一种新型大容量存取装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种新型大容量存取装置，包括数据输入单元、SDRAM单元、Nand Flash存储单元、断电保护电路、SD卡单元、LCD触摸屏和中央处理单元，数据输入单元、SDRAM单元、Nand Flash存储单元、断电保护电路、SD卡单元和LCD触摸屏分别电连接中央处理单元，本实用新型设计合理，使用方便，体积小，容量大，靠性高，采用NAND和SD相结合的方式，使得数据保存更安全，数据随取随用，操作简单明了，有很好的应用前景。
【专利说明】
一种新型大容量存取装置
技术领域
[0001 ]本实用新型具体涉及一种新型大容量存取装置。
【背景技术】
[0002]现在人们在使用电脑时常常需要存取大量的数据记录或者照片，但是在现在的方案中，常常只采用SD卡存取，存取速度慢，可靠性不高，有时候会出现SD卡损坏或者部分扇区坏掉，特别是在消费机中，存在丢失记录的情况，给客户造成损失。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是为解决上述不足，提供一种新型大容量存取装置。
[0004]本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的:
[0005]—种新型大容量存取装置，包括数据输入单元、SDRAM单元、Nand Flash存储单元、断电保护电路、SD卡单元、IXD触摸屏和中央处理单元，数据输入单元、SDRAM单元、NandFlash存储单元、断电保护电路、SD卡单元和LCD触摸屏分别电连接中央处理单元。
[0006]中央处理单元采用AT91RM9200的ARM芯片。
[0007]Nand Flash存储单元采用K9F1208存储器。
[0008]断电保护电路连接中央处理单元内部的译码器。
[0009]本实用新型具有如下有益的效果:
[0010]本实用新型设计合理，使用方便，体积小，容量大，靠性高，采用NAND和SD相结合的方式，使得数据保存更安全，数据随取随用，操作简单明了，有很好的应用前景。
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型的整体结构示意图；
[0012]图2为本实用新型的SD卡单元连接中央处理单元电路图；
[0013]图3为本实用新型的NandFlash存储单元电路图；
[0014]图4为本实用新型的SDRAM单元电路图；
[0015]图5为本实用新型的断电保护电路图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图对本实用新型作进一步的说明:
[0017]如图1所示，一种新型大容量存取装置，包括数据输入单元1、SDRAM单元2、NandFlash存储单元3、断电保护电路4、SD卡单元5、LCD触摸屏6和中央处理单元7，数据输入单元1、SDRAM单元2、Nand Flash存储单元3、断电保护电路4、SD卡单元5和LCD触摸屏6分别电连接中央处理单元7。
[0018]中央处理单元采用AT91RM9200的ARM芯片。
[0019]Nand Flash存储单元采用K9F1208存储器。
[0020]断电保护电路连接中央处理单元内部的译码器。
[0021]存储系统由SDRAM、NandFlash和SD卡组成。
[0022]NAND FLASH存储器没有地址线，只有数据线，8个I/O引脚充当数据、地址、命令的复用端口。8根数据线分别和中央处理单元的数据线DATA0-DATA7相连。芯片上的ALE和CLE分别是地址锁存和命令锁存使能信号，当ALE为高电平时，数据接口的数据在写信号的上升延锁存到FLASH内部的地址寄存器；当CLE为高电平时，数据接口的数据在写信号的上升延锁存到FLASH内部的命令寄存器。R/B引脚指示设备操作状态是Busy或Ready。
[0023]SDRAM单元:HY57V561620的13根地址线与中央处理单元的LADDR13-LADDRI相连，数据线连接CPU的数据总线LDATA15-LDATA0。由于数据总线为16位，所以HY57V561620的地址线AO接中央处理单元的地址线1^01?1。册57￥561620的Bank选择信号BA0/1接中央处理单元的高位地址线LADDR24/23。
[0024]断电保护电路的输出接至中央处理单元的译码电路和存贮器电路，当需断电保护时，开关Kl闭合，蓄电池接入电路;未断电时，+5V电源一方面通过BG3供给译码电路及存贮器RAM芯片，另一方面通过BG2和R4给蓄电池充电，所以蓄电池平时处于浮充状态，同时，+5V电源又使BGl导通，输出“ O”电平到各译码器的第4引脚端(赋能端)，以保证译码器正常工作。
【主权项】
1.一种新型大容量存取装置，包括数据输入单元、SDRAM单元、NandFlash存储单元、断电保护电路、SD卡单元、LCD触摸屏和中央处理单元，其特征在于:数据输入单元、SDRAM单元、Nand Flash存储单元、断电保护电路、SD卡单元和IXD触摸屏分别电连接中央处理单元。2.根据权利要求1所述的一种新型大容量存取装置，其特征在于:所述的中央处理单元采用AT91RM9200的ARM芯片。3.根据权利要求1所述的一种新型大容量存取装置，其特征在于:所述的NandFlash存储单元采用K9F1208存储器。4.根据权利要求1所述的一种新型大容量存取装置，其特征在于:所述的断电保护电路连接中央处理单元内部的译码器。
【文档编号】G11C16/06GK205582489SQ201620242743
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年3月28日
【发明人】彭岳林
【申请人】东莞市君容信息技术有限公司