旋转扭矩振荡器、高频辅助磁记录头、磁头组件及磁记录再现装置的制造方法
【专利摘要】本发明的实施方式可获得可以使向振荡层的旋转注入效率上升、产生更强的高频磁场的高频辅助磁记录头。在实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中，在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，还形成旋转注入层，从而将旋转注入层与振荡层之间的区域设得宽阔，并在该区域内形成中间层，由此可以增大中间层与振荡层接触的面积。
【专利说明】旋转扭矩振荡器、高频辅助磁记录头、磁头组件及磁记录再现装置
[0001]相关申请
[0002]本申请享有以日本专利申请2015-86096号(申请日:2015年4月20日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请，包含基础申请的全部内容。
技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及旋转扭矩振荡器、高频辅助磁记录头、高频辅助磁记录头组件及磁记录再现装置。
【背景技术】
[0004]作为盘装置，例如，磁盘装置具备:在外壳内配设的磁盘；支撑及旋转磁盘的转轴马达；对磁盘进行信息的读/写的磁头；以相对于磁盘自由移动的方式支撑磁头的滑架组件。磁头的头部包含写入用的磁记录头和读出用的再现头。
[0005]近年，为了实现磁盘装置的高记录密度化、大容量化或者小型化，提出了垂直磁记录用的磁头。在这样的磁头中，记录头具有:产生垂直方向磁场的主磁极；与该主磁极的尾端侧隔着写间隙配置而在与磁盘之间闭合磁路的写防护件；用于向主磁极流动磁通的线圈。
[0006]提出了在主磁极与写防护件之间(写间隙)配置了旋转扭矩振荡器的高频辅助磁记录用的磁记录头。旋转扭矩振荡器通过将振荡层、中间层、旋转注入层层叠而形成，该旋转扭矩振荡器与主磁极及写防护件电连接。该中间层具有将来自旋转注入层的旋转流送至振荡层的作用。但是，在当前的构成中，由于层叠构成的关系，难以向振荡层充分地注入极化了的旋转，若使偏置电流增加，则存在旋转注入层的磁化依来自振荡层的旋转扭矩而波动的问题。
【发明内容】
[0007]本发明的实施方式的目的在于提供可以使向振荡层的旋转注入效率上升且产生更强的高频磁场的旋转扭矩振荡器、高频辅助磁记录头、磁头组件及磁记录再现装置。
[0008]根据实施方式，提供一种旋转扭矩振荡器，包括:旋转注入层，其具有第I侧面；中间层，其设置在上述旋转注入层上，并具有与上述第I侧面形成为一个面的第2侧面；以及振荡层，其设置在上述中间层上，并具有与第I侧面设置为一个面的第3侧面，
[0009]其中至少，上述旋转注入层的相对于第I侧面垂直方向的深度比上述振荡层的相对于第3侧面垂直方向的深度大，且上述旋转注入层的至少一部分隔着上述中间层设置于上述振荡层的相对于第3侧面垂直的深度方向的外侧的区域，或者
[0010]上述旋转注入层的第I侧面的膜面方向的幅度比上述振荡层的第3侧面的膜面方向的幅度大，上述旋转注入层的至少一部分隔着上述中间层设置于上述振荡层的第3侧面的膜面方向的外侧的区域。
【附图说明】
[0011]图1是对实施方式所涉及的高频辅助磁记录头沿着磁盘上的磁道中心进行剖切而示意地进行表示的立体图。
[0012]图2是相对于图1的剖切面从垂直方向观察记录头的ABS面附近的图。
[0013]图3是从ABS观察图2的图。
[0014]图4A是表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序的图。
[0015]图4B是表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序的图。
[0016]图4C是表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序的图。
[0017]图4D是表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序的图。
