专利名称：基片处理过程中用于消除废白粉的装置的制作方法
背景技术：
发明领域本发明一般涉及基片处理领域，更具体地说，本发明涉及一种基片处理过程中，用于除去聚集在真空泵排气管道中的固体残余物(即白粉)的装置和/或方法。
相关技术说明在传统的基片处理过程中，处理室内的沉积气体在要被处理的基片表面上形成一层薄膜。在沉积过程中，任何残余的活性化学物质和副产物都会通过真空泵从处理室排出。该真空管道通常称为前级管道。
未被消耗掉的气体分子，与部分被反应的化合物，以及反应副产物通过前级管道被不断地抽出处理室，并通过排气出口出来进入到一个真空排气管道。从排气管道排出的排出物再被释放到环境中，或进一步用，例如，一种洗涤器进行处理，然后再释放。
排出气体中的许多化合物仍处于较高的活性状态并且/或含有能在排气管道中形成不希望的沉积的残余物或颗粒状物质。经过一段时间之后，这种粉状残余物的沉积的增加，会产生很严重的问题。例如，当大量的这种沉积材料在排气管道内堆积时，排气管道会被堵塞。即使定期清洗，排气管道中残余物的积累还是会干扰真空泵的正常工作，并显著缩短真空泵的使用寿命。
这样，就需要经常维护、修理或更换真空泵，时间一长，维修和更换真空泵就变得很昂贵，并增加了设备拥有者的成本。这样，排气管道一般需要在一段时间内进行清洗，这取决于沉积工艺的类型和数量。这种清洗要求从生产线上移走基片处理系统，结果，因为生产量减少而增加了成本。
为了避免上述问题，要定期清洗前级管道的内表面，以除去沉积材料。这一过程一般在标准的室体清洁操作过程中进行，该操作用于从室壁和室的其他区域上除去不希望的沉积材料。常用的室体清洁技术包括使用一种刻蚀气体，如氟或氯，以从室壁和其他区域上除去不希望的沉积材料。在这一过程中，将一种刻蚀气体引入室中，并形成等离子体，以使刻蚀气体与室壁上的沉积材料发生反应，并进一步除去室壁上的沉积材料。这些清洁步骤一般在每1个基片或每N个基片的多个沉积步骤之间进行。
从室壁上除去沉积材料相对比较简单，因为等离子体是在室内靠近沉积材料的区域产生。由于在半导体处理过程中温度增加，从前级管道中除去沉积材料也不困难。但是，因为排气管道位于真空泵的下游，从排气管道内除去沉积材料就要困难得多。这样，在固定的时间段，虽然室内和前级管道得到了足够的清洁，但残余物和类似沉积物还是会沉积在排气管道中。
现有技术中有一种方法，试图足够地清洁排气管道，其包括增加清洁操作的持续时间。但是清洁操作时间的增加，是不期望的，因为它反过来影响了基片的生产量。而且，这种聚集的残余物只能清洁到这样的程度，即来自清洁步骤的反应物被排到排气管道中，此时它们还可与排气管道中的残余物发生反应。在有些系统和应用中，被排出的反应物的使用期不足以到达排出管道，这就使残余物的聚集变得更为关注。
Raoux等人(Plasma Souces Sci.Technol.，6405-414，1997)引入了一种等离子体清洁装置(DPA)收集器，其安装在处理室和真空泵之间，与前级管道相通，该收集器能通过静电能捕获粒子，并通过收集器内的等离子体除去粒子。
其他除去不希望的沉积物的方法包括将整个排气管道加热到一设定温度。但不幸地是，加热到较高温度会带来一些问题。例如，燃烧会形成很细的粉末，它能堵塞系统。另外，一般通过水洗涤来收集粒子，且洗涤水在使用之前本身必须被处理以除去粒子和水溶性杂质。
所以，现有技术因缺乏有效手段来消除或减少连接在真空泵下游的排气管道内的杂质或残余物(白粉)而存在不足。本发明完全能满足本领域长期存在的这些需求和期望。
发明概述总的来说，本发明提供了一种系统和方法，其用于使真空泵排气管道内的固体残余物的沉积最小化。
本发明的一个实施例提供了一种用于基片制造的基片处理系统。这一系统包括一处理室；一排气室；和一种用于向处理室供给清洁气体的装置。该排气系统包括一真空泵，一真空排气管道，和一过滤装置，该过滤装置装在真空泵的下游且位于真空排气管道内。
