存储装置、控制器及控制方法

文档序号:10727077阅读:604来源:国知局
存储装置、控制器及控制方法
【专利摘要】本发明的实施方式使对存储装置写入的数据的可靠性提高。实施方式的存储装置具备磁盘、头部和控制器。头部具有写部和读部,所述写部输出对照射了光的磁盘的记录区域记录写数据的磁场,所述读部从磁盘的记录区域读入读数据。控制器基于读部在磁盘的第1位置读入的第1读数据的第1频谱和读部在第1位置后续的第2位置读入的第2读数据的第2频谱,检测在由写部进行的对磁盘的记录区域的写期间是否发生写部的偏移。
【专利说明】存储装置、控制器及控制方法
[0001]相关申请
[0002]本申请享有以日本专利申请2015-92227号(申请日:2015年4月28日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请,包含基础申请的全部内容。
技术领域
[0003]本发明的实施方式涉及存储装置、控制器及控制方法。
【背景技术】
[0004]以往,在硬盘等磁记录介质中,使用在磁记录介质中设置的伺服区域,引导对磁记录介质进行写入的磁头。
[0005]近年,作为对磁记录介质的写入方式,提出了热辅助记录方式。所谓热辅助记录方式,是下述技术:将来自光源的出射光用照射部变换为照射光而照射磁记录介质(磁盘)的记录面的一部分,局部地加热磁记录介质,对顽磁力下降了的磁记录介质磁性地进行写入控制。作为光源的例子,有激光元件。在使用了该激光元件的情况下,输出激光作为输出光。作为照射部的例子,有近场光元件。在使用了近场光元件的情况下,照射近场光作为照射光。通过使用热辅助记录方式,可期待面记录密度的提高。
[0006]但是,随着面记录密度提高,在产生了干扰等的情况下,有可能磁头会从磁道离开。

【发明内容】

[0007]本发明的实施方式提供可以使对存储装置写入的数据的可靠性提高的存储装置、控制器及控制方法。
[0008]实施方式的存储装置具备磁盘、头部和控制器。头部具有写部和读部,所述写部输出对照射了光的磁盘的记录区域记录写数据的磁场,所述读部从磁盘的记录区域读入读数据。控制器基于读部在磁盘的第I位置读入的第I读数据的第I频谱和读部在第I位置后续的第2位置读入的第2读数据的第2频谱,检测在由写部进行的对磁盘的记录区域的写期间是否发生写部的偏移。
【附图说明】
[0009]图1是表示实施方式的磁盘装置的一部分的截面构成和其他部分的功能构成的图。
[0010]图2是实施方式的磁头的沿磁道方向的截面图。
[0011]图3是例示在实施方式的磁盘装置的各构成之间发送接收的信号的图。
[0012]图4是例示实施方式的磁盘装置的对磁盘写入时的状况的图。
[0013]图5是例示对实施方式的磁盘装置写入数据时的控制信号的图。
[0014]图6是表示实施方式的RWC的构成的方框图。
[0015]图7是例示再现头从实施方式的磁盘上读入数据时的第I位置关系的图。
[0016]图8是例示对于再现头从图7所示位置读取的读数据的频谱分析的结果的图。
[0017]图9是例示再现头从实施方式的磁盘上读入数据时的第2位置关系的图。
[0018]图10是例示对于再现头从图9所示位置读取的读数据的频谱分析的结果的图。
[0019]图11是例示在实施方式中发生了磁道偏移的情况下的磁头的位置关系的图。
[0020]图12是例示使写入控制停止了的情况下的磁道的轨迹的图。
[0021]图13是例示实施方式的磁头的位置与磁道的对应关系的图。
[0022]图14是表示实施方式的磁盘装置中的写入控制的步骤的流程图。
【具体实施方式】
[0023]以下参照附图,详细说明实施方式所涉及的磁盘装置。另外,本发明并不由该实施方式所限定。
[0024]说明实施方式所涉及的磁盘装置100。图1是表示磁盘装置100的一部分的截面构成和其他部分的功能构成的图。
[0025]如图1所示,磁盘装置100具备外壳101、音圈马达102、转轴马达103、头部滑块104、臂107、轴108、磁头110、磁盘50、磁记录控制部120。在本实施方式的磁盘装置100中,磁盘50、磁头110、音圈马达102及转轴马达103被收置于外壳101。
