信息存储应用技术
  • 一种相变存储器读出电路及读出方法与流程
    本发明涉及集成电路,特别是涉及一种相变存储器读出电路及读出方法。在集成电路制造领域,随着工艺节点不断缩小,传统的电荷类存储器受到越来越大的限制。各种各样的新型存储器和新型结构被发明出来以突破原有的极限:MLCNAND,MLCNOR,TLCNAND,MRAM,RRAM,FeRAM,3...
  • 存储器系统以及其错误校正方法与流程
    本发明是有关于一种非易失性存储器,特别是有关于一种用于检测与校正非易失性存储器中错误的方法与系统。一般而言,即使在不供电的情况下,非易失性半导体存储器保持住已储存的数据。晶体管式非易失性存储器,例如电子抹除式可编程只读存储器(electricallyerasableprogrammable...
  • 包括漏电流感测单元的半导体集成电路设备及其操作方法与流程
    包括漏电流感测单元的半导体集成电路设备及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2014年10月30日提交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2014-0148919的优先权,其整体内容通过引用合并于此。各实施例总体上涉及半导体集成电路设备及其操作方法,更具体地,涉及包括漏电流感测单元...
  • 用于三维竖直堆叠阻变存储器抑制IR drop电压降和读写干扰的架构和操作算法的制作方法与工艺
    用于三维竖直堆叠阻变存储器抑制IRdrop电压降和读写干扰的架构和操作算法本发明属于微电子,具体为适用于三维竖直堆叠阻变存储器(3DVRRAM)能够有效抑制IRdrop电压降和读写干扰的单元结构、阵列架构和操作算法。在目前的高密度存储领域,NANDFlash占据着不可撼动的...
  • 电阻可变存储装置、读取电路单元及其操作方法与流程
    电阻可变存储装置、读取电路单元及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2014年11月13日提交至韩国知识产权局的韩国申请No.10-2014-0158105的优先权,其全部内容通过引用合并于此。本发明的各个实施例涉及一种半导体装置,尤其涉及一种电阻可变存储装置、读取电路单元及其操作方法...
  • 电阻式存储器件及其制造方法与流程
    电阻式存储器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2014年11月26日提交的韩国专利申请第10-2014-0166605号的优先权,其全部内容通过引用并入本文中。本发明构思涉及一种半导体集成电路器件,尤其涉及一种电阻式存储器件及其制造方法。随着IT技术的飞速发展,亟需具有超高...
  • 一种复制位线控制电路的制作方法与工艺
    本发明涉及一种控制电路,尤其是涉及一种复制位线控制电路。随着医疗电子与便携式设备的发展,低功耗已经成为芯片设计者首要考虑的目标之一。目前,存储器占据了芯片绝大部分面积与功耗,而SRAM作为一种高性能低功耗存储器被广泛应用于芯片设计中,因此减小SRAM的功耗可以有效延长设备使用时间。传统的S...
  • 一种防止SRAM存储单元的下拉电流降低的电路的制作方法与工艺
    本发明涉及存储器领域,尤其涉及一种防止SRAM存储单元的下拉电流降低的电路。当双端口SRAM(StaticRandomAccessMemory,静态随机存取存储器)进行双读同一个存储单元,或者双读同一行不同存储单元,或者一读一写相同行的不同存储单元这三种情况时候,读操作余量会迅速恶化。原因...
  • 写辅助电路和存储单元的制作方法与工艺
    本发明涉及静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory,SRAM)单元,更特别地,涉及一种用于操作存储单元的写辅助电路。越来越多的电子设备要求存储装置(memorydevice)和存储单元(memorycell)能够以高速度操作。存储装置完成或执行不同的操作(如读操...
  • 半导体存储设备的制作方法与工艺
    半导体存储设备相关申请的交叉引用本申请是基于2014年9月12日递交的日本专利申请No.2014-186726并且要求该申请的优先权权益,通过引用将该申请的整体内容并入本文。本文中描述的实施例大体上涉及半导体存储设备。诸如静态随机存取存储器(SRAM)的半导体存储设备使用位线对中的...