[0018]图4E是表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序的图。
[0019]图4F是表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序的图。
[0020]图4G是表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序的图。
[0021]图4H是表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序的图。
[0022]图41是表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序的图。
[0023]图5是实施方式所涉及的高频辅助磁记录头的构成的另一例的示意截面图。
[0024]图6是将图5以主磁极为中心相对于ABS面垂直剖切、相对于剖切面从垂直方向观察的图。
[0025]图7是例示实施方式所涉及的磁记录再现装置的概略构成的主要部分立体图。
[0026]图8是表示实施方式所涉及的磁头组件的一例的概略图。
【具体实施方式】
[0027]实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器具有层叠构造体，该层叠构造体包含:旋转注入层，其具有第I侧面；中间层，其设置在旋转注入层上，并具有与第I侧面形成为一个面的第2侧面；以及振荡层，其设置在中间层上，并具有与第I侧面设置为一个面的第3侧面。
[0028]在第I实施方式中，旋转注入层其第I侧面的膜面方向的幅度比振荡层的第3侧面的膜面方向的幅度大，且旋转注入层的至少一部分隔着中间层设置于振荡层的第3侧面膜面方向的外侧的区域。
[0029]在第2实施方式中，旋转注入层其相对于第I侧面垂直方向的深度比振荡层的相对于第3侧面垂直方向的深度大，且旋转注入层的至少一部分隔着中间层设置于振荡层的相对于第3侧面垂直的深度方向的外侧的区域。
[0030]另外，在第3实施方式中，旋转注入层具有第I实施方式和第2实施方式双方的特征。
[0031]实施方式所涉及的高频辅助磁记录头具备:主磁极，其对磁记录介质施加记录磁场；辅助磁极，其与主磁极构成磁路；以及旋转扭矩振荡元件，其设置在主磁极与辅助磁极之间，其中，旋转扭矩振荡元件具有:形成于主磁极及辅助磁极之中的一方上的旋转注入层、形成于旋转注入层上的中间层以及形成于中间层上的振荡层。
[0032]在第4实施方式中，旋转注入层其与上浮面(ABS:空气支撑面)的写间隙方向垂直的幅度比振荡层的与上浮面的写间隙方向垂直的幅度大，旋转注入层的至少一部分隔着中间层设置于振荡层的磁道宽度方向的外侧的区域，且与辅助磁极绝缘。
[0033]在第5实施方式中，旋转注入层其相对于上浮面垂直的方向的深度比振荡层的相对于上浮面垂直方向的深度大，且旋转注入层的至少一部分隔着中间层设置于振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，且与辅助磁极绝缘。
[0034]另外，在第6实施方式中，旋转注入层具有第I实施方式和第2实施方式双方的特征。
[0035]根据实施方式，在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域、或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，还形成旋转注入层，从而将旋转注入层与振荡层之间的区域设置得宽阔，由此可以在该区域内以更大面积形成从旋转注入层向振荡层转移极化了的电子的作用的中间层。通过增大与振荡层接触的中间层的面积，向振荡层注入的极化电子变得更多。结果，由于对振荡层施加更大的旋转扭矩，振荡层的磁化的旋转角上升，所以能够产生更大的高频磁场。另外，若与振荡层相比使旋转注入层的体积增大，则也能够抑制从振荡层向旋转注入层的因旋转扭矩的影响导致的旋转注入层的磁化波动，可以向振荡层稳定地注入极化了的电子。