[0026]磁盘50是记录各种信息的圆盘状的记录介质,由转轴马达103驱动旋转。磁盘50具有垂直记录层,该垂直记录层相对于表面在垂直方向具有各向异性。磁盘50例如具有以转轴马达103的旋转中心附近为中心的同心圆状的多个磁道。
[0027]对磁盘50的数据读写由磁头110来进行,该磁头110经由头部滑块104设置于头部支撑机构即臂107的一个前端。
[0028]磁头110具备记录头IlOw和再现头110r。磁头110设置在头部滑块104的尾立而侦U。磁头I1通过由磁盘50的旋转而产生的升举力,边维持从磁盘50的表面稍微上浮的状态,边在沿磁道方向相对于磁盘50的表面相对地进行移动。
[0029]本实施方式的记录头I1w通过升举力,边维持从磁盘50的表面稍微上浮的状态,边在磁盘50的记录区域记录信息。记录头IlOw按照热辅助记录方式,由近场光元件5 (参照图2)将激光变换为近场光,对磁盘50的表面的一部分照射变换后的近场光。磁盘50因照射而局部地温度上升,在温度上升了的部分,由记录头IlOw施加磁场并磁性地记录信息。即,记录头IlOw用于对磁盘50进行基于热辅助记录方式的写工作。
[0030]再现头IlOr从磁盘50的磁场读出信息(读数据)。本实施方式的再现头IlOr通过升举力,边维持从磁盘50的表面稍微上浮的状态,边读出并再现在磁盘50中记录的信息。即,再现头I 1r用于对磁盘50的读工作。
[0031]通过设置在臂107的另一端的头部驱动机构即音圈马达102的驱动,臂107以轴108为中心转动。通过该转动,记录头IlOw及再现头IlOr在磁盘50的与磁道交叉方向在圆弧上移动,改变进行读写的对象磁道。
[0032]磁记录控制部120具备头部控制部123、功率控制部121、RWC (读写通道)124、硬盘控制部122、存储部125。头部控制部(前置放大器)123具备写电流控制部123a、再现信号检测部123b、光控制部123c。功率控制部121具备转轴马达控制部121a、音圈马达控制部121b。存储部125例如包括RAM、ROM或非易失性存储器。
[0033]写电流控制部123a基于来自RWC124的写信号,进行对记录头IlOw输出的电流控制。
[0034]再现信号检测部123b基于从再现头IlOr输入的信号,对RWC124输出读数据。
[0035]光控制部123c为了控制基于热辅助记录方式的写工作,控制用于从记录头IlOw的(未图示的)近场光元件照射光的(未图示的)光源(例如激光二极管)。
[0036]转轴马达控制部121a按照来自硬盘控制部122的指示,控制转轴马达103。音圈马达控制部121b按照来自硬盘控制部122的指示,控制音圈马达102。
[0037]本实施方式的磁头110的记录头IlOw至少具备:对磁盘50照射光的照射部(近场光元件5);输出用于对由照射部照射了光的磁盘50的记录区域记录写数据的记录磁场的记录磁极61 (写元件)。
[0038]照射部(近场光元件5)按照光控制部123c的控制,切换照射的光的点亮和熄灭。
[0039]接着,说明磁头110的记录头IlOw及再现头IlOr的详细构成。图2是磁头110的沿磁道方向的截面图。
[0040]在图2所示的例子中,纸面左侧设为头部滑块104的尾端侧,纸面右侧设为前导侧。
[0041]磁头110在尾端侧具有记录头110w,在前导侧具有再现头110r。换言之,在磁头110中,记录头IlOw与再现头IlOr相比,靠尾端侧配置。
[0042]再现头IlOr具备磁阻效应元件(读元件)6、防护件7、防护件8。防护件7及防护件8配置为在头部行进方向从两侧夹着磁阻效应元件6。由此,磁阻效应元件6在由防护件7及防护件8从头部行进方向两侧被磁屏蔽的状态下,读出在磁盘50记录的信息(以下,也称为读数据)。
[0043]记录头IlOw具备记录磁极61、磁芯1、记录线圈3、波导4、近场光元件5。
[0044]记录磁极61在近场光元件5及波导4的尾端侧,配置于ABS面40。例如,记录磁极61配置为其磁盘50侧的端面位于ABS面40上。记录磁极61配置在近场光元件5的附近,包含软磁性材料。
