信息存储应用技术
  • 本申请享有以日本专利申请2017-54925号(申请日:2017年3月21日)作为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包含基础申请的全部内容。实施方式涉及一种半导体存储装置。要求半导体存储装置的动作的高速化。发明内容本发明的实施方式提供一种高品质的半导体存储装置。实施方式的...
  • 本公开涉及数据存储,具体而言,涉及一种可以在非挥发性储存装置上提升数据耐久性的控制方法。NANDFlash是SSD用来承载、储存数据的内存,SSD并可通过Controller(控制器)进行各种运算处理,而这些过程中的任何一个细节,都有可能影响到SSD的产品效能表现、可靠度、稳定度...
  • 本申请案享有以日本专利申请案2017-56335号(申请日:2017年3月22日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。实施方式涉及一种半导体存储装置。作为半导体存储装置,已知有NAND(NotAnd,与非)型闪速存储器。发明内容本发明的实...
  • 本申请要求于2017年3月20日提交的编号为10-2017-0034874的韩国专利申请的优先权,其整体内容通过引用合并于此。本公开的实施例涉及具有错误检测功能的半导体器件。近来,在每个时钟周期时间期间接收和输出四比特数据或八比特数据的DDR2方案或DDR3方案已经用来提升半导体器...
  • 本申请享有以日本专利申请2017-56009号(申请日:2017年3月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。本实施方式涉及一种半导体存储装置。已知有存储单元三维地排列而成的NAND(NotAND,与非)型闪速存储器。发明内容本发明的实施方式...
  • 在此公开的实施例涉及一种非易失性存储器装置的编程方法,更具体地讲,涉及一种通过热载流子注入(hotcarrierinjection)来执行编程操作的非易失性存储器装置,以及非易失性存储器装置的操作方法。半导体存储器装置可主要被分类为易失性半导体存储器装置和非易失性半导体存储器装...
  • 本申请要求2017年3月24日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2017-0037866的优先权,其公开内容通过引用其全部合并于此。本发明构思涉及一种存储器件的操作方法。非易失性存储器件包括相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存...
  • 本申请基于并要求于2017年3月22日提交的日本专利申请No.2017-056070的优先权的权益,该申请全部内容通过引用并入本文。本文所描述的实施例一般而言涉及存储器设备和存储器系统。近年来,对于主存储器和高速缓存存储器,建议使用电阻变化型存储器作为替代易失性存储器(例如,DRA...
  • 本申请享有以日本专利申请2017-51294号(申请日:2017年3月16日)为基础申请案的优先权。本申请通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。本发明的实施方式涉及一种非易失性半导体存储装置。电阻变化型存储器ReRAM(ResistiveRandomAccessMe...
  • 本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2013年12月05日、申请号为201380072137.1、发明名称为“基于错误校正而设定默认读取信号”的发明专利申请案。本发明一般来说涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,涉及与基于错误校正而设定默认读取信号有关的设备及方法。存储器装置通常...
  • 本案关于一种存储器的输出驱动电路,特别是一种可高速存取的存储器的输出驱动电路。目前之双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)DDR3、DDR3L、DDR4及LPDDR4的输入/输出(I/O)电压分别是1.5、1.35、1.2及1.1伏特,其中,DDR3与DDR3L的最高存取速...
  • 本申请基于在2017年3月21日提交的日本专利申请No.2017-054585并要求来自该日本专利申请的优先权权益,在这里通过引用并入该日本专利申请的全部内容。本文描述的实施例一般涉及计算机系统和存储器设备。近年来,利用诸如MRAM之类的电阻变化型存储器的计算机系统的开发正在被推动...
  • 本申请享有以日本专利申请2017-59583号(申请日:2017年3月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。本实施方式涉及一种存储设备及其控制方法。MRAM(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,磁阻式随...
  • 实施方式涉及半导体存储装置。磁性随机存取存储器(MRAM:MagneticRandomAccessMemory)是对存储信息的存储器单元使用了具有磁阻效应的存储元件的存储器装置。MRAM作为以高速工作、大容量、非易失性为特征的下一代存储器装置而受到注目。发明内容实施方式提供能够抑制读...
  • 本申请享有以日本专利申请2017-49983号(申请日:2017年3月15日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置。已知一种具有电阻变化元件的半导体存储装置。发明内容本发明的实施方式提供一种能够相对于动作环境...
  • 本申请享有以日本专利申请2017-59602号(申请日:2017年3月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。本实施方式涉及一种存储设备及其控制方法。MRAM(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,磁阻式随...
  • 实施方式涉及半导体存储装置。作为半导体存储装置,已知在存储单元使用了磁阻效应(magnetoresistiveeffect)的MRAM(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,磁阻式随机访问存储器)。MRAM作为高速工作、大容量以及具有非易失...
  • 各个实施方式总体上涉及半导体存储装置。半导体存储装置不断趋向高集成度、高容量和小型化。具体地,已经尝试了各种努力来实现较小尺寸的高容量半导体存储装置。发明内容在一个实施方式中,一种半导体存储装置可包括:存储单元阵列和行解码器,所述存储单元阵列和所述行解码器沿着第一方向设置在基板上;以及多条...
  • 本案是分案申请。本分案的母案是申请日为2013年9月5日、申请号为201380053743.9、发明名称为“用以提供针对存储器装置的电力管理的设备及方法”的发明专利申请案。所揭露的结构及/或技术大体上涉及存储器装置,且更特定地说,涉及用于管理存储器装置内的功耗的设备及方法。一般期望...
  • 本发明关于一种存储器元件,该存储器元件具有监测存储器行由于邻近行启动而被干扰的影响,并据以决定将被更新的存储器行。在易失性存储器中的存储器单元需要周期性地更新以维持储存于其中的数据的完整度。然而,随着存储器的运作速度的增加,存储器行会更频繁地启动。由于邻近行频繁地启动,连接于一行(row)...
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