[0036]其他实施方式所涉及的磁头组件分别具备:第4至第6实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中的一个；搭载了高频辅助磁记录头的头部滑块；在一端搭载头部滑块的悬架；以及与悬架的另一端连接的致动器臂。
[0037]另外，其他实施方式所涉及的磁记录再现装置具备:磁记录介质；旋转磁记录介质的驱动部；以及分别对磁记录介质进行信息处理的、第4至第6实施方式所涉及的高频辅助磁记录头。
[0038]以下，参照【附图说明】实施方式。
[0039]图1是表示沿着磁盘的磁道中心剖切记录头的状态的示意图。
[0040]如图所示，主磁极I相对于未图示磁盘的表面及ABS大致垂直地延伸。主磁极I的磁盘侧的前端部Ia朝向ABS逐渐变细地收缩，形成为相对于其他部分宽度狭小的柱状。主磁极I的前端面露出于未图示滑块的ABS。在尾端防护件7连接着端子90，在该端子90连接着电源。
[0041]尾端防护件7形成为大致L字形状，具有与主磁极I的前端部Ia相对的前端部7a。尾端防护件7的前端部7a形成为细长的矩形状。尾端防护件7的前端面露出于未图示滑块的ABS。在尾端防护件7连接着端子91，在该端子91连接着电源。
[0042]在本实施方式中，记录头10在主磁极I的磁道宽度方向两侧具有以从主磁极I物理地切断且与尾端防护件7连接的方式配置的侧防护件82。在本实施方式中，侧防护件82与尾端防护件7 —体地形成。
[0043]记录线圈70设置在例如主磁极I与尾端防护件7之间。在记录线圈70连接着端子95，在该端子95连接着电源。从电源供给于记录线圈70的电流通过HDD的控制部进行控制。在对磁盘12写入信号时，从电源向记录线圈70供给预定的电流，向主磁极I流动磁通，产生磁场。
[0044]旋转扭矩振荡器2在主磁极I的前端部Ia与尾端防护件7的前端部7a之间，设置在写间隙WG内。
[0045]图2是相对于图1的剖切面从垂直方向观察记录头的ABS面附近的图。如图所示，该高频辅助磁记录头10具有在主磁极I上依次层叠了旋转扭矩振荡器2及尾端防护件7的构造。在主磁极I的两侧，隔着绝缘层13设置有侧防护件14，该侧防护件14包含例如Fe、Co、Ni的单体或者含有Fe、Co、Ni中的至少2种的合金。
[0046]图3是从ABS观察图2的图。
[0047]旋转扭矩振荡器2可以在例如具备再现头部的未图示AlTiC基板上形成。可以在AlTiC基板上形成主磁极I。
[0048]该旋转扭矩振荡器2是第I实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的构成的一例，具有在写间隙WG方向依次形成了未图示基底层、旋转注入层3、中间层4及振荡层5、未图示覆盖层的构成。使用的旋转注入层3其相对于旋转注入层3的上浮面垂直方向的深度D2比相对于振荡层5的上浮面垂直方向的深度Dl大。另外，旋转注入层3的至少一部分隔着中间层4设置于相对于振荡层5的上浮面垂直的深度方向的轮廓的外侧的区域。进而，旋转注入层3与辅助磁极7介由绝缘层6绝缘。
[0049]主磁极I包括Fe、Co、Ni的单体或含有Fe、Co及Ni中的至少2种金属的合金等，且通过涂镀法或溅射法制作。
[0050]主磁极I上表面通过实施CMP (Chemical Mechanical Polishing:化学机械抛光)而平坦化，在主磁极I上形成旋转扭矩振荡器2。
[0051]基底层用于使平滑性、结晶性提高，优选使用例如Ta、Ti及Cr等浸润性良好的材料，例如Cu、Au、Ag及Pt等电阻小的材料或它们的层叠构造等。
[0052]旋转注入层3可以使用以CoCrPt、CoCrTaXoCrTaPt及CoCrTaNb等CoCr类合金、TbFeCo 及 GdFeCo 等 RE-TM 类无定形合金、FeCo/N1、CoFe/N1、Co/N1、Co/Pt、Co/Pd 及 Fe/Pt等人工晶格、FePt类、FePd类、CoPt类及CoPd类的合金、SmCo类合金为代表的垂直磁化膜。