[0045]磁芯I以从记录磁极61的ABS面40侧的部分产生磁场的方式与记录磁极61连接。磁芯I以从近场光元件5的图2中的上侧向尾端侧突出并且向ABS面40侧后退的方式延伸,与记录磁极61连接。磁芯I由软磁性材料形成。
[0046]记录线圈3在近场光元件5及波导4的尾端侧,以围绕磁芯I的方式配置。记录线圈3沿着图2中的与纸面垂直的纵向的平面,以围绕磁芯I的方式卷绕。由此,通过控制在记录线圈3流动的电流,经由磁芯1,记录磁极61产生磁场,从而在磁盘50磁性地记录信息。记录线圈3例如包含导电性的金属(例如,Cu)。
[0047]波导4从光源(例如,未图示的激光二极管)延伸到近场光元件5的附近。由此,波导4将从光源射出的光(例如,激光)向近场光元件5引导。另外,在图2所示的例子中,示出了波导4设为板形状的例子,但是只要是可以将光向近场光元件5引导的构造,也可以采用其他的形状(例如,长方体形状等)。
[0048]近场光元件5配置在ABS面40。近场光元件5将所引导的光(例如,激光)变换为近场光,并对磁盘50表面的记录磁极61应该进行记录的部分照射近场光。由此,由于磁盘50的表面中的记录磁极61应该进行记录的部分被加热,所以该部分的垂直记录层被高温化到居里点左右,从而各向异性磁场变小,由记录磁极61进行的信息的记录变得容易。
[0049]图3是例示在本实施方式的磁盘装置100的各构成之间发送接收的信号的图。
[0050]如图3所示,硬盘控制部122根据从主机HS经由(未图示的)主机I/F接受到的命令及/或数据311,生成预定的数据312,并向RWC124输出。
[0051]RffC124进行与预定的数据312相应的控制。例如,RffC124根据从主机HS接收的写入命令及对应的数据,生成应该写入于磁盘50的数据(以下,称为写数据)313。并且,RWC124以基于存储部125中存储的写频率信息332的频率,将该写数据313输出至头部控制部123。
[0052]另外,RWC124生成光控制信号314。并且,RffC124将光控制信号314输出至头部控制部123,该光控制信号314是根据存储部125中存储的光常数信息331和基于写频率信息332的频率而生成的。另外,光控制信号314设为用于由头部控制部123控制光源的亮灭的驱动电流的控制信号。
[0053]头部控制部123具备光控制部123c,进行磁头110的控制。例如,头部控制部123生成用于写入与写数据313相应的磁信息的电流(以下,称为写电流)315,并将写电流315供给至磁头110。由此,磁头110的记录磁极61产生与写电流315相应的磁场,对磁盘50写入数据。
[0054]在对磁盘50进行数据的写入之前,头部控制部123预先从存储部125取得光电流信息333。光电流信息333是用于生成使光源驱动的驱动电流316的设定,例如保存电流的最大值和/或最小值等。
[0055]头部控制部123的光控制部123c基于光控制信号314和光电流信息333,生成对光源的驱动电流316。并且,头部控制部123向磁头110供给所生成的驱动电流316。
[0056]磁头110的(未图示的)光源(例如,激光元件)按照所输入的驱动电流316,产生光(例如,激光)。并且,图2的波导4将由光源产生的激光引导至近场光元件5。并且,近场光元件5将激光变换为近场光,并对磁盘50的记录面的一部分照射变换后的近场光。由此,在磁盘50的记录面,局部地温度上升。
[0057]并且,磁头110的记录磁极61对温度上升了的部分施加磁场,对磁盘50磁性地记录数据(在磁盘50的记录面将数据磁化)。
[0058]然后,磁头5的再现头IlOr基于在磁盘50产生的磁场(磁化),向头部控制部123输出与所读入的数据对应的电流(以下,称为读电流)321。头部控制部123基于所输入的读电流321,生成读数据322,将其向RWCl24输出。