本发明的另一个实施例中还提供了一种方法，其用于消除或减少基片处理系统的排气管道内的固体残余物的聚集。该方法包括下列步骤(1)将至少一种清洁气体引入处理室内，该气体进一步流到排气管道中；(2)捕获基片处理过程中产生的固体残余物，其中，所述残余物由装在真空泵下游并在排气管道内的过滤装置来捕获或过滤；(3)加热所述过滤装置，其中，所述清洁气体被再激活，并进一步与被捕获的固体残余物发生反应，因此将固体残余物转换成气态残余物；以及(4)通过所述排气管道释放所述气态残余物，从而一般能消除或减少排气管道内固体残余物的聚集。
此外，本发明的另一实施例还提供了一种方法，其用于消除或减少基片处理系统的排气管道内固体残余物的聚集。该方法包括下列步骤(1)将至少一种起始气体引入到基片处理系统的处理室中；(2)给起始气体局部施加一等离子体，其中，所述等离子体激活所述起始气体以形成清洁气体的等离子体，其进一步流向排气管道；(3)捕获基片处理过程中产生的固体残余物，其中，所述残余物由装在真空泵下游并在排气管道内的过滤装置来捕获或过滤；(4)加热所述过滤装置，其中，所述清洁气体被再激活，并进一步与被捕获的固体残余物发生反应，将所述固体残余物转换成气态残余物；以及(5)通过所述排气管道释放所述气态残余物，从而通常能消除排气管道内固体残余物的聚集。
此外，本发明另一实施例提供了一种方法，其用于消除或减少基片处理系统的排气管道内固体残余物的聚集。该方法包括下列步骤(1)将至少一种起始气体引入一分置室中，其中，所述分置室与基片处理系统的处理室的内部连接；(2)激活分置室中的所述起始气体，从而形成清洁气体的等离子体；(3)将清洁气体的等离子体引入到处理室，其中，所述清洁气体的等离子体进一步流向排气管道；(4)捕获基片处理过程中产生的固体残余物，其中，所述残余物由装在真空泵下游并在排气管道内的一过滤装置来捕获或过滤；(5)加热所述过滤装置，其中，所述清洁气体被再激活，其进一步与被捕获的固体残余物发生反应，将固体残余物转换成气态残余物；以及(6)通过所述排气管道释放所述气态残余物，从而通常能消除排气管道内固体残余物的聚集。
从下面为揭示本发明起见所给出的发明实施例的描述中，本发明的其他方面、特点和优势将会很明显。
附图简要说明为了使本发明的上述特征、优势和目的以及其他方面更加清楚，使本发明更容易实施并能更好地理解本发明，将参照由附图所示出的特定实施例来对本发明的上述简要概述进行更具体的说明。这些附图构成本发明的一部分。但是，应注意到，附图仅描述本发明的几个实施例，因而并不限制其保护范围。
图1为根据本发明一个实施例的过滤装置100的示意图。装置100包括加热器101，CAP白色粉粒过滤器102，O形圈103，卷筒104，过滤盘105，和垫片106。
图2是一个示意图，示出本发明的一方面。更具体地说，图2示出了一种清洁气体被引入处理室并进一步被导向本发明过滤装置。
图3是本发明一个实施例的示意图，即，使用一个分置式等离子体源与本发明的过滤装置连接。
发明的详细说明部分地，本发明提供了一种过滤装置，此处称为一种废白粉消除器或消灭器，其能用于基本上防止固体残余物在基片处理室的排气管道内的聚集和明显堵塞排气管道。
在基片处理操作过程中，比如平板显示器(FPD)处理过程中，各种气态废产物和杂质从室中被排到真空管道中。根据要进行的具体操作，这些排出产物可能包括部分被反应的产物和/或副产物，其能在排气管道中留下残余物或类似粉状的物质。本发明的过滤装置可防止这些粒状物质在排气管道内的聚集。这种过滤装置在排气管道内位于真空泵下游。该装置还可与排气出口连接或替掉排气出口的一部分，该排气出口位于真空泵的下游。从处理室中排出并包含有固体残余物的气体随后穿过过滤装置，在过滤装置中，固体残余物被捕获。在加热的基础上，可通过室体清洁循环中流向过滤装置的清洁气体来除去被捕获的固体残余物。
