专利名称：双向硅堆的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件，具体地说是一种由PN结芯片组成的硅堆。
在电子线路中，经常出现对某工作点进行嵌位的电路结构，较普遍的作法是利用二极管的正向压降特性来实现。有的需采用多支二极管按正负形式串接成二极管链，而后再将两组已串好的二极管链进行反并联，形成二极管链组。用此链组来进行对线路中某点电压进行嵌位，无论是在体积上还是在使用上都不方便，而且其元件多，结构复杂，故障率也会增加，维修也不方便。
本实用新型的目的是针对上述存在的缺点，提供一种结构简单，使用方便并用于交流电压嵌位的双向硅堆。
本实用新型的技术要点是它是由两组单向PN结芯片组成的硅堆反并联封装构成，每组单向硅堆的PH结芯片数量为1～30个。每组单向硅堆PN结芯片的数量是等同的，也可以是不等同的，可根据所需要嵌位电压不同制成各种需要的规格形式。每组单向硅堆的形状可以是长方形、正方形或圆柱体。
本实用新型的出现，不但可做到电路的结构简单，故障率降低，维修方便，而且其元件的体积小，电压的嵌位波动少，准确率高，有利于电路的工作稳定，一定会受到使用者欢迎。
图1为本实用新型的实施例之一结构示意图。
图2为本实用新型的实施例之二结构示意图。
图3为本实用新型的实施例之三结构示意图。
图4为本实用新型的立体结构示意图。
从附图可见，本实用新型采用两组单向PN结芯片烧结的硅堆(1、2)平行地设置封装于绝缘材料(5)内，其端头引线(3、4)为轴向引出(见图1)；也可将其端头引线(3、4)径向引出(见图2)或贴装引出(见图3)；所用的绝缘封装材料为树脂或塑料。
本实用新型的封装外形为方形、圆柱形或球形。
权利要求1．一种双向硅堆，具有PN结芯片，其特征在于它是由两组单向PN结芯片硅堆反并联封装构成，每组单向硅堆的PH结芯片数量为1～30个。
2．按照权利要求1所述的双向硅堆，其特征在于每组PH结芯片的叠片数量是等同的，也可以是不等同的；每组单向硅堆的形状可以是长方形、正方形或圆柱体。
3．按照权利要求1所述的双向硅堆，其特征在于采用两组单向PH结芯片烧结的硅堆(1、2)平行地设置封装于绝缘材料(5)内，其端头引线(3、4)为轴向引出；也可将其端头引线(3、4)径向引出或贴装引出。
4．按照权利要求1所述的双向硅堆，其特征在于封装外形为方形、圆柱形或球形。
专利摘要本实用新型涉及半导体器件,具体地说是由一组PN结芯片组成的硅堆。它是由两组单向PN结芯片硅堆反并联封装构成,每组单向硅堆的PN结芯片数量为1～30个。本实用新型的出现,不但可做到电路的结构简单,故障率降低,维修方便,而且其元件的体积小,电压的嵌位波动少,准确率高,有利于电路的工作稳定,一定会受到使用者欢迎。
文档编号H01L25/00GK2419687SQ0021111
公开日2001年2月14日 申请日期2000年3月15日 优先权日2000年3月15日
发明者何平 申请人:何平