[0059]本实施方式的RWC124基于所输入的读数据322,检测磁头110的磁道偏移。然后,RWC124在判定为磁头110的记录头IlOw从写入对象的磁道离开的情况下,向硬盘控制部122输出用于使写入控制停止的写工作停止信号324。
[0060]图4是例示本实施方式的磁盘装置100的向磁盘50写入时的状况的图。如图4所示,通过从近场光元件5对磁盘50的表面的一部分照射近场光,在磁盘50上产生热点(加热部)501。然后,对局部地加热了的、换言之顽磁力降低了的加热点501,磁头110的记录磁极61施加与写数据对应的磁场。
[0061]在本实施方式中,从近场光元件5照射的近场光按照预定的周期,反复点亮和熄灭。由此,在磁盘50上发生了磁化反转的区域502也按照在点亮时产生的加热点501的形状而形成。
[0062]从而,在磁盘50的磁道上,形成按照加热点501的形状而磁化了的区域组510。在图4所示的例子中,用阴影的不同区别垂直磁化的方向(极性)。例如,在区域521,垂直磁化为下方向(从盘表面朝向内侧的方向),在区域522,垂直磁化设为上方向(从盘内侧朝向表面的方向)。
[0063]图5是例示对本实施方式的磁盘装置100写入数据时的控制信号的图。
[0064]在图5的㈧例示本实施方式的写电流的图形,在图5的⑶例示光源(激光二极管)的照射图形。在⑶中,L电平表示熄灭,H电平表示点亮。例如,如时段601所示,对光源的点亮和熄灭进行切换的频率设为写数据的最小T的频率的2倍。换言之,在写电流切换的(变化的)定时,以光源(激光二极管)始终从熄灭切换为点亮的方式设定驱动频率。所谓写数据的最小T的频率,是在向磁盘50进行的写数据的写入中,与位的极性的切换间隔成为最小时的周期对应的频率,与作为写数据的基准的时钟频率一致。
[0065]S卩,在切换对磁盘50记录的位的极性的瞬间,以使来自光源的光进行照射从而顽磁力降低的方式进行控制。由此,对位的极性进行切换的定时的磁化反转明确地进行。这样,在本实施方式中,按照图5的写电流图形(A)及激光二极管照射图形(B),生成按照图4所示的加热点501的形状而磁化了的区域组510。
[0066]在本实施方式中,基于该区域组510和再现头IlOr的位置关系,判定是否发生磁道偏移。本实施方式以该判定由RWC124进行为例。
[0067]另外,通过切换光源的点亮和熄灭,与使光源始终点亮的情况相比,由于能够抑制光源的加热,所以能够实现光源的长寿命化。
[0068]另外,在本实施方式中,关于对光源的点亮和熄灭进行切换的驱动频率是写数据的最小T的频率的2倍的情况进行说明,但是并不限于2倍,只要是2倍以上的偶数倍即可。
[0069]这样,记录磁极61以基于最小T的频率输出记录磁场,以便写入写数据。此时,近场光元件5将对磁盘50照射的光以成为写数据的最小T的频率的偶数倍的频率来切换点亮和熄灭。
[0070]接着,说明RWC124的构成。图6是表示本实施方式的RWC124的构成的方框图。
[0071]如图6所示,RffC124具备:生成用于对磁盘50记录的写数据313的构成;生成用于产生光的光控制信号314的构成;检测磁头110的记录头IlOw的磁道偏移的构成。
[0072]本实施方式的RWC124具备写数据生成电路401、时钟生成电路402、光信号生成电路403、频谱生成电路411、频谱存储部412、频谱比较部413。
[0073]时钟生成电路402基于从存储部125读入的写频率信息332,生成作为写数据的基准时钟的时钟信号412,并对写数据生成电路401及光信号生成电路403发送该时钟信号412。
[0074]写数据生成电路401从硬盘控制部122接收预定的数据312,从时钟生成电路402接收时钟信号412。例如,写数据生成电路401与时钟信号412同步地,按照从硬盘控制部122接收到的写入数据312,生成用于对磁盘50写入的写数据313。写数据生成电路401将所生成的写数据313输出至头部控制部123。
[0075]光信号生成电路403基于从存储部125读入的光常数信息331和来自时钟生成电路402的时钟信号412,生成光控制信号314。光常数信息331是表示用于使光源的亮灭的周期比作为写数据的基准的时钟周期(换言之,以位为单位的写入周期)短的常数的信息,例如设定为“2”等。