可将两个或多个过滤装置连到排气出口。可以使用这样的配置，例如，可用适于粒子收集的两个过滤装置来进一步保护排气管道不产生粒子和残余物的聚集。
本发明的装置可与任何不同的能产生有害副产物的基片处理方法一起使用，例如，平板显示器(FPD)处理，化学气相沉积处理，等离子体增强化学气相沉积处理或PECVD处理，刻蚀处理或热处理。
所以，如上所述，本发明的一方面提供一种用于半导体制造的基片处理系统。该系统包括一处理室；一排气系统；和一种给处理室提供清洁气体的装置。该排气系统包括一真空泵，一真空排气管道，和一装在真空泵下游且位于真空排气管道内的过滤装置。该过滤装置可捕获固体残余物。在升高的温度下，通过流向排气管道的清洁气体来除去被捕获的固体残余物，从而使聚集在真空排气管道内的固体残余物被减少或阻止。
更具体地说，该过滤装置是一个闭合的系统，其包括一个或多个过滤盘，一个加热器，和一个封闭该加热器的导管。该过滤盘密封地设置在闭合系统的壁内和加热导管的壁内。更具体地说，该过滤盘具有一个过滤孔，其尺寸小到足以捕获固体残余物。例如，过滤盘的过滤孔尺寸可以为约10μm到30μm。在使用多个过滤盘的情况下，盘是这样排列的具有大过滤孔的盘放在具有小过滤孔的盘的上游。
更具体地说，处理室可以是平板显示器(FPD)室或半导体处理室(例如，PECVD室或刻蚀处理室)。由本发明的过滤装置过滤掉的固体残余物的代表性实例包括SiN、SiO、α-Si、(NH4)2SiF6、NH4F、和其吸咐剂，例如SiH4、NH3和HF。该清洁气体可以是一种含氟的气体，一种含氯的气体或一种含卤素的气体。含氟气体的代表性实例包括HF、F2、NF3、SF6、C2F6、CF4、C3F8O和CxFy。
另一方面，本发明提供一种方法，其用于消除或减少基片处理系统的排气管道内固体残余物的聚集。该方法包括以下步骤(1)将至少一种清洁气体引入处理室，该气体进一步流向排气管道；(2)捕获基片处理过程中产生的固体残余物，其中，所述残余物由装在真空泵下游且位于排气管道内的过滤器捕获或过滤；(3)加热所述过滤装置，其中，所述清洁气体被再激活，并进一步与被捕获的固体残余物发生反应，将固体残余物转换成气态残余物；以及(4)通过所述排气管道将所述气态残余物释放出，因此，通常可消除排气管道内固体残余物的聚集。
特别地，所述过滤装置被加热到约100℃到约250℃的温度。该处理室可为平板显示器(FPD)室，CVD室，刻蚀处理室或热处理室。能被本发明的过滤装置过滤掉的固体残余物的代表性实例包括SiN、SiO、α-Si、(NH4)2SiF6、NH4F、和其吸咐剂，如SiH4、NH3和HF。该清洁气体可以是一种含氟的气体，一种含氯的气体，或一种含卤素的气体。含氟的气体的代表性实例包括HF、F2、NF3、SF6、C2F6、CF4、C3F8O和CxFy。
在本发明的又另一方面，提供了一种方法，其用于消除或减少基片处理室的排气管道内的固体残余物的聚集。该方法包括以下步骤(1)将至少一种起始气体引入到基片处理系统的处理室中；(2)给起始气体局部施加一等离子体，其中，该等离子体激活该起始气体，以形成一清洁气体的等离子体，其进一步流向基片处理系统的排气管道；(3)捕获基片处理过程中产生的固体残余物，其中，所述残余物由装在所述真空泵下游且位于所述排气管道内的过滤装置来捕获或过滤；(4)加热所述过滤装置，其中，所述清洁气体被再激活，并进一步与被捕获的固体残余物发生反应，将所述固体残余物转换为气态残余物；以及(5)通过所述排气管道释放所述气态残余物，因此，通常能消除所述排气管道内的所述固体残余物的聚集。
