信息存储应用技术
  • 本实用新型涉及一种具有电源功能的笔记本移动硬盘,属于移动硬盘。:移动硬盘顾名思义是以硬盘为存储介质,计算机之间交换大容量数据,强调便携性的存储产品。现有的笔记本移动硬盘在使用时功能单一,且浪费时间,同时在使用时不方便,效率低。实用新型内容:针对上述问题,本实用新型要解决的技术问题是...
  • 一种发光内存条马甲的制作方法
    本实用新型涉及一种发光内存条马甲。当今,发光电脑硬件产品已经流行起来,但很多电脑内存条还不可以发光。内存条马甲即为内存条的一种外壳,用于包裹内存条,发光的内存条马甲会给经常使用电脑的人们带来一种心旷神怡的感觉;目前市场上没有单独为内存条设计的发光设备,市场上有发光的内存条,但内存条和发光外...
  • 一种便携式移动影视内容加速传输装置的制作方法
    本实用新型涉及影视制作,具体涉及一种便携式移动影视内容加速传输装置。当前,影视拍摄大多在外景地和摄影棚,一般距离后期制作公司较远。而影视拍摄的影视内容的数据量非常庞大,一般1部高清晰电影达20TB-50TB,一部50集的电视连续剧可达100TB以上。在未来3年内,随着3D、8K、1...
  • 本实用新型涉及金属框架,具体涉及一种移动硬盘的金属框架。移动硬盘(MobileHarddisk)是以硬盘为存储介质,计算机之间交换大容量数据,强调便携性的存储产品。移动硬盘多采用USB、IEEE1394等传输速度较快的接口,可以较高的速度与系统进行数据传输。移动硬盘中设有金属框架,通过...
  • 一种低功耗存储器的装置和方法与流程
    本发明涉及存储器,尤其涉及一种低功耗存储器的装置和方法。随着集成电路系统设计规模的不断加大,系统中会存在大量的数据处理单元,而对应每个数据处理单元都会采用对应的数据存储单元来进行数据的保存。然而,随着数据存储器的需求不断加大,它所带来的功耗也在不断增加,有时甚至超过60%,因此,降...
  • 3-D非易失性存储器中的部分坏的块的操作的制作方法
    本申请涉及可重新编程的非易失性存储器(例如半导体闪存存储器)的操作。能够对电荷进行非易失性存储的固态存储器(特别是以封装为小形状因数卡的EEPROM和闪存EEPROM的形式)已经成为各种移动和手持设备(尤其是信息电器和消费电子产品)中的存储的选择。与同样为固态存储器的RAM(随机存取存储器...
  • 3-D非易失性存储器中的部分坏的块的操作的制作方法
    本申请涉及可重新编程的非易失性存储器(例如半导体闪存存储器)的操作。能够对电荷进行非易失性存储的固态存储器(特别是以封装为小形状因数卡的EEPROM和闪存EEPROM的形式)已经成为各种移动和手持设备(尤其是信息电器和消费电子产品)中的存储的选择。与同样为固态存储器的RAM(随机存取存储器...
  • 用于编程非易失性存储器的智能验证的制作方法
    本公开涉及用于非易失性储存器的技术。半导体存储器用于各种电子装置中。例如,非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字照相机、个人数字助理、移动计算装置、非移动计算装置以及其他装置中。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪速存储器是最流行的非易失性半导体存储器。一些非易失性存储器将信息储存...
  • 用于存储器系统的电压电平检测和模拟电路布置的制作方法
    嵌入式非易失性存储器系统可以从主机接收第一供电电压VCC和第二供电电压VCCQ。不同主机可以供应不同电平的第二供电电源VCCQ。例如,一些主机可以供应3.3伏特或1.8伏特的第二供电电压,而其他主机可以供应1.2伏特的第二供电电压。为了与不同主机和主机可以供应的第二供电电压VCCQ的可能不同的电平...
  • 用于存储器系统的电压电平检测和模拟电路布置的制作方法
    嵌入式非易失性存储器系统可以从主机接收第一供电电压VCC和第二供电电压VCCQ。不同主机可以供应不同电平的第二供电电源VCCQ。例如,一些主机可以供应3.3伏特或1.8伏特的第二供电电压,而其他主机可以供应1.2伏特的第二供电电压。为了与不同主机和主机可以供应的第二供电电压VCCQ的可能不同的电平...