[0076]例如,光信号生成电路403按照以下的式(I),生成光控制信号314。
[0077]光控制信号的周期=时钟周期/光常数信息(例如“2”等正的偶数)……(I)
[0078]由此,光控制信号的周期成为作为写数据的基准的时钟周期的l/n(n= 2以上的偶数)倍,换言之,进行光源的亮灭控制的频率成为作为写数据的基准的时钟频率的偶数倍。
[0079]并且,本实施方式的光信号生成电路403将所生成的光控制信号314输出至头部控制部123。
[0080]由此,磁头110的写元件(记录磁极)61以作为写数据的基准的时钟周期的自然数倍的周期输出磁场。并且,照射部(近场光元件5)以成为“作为写数据的基准的时钟”的“I/正偶数”的周期,切换点亮和熄灭。
[0081]通过上述的构成,RffC124向头部控制部123发送写数据313和光控制信号314。由此,头部控制部123控制磁头110,进行向磁盘50的数据的写入控制。并且,在进行写入控制时,磁头110的再现头IlOr所读入的读数据322经由头部控制部123向RWC124发送。并且,本实施方式的RWC124能够根据该读数据322检测磁头110的记录头IlOw的磁道偏移。
[0082]频谱生成电路411对从头部控制部123接收到的读数据322进行FFT处理,生成读数据的频谱(相对于频率轴的振幅分布)。另外,本实施方式不限制生成频谱的定时,根据实施的方式而设定。例如,也可以在从前一个伺服区域到下一个伺服区域之间生成一次或多次频谱。
[0083]频谱存储部412存储由频谱生成电路411生成的频谱的信息。频谱存储部412存储根据从未发生磁道偏移的位置读入的读数据生成的频谱的信息。例如,如果是刚刚在伺服区域进行了磁头110的位置控制之后,则能够推测为未发生磁道偏移。因此,本实施方式的频谱存储部412存储根据紧接着伺服区域之后读取的读数据生成的频谱的信息。在这样的状态下取得的频谱也称为基准频谱。
[0084]频谱比较运算部413基于磁盘50的紧接着伺服区域之后的位置处的读数据的频谱(基准频谱)和根据在紧接着伺服区域之后的位置后续的位置由再现头IlOr读入的读数据生成的频谱,在由记录头IlOw进行的对磁盘50的记录区域的写过程中,在再现头IlOr读入读数据时,检测是否发生了磁头IlOw的记录磁极61的磁道偏移。
[0085]这里,说明由频谱生成电路411生成的频谱的几个例子。
[0086]图7是例示再现头IlOr的读元件(磁阻效应元件)6从本实施方式的磁盘50上读入数据时的第I位置关系的图。在图7所示的例子中,示出对包含按照加热点的形状而磁化反转了的区域组710的磁道,读元件6在未发生磁道偏移的(换言之,在该区域内的)位置701读入数据的例子。
[0087]图8是例示了对再现头IlOr的读元件(磁阻效应元件)6在图7所示的位置701读取的读数据进行频谱分析的结果的图。如图8所示,在根据在位置701读取的读数据生成的频谱中,不存在振幅变得比其他频带大的频率。换言之,各频率处的振幅水平大致均一。
[0088]图9是例示再现头IlOr的读元件(磁阻效应元件)6从本实施方式的磁盘50上读入数据时的第2位置关系的图。在图9所示的例子中,示出对包含按照加热点的形状而磁化反转了的区域组910的磁道,读元件6在发生了磁道偏移的(换言之,处于该区域组的轮廓上的)位置901读入数据的例子。
[0089]图10是例示了对再现头IlOr的读元件(磁阻效应元件)6在图9所示的位置901读取的读数据进行频谱分析的结果的图。如图10所示,在根据在位置901读取的读数据生成的频谱中,在频率Π处,与其他频带相比,振幅1001变大。
[0090]S卩,在再现头IlOr再现(读)按照加热点的形状而磁化反转了的区域组的轮廓附近的情况下,在再现头IlOr读入的读数据的频谱分析的结果中,表示该轮廓的频率Π的振幅变大。
[0091]这样,根据再现头IlOr的位置,频谱的频率的振幅会变化。因而,在本实施方式中,通过对在未发生磁道偏移的状态下读入的读数据的频谱与所读入的读数据的频谱进行比较,来检测在读入读数据时是否发生了磁道偏移。
