专利名称：耐高温大功率二极体的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种耐高温大功率二极体。
市售常见大功率二极体如
图1所示，其为于一外承座1的内置槽11内设置有晶片单元2、导体单元3及罩座4，该晶片单元2介于外承座1与导体单元3之间，其间焊接面5、6是以锡焊接方式纵向连接，而该罩座4罩盖于内置槽11上方，底部则抵触导体单元3的焊接座31上方，其与内置槽11接触周缘亦以锡焊接方式连接一焊接面7，使导体单元3稳固呈纵向垂直定位，如此制成一大功率二极体构造。
此一常用的大功率二极体构造，一般所能承受最大温度约为175～200℃，无法突破此温度上限，此各元件的连接皆以焊接方式来达到固定的目的，在超过175～200℃高温的工作条件下时，其焊接面5、6、7无法达到承受如此高温，导致焊锡成融溶状态，使导体单元3及罩座4的焊接面7有剥落脱离的状况，且内置槽11内部焊锡会上浮出溢于罩座4外部造成短路的现象，而晶片单元2及导体单元3的焊接面5、6也悬空造成开路的现象发生，此为现有大功率二极体无法适用于高温工作条件的瓶颈。
有鉴于此，本实用新型针对上述大功率二极体所面临的瓶颈予以改善，基于耐高温大功率二极体的需求，乃潜心研究，以从事此产业多年的经验，提供一种创新构造的耐高温大功率二极体，以供此产业的需求利用。
针对现有技术存在的缺点，本实用新型的主要目的在于提供一种耐高温大功率二极体，是用比重小于焊锡的果冻绝缘胶凝结包覆晶片单元及导体单元形成一定位保护层，于高温工作条件下，使其焊接面的焊锡始终保持于果冻绝缘胶下方而不液漏于外，再配合内置槽顶部外缘具有可弯折的凸缘设计，致使罩座与外承座得以实施铆固密封的连接定位作用，促使罩座稳固定位不受外在温度因素影响其连接性，让导体单元的焊接座稳固受顶持，使晶片单元及导体单元的焊接面始终保持接触导通，可避免外承座内、外部有开路或短路的现象，进而达到可承受超过300℃以上高温工作条件的大功率二极体构造。
本实用新型的另一目的在于提供一种耐高温大功率二极体，果冻绝缘胶在高温工作条件下呈一固液状态，可供由晶片单元侧边胶体毛细孔渗入保护晶片，使晶片单元整体结构得以避免高温膨胀导致表层的龟裂(crack)现象，具有保护晶片的效果。
为达到上述目的，本实用新型是通过以下技术方案实现的一种耐高温大功率二极体，主要包括有外承座、晶片单元、导体单元及罩座，该晶片单元、导体单元及罩座置设于外承座中间的内置槽内，该晶片单元介于外承座与导体单元之间，其间有以锡焊接方式纵向连接的接触面；其特征在于焊接于内置槽内的晶片单元及导体单元上方用以一比重小于焊锡密度的果冻绝缘胶凝结包覆成一定位保护层；该外承座的内置槽于顶部外缘突出一段差凸缘，与罩座最大外径的卡接部相互卡套配合铆固连接定位，罩座始终稳固抵触导体单元的焊接座。
该果冻绝缘胶在高温下为固液状态；可供由晶片单元侧边的胶体毛细孔渗入保护晶片，使晶片单元整体结构得以避免高温膨胀导致表层的龟裂(crack)现象，以形成保护晶片的作用。
通过本实用新型耐高温大功率二极体，克服了现有技术存在的缺点，达到了上述创作的目的，本实用新型能承受300℃以上高温工作条件。
以下结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。
图1是已知大功率二极体的剖面示意图；图2是本实用新型的立体外观图；图3是本实用新型的分解示意图；图4是本实用新型的剖面示意图。
请参阅图2至图4所示，本实用新型耐高温大功率二极体主要包括有外承座1、晶片单元2、导体单元3及罩座4。该晶片单元2、导体单元3及罩座4置设于外承座1中间的内置槽11内，且该晶片单元3介于外承座1与导体单元3之间，其间焊接面5、6是以锡焊接方式纵向连接。
