制器803的控制而通过输入/输出设备807输出。为了此操作，输入/输出设备807可以包括显示设备和扬声器设备等。
[0076]此外，输入/输出设备807可以包括输入设备，通过该输入设备能够输入用于控制处理器801的操作的控制信号或要被处理器801处理的数据。
[0077]在一个实施例中，存储器控制器803可以被实施为处理器801的一部分。存储器控制器803也可以被实施为与处理器801分离的芯片组。
[0078]半导体存储装置805可以包括具有半导体存储元件的存储单元阵列、地址解码器、控制器和电压发生器等。在一个实施例中，半导体存储装置805可以包括以上描述的图1到图6中图示的具有寄存器的半导体存储装置。因此，根据来自主机的参数改变命令，半导体存储装置805可以将参数设置数据储存在寄存器中。半导体存储装置805也可以响应于参数设置命令SETPARA或参数获取命令GETPARA来将储存在寄存器中的参数设置数据输出。
[0079]功能模块800可以包括根据图8中图示的电子系统80的应用示例的能够执行选定功能的模块。图8图示通信模块809和图像传感器811作为功能模块800的示例。
[0080]通信模块809可以提供在其中电子系统80能够通过有线通信网络或无线通信网络来交换数据和控制信号的通信环境。
[0081]图像传感器811可以将光学图像转换为数字图像信号。图像传感器811也可以将数字图像信号传输到处理器801和存储器控制器803。
[0082]当电子系统80包括通信模块809时，图8的电子系统80可以用作便携式通信设备(诸如，无线通信终端)。当电子系统80包括图像传感器811时，电子系统80可以用作被附接了数字相机、数字摄像机或数字相机与数字摄像机中的一种的电子系统。电子系统可以包括PC、笔记本电脑或移动通信终端等。
[0083]参见图9，图9中图示的电子系统90可以包括卡接口 901、存储器控制器903和半导体存储装置905。
[0084]图9图示了存储卡或智能卡的示例。图9的电子系统90可以用作PC卡、多媒体卡、嵌入式多媒体卡、安全数字卡和USB驱动器中的任意一种。
[0085]卡接口 901可以根据主机的协议来接口主机与存储器控制器903之间的数据交换。在一个实施例中，卡接口 901可以指能够支持主机所使用的协议的硬件。卡接口 901也可以指安装在能够支持主机所使用的协议的硬件上的软件。卡接口 901也可以指信号传输方案。
[0086]存储器控制器903可以控制半导体存储装置905与卡接口 901之间的数据交换。
[0087]半导体存储装置905可以包括图1到图6中图示的具有寄存器的半导体存储装置。半导体存储装置905可以包括具有半导体存储元件的存储单元阵列、地址解码器、控制器和电压发生器等。因此，根据来自主机的参数改变命令，半导体存储装置905可以将参数设置数据储存在寄存器中。半导体存储装置905也可以响应于参数设置命令SETPARA或参数获取命令GETPARA来将储存在寄存器中的参数设置数据输出。
[0088]虽然以上已经描述了特定的实施例，但本领域技术人员将理解，描述的实施例仅作为示例。相应地，描述的半导体存储装置不应基于以上描述的实施例来限制。相反地，描述的半导体存储装置应当仅由所附权利要求书结合以上的描述和附图来限制。
[0089]通过以上实施例可以看出，本发明提供以下技术方案。
[0090]技术方案1.一种半导体存储装置，包括:
[0091]存储区；以及
[0092]控制器，包括寄存器，寄存器被配置为储存参数设置数据，并且基于数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号根据参数设置命令或参数获取命令来使能。
[0093]技术方案2.如技术方案I所述的半导体存储装置，其中，寄存器包括:
[0094]第一储存单元，被配置为根据参数设置命令和第一地址信号来储存参数设置数据；
[0095]第二储存单元，被配置为根据参数获取命令和第二地址信号来输出参数设置数据；以及
[0096]传输单元，被配置为基于数据传输使能信号来将储存在第一储存单元中的参数设置数据传输到第二储存单元，数据传输使能信号响应于参数设置命令或参数获取命令来使會K。
[0097]技术方案3.如技术方案I所述的半导体存储装置，其中，数据传输使能信号根据响应于参数获取命令而被使能的信号来产生。
[0098]技术方案4.如技术方案3所述的半导体存储装置，其中，响应于参数获取命令而被使能的信号包括参数读取命令。
[0099]技术方案5.如技术方案I所述的半导体存储装置，其中，数据传输使能信号根据响应于参数设置命令而被使能的信号来产生。
[0100]技术方案6.如技术方案5所述的半导体存储装置，其中，响应于参数设置命令而被使能的信号包括建立命令。
[0101]技术方案7.如技术方案5所述的半导体存储装置，其中，响应于参数设置命令而被使能的信号包括参数设置确认命令。
[0102]技术方案8.如技术方案I所述的半导体存储装置，其中，数据传输使能信号根据响应于参数设置命令而被使能的多个信号来产生。
[0103]技术方案9.如技术方案8所述的半导体存储装置，其中，响应于参数设置命令而被使能的所述多个信号包括建立命令和参数设置确认命令。