[0092]图11是例示在本实施方式中,发生了磁道偏移的情况下的磁头110的位置关系的图。如图11所示,在紧接着伺服区域之后的第I头部位置(时刻tl),记录头IlOw的记录磁极61存在于磁道内的位置1102,再现头IlOr的读元件6也存在于磁道内的位置1101。从这样的位置1101读取的读数据被输出至频谱生成电路411。然后,频谱生成电路411根据所输入的读数据生成频谱,将所生成的频谱存储于频谱存储部412。由此,例如,存储图8所示那样的频谱。
[0093]然后,在写入控制开始后经过了某程度的时间后的第2头部位置(时刻T),记录磁极61存在于从磁道开始偏离了的位置1104,再现头IlOr也存在于从磁道偏离了的位置(换言之,按照加热点的形状而磁化反转了的区域组的轮廓上的位置)1103。从这样的位置1103读取的读数据被输出至频谱生成电路411。然后,频谱生成电路411根据所输入的读数据生成频谱,并将所生成的频谱输出至频谱比较运算部413。该输出的频谱认为是例如图10所示那样的频谱。
[0094]本实施方式的频谱比较运算部413随时比较在频谱存储部412存储的频谱(例如是图8所示的频谱,在式⑵中设为参数Amp_tl)与从频谱生成电路411持续输入的频谱(例如是图10所示的频谱,在式(2)中,设为参数Amp_T)。通过该比较,判定是否发生磁道偏移。另外,比较按以下所示的式(2)进行。然后,在以下所示的式(2)成立了的情况下,判定为发生了磁道偏移。
[0095]Amp_th< | Amp_tl_Amp_T |......(2)
[0096]频谱比较运算部413在判定为式(2)成立、发生磁道偏移的情况下,对硬盘控制部122输出写工作停止信号。由此,硬盘控制部122停止对磁盘50的写入控制。另外,式(2)中的阈值Amp_th设为从硬盘控制部122输入的参数。在本实施方式中,硬盘控制部122对RffC124输出与磁盘50中当前读入的磁道对应的阈值Amp_th。另外,硬盘控制部122也可以不停止对磁盘50的写入控制,而进行使来自照射部(近场光元件5)的光的照射停止的控制。
[0097]这样,在RWC124在判定为发生磁道偏移的情况下,通过输出写工作停止信号,使由磁头I1的记录磁极61进行的写入控制停止。
[0098]本实施方式的RWC124基于再现头IlOr在磁盘50的紧接着伺服区域之后的位置读入的读数据的频谱和之后再现头IlOr当前读入的读数据的频谱,在读入当前的读数据时,检测是否发生磁道偏移。即,在本实施方式中,将磁盘50的紧接着伺服区域之后的位置的读数据的频谱用作比较对象。换言之,作为比较对象的读数据的频谱只要是基于磁盘50的伺服区域而定位(伺服)控制后的位置的读数据的频谱即可。进而,即使不是基于伺服区域而定位控制后的位置,只要能够确定磁头110的位置,则也可以将该位置的读数据的频谱用作比较对象。
[0099]在本实施方式中,近场光元件5照射的光通过切换点亮和熄灭,按照在磁盘50产生的加热点的形状而磁化反转了的区域变得明确。由此,基于表示该区域的轮廓的频率的振幅,可以检测是否发生磁道偏移。
[0100]图12是例示使写入控制停止了的情况下的磁头的轨迹的图。在图12所示的例子中,对第N磁道进行了写入控制。并且,在位置1201,由于在频谱存储部412存储的频谱(Amp_tl)与根据位置1201的读数据生成的频谱(Amp_T)之差成为阈值Amp_th以上,所以写入控制停止。因此,能够在由于不可预测的干扰等而在位置1202对第N+1磁道进行写入控制之前,停止写入数据的控制。
[0101]在上述实施方式中,说明了在磁头110向磁道写入数据时,在未发生磁道偏移的情况下,在磁道包含磁头110的写元件61及读元件6的情况。但是,由于本实施方式的磁头110按照以轴108为基准的圆弧状在磁盘50上移动,磁盘50以SPM为中心旋转,所以磁头110相对于磁盘50与进行写入的磁道的位置相应地,产生偏斜角。所谓偏斜角,是指作为磁盘50的由磁头110进行写入的对象的磁道的旋转方向与磁头110的伸长方向(换言之,写元件61及读元件6排列的方向)之间形成的角。
