专利名称：温度熔断器和使用它的电池的制作方法
技术领域：
本发明涉及温度熔断器和使用它的电池。
背景技术：
图32是现有的温度熔断器的剖面图。如图32所示，现有的温度熔断器具有含锡的可熔合金2和连接其两端部的一对导线3。而且，该连接的方法是通过普通焊接、超声波焊接、在导线3和可熔合金2中通电，使可熔合金2熔化进行连接。再有，要在可熔合金2的表面涂敷助熔剂14，并且把可熔合金2收放在有开口部的绝缘壳1内。而且，该绝缘壳4的开口部用硬化树脂封口体5封口。
所述现有的温度熔断器随着周围温度的上升使助熔剂3熔化，除去可熔合金2的表面氧化膜。之后，当周围温度继续上升超过可熔合金2的熔点时，可熔合金2熔断，而切断通电。为了能确实地熔断，必须要在可熔合金2的表面的尽可能多的部分或者全部涂敷助熔剂4。在温度熔断器熔断时，在熔断的可熔合金2的尖端之间会发生电弧，特别在切断时电流或者切断电压大的场合，电弧的能量就大。而且，通过该电弧的能量分解或者气化涂敷在可熔合金2表面的助熔剂4，因此，由封口体5密封的绝缘壳1内的气体分子数量急速增加，温度熔断器内部空间的压力上升。此时，当电弧能量特别大的场合，可能会造成密封的劣化或者构成温度熔断器的绝缘壳破损。因而，现有的温度熔断器不能作为用于高电压·大电流切断用的温度熔断器。
发明内容
本发明的温度熔断器，具有绝缘壳，其是有开口部的有底筒状体；可熔合金，其配设在绝缘壳内；导线，其一端与可熔合金连接，另一端从绝缘壳的开口部引到绝缘壳外；助熔剂，其被涂敷在可熔合金上；封口体，其封堵绝缘壳的开口部；且使绝缘壳内的可熔合金和封口体之间的空间容积比助熔剂的体积大。
在该温度熔断器，因为在绝缘壳内的可熔合金和封口体之间的空间容积比涂敷在可熔合金上的助熔剂的体积还大，所以当因周围温度上升使助熔剂熔化时，该助熔剂几乎全部流入绝缘壳内的可熔合金和封口体之间的空间内。结果，在可熔合金的表面只存在少量的助熔剂，因此，当周围温度继续上升超过可熔合金的熔点、可熔合金熔断时，即使在可熔合金的尖端之间产生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂的气化量。因此，能减少温度熔断器内部空间的压力上升，于是，即使用于切断高电压·大电流的场合也难以造成该温度熔断器密封劣化或绝缘壳破损。
图1是本发明的实施例1的径向型温度熔断器的剖面图；图2是实施例1中，助熔剂熔化后的径向型温度熔断器的剖面图；图3是本发明的实施例2的径向型温度熔断器的剖面图；图4是实施例2中，助熔剂熔化后的径向型温度熔断器的剖面图；图5是本发明的实施例3的轴向型温度熔断器的剖面图；图6是实施例3中，助熔剂熔化后的轴向型温度熔断器的剖面图；图7是本发明的实施例4的轴向型温度熔断器的剖面图；图8是实施例4中，助熔剂熔化后的轴向型温度熔断器的剖面图；图9是本发明的实施例5的轴向型温度熔断器的剖面图；图10是实施例5中，助熔剂熔化后的轴向型温度熔断器的剖面图；图11是本发明的实施例6的薄型温度熔断器的上面图；图12是沿图11的12-12线的剖面图；图13是沿图11的13-13线的剖面图；图14是实施例6中，助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图；图15是本发明的实施例7的薄型温度熔断器的剖面图；图16是实施例7中，助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图；图17是本发明的实施例8的薄型温度熔断器的剖面图；图18是本发明的实施例8的薄型温度熔断器的剖面图；图19是实施例8中，助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图；图20是实施例8中，助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图；
图21是本发明的实施例9的薄型温度熔断器的上面图；图22是沿图21的22-22线的剖面图；图23是沿图21的23-23线的剖面图；图24是实施例9中，助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图；图25是本发明的实施例10的薄型温度熔断器的剖面图；图26是实施例10中，助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图；图27是本发明的实施例11的薄型温度熔断器的剖面图；图28是本发明的实施例11的薄型温度熔断器的剖面图；图29是实施例11中，助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图；图30是实施例11中，助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图；图31是本发明的实施例13的电池的立体图；图32是现有的温度熔断器的剖面图。
具体实施例方式