特别地，所述过滤装置可被加热到约100℃到250℃的温度。该处理室可为平板显示器(FPD)室，CVD室，刻蚀处理室或热处理室。能被本发明的过滤装置过滤掉的固体残余物的代表性实例包括SiN、SiO、α-Si、(NH4)2SiF6、NH4F、和其吸咐剂，如SiH4、NH3和HF。该清洁气体可以是一种含氟的气体，一种含氯的气体，或一种含卤素的气体。含氟的气体的代表性实例包括HF、F2、NF3、SF6、C2F6、CF4、C3F8O和CxFy。
又另一方面，本发明还提供一种方法，其用于消除或减少基片处理室的排气管道内固体残余物的聚集。该方法包括以下步骤(1)将至少一种起始气体引入分置室中，该分置室与基片处理系统的处理室的内部连接；(2)激活分置室中的所述起始气体，从而形成一清洁气体的等离子体；(3)将该清洁气体的等离子体施加到该处理室，其进一步流向排气管道；(4)捕获基片处理过程中产生的所述固体残余物，其中，所述残余物由装在所述真空泵下游且位于所述排气管道内的过滤装置来捕获进或过滤掉；(5)加热所述过滤装置，其中，所述清洁气体被再激活，并进一步与所述被捕获的固体残余物发生反应，将所述固体残余物转换为气态残余物；以及(6)通过所述排气管道释放所述气态残余物，因此，通常能消除所述排气管道内的所述固体残余物的聚集。
特别地，过滤装置可被加热到约100℃到约250℃的温度。该处理室可为平板显示器(FPD)室，CVD室，刻蚀处理室或热处理室。能被本发明的过滤装置过滤掉的固体残余物的代表性实例包括SiN、SiO、α-Si、(NH4)2SiF6、NH4F、和其吸咐剂，如SiH4、NH3和HF。该清洁气体可以是一种含氟的气体，一种含氯的气体，或一种含卤素的气体。含氟的气体的代表性实例包括HF、F2、NF3、SF6、C2F6、CF4、C3F8O和CxFy。
下面所给的例子仅是为了说明本发明不同的实施例，不在任何形式上限定本发明。
例1废白粉消除器本发明的过滤装置(此处称为消除器，或废白粉消除器)装在真空泵的排气出口，再与平板显示器(FPD)处理室或半导体处理室连接。参考图1，过滤装置100是一个闭合系统，其具有与上游真空泵连接的第一连接件和与排气系统连接的第二连接件。该装置包括加热器101，CAP白色粉粒过滤器102，O形圈103，卷筒104，过滤盘105，和垫片106。加热器101密封进一个导管中，其不暴露于流进过滤腔的清洁气体中。在清洁循环中，清洁气体从上游真空泵流进此过滤腔，穿过过滤盘，其中，清洁气体被再激活，最终产物释放进排气系统。
过滤装置包括一个或多个过滤盘，该盘密封地设置在过滤腔的内壁和加热导管的壁之内。每个盘提供一圈过滤区域。气流上游的盘通常比下游的盘具有较大的过滤孔。具有大孔的过滤盘能过滤通过大的粒子，其随后穿过下游中的盘，在下游的盘中，只有很细的粒子才能被过滤通过。在提供较高过滤效率方面，具有较小孔的盘更好，但是，其减少了气体的流导，影响了抽速。
参考图1，示出了一个三段粉粒过滤器的例子，三个盘能提供一个三级的过滤，以获得较高的捕获效率。上游中的两个盘的过滤孔可以为例如30μm，而第三个盘的过滤孔可为例如约10μm。
用于构造过滤器的材料通常可以为任何能耐腐蚀性环境的材料，例如，过滤器可以是由多孔的铝或陶瓷(Al2O3或AlN)做成的一个或多个盘，以适应高温氟刻蚀环境。
例2与废白粉消除器相结合的沉积和清洁处理在沉积处理中，介电(SiOx，SiNx，SiOxNy，等)或半导体(α-Si，p-Si，等)CVD膜沉积在基片上。在清洁处理中，清洁气体恒定地流进室中。可用含氟气体，含氯气体或含卤素气体作为清洁气体。例如，含氟气体如F2，NF3，SF6，C2F6或CF4常被用于清洁。
图2示出本发明的一个方面，其中，清洁气体被引入处理室中，并进一步被引导到本发明的过滤装置，以从泵下游的排气管道中除去白粉的聚集。
