外部sram动态监测器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于数据监测领域，具体涉及一种利用低资源消耗对至少一个外部SRAM进行监测的外部SRAM动态监测器。
【背景技术】
[0002]SRAM是静态随机存储器，由于SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据，因此SRAM具有较高的性能。现有技术中，需要将SRAM中的数据读出然后写入到片内RAM中，一般通过JTAG将数据导出，但是一次只能观测一个SRAM的某一个特定区域的数据，这样非常不方便，而且如果要检测所有的SRAM的数据内容，则需要耗费大量的资源，这样对算法的研宄，尤其是图像处理算法的研宄非常不方便。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型是为了解决上述课题而进行的，目的在于提供能够利用尽量少的资源实现对至少一个外部SRAM灵活方便地进行监测的外部SRAM动态监测器。
[0004]本实用新型提供了一种外部SRAM动态监测器，用于对至少一个外部SRAM进行监测，其特征在于，包括:分区部，将每个外部SRAM分为具有相应地址的至少两个SRAM子单元；设定输出部，被用于选择SRAM子单元并输出与该SRAM子单元的地址相对应的地址信号；控制部，包含:用于读取每个SRAM子单元中的数据信号的读取单元、选择地址信号相对应的数据信号的获取单元、用于缓存数据信号的RAM;以及处理部，用于对被RAM缓存的数据信号进行处理得到数据内容。
[0005]在本实用新型提供的外部SRAM动态监测器中，还可以具有这样的特征:其中，控制部还包含:与设定输出部相连接用于根据地址信号发出写信号的发生单元、根据写信号控制RAM对数据信号进行存取的控制单元以及发出触发信号的信号发出单元，控制单元控制信号发出单元发出触发信号，控制单元根据触发信号控制发生单元发出写信号。
[0006]在本实用新型提供的外部SRAM动态监测器中，还可以具有这样的特征:其中，控制部还包含用于检测判断外部SRAM是否为空闲状态的检测判断单元，当检测判断单元判断外部SRAM为空闲时，控制单元控制信号发出单元发出触发信号。
[0007]在本实用新型提供的外部SRAM动态监测器中，还可以具有这样的特征，还包括:启动部，用于启动检测判断单元进行检测。
[0008]在本实用新型提供的外部SRAM动态监测器中，还可以具有这样的特征:其中，处理部具有JTAG接口的数据线。
[0009]实用新型的作用与效果
[0010]根据本实用新型所涉及的外部SRAM动态监测器，因为分区部将外部SRAM分为至少两个SRAM子单元进行监测，利用片内开辟出的较少的缓存空间对多个SRAM的任何区域数据内容进行检测，从而实现利用更少的资源对外部SRAM进行监测，通过设定输出部能够选择一个SRAM子单元进行监测并且输出相对应的地址信号，通过控制部的读取单元读取SRAM子单元中的数据信号，另外，获取单元选择获取与对应SRAM的地址信号相对应的数据信号，并通过RAM将该部分数据信号进行存取，最后，通过处理部将该数据信号进行处理得到数据内容，使得获取到的SRAM子单元中的数据信号被监测出，所以，本实用新型的外部SRAM动态监测器实现了灵活方便地对至少一个外部SRAM进行监测。
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型的实施例中外部SRAM动态监测器的结构框图；
[0012]图2是本实用新型的实施例中外部SRAM动态监测器的电路图；以及
[0013]图3是本实用新型的实施例中控制部的结构框图；
[0014]图4是本实用新型的实施例中外部SRAM动态监测器的流程图。
【具体实施方式】
[0015]为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，以下实施例结合附图对本实用新型的外部SRAM动态监测器作具体阐述。
[0016]图1是本实用新型的实施例中外部SRAM动态监测器的结构框图。
[0017]如图1所示，在本实施例中，外部SRAM动态监测器100的实现基于FPGA，根据需要通过可编辑的连接把FPGA内部的逻辑块连接起来，从而实现本实施例的监测电路。在本实施例中对两块外部SRAM规格都为16bit，2M的外部SRAM进行监测。外部SRAM动态监测器100用于实现对两块外部SRAM中的数据灵活方便地进行监测。
[0018]外部SRAM动态监测器100包含:分区部10、启动部20、设定输出部30、控制部40和处理部50。
[0019]根据需要通过分区部10将两个外部SRAM分为标识为SRAM I和SRAM II，并且将SRAM I分为具有相应地址的两个SRAM子单元并分别标识为bankO和bankl，将SRAM II也分为具有相应地址的两个SRAM子单元并分别标识为bank2和bank3。
[0020]启动部20与控制部40相连接，启动部20用于启动控制部40开始工作。
[0021]设定输出部30被用于选择一个SRAM子单元并且使控制部40的发送单元输出与该SRAM子单元的地址相对应的地址信号。
[0022]控制部40用于控制外部SRAM的读写、获取设定输出部30选择的SRAM子单元中的数据信号。
[0023]处理部50对控制部40获取的数据信号进行处理得到数据内容。
[0024]图2是本实用新型的实施例中外部SRAM动态监测器的电路图。
[0025]如图2所示，启动部20与控制部40相连接，启动部20是按键开关，当外部SRAM中的数据有更新时，按动启动部20后触发单次执行监测。
[0026]设定输出部30是多位拨动开关，本实施例中，设定输出部30设计为一个2位的拨动开关，调节的各个位置能够分别对应上述四个SRAM子单元，当设定输出部30选定的开关位置标识为00时，表示对标识为bankO的SRAM子单元进行监测，标识01表示对标识为bankl的SRAM子单元进行监测，标识10表示对标识为bank2的SRAM子单元进行监测，标识11表示对标识为bank3的SRAM子单元进行监测。当操作者通过设定输出部30选择了一个开关位置后，设定输出部30将发送单兀43输出与该开关位置表不的SRAM子单兀的地址相对应的地址信号。
[0027]图3是本实用新型的实施例中控制部的结构框图。
[0028]如图3所示，控制部40包含读取单元41、发生单元43、获取单元44、传输单元45、检测判断单元46、信号发出单元47、RAM和控制单元48。控制单元48用于控制其它单元运行。
[0029]读取单元41用于读取两块外部SRAM中的数据信号。检测判断单元46接收启动部20发出的单次执行监测命令后开始检测，根据读取单元41读出的数据信号判断外部SRAM是否为空闲。当检测判断单元46判断外