[0053]对于旋转注入层3，例如可以使用层叠中间层4、振荡层5的ABS12附近的层叠方向的膜厚Tl为5?20nm的膜。另外，若考虑中间层4和振荡层5的写间隙方向的膜厚，则振荡层5的相对于ABS12垂直的深度方向的轮廓的外侧区域的主磁极I的写间隙方向的旋转注入层的膜厚T2可以设为15?45nm的厚度。另外，旋转注入层3的相对于上浮面垂直方向的深度D2可以设为50?150nm。旋转注入层3由于从振荡层5流入的旋转扭矩的影响，优选具有垂直磁化不会波动的程度的体积。例如，可以使用具有振荡层5的体积的5?10倍的体积的旋转注入层。
[0054]中间层4为了实现将来自旋转注入层3的旋转流送到振荡层5的作用，中间层4优选使用旋转扩散长度长的材料。中间层4例如可以从Cu、Ag、Au及Al这样的材料或它们的层叠构造和/或合金选择。
[0055]振荡层5是Fe、Co、Ni单体或者包含Fe、Co、Ni中的至少2种的合金，例如FeCo、FeNi 合金ο 另外，可以从 FeCoAl、CoFe、CoNiFe、NiFe、CoZrNb、FeN、FeS1、FeAlS1、FeCoAl、FeCoSi及CoFeB等饱和磁通密度比较大且在膜面内方向具有磁各向异性的软磁性层及CoIr等磁化在膜面内方向取向的CoCr类的磁性合金膜选择。另外，为了调整饱和磁化和/或各向异性磁场，也可以使用层叠了多种上述材料的层叠膜。例如，作为振荡层5，可以使用高Bs软磁性材料(FeCo/Ni层叠膜)膜。另外，振荡层5的相对于上浮面垂直方向的深度Dl可以设为10?50nm。
[0056]覆盖层以保护旋转扭矩振荡器2的目的而形成。作为覆盖层，优选使用Ta、T1、Cr、Ru、W等浸润性良好的材料、Cu、Au、Ag等电阻小的材料或它们的层叠构造等。
[0057]尾端防护件包含Fe、Co及Ni等合金，用涂镀法、溅射法等形成。
[0058]在图4A至图41中分别表示实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的制造工序。
[0059]图4A至图41全部是以主磁极为中心相对于ABS面垂直地剖切且相对于剖切面从垂直方向观察的图。
[0060]首先，如图4A所示，在主磁极I上进行旋转注入层3、绝缘层6的成膜，在绝缘层6上通过光刻法形成用于进行图案形成的掩模8。作为掩模，可以使用例如光致抗蚀剂。光致抗蚀剂通过旋涂法等形成。或者，作为掩模，可以使用硬掩模，该硬掩模使用了 C、S1、Ta、Cr、W及Mo等对离子铣削的耐性强的材料。
[0061]接着，如图4B所示，在掩模包含光致抗蚀剂的情况下，通过曝光、显影，在掩模包含硬掩模的情况下，使用采用了反应性气体的RIE (Reactive 1n Etching:反应离子蚀刻)等，对掩模8进行图案形成。
[0062]进而，如图4C所示，进行用于使掩模8的图案落入绝缘层6、旋转注入层3的图案形成。例如，使用离子铣削或者采用了反应性气体的RIE法，进行蚀刻至旋转注入层的途中。
[0063]接着，如图4D所示，进行中间层4及振荡层5的成膜。
[0064]接着，如图4E所示，作为进行揭离的前阶段，通过离子铣削除去在光致抗蚀剂的侧壁堆积的中间层4及振荡层5。
[0065]接着，如图4F所示，通过浸入溶解光致抗蚀剂的溶液来进行揭离，可以使绝缘层6露出。作为溶液，可以使用例如NMP (N-甲基-2-吡咯烷酮)。
[0066]接着，如图4G所示，通过涂镀法、溅射法等形成写防护件7。
[0067]最后，如图4H所示，通过沿着波状线11从ABS方向进行研磨处理，如图41所示，形成具有与图2同样的构成的实施方式所涉及的高频辅助磁记录头。
[0068]在图5中示出表示第5实施方式所涉及的高频辅助磁记录头的构成的另一例的示意截面图。
[0069]图5表示第5实施方式所涉及的高频辅助磁记录头20的ABS侧的构成。
[0070]使用的旋转扭矩振荡器2是第2实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的一例。