  • SRAM单元的制作方法与工艺
    本发明涉及半导体,尤其涉及一种SRAM单元。静态随机存储器(StaticRandomAccessMemory,SRAM)作为存储器中的一员,具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容等优点,广泛应用于PC、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。一个静态随机存储器包...
  • 具有初始化电路的半导体器件及包括其的半导体系统的制作方法与工艺
    具有初始化电路的半导体器件及包括其的半导体系统相关申请的交叉引用本申请要求于2015年5月27日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0074308的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用整体合并于此。本公开的实施例总体而言涉及半导体器件和半导体系统,更具体地,涉及具有初始化...
  • 存储器件的制作方法与工艺
    存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2015年5月26日提交的申请号为10-2015-0072853的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。本发明的实施例涉及一种存储器件。存储器件的存储单元包括起开关作用的晶体管和储存电荷(或数据)的电容器。数据的“高”(逻辑1)或“低...
  • 存储器系统及其管理方法与流程
    本发明有关于一种非挥发存储器,特别是有关于一种用于非挥发存储器数据管理的方法与系统。一般而言,即使在不供电的情况下,非挥发半导体存储器保留已储存的数据。晶体管式非挥发存储器是使用一或多个晶体管作为储存元件来储存数据的非挥发存储器的,例如快闪存储器、电子抹除式可编程只读存储器(electri...
  • 包括再分布层的半导体器件的制作方法与工艺
    包括再分布层的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2015年03月27日在韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0043257的韩国专利的优先权,其整体内容通过引用合并于此。各种实施例可以总体涉及一种半导体器件,且更特别地,涉及一种用于包括RDL(再分布层)的3DS(3维堆叠)存...
  • 地址/数据转换器分离的三维纵向存储器的制作方法与工艺
    本发明涉及集成电路存储器领域,更确切地说,涉及三维纵向存储器(3D-MV)。三维存储器(3D-M)是一种单体(monolithic)半导体存储器,它含有多个相互堆叠的存储元。3D-M包括三维只读存储器(3D-ROM)和三维随机读取存储器(3D-RAM)。3D-ROM可以进一步划分为三维掩膜...
  • 一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构的制作方法与工艺
    本发明涉及非易失存储器,特别是涉及一种自旋力矩转移磁性随机存储器的写电路结构。自旋力矩转移磁性随机存储器STT-MRAM是一种非易失的存储器,它的存储结构采用MTJ磁性隧道结,如图1所示,中间的称为势垒层,上下分别为自由层和参考层。写数据“0”的时候,电流从参考层流经自由层使MTJ...
  • 一种无线音频数据采集储存系统的制作方法与工艺
    本发明涉及一种数据采集储存系统,具体是指一种无线音频数据采集储存系统。音频数据采集储存系统在工业自动化生产、国防和军事监控及环境监测等领域已被广泛应用。音频数据采集储存系统可以连续的捕获到各种信号或故障发生时的特征信号,并对捕获的信号进行储存,以便相关人员对信号进行分析。随着无线网络技术的...
  • 本发明涉及家用器械,具体地讲就是一种老年人提醒仪装置。目前,我们国家已进入老年人时代。老年人独居是当今中国普遍的现象,老年人因身体健康原因,常常忘记一些至关重要的事情,比如:做饭忘记关掉煤气引发火灾:忘记吃药而延误病情;外出忘记携带钥匙等等,带来一系列麻烦。而身边子女因奋斗在外,一年又难得...
  • 存储器读取电路参考电流的获取方法及装置、读取方法与流程
    本发明涉及存储器,具体涉及一种存储器读取电路参考电流的获取方法及装置、读取方法。存储器不仅是数字集成电路中重要的组成部分,更是构建基于微处理器的应用系统不可缺少的一部分。近年来,人们将各种存储器嵌入在微处理器内部以提高处理器的集成度与工作效率,存储器阵列及其外围电路的性能在很大程度...
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