[0102]因而,本实施方式的RWC124考虑磁头110的偏斜角,检测是否发生磁道偏移。
[0103]图13是例示本实施方式的磁头的位置与磁道的对应关系的图。如图13所示,在磁头110(包含记录磁极61和磁阻效应元件6)存在于位置1301的情况下,磁头110的记录磁极(写元件)61及读元件6排列的方向1321与磁道1311的切线方向成为平行。另一方面,在磁头110存在于位置1302的情况下,磁头110的记录磁极(写元件)61及读元件6排列的方向1322与磁道1312的切线方向不平行。这是因为,由于磁头110以轴108为中心工作,所以磁头110在进行了磁道移动时,产生角度Φ的偏离。
[0104]但是,在本实施方式中,紧接着伺服区域1351之后读入的读数据的频谱用作未发生磁道偏移的情况下的基准频谱。即,本实施方式视为:如果是紧接着伺服区域1351之后,则在记录头IlOw的记录磁极61及再现头IlOr的磁阻效应元件6的位置未发生磁道偏移。并且,频谱生成电路411根据在该位置时输入的读数据生成频谱,将该频谱存储于频谱存储部412。以后,使用该频谱和从频谱生成电路411持续输入的频谱,进行上述的式(2)所示的运算。
[0105]如上所述,磁头110的写元件61及读元件6将近场光元件5夹于中间而离开配置。因此,在产生偏斜角、基于伺服区域进行了定位(伺服)控制之后,即使写元件61包含在磁道内,也有时读元件6不包含在磁道内而穿过磁道边缘(换言之,按照加热点的形状而磁化反转了的区域组的轮廓上)。该情况下,例如图10所示的频谱用作基准频谱。
[0106]并且,频谱比较运算部413基于根据磁头110相对于磁盘50的偏斜角而获得的基准频谱,检测是否发生偏移。
[0107]这样,由于磁头110的偏斜角,紧接着伺服区域之后的频谱按每磁道而异,但是,硬盘控制部122计算与每个磁道对应的阈值Amp_th,并将该阈值Amp_th输出至RWC124。由此,可以进行适合于每个磁道的磁道偏移的检测。
[0108]接着,说明本实施方式的磁盘装置100中的写入控制。图14是表示本实施方式的磁盘装置100中的上述控制的步骤的流程图。
[0109]磁记录控制部120按照来自主机HS的写入命令,开始写入控制(处理S1401)。另夕卜,写入控制不限于基于来自主机HS的写入命令进行,也可以是由磁盘装置100自发地进行的控制。
[0110]头部控制部123基于从伺服区域读入的读数据,进行磁头110的定位控制(处理S1402)ο
[0111]RWC124输入由再现头IlOr从紧接着伺服区域之后的扇区、位置等读入的读数据(处理 S1403)。
[0112]频谱生成电路411对所输入的读数据进行频谱分析,生成频谱(处理S1404)。
[0113]频谱生成电路411将所生成的(紧接着伺服数据之后的)频谱(Amp_tl)存储在频谱存储部412 (处理S1405)。
[0114]硬盘控制部122基于来自主机HS的指示等,判定是否继续写入(处理S1406)。在判定为不继续写入的情况下(处理S1406:否),结束处理。
[0115]另一方面,在硬盘控制部122判定为继续写入的情况下(处理S1406:是),频谱生成电路411根据所输入的读数据生成频谱(Amp_T)(处理S1407)。
[0116]频谱比较运算部413计算频谱存储部412中存储的频谱(Amp_tl)与所生成的频谱(Amp_T)的差值(AAmp)(处理 S1408)。
[0117]频谱比较运算部413判定差值(AAmp)是否比阈值(Amp_th)大(处理S1409)。另外,阈值(Amp_th)设为从硬盘控制部122作为与当前进行写入的磁道对应的值而输入。
[0118]在频谱比较运算部413判定为差值(AAmp)在阈值(Amp_th)以下的情况下(处理S1409:否),从处理S1406重新开始处理。
[0119]另一方面,在判定为差值(AAmp)比阈值(Amp_th)大的情况下(处理S1409:是),RffC124对硬盘控制部122输出写工作停止信号。硬盘控制部122进行对磁盘50的写入的中断控制(处理S1410),并结束处理。