可用原位等离子体清洁法来离解清洁气体。在此系统中，起始气体被供应到室中。然后，通过给室内的起始气体局部施加辉光放电等离子体，产生激活的物质。通过激活的物质与室表面上的处理残余物一起形成易挥发的化合物，可清洁真空室的表面。
此外，等离子体可以远程供给。分置式等离子体源清洁系统包括一个与分置的激活室连接的清洁气体源。该清洁气体源包括一个起始气体源，一个电动阀，和一个用于控制起始气体流量的流量控制机构，以及一个导管，用于使气体流入位于外面且离处理室有一定距离的分置的激活室。可用一个功率激活源，例如一个高功率的微波发生器，来激活分置的激活室内的起始气体。分置室可以是蓝宝石管且电源为一个2.54GHz的微波能源，其输出瞄准蓝宝石管。起始气体可以是含氟的气体，含氯的气体或含卤素的气体。例如，NF3。被激活物质的流率约为每分钟2升，处理室的压力约为0.5乇。为了激活起始气体，微波源传递约3000-12000W的功率给分置的激活室。在许多应用条件下可用5000W。激活后，在分置室内产生清洁气体的等离子体，然后部分等离子体被引入处理室中。
图3示出本发明的另一方面，其中，用一个分置式等离子体源来清洁处理室，且清洁气体进一步被导入本发明的过滤装置，以除去聚集在泵下游排气管道中的白粉。
在基片处理操作中，各种气态废物和杂质从处理室中被排出到真空管道。根据要进行的具体操作，这些排出产物可以包括部分已反应的产物和/或副产物，其能在排气管道中留下残余物或类似粉状的物质。使用本发明的过滤装置，在清洁循环中，粒子可由装置内的粉粒过滤盘来捕获。余下的未用的清洁气体如F2或F就流向排气管道。过滤装置被加热到约100-250℃。在升高的温度下，清洁气体被再激活，以便与固体残余物发生反应，然后将其转换为气态。例如，固体残余物如SiN与清洁气体如F2或F通过以下方程式反应
然后被转换的气态残余物被抽走。如可以视觉看到的那样，本发明的捕获和自清洁方法减少了排气管道内的白粉。
例3废白粉消除器的应用使用本发明的技术和装置的一个例子是AKT PECVD系统，其中，在CVD硅烷处理(氧化，氮化，和多孔硅)之后，处理室需要定期清洗。固体残余物(白粉)聚集在真空泵的排气管道内并在排气管道内产生高压。这样真空泵就因为其排气管道内的高压而停止工作。固体残余物减少了排气管道的直径，或甚至完全堵塞排气管道。固体残余物还减少真空泵的寿命。不希望的固体残余物的例子一般包括SiN，SiO，α-Si，(NH4)2SiF6，NH4F，SiH4，NH3，和HF。通过在真空泵的排气出口处安装排出白粉消除器，过滤腔内的白粉就可被捕获和消除。这种处理延长了真空泵的使用寿命，大缩短了系统的停工时间，并显著减少了维护成本。
结论是，本发明的过滤装置使用已有的真空室资源和一个再激活方法(如加热)来清洁基片处理室的排气管道。与现有技术的清洁装置(如Raoux的等离子体清洁装置(DPA))相比，本发明揭示的过滤装置具有以下优点Raoux的DPA装在室的前级管道中，其影响了泵的性能。为了操作DPA，实质上需要控制系统，如附加的等离子体源和静电能。相反，本明的过滤装置相对简单排气管道不需要施加附加的等离子体，不需要额外的气体来清洁；且很少维护或不用维护。因为这种过滤装置装在真空泵的下游和排气管道内，泵的性能不受影响。
本领域技术人员应当理解，本发明很适于实施上述目标，获得上述结果和优势，很明显，在实施本发明时，只要不偏离本发明的构思或范围，本领域技术人员可以做各种变化和修饰，本领域技术人员所做的改变和其他应用都由本发明的权利要求所限定的范围来保护。
权利要求
1.一种基片处理系统，包括一处理室；一排气系统，其中所述排气系统包括一真空泵，一真空排气管道，和一过滤装置，其中所述过滤装置安装在所述真空泵的下游，且在所述真空排气管道内；以及一个将至少一种清洁气体提供给处理室的装置。
