专利名称：一种衰减相移掩模的制作方法
技术领域：
本实用新型是一种衰减相移掩模，涉及应用掩模技术，属于对掩模结构的修改。
可提高分辨率的掩模技术有多种种类。交替型相移掩模对周期性图形有明显作用，但制作的图形线端头处由于相位突变造成的连接线，需要再次曝光予以消除。无铬相移掩模适用于不等线/间隔图形；辅助相移掩模适用于孤立图形，它们的缺陷是存在应用局限性。边缘相移掩模适用于任何形状的图形，但由于相移器宽度多为亚分辨率的，其设计制作的难度限制了它们的应用。衰减相移掩模适合任何形状的图形，设计相对容易。现有的衰减相移掩模为双层结构，如
图1和图2分别表示的两种衰减相移掩模，由两层模构成，1是衰减层，用以控制透过率，2是相移层，控制相移度。其缺陷是结构复杂，制作困难，不易控制。
本实用新型的目的是提供一种可同时满足提高分辨率和减轻制作难度的衰减相移掩模。
本实用新型的目的可通过以下技术措施实现衰减相移掩模包括掩模的基体，基体上是起衰减和相移作用的单层膜。
本实用新型也可通过以下技术措施实现衰减相移掩模基体上的单层膜的材料可以是CrO、CrON、CrSiON、MoSiC、MoSiON等材料。
本实用新型相比已有技术有如下优点由于衰减和相移由同一单层膜同时实现，因此该实用新型结构简单。并且该单层膜的材料CrO等的制作工艺与传统掩模上Cr膜的制作工艺相兼容，因此本实用新型相比于已有的多层膜衰减相移掩模制作过程简化、易被控制，容易实现，不需要增添新的生产设备，即可达到提高光刻分辨率的目的。而且，本实用新型采用适合的相移材料可适用于任何波长的光刻技术。
以下结合附图和最佳实施例对本实用新型作进一步的说明。
图1和图2为已有技术多层膜衰减相移掩模的结构图。
图3为本实用新型最佳实施例的结构图。
如图3所示，衰减相移掩模基体3上是CrO单层膜4，它是在基体3上镀制Cr膜时加入Ar+O2气体时生成的。通过控制溅射电流、溅射压强、氧气供给量控制CrO膜的折射率N和消光系数K，使单层膜4具有一定厚度，并同时满足透过率要求(5-10％)和180°相位延迟的要求。基体3和单层膜4构成衰减相移掩模。
权利要求1.一种衰减相移掩模，包括掩模的基体(3)，其特征在于基体(3)上是起衰减和相移作用的单层膜(4)。
2.根据权利要求1所述的衰减相移掩模，其特征在于基体(3)上的单层膜(4)可以是CrO、CrON、CrSiON、MoSiO、MoSiON等材料。
专利摘要本实用新型公开了一种衰减相移掩模,属于对现有衰减相移掩模结构的改进,解决了现有衰减相移掩模结构复杂、制作困难的问题。本实用新型的衰减相移掩模包括掩模的基体和起衰减和相移作用的单层膜。单层膜可以是CrO、CrON、CrSiON等材料,其结构简单,制作工艺简化、易被控制,容易实现。可应用于大规模集成电路的制造。
文档编号H01L21/02GK2426213SQ00223209
公开日2001年4月4日 申请日期2000年6月7日 优先权日2000年6月7日
发明者张锦, 冯伯儒, 侯德胜, 周崇喜, 姚汉民, 刘业异 申请人:中国科学院光电技术研究所