专利名称：一种肖特基二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体器件。具体说涉及一种肖特基二极管。
背景技术：
肖特基二极管是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件，它包括由重掺杂硅衬底和轻掺杂的硅外延层构成的硅外延片，设在衬底背面的欧姆接触电极，在硅外延层的上方有周边围了二氧化硅的势垒金属，势垒金属上方设置有金属电极。在本实用新型作出前，传统的硅基肖特基二极管的硅外延层厚度均在2μm以上，它的截止频率较低，使应用场合受到极大限制，已无法适应通讯、微波技术的发展。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种肖特基二极管。它包括由重掺杂硅衬底和硅外延层构成的硅外延片，欧姆接触电极，周边围有二氧化硅的势垒金属和金属电极，其特征是所说的硅外延层的厚度为0.4μm～1μm，外延层掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1017cm-3。
本实用新型采用了外延层厚度为亚微米的超薄硅外延片及合适的掺杂浓度，能有效降低器件的串联电阻和结电容，大幅度提高截止频率，试验表明，可使截止频率高达40GHz～80GHz，本实用新型的一种肖特基二极管拓宽了硅基器件在高频领域的应用，能广泛用于微波混频、检波及超高速开关电路中。
附图是肖特基二极管结构示意图。
具体实施方式
参照附图，本实用新型的肖特基二极管包括重掺杂硅衬底1和硅外延层3构成的硅外延片，设在衬底背面的欧姆接触电极2，硅外延层的厚度为0.4μm～1μm，硅外延层的掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1017cm-3，通常，用磷掺杂或砷掺杂，在硅外延层的上方有周边围了二氧化硅6的势垒金属4，在势垒金属的上方设置有金属电极5。
权利要求1.肖特基二极管，包括由重掺杂硅衬底(1)和硅外延层(3)构成的硅外延片，欧姆接触电极(2)，周边围有二氧化硅的势垒金属(4)和金属电极(5)，其特征是所说的硅外延层的厚度为0.4μm～1μm，外延层掺杂浓度为1×1015cm-3～1×1017cm-3。
2.按权利要求1所述的肖特基二极管，其特征是硅外延层的掺杂为磷或砷。
专利摘要本实用新型的肖特基二极管包括由重掺杂硅衬底和硅外延层构成的硅外延片，欧姆接触电极，周边围有二氧化硅的势垒金属和金属电极，其特征是所说的硅外延层的厚度为0.4μm～1μm，外延层掺杂浓度为1×10
文档编号H01L29/66GK2562372SQ02265178
公开日2003年7月23日 申请日期2002年6月26日 优先权日2002年6月26日
发明者叶志镇, 张海燕, 黄靖云, 李蓓 申请人:浙江大学