2.根据权利要求1所述的基片处理系统，其中，所述处理室选自平板显示器室和半导体处理室。
3.根据权利要求2所述的基片处理系统，其中，所述半导体处理室选自化学气相沉积室和刻蚀处理室。
4.根据权利要求1所述的基片处理系统，其中，所述过滤装置是一个闭合的系统，其包括一个或多个过滤盘，一加热器，和一封闭所述加热器的导管，其中所述过滤盘密封地设置在闭合系统的壁和所述导管的壁之中。
5.根据权利要求4所述的基片处理系统，其中，所述过滤盘的过滤孔约从10μm到30μm。
6.根据权利要求4所述的基片处理系统，其中，所述过滤盘的排列是使具有较大过滤孔的盘设置在具有较小过滤孔的盘的上游。
7.根据权利要求1所述的基片处理系统，其中，所述过滤装置防止或减少固体残余物在所述真空排气管道内的聚集。
8.根据权利要求7所述的基片处理系统，其中，所述过滤装置可捕获所述固体残余物。
9.根据权利要求7所述的基片处理系统，其中，所述固体残余物选自SiN、SiO、α-Si、(NH4)2SiF6、NH4F、SiH4、NH3和HF。
10.根据权利要求1所述的基片处理系统，其中，所述清洁气体选自一种含氟的气体，一种含氯的气体，和一种含卤素的气体。
11.根据权利要求10所述的基片处理系统，其中，所述含氟气体选自HF、F2、NF3、SF6、C2F6、CF4、C3F8O和CxFy。
12.一种用于消除或减少基片处理系统的排气管道中固体残余物聚集的方法，其包括以下步骤将至少一种清洁气体引入处理室中，其中，所述清洁气体进一步流向排气管道；捕获基片处理过程中产生的固体残余物，其中，所述残余物通过位于真空泵下游并在排气管道内的过滤装置捕获或过滤；加热所述过滤装置，其中，所述清洁气体被再激活，并进一步与被捕获的固体残余物反应，从而将所述固体残余物转换为气态残余物；以及通过所述排气管道释放所述气态残余物，以消除或减少所述排气管道中固体残余物的聚集。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述固体残余物选自SiN、SiO、α-Si、(NH4)2SiF6、NH4F、SiH4、NH3和HF。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述清洁气体选自一种含氟的气体，一种含氯的气体，以及一种含卤素的气体。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述含氟的气体选自HF、F2、NF3、SF6、C2F6、CF4、C3F8O和CxFy。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，所述处理室选自平板显示器室和一个半导体处理室。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述半导体处理室选自化学气相沉积室和刻蚀处理室。
18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述过滤装置被加热到约100℃到约250℃的温度。
19.一种用于消除或减少基片处理系统的排气管道中固体残余物聚集的方法，其包括以下步骤将至少一种起始气体引入所述基片处理系统的处理室中；给所述处理室中的所述起始气体施加一等离子体，其中，所述等离子体激活所述起始气体，以形成清洁气体的等离子体，并且，其中所述清洁气体进一步流向排气管道；捕获基片处理过程中产生的固体残余物，其中，所述残余物通过位于真空泵下游并在排气管道内的过滤装置捕获或过滤；加热所述过滤装置，其中，所述清洁气体被再激活，并进一步与被捕获的固体残余物反应，从而将所述固体残余物转换为气态残余物；以及通过所述排气管道释放所述气态残余物，以消除或减少所述排气管道中固体残余物的聚集。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述固体残余物选自SiN、SiO、α-Si、(NH4)2SiF6、NH4F、SiH4、NH3和HF。