[0104]技术方案10.—种半导体存储装置的操作方法，所述半导体存储装置包括存储区以及用于控制存储区的控制器，所述操作方法包括:
[0105]储存参数设置数据；以及
[0106]根据数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号响应于参数设置命令或参数获取命令来使能。
[0107]技术方案11.如技术方案10所述的操作方法，其中，将参数设置数据提供给存储区的步骤包括步骤:
[0108]响应于参数设置命令和第一地址信号来将参数设置数据储存在第一储存单元中；
[0109]基于数据传输使能信号来将储存在第一储存单元中的参数设置数据传输到第二储存单元，数据传输使能信号响应于参数设置命令或参数获取命令来使能；以及
[0110]将传输到第二储存单元的数据输出到存储区。
[0111]技术方案12.如技术方案10所述的操作方法，其中，数据传输使能信号根据响应于参数获取命令而被使能的信号来产生。
[0112]技术方案13.如技术方案12所述的操作方法，其中，响应于参数获取命令而被使能的信号包括参数读取命令。
[0113]技术方案14.如技术方案10所述的操作方法，其中，数据传输使能信号根据响应于参数设置命令而被使能的信号来产生。
[0114]技术方案15.如技术方案14所述的操作方法，其中，响应于参数设置命令而被使能的信号包括建立命令。
[0115]技术方案16.如技术方案14所述的操作方法，其中，响应于参数设置命令而被使能的信号包括参数设置确认命令。
[0116]技术方案17.如技术方案10所述的操作方法，其中，数据传输使能信号根据响应于参数设置命令而被使能的多个信号来产生。
[0117]技术方案18.如技术方案17所述的操作方法，其中，响应于参数设置命令而被使能的所述多个信号包括建立命令和参数设置确认命令。
[0118]技术方案19.一种半导体存储装置，包括:
[0119]存储区；以及
[0120]控制器，被配置为接收参数设置命令或参数获取命令，储存数据或参数设置数据，以及根据参数设置命令或参数获取命令来输出参数设置数据。
[0121]技术方案20.如技术方案19所述的半导体存储装置，还包括:
[0122]寄存器，包括多级锁存器且被配置为支持高速缓存操作。
[0123]技术方案21.如技术方案21所述的半导体存储装置，其中，数据传输使能信号被使能直到参数设置确认命令被禁止。
【主权项】
1.一种半导体存储装置，包括: 存储区；以及 控制器，包括寄存器，寄存器被配置为储存参数设置数据，并且基于数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号根据参数设置命令或参数获取命令来使能。2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，寄存器包括: 第一储存单元，被配置为根据参数设置命令和第一地址信号来储存参数设置数据； 第二储存单元，被配置为根据参数获取命令和第二地址信号来输出参数设置数据；以及 传输单元，被配置为基于数据传输使能信号来将储存在第一储存单元中的参数设置数据传输到第二储存单元，数据传输使能信号响应于参数设置命令或参数获取命令来使能。3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，数据传输使能信号根据响应于参数获取命令而被使能的信号来产生。4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，响应于参数获取命令而被使能的信号包括参数读取命令。5.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，数据传输使能信号根据响应于参数设置命令而被使能的信号来产生。6.如权利要求5所述的半导体存储装置，其中，响应于参数设置命令而被使能的信号包括建立命令。7.如权利要求5所述的半导体存储装置，其中，响应于参数设置命令而被使能的信号包括参数设置确认命令。8.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，数据传输使能信号根据响应于参数设置命令而被使能的多个信号来产生。9.一种半导体存储装置的操作方法，所述半导体存储装置包括存储区以及用于控制存储区的控制器，所述操作方法包括: 储存参数设置数据；以及 根据数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号响应于参数设置命令或参数获取命令来使能。10.一种半导体存储装置，包括: 存储区；以及 控制器，被配置为接收参数设置命令或参数获取命令，储存数据或参数设置数据，以及根据参数设置命令或参数获取命令来输出参数设置数据。
【文档编号】G11C16/26GK105989884SQ201510634530
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年9月29日
【发明人】印银奎
【申请人】爱思开海力士有限公司