信息存储应用技术
  • 本技术涉及半导体装置。近年来,正在进行内置有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor:绝缘栅双极型晶体管)等功率半导体元件和对功率半导体元件进行驱动的驱动电路的被称作IPM(IntelligentPowerModule:智能功率模块)的半导体装置的开...
  • 本专利申请要求2015年11月3日提交的美国临时专利申请No.62/250,002的权益,并且该专利申请以引用方式并入本文。本发明涉及非易失性存储器单元以及它们的制造。非易失性存储器器件在本领域中是公知的。例如,美国专利7,868,375(出于所有目的以引用方式并入本文)公开了具...
  • 相变材料具有邀请它们在多个应用(诸如,奥氏(ovonic)阈值开关和相变存储器(PCM))中的使用的属性。相变材料的不同物理状态具有不同级别的电阻。例如,一个状态(诸如,非晶态)可以具有高电阻,而另一状态(诸如,晶态)可以具有低电阻。在PCM中,这些不同级别的电阻可以用于存储二进制信息。每一个状态...
  • 本公开涉及电熵存储器设备以及制造和使用这种设备的方法的实施例。微电子学和相关技术的领域是新产品快速膨胀和创新技术的市场。50多年来的发展已经显著达成了五十年前预言家所难以预见的产品。这些市场中产品的部分快速演化已经归因于用于计算机和其它逻辑设备的微电子学的惊人发展。在这些计算机和逻...
  • 描述一般地与输入/输出(I/O)电路有关,并且更具体的描述与针对I/O电路的灵活DLL(延迟锁相环)校准有关。版权通知/许可本专利文档的公开内容的部分可能包含经受版权保护的材料。版权所有人在专利文档或者专利公开内容出现在专利商标局专利文件或者记录中时不反对任何人复制此专利文档或者专利公开内容,但是...
  • 本专利申请要求于2015年8月31日递交的发明名称为“判决反馈均衡电路的流水线型多路复用器环架构”申请号为14/840,500的美国专利申请案的在先申请优先权,该在先申请的内容以引入的方式并入本文。本发明通常涉及电子信号处理电路领域,更具体地,涉及判决反馈电路。均衡技术可以用于提升...
  • 本发明一般地涉及基于使用光场(例如激光)来记录和检索信息的数据存储介质、系统和方法。更具体地,本发明涉及适用于在如一个世纪或更久的长时间段内记录和保存信息的存储系统。光存储介质是这样的介质,数据以光学可读的方式存储在其中,使得例如可以借助于集成在拾取器中的光检测器和激光器来读取这些...
  • 本发明涉及半导体存储器,特别涉及一种半导体存储器的循环冗余校验装置及半导体存储器。传统的动态随机存取存储器的针对ZQ数据块的循环冗余校验,输出循环冗余校验结果的方式是异步的方式,当循环冗余校验结果显示出错时,只能知道是哪一段时间内的ZQ数据块在写入操作或传输中出错,因此动态随机存取...
  • 本申请要求于2017年1月9日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0002922的优先权,该申请的整个内容以引用方式并入本文中。本公开涉及一种非易失性存储器装置及其编程方法。通常可将半导体存储器装置分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。响应于功率停止,非易失...
  • 本发明有关于一种数据储存装置,特别有关于可维持写入效能之的数据储存装置。快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存装置,以电性方式抹除与程序化。以与非门型的快闪存储器(即NANDFLASH)为例,常用作记忆卡(memorycard)、通用串行总线闪存装置(USBflashdevice)...
  • 本发明涉及一种驱动电路,且特别涉及一种运用于非易失性存储器的驱动电路。众所周知,非易失性存储器可在电源消失之后,仍可保存数据,因此非易失性存储器已经广泛的运用于电子产品中。再者,非易失性存储器中包括多个非易失性存储器胞(non-volatilecell)排列而成非易失性存储器胞阵列(no...
  • 于2017年1月9日提交的题为“HighVoltageSwitchCircuitsofNonvolatileMemoryDevicesandNonvolatileMemoryDevices”的韩国专利申请No.10-2017-0002752整体通过引用并入本文中。本文...
  • 各实施方式总体上涉及半导体存储器件,更具体地,涉及包括多个平面的非易失性存储器件。半导体存储器件是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的半导体实现的存储器件。半导体存储器件通常可分为易失性存储器件或非易失性存储器件。易失性存储器件是当电源中断时存储的数据被去...
  • 本发明有关于一种非易失性存储器,且特别有关于一种可编程的非易失性存储。请参照图1A与图1B,其所绘示为已知非易失性存储器的存储单元(memorycell)及其等效电路。已知非易失性存储器中的每一个存储单元包括三个串接的n型晶体管制作于P型肼区PW中,并利用浅沟道隔离结构(Shallo...
  • 本申请要求于2017年1月9日向韩国知识产权局提交的第10-2017-0002981号韩国专利申请的优先权,其内容通过引用整体并入本文。本公开的实施例针对一种存储设备及其刷新方法。存储设备执行刷新操作以维持存储在存储单元中的数据。刷新操作消耗电力,因为存储单元所需的电荷再次被充电。...
  • 本发明属于半导体芯片存储器领域,尤其涉及一种可调电压的MRAM读出电路。磁性随机存储器(MRAM)是一种新兴的非挥发性存储技术。它拥有高速的读写速度和高集成度,且可以被无限次的重复写入。MRAM可以像SRAM/DRAM一样快速随机读写,还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。MRA...
  • 本发明涉及集成电路,特别是一种基于磁隧道结的数据锁存读出灵敏放大器。现今,非易失性存储器受到了广泛的关注,其中磁隧道结(MagneticTunnelJunction,MTJ)通常作为其主要器件,而读出灵敏放大器则是用于读出MTJ的状态,并将其转化为逻辑电平,目前所使用的读出灵敏...
  • 本申请要求2017年1月10日提交的韩国专利申请10-2017-0003450的优先权,其全部内容通过引用合并于此。本发明的示例性实施例涉及半导体设计技术,且更具体而言涉及半导体器件。电子设备的最新进展诸如尺寸缩小、功耗降低、性能增强和多样化,需要能够在包括计算机和移动通信设备的各...
  • 本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2014年7月10日、申请号为201480044584.0、发明名称为“用于使用感测电路执行比较运算的设备与方法”的发明专利申请案。本发明大体上涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,涉及与使用感测电路执行比较运算有关的设备及方法。存储器装置通常...
  • 本发明涉及一种升压保护电路,特别是涉及一种具有避免电压被非预期升压功能的升压保护电路。非挥发性内存(Non-VolatileMemory,NVM)是一种在没有电力供应至内存区块的情况下,仍然能够维持原本储存的数据的内存。非挥发性内存可应用于许多设备,例如磁性装置、光盘片、闪存或是其它半导...
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