21.根据权利要求19所述的方法，其中，所述清洁气体选自一种含氟的气体，一种含氯的气体，以及一种含卤素的气体。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，所述含氟的气体选自HF、F2、NF3、SF6、C2F6、CF4、C3F8O和CxFy。
23.根据权利要求19所述的方法，其中，所述处理室选自平板显示器室和半导体处理室。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述半导体处理室选自化学气相沉积室和刻蚀处理室。
25.根据权利要求19所述的方法，其中，所述过滤装置被加热到约100℃到约250℃的温度。
26一种用于消除或减少基片处理系统的排气管道中固体残余物聚集的方法，其包括以下步骤将至少一种起始气体引入一分置室中，其中，所述分置室与所述基片处理系统的处理室的内部连接；激活所述分置室中的所述起始气体，从而形成清洁气体的等离子体；给所述处理室施加所述清洁气体的等离子体，其中，所述清洁气体进一步流向排气管道；捕获基片处理过程中产生的固体残余物，其中，所述残余物通过位于真空泵下游并在排气管道内的过滤装置捕获或过滤；加热所述过滤装置，其中，所述清洁气体被再激活，并进一步与被捕获的固体残余物反应，从而将所述固体残余物转换为气态残余物；以及通过所述排气管道释放所述气态残余物，以消除或减少所述排气管道中固体残余物的聚集。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，所述固体残余物选自SiN、SiO、α-Si、(NH4)2SiF6、NH4F、SiH4、NH3和HF。
28.根据权利要求26所述的方法，其中，所述清洁气体选自一种含氟的气体，一种含氯的气体，以及一种含卤素的气体。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述含氟的气体选自HF、F2、NF3、SF6、C2F6、CF4、C3F8O和CxFy。
30.根据权利要求26所述的方法，其中，所述处理室选自平板显示器室和半导体处理室。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，所述半导体处理室选自化学气相沉积室和刻蚀处理室。
32.根据权利要求26所述的方法，其中，所述过滤装置被加热到约100℃到约250℃的温度。
全文摘要
本发明提供了一种用于半导体制造的基片处理系统，该系统包括一处理室，和一排气系统；以及一用于提供清洁气体的装置。该排气系统包括一个真空泵，一个真空排气管道，和一个过滤装置，该过滤装置装在真空泵的下游，且位于排气管道内。本发明还提供一种方法，用于消除或减少排气管道中固体残余物的聚集，该方法是这样实现的将清洁气体引入处理室并进一步引入排气管道；通过真空泵下游和排气管道内的过滤装置来捕获固体残余物；加热过滤装置，以再激活清洁气体，这些气体与被捕获的固体残余物发生反应，将固体残余物转换为气态残余物；以及通过排气管道释放气态残余物。可用原位和分置式等离子体源清洁法与上述方法相结合使用。
文档编号H01L21/3065GK1531606SQ01821805
公开日2004年9月22日 申请日期2001年12月20日 优先权日2001年1月9日
发明者S·亚达夫, S 亚达夫, Q·商 申请人:应用材料有限公司