  • 存储器装置中的编程抑制的制作方法
    本发明一般来说涉及将存储器装置编程,且特定来说,本发明涉及存储器装置中的编程抑制。快闪存储器装置(例如,NAND、NOR等)已发展成用于宽广范围的电子应用的非易失性存储器的普遍来源。非易失性存储器是在不施加电力的情况下可将其数据值保持达某一延长时间段的存储器。快闪存储器装置通常使用单晶体管...
  • 交叉点存储器控制的制作方法
    本公开涉及存储器控制。交叉点存储器(例如三维(3D)交叉点技术)是典型地使用硫属化物材料以用于存储器元件的存储器设备。存储器元件是实际存储信息的单元。在操作中,交叉点存储器,例如,相变存储器,通过在非晶相和结晶相之间改变存储器元件的相而在存储器元件上存储信息。硫属化物材料可以展现结晶相或者...
  • 交叉点存储器控制的制作方法
    本公开涉及存储器控制。交叉点存储器(例如三维(3D)交叉点技术)是典型地使用硫属化物材料以用于存储器元件的存储器设备。存储器元件是实际存储信息的单元。在操作中,交叉点存储器,例如,相变存储器,通过在非晶相和结晶相之间改变存储器元件的相而在存储器元件上存储信息。硫属化物材料可以展现结晶相或者...
  • 自适应负位线写入辅助的制作方法
    本申请要求2015年9月22日提交的美国专利申请第14/860,916号的权益。本申请涉及存储器,且更具体地说,涉及具有自适应负位线写入辅助的存储器。静态随机存取存储器(SRAM)位单元包含一对交叉耦合的反相器。每个交叉耦合的反相器包含可对真实(Q)数据节点或补充(QB)数据节点充...
  • 自适应负位线写入辅助的制作方法
    本申请要求2015年9月22日提交的美国专利申请第14/860,916号的权益。本申请涉及存储器,且更具体地说,涉及具有自适应负位线写入辅助的存储器。静态随机存取存储器(SRAM)位单元包含一对交叉耦合的反相器。每个交叉耦合的反相器包含可对真实(Q)数据节点或补充(QB)数据节点充...
  • 自对准存储器阵列的制作方法
    本发明的实施例属于半导体器件领域,并且更具体而言,属于存储器领域。诸如自旋转移矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)之类的一些磁存储器利用磁性隧道结(MTJ)来转换和检测存储器的磁状态。MTJ由铁磁(FM)层和隧穿势垒(例如,MgO)组成。MTJ将位线(BL)耦合到选择开关(例如,晶体管)...
  • 自对准存储器阵列的制作方法
    本发明的实施例属于半导体器件领域,并且更具体而言,属于存储器领域。诸如自旋转移矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)之类的一些磁存储器利用磁性隧道结(MTJ)来转换和检测存储器的磁状态。MTJ由铁磁(FM)层和隧穿势垒(例如,MgO)组成。MTJ将位线(BL)耦合到选择开关(例如,晶体管)...
  • 半导体存储器件的制作方法
    实施例涉及一种半导体存储器件。相关申请的交叉引用本申请基于并要求2015年9月9日提交的美国临时申请62/216,179的优先权,此临时申请的全部内容通过引用并入此文。MRAM(磁性随机存取存储器)将具有磁阻效应的MTJ(磁性隧道结)元件用作存储单元。MRAM的特点是操作速度快、容量大以及...
  • 半导体存储器件的制作方法
    实施例涉及一种半导体存储器件。相关申请的交叉引用本申请基于并要求2015年9月9日提交的美国临时申请62/216,179的优先权,此临时申请的全部内容通过引用并入此文。MRAM(磁性随机存取存储器)将具有磁阻效应的MTJ(磁性隧道结)元件用作存储单元。MRAM的特点是操作速度快、容量大以及...
  • 用于设备的数据编码技术的制作方法
    本公开通常涉及设备,并且更具体地涉及用于设备的数据编码技术。存储设备使能数据的存储和检索。存储设备的示例包括易失性存储器设备和非易失性存储器设备。非易失性存储器在断电事件后保留数据。在一些情况下,易失性存储器使能低延迟(例如,快速读取和写入速度)。一些存储设备包括非易失性存储器和易失性存储...
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