[0120]在本实施方式中,说明了 RWC124具备根据读数据生成多个频谱并在该多个频谱间进行比较运算的构成的例子。但是,这些构成不限于设置在RWC124中的情况。例如,也可以在前置放大器(头部控制部)设置这些构成。在设置于前置放大器(头部控制部)的情况下,由于也能够实现上述控制,所以能够使可靠性提高。
[0121]在本实施方式的磁盘装置100中,通过进行上述控制,作为一例,在进行写入控制时从磁道离开了的情况下,进行写入的中断控制。这样,本实施方式的磁盘装置100能够保护邻接磁道的数据,使写入到了磁盘50的数据的可靠性提高。
[0122]虽然说明了本发明的几个实施方式,但是这些实施方式只是作为例子而呈现的,并非要限定发明的范围。这些新实施方式能够以其他的各种方式实施,在不脱离发明的主旨的范围,可以进行各种省略、置换、改变。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或主旨,并且也包含于权利要求的范围所记载的发明及其均等的范围。
【主权项】
1.一种存储装置,具备: 磁盘; 头部,其具有写部和读部,所述写部输出对照射了光的上述磁盘的记录区域记录写数据的磁场,所述读部从上述磁盘的记录区域读入读数据;以及 控制器,其基于上述读部在上述磁盘的第I位置读入的第I读数据的第I频谱和上述读部在第I位置后续的第2位置读入的第2读数据的第2频谱,检测在由上述写部进行的对上述磁盘的记录区域的写期间是否发生上述写部的偏移。2.权利要求1所述的存储装置,其中, 上述控制器在基于上述磁盘的伺服区域对上述头部进行了定位控制之后的上述第I位置,取得上述第I频谱。3.权利要求1所述的存储装置,还具备: 对上述照射的光的点亮和熄灭进行切换的照射部, 其中上述控制器检测是否发生相对于包括多个区域的磁道的上述偏移,所述多个区域是按照在由上述照射部进行的上述光的点亮时在上述磁盘产生的加热部而磁化了的区域。4.权利要求3所述的存储装置,其中, 上述写部以第I周期的自然数倍的周期输出上述磁场, 上述照射部以第2周期切换点亮和熄灭,所述第2周期为上述第I周期的I/正偶数。5.权利要求1所述的存储装置,其中, 上述控制器在判定为发生上述偏移的情况下,使由上述头部的上述写部进行的写入控制或上述光的照射停止。6.权利要求1所述的存储装置,其中, 上述控制器判定上述第I频谱与上述第2频谱的差值是否在阈值以上,并基于判定结果,检测是否发生上述偏移。7.权利要求1所述的存储装置,其中, 上述控制器基于根据上述头部相对于上述磁盘的偏斜角而获得的第I频谱,检测是否发生上述偏移。8.一种控制器,是由存储装置使用,上述存储装置具备磁盘以及头部,所述头部具有输出对照射了光的上述磁盘的记录区域记录写数据的磁场的写部和从上述磁盘的记录区域读入读数据的读部, 上述控制器具备: 检测部,其基于上述读部在上述磁盘的第I位置读入的第I读数据的第I频谱和上述读部在第I位置后续的第2位置读入的第2读数据的第2频谱,检测在由上述写部进行的对上述磁盘的记录区域的写期间是否发生上述写部的偏移。9.一种控制方法,其由存储装置执行,上述存储装置具备磁盘以及头部,所述头部具有输出对照射了光的上述磁盘的记录区域记录写数据的磁场的写部和从上述磁盘的记录区域读入读数据的读部, 上述控制方法: 基于上述读部在上述磁盘的第I位置读入的第I读数据的第I频谱和上述读部在第I位置后续的第2位置读入的第2读数据的第2频谱,检测在由上述写部进行的对上述磁盘的记录区域的写期间是否发生上述写部的偏移。
【文档编号】G11B5/58GK106098084SQ201510487810
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2015年8月10日
【发明人】矶川博
【申请人】株式会社东芝
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