[0071]使用的旋转注入层3除了下述方面以外，具有与图3同样的构成，这些方面是??旋转注入层3其与ABS12的写间隙WG的方向垂直的幅度PW2比振荡层5的与ABS12的写间隙WG方向垂直的幅度即磁道宽度PWl大，且旋转注入层3的至少一部分隔着中间层4设置于振荡层5的磁道宽度方向的外侧的区域。
[0072]另外，在图6中表示沿着磁盘上的磁道中心对记录头进行剖切而相对于剖切后的面从垂直方向观察记录头的ABS面附近的图。
[0073]如图所示，在对实施方式所涉及的高频辅助磁记录头20从条纹高度方向观察的情况下，旋转注入层3除了下述方面以外，具有与图1同样的构成，这些方面是:旋转注入层3其与写间隙WG方向垂直且相对于旋转注入层3的上浮面垂直方向的深度D3与垂直于写间隙WG方向且相对于振荡层5的上浮面垂直方向的深度D4相同，与垂直于写间隙WG方向且相对于中间层4的上浮面垂直方向的深度也相同，旋转注入层3完全未设置在相对于振荡层5的上浮面垂直的深度方向的轮廓外侧的区域。
[0074]另外，通过将高频辅助磁记录头的ABS侧的构成设为图5、将从条纹高度方向观察的图设为图2，可获得第6实施方式所涉及的高频辅助磁记录头。
[0075]另外，第6实施方式所涉及的高频辅助磁记录头中所使用的旋转扭矩振荡器成为第3实施方式所涉及的旋转扭矩振荡器的一例。
[0076]在高频辅助磁记录头中，旋转扭矩振荡器通过主磁极、写防护件发挥电极的作用，可以施加电流I。进而，通过对旋转扭矩振荡器从主磁极按箭头101的方向施加膜面垂直的外部磁场(H)，以与膜面大致垂直的轴作为旋转轴，如箭头102所示振荡层进行旋进运动，由此在外部产生高频磁场。为了产生更强的高频磁场，可以增加振荡层的饱和磁通密度Bs和振荡层的体积(面积X膜厚)。为了使振荡层稳定地振荡，需要更高的能量即提高所施加的电流密度，从旋转注入层大量地注入极化了的电子。但是，若提高电流密度，则从振荡层向旋转注入层的旋转扭矩也同时增大，旋转注入层的磁化会波动，变得不稳定，由此存在使振荡层的振荡不稳定化、难以获得充分的高频磁场的趋势。另外，为了使振荡层的磁化Bs和厚度t大的旋转扭矩振荡器振荡，需要高电流密度，由于由旋转扭矩振荡器产生的焦耳热，依元素扩散等会导致旋转扭矩振荡器的层叠构造破坏，会丧失作为旋转扭矩振荡器的功能，所以作为旋转扭矩振荡器而工作的可靠性会降低。虽然提出了增加旋转注入层的体积、避免由来自振荡层的旋转扭矩产生的磁化的不稳定性的构造，但是对于产生高的高频磁场而言是不充分的，需要向振荡层注入更多的旋转扭矩。
[0077]相对于此，使用实施方式所涉及的高频辅助磁记录头，若在与振荡层相比靠磁道宽度方向的外侧的区域或者振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的轮廓的外侧区域还形成旋转注入层，来将旋转注入层与振荡层之间的区域设得宽阔，则可以在该区域内以更大面积形成中间层，由此由于能够增大中间层与振荡层接触的面积，所以注入于振荡层的旋转变得更多。因此，能够实现稳定地产生更大的高频磁场这一情况。
[0078]图7是例示可以搭载实施方式所涉及的高频辅助磁记录头的磁记录再现装置的概略构成的主要部分立体图。
[0079]即，磁记录再现装置150是使用了旋转致动器的形式的装置。在该图中，记录用介质盘180安装到转轴157，由对来自未图示驱动装置控制部的控制信号进行响应的未图示马达沿着箭头A的方向进行旋转。磁记录再现装置150也可以具备多个介质盘180。
[0080]进行介质盘180中存储的信息的记录再现的头部滑块103具备具有例如前面关于图2及图3所述构成的磁头10，安装到薄膜状的悬架154的前端。这里，头部滑块103例如在其前端附近搭载有实施方式所涉及的磁头。
[0081]若介质盘180旋转，则头部滑块103的空气支撑面(ABS)距介质盘180的表面隔着预定的上浮量被保持。或者，也可以是滑块与介质盘180接触的所谓“接触行进型”。
[0082]悬架154连接于致动器臂155的一端，该致动器臂155具有保持未图示的驱动线圈的线圈架部等。在致动器臂155的另一端设置有音圈马达156。音圈马达156包括:卷绕于致动器臂155的线圈架部的未图示的驱动线圈、和包括以夹着该线圈的方式相对地配置的永久磁体及相对轭的磁路。