该焊接于内置槽11内的晶片单元2及导体单元3，为了使其焊接面5、6能在高温工作条件下，不致呈融溶状态时发生上浮液漏于内置槽11外的情形，乃在晶片单元2及导体单元3上方用以一比重小于焊锡密度的果冻绝缘胶8凝结包覆，以形成一定位保护层，因此焊接面5、6在高温工作条件下，虽会呈融溶状态，但其焊锡密度比重较重，且被果冻绝缘胶8凝结包覆，故焊锡始终保持在果冻绝缘胶8下方位置，即能避免上浮液漏于内置槽11外。
该外承座1的内置槽11于顶部外缘突出一段差凸缘12，供与罩座4最大外径的卡接部41相互卡套配合，因此罩座4的中心穿套导体单元3的接脚32，而卡接部41卡套于段差凸缘12内，即能实施铆固连接定位方式，致使外承座1的段差凸缘12弯折罩固罩座4的卡接部41，罩座4得以始终稳固定位罩盖于内罩槽11上方，底部则抵触导体单元3的焊接座31，让晶片单元2与导体单元3两者始终保持一定接触导通性；另外罩座4于中心凸缘42可进一步实施压挤作业，让凸缘42形成三点紧箍导体单元3的接脚32的定位作用。
由上述得知，本实用新型所构成的大功率二极体在高温工作条件下实施时，该晶片单元2及导体单元3的焊锡焊接面5、6虽会呈融溶状态，但受果冻绝缘胶8包覆不致有上浮液漏于内置槽11外部，同时罩座4采铆固定位于内置槽11上，让导体单元3的焊接座31稳固受顶持，该罩座4不受高温影响连接性，致使晶片单元2及导体单元3的焊接面5、6始终保持接触导通，可避免外承座1内、外部有开路或短路的现象；如此，本实用新型所构成的大功率二极体有利于高温条件下运作，经本创作者反复实验得知，如此利用果冻绝缘胶8凝结包覆晶片单元2及导体单元3所形成一定位保护层，配合罩座4与外承座1实施铆固连接的方式，得以突破常用大功率二极体无法耐高温的瓶颈，让其可在超过300℃以上的高温工作条件下运作，极具实用价值。
另外，本实用新型所提供的果冻绝缘胶8，在高温下为呈一固液状态，可供由晶片单元2侧边的胶体21毛细孔渗入保护晶片，使晶片单元2整体结构得以避免高温膨胀导致表层的龟裂(crack)现象，以具有保护晶片的效益，极具进步性。
综上所述，本实用新型所提供的耐高温大功率二极体，其果冻绝缘胶凝结包覆晶片及导体单元所形成定位保护层，配合罩座与外承座实施铆固连接的方式，能达到预期的目的及实用价值，可供此产业上需求利用。
权利要求1.一种耐高温大功率二极体，主要包括有外承座、晶片单元、导体单元及罩座，该晶片单元、导体单元及罩座置设于外承座中间的内置槽内，该晶片单元介于外承座与导体单元之间，其间有以锡焊接方式纵向连接的接触面；其特征在于焊接于内置槽内的晶片单元及导体单元上方用以一比重小于焊锡密度的果冻绝缘胶凝结包覆成一定位保护层；该外承座的内置槽于顶部外缘突出一段差凸缘，与罩座最大外径的卡接部相互卡套配合铆固连接定位，罩座始终稳固抵触导体单元的焊接座。
2.如权利要求1所述的耐高温大功率二极体，其特征在于该果冻绝缘胶在高温下为固液状态。
专利摘要一种耐高温大功率二极体,主要包括有外承座、晶片单元、导体单元及罩座,焊接于内置槽内的晶片单元及导体单元上方,用以一比重小于焊锡密度的果冻绝缘胶凝结包覆形成一定位保护层;外承座的内罩槽于顶部外缘突出一段差凸缘,罩座始终稳固抵触导体单元的焊接座;本实用新型在高温工作条件下,该晶片单元及导体单元的焊锡焊接面受果冻绝缘胶包覆不致有上浮液漏于内置槽外部,晶片单元及导体焊接面始终保持接触导通,进而避免外承座内、外部有开路或短路的现象,有利于高温条件下运作。
文档编号H01L29/66GK2472350SQ0120732
公开日2002年1月16日 申请日期2001年3月15日 优先权日2001年3月15日
发明者林金锋 申请人:林金锋