[0083]致动器臂155由设置于转轴157的上下2个位置的未图示的滚珠轴承保持，能够通过音圈马达156自由地进行旋转滑动。
[0084]在图8中示出表示实施方式涉及的磁头组件的一例的概略图。
[0085]图8是从致动器臂155开始从盘侧眺望前部的磁头组件的放大立体图。S卩，磁头组件160具有致动器臂155，该致动器臂155例如具有保持驱动线圈的线圈架部等，在致动器臂155的一端连接着悬架154。
[0086]在悬架154的前端，安装有具备例如图2及图3中所示的磁头10的头部滑块103。悬架154具有信号的写入以及读取用的导线164，该导线164与组装于头部滑块103的磁头的各电极电连接。图中，165是磁头组件160的电极盘。
[0087]虽然说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式只是作为例子而提示的，并非要限定发明的范围。这些新实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围，可以进行各种省略、置换、改变。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或主旨，也包含于权利要求所记载的发明及其均等的范围。
【主权项】
1.一种旋转扭矩振荡器，包括: 旋转注入层，其具有第I侧面；中间层，其设置在上述旋转注入层上，并具有与上述第I侧面形成为一个面的第2侧面；以及振荡层，其设置在上述中间层上，并具有与第I侧面设置为一个面的第3侧面， 其中至少， 上述旋转注入层的相对于第I侧面垂直方向的深度比上述振荡层的相对于第3侧面垂直方向的深度大，且上述旋转注入层的至少一部分隔着上述中间层设置于上述振荡层的相对于第3侧面垂直的深度方向的外侧的区域，或者 上述旋转注入层的第I侧面的膜面方向的幅度比上述振荡层的第3侧面的膜面方向的幅度大，上述旋转注入层的至少一部分隔着上述中间层设置于上述振荡层的第3侧面的膜面方向的外侧的区域。2.一种高频辅助磁记录头，具备: 主磁极，其对磁记录介质施加记录磁场； 辅助磁极，其与该主磁极构成磁路；以及 旋转扭矩振荡元件，其设置在该主磁极与该辅助磁极之间， 其中，上述旋转扭矩振荡元件包括:形成于上述主磁极及上述辅助磁极之中的一方上的旋转注入层、形成于该旋转注入层上的中间层以及形成于该中间层上的振荡层， 其中至少， 上述旋转注入层的与上浮面垂直的方向的深度比上述振荡层的相对于上浮面垂直的深度大，上述旋转注入层的至少一部分隔着上述中间层设置于上述振荡层的相对于上浮面垂直的深度方向的外侧的区域，且与上述辅助磁极绝缘，或者 上述旋转注入层的与上浮面的写间隙方向垂直的幅度比上述振荡层的与上浮面的写间隙方向垂直的幅度大，上述旋转注入层的至少一部分隔着上述中间层设置于上述振荡层的磁道宽度方向的外侧的区域，且与上述辅助磁极绝缘。3.—种磁头组件，具备: 权利要求2所述的高频辅助磁记录头； 搭载了上述高频辅助磁记录头的头部滑块； 在一端搭载上述头部滑块的悬架；以及 与上述悬架的另一端连接的致动器臂。4.一种磁记录再现装置，具备: 磁记录介质； 旋转上述磁记录介质的驱动部；以及 对上述磁记录介质进行信息处理的、权利要求2所述的高频辅助磁记录头。
【文档编号】G11B5/23GK106067306SQ201510450671
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2015年7月28日 公开号201510450671.2, CN 106067306 A, CN 106067306A, CN 201510450671, CN-A-106067306, CN106067306 A, CN106067306A, CN201510450671, CN201510450671.2
【发明人】藤田伦仁, 鸿井克彦, 白鸟聪志, 清水真理子, 村上修一
【申请人】株式会社东芝