(实施例1)图1是本发明的实施例1的径向型温度熔断器的剖面图。图2是助熔剂熔化后的径向型温度熔断器的剖面图。具有开口部的有底的圆筒状或者棱筒状的绝缘壳11用聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚亚苯基硫醚(PPS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、酚醛树脂、陶瓷、玻璃等材料中的任意一种材料制成。在绝缘壳11内配设略似圆柱状或者棱柱状的可熔合金12。可熔合金12用锡、铅、锌、铋、铟、镉、银、铜中的任意一种金属或者其中几种金属的合金制成。一对导线13的一端部连接可熔合金12的两端部，并且导线13的另一端部从绝缘壳11的开口部引到绝缘壳11之外。一对导线13用铜、铁、镍等一种金属或者它们的合金制成线状，并且在其表面电镀锡、铅、锌、铋、铟、镉、银、铜中之一种金属或者具有其中几种金属的合金。在可熔合金12上涂敷助熔剂14，助熔剂14在周围温度上升时熔化、除去可熔合金12的氧化膜。助熔剂14使用硬脂酰胺含量在20％(重量)以上、最好是含量30％(重量)的是理想的。通过硬脂酰胺的作用，助熔剂14熔化时的粘度降低，因此，在周围温度上升使助熔剂14熔化时，助熔剂14确实地流动。绝缘壳11的开口部用封口体15封堵，封口体15用环氧树脂、硅树脂等硬化树脂制成。再有，可熔合金12和一对导线13的连接通过普通焊接、超声波焊接进行，或者通过在导线13和可熔合金12中通电使可熔合金12熔化进行。
如图1所示，在实施例1，形成绝缘壳11内的可熔合金12和封口体15之间的空间容积比助熔剂14的体积要大。
在把实施例1的径向型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图2所示，从可熔合金12看，使可熔合金12和封口体15之间的空间方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂14熔化时，在实施例1因为使在绝缘壳11内的可熔合金12和封口体15之间的空间容积比助熔剂14的体积还大，所以熔化的助熔剂14由于重力作用几乎都确实地流入绝缘壳11内的可熔合金12和封口体15之间的空间内。结果，可熔合金12的表面只存在少量的助熔剂14，因此，当周围温度继续上升超过可熔合金12的熔点、可熔合金12熔断时，即使在可熔合金12的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂14的气化量。因此，能减小温度熔断器内部空间的压力上升，于是，即使应用于高电压·大电流切断的场合，也难以造成实施例1的温度熔断器密封劣化和绝缘壳11的破损。再有，在使用硬脂酰胺含量在20％(重量)以上、最好是含量30％(重量)的助熔剂作为助熔剂14时，助熔剂14熔化时的粘度降低，助熔剂14熔化时会确实地流动。
(实施例2)图3是本发明的实施例2的径向型温度熔断器的剖面图。图4是助熔剂熔化后的径向型温度熔断器的剖面图。实施例2的径向型温度熔断器与图1、图2中表示的实施例1的径向型温度熔断器的构成部件相同，与实施例1的不同点是如图3所示地形成绝缘壳11内的可熔合金12的绝缘壳11的内底部之间的空间容积要比助熔剂14的体积大。
在把实施例2的径向型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图4所示，从可熔合金12看，使可熔合金12和绝缘壳11的内底部之间的空间方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂14熔化时，在实施例2因为使在绝缘壳11内的可熔合金12和绝缘壳11的内底部之间的空间容积比助熔剂14的体积还大，所以熔化的助熔剂14由于重力作用几乎都确实地流入绝缘壳11内的可熔合金12和绝缘壳11的内底部之间的空间内。结果，在可熔合金12的表面只存在少量的助熔剂14，因此，当周围温度继续上升超过可熔合金12的熔点、可熔合金12熔断时，即使在可熔合金12的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时助熔剂14的气化量。因此，能减小温度熔断器内部空间的压力上升，于是，即使应用于高电压·大电流切断的场合，也难以造成实施例2的温度熔断器密封劣化和绝缘壳11的破损。
(实施例3)图5是本发明的实施例3的轴向型温度熔断器的剖面图。图6是助熔剂熔化后的轴向型温度熔断器的剖面图，具有开口部的圆筒状或者棱筒状的绝缘壳21用聚对笨二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚亚苯基硫醚(PPS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、酚醛树脂、陶瓷、玻璃等材料中的任意一种材料制成。在绝缘壳21内配设略似圆柱状或者棱柱状的可熔合金22。可熔合金22用锡、铅、锌、铋、铟、镉、银、铜中的任意一种金属或者其中几种金属的合金制成。一对导线23的一端部连接可熔合金22的两端部，并且，导线23的另一端部从绝缘壳21的开口部引到绝缘壳21之外。一对导线23用铜、铁、镍等一种金属或者它们的合金制成线状，并且在其表面电镀锡铅、锌、铋、铟、镉、银、铜中之一种金属或者具有其中几种金属的合金。在可熔合金22上涂敷助熔剂24，助熔剂24在周围温度上升时熔化、除去可熔合金22的氧化膜。绝缘壳21的两端的开口部用封口体25封堵，封口体25用环氧树脂、硅树脂等硬化树脂制成。再有，可熔合金22和一对导线23的连接通过普通焊接、超声波焊接进行，或者通过在导线23和可熔合金22中通电使可熔合金22熔化进行。
如图5所示，在实施例3形成绝缘壳21内的可熔合金22的下面侧和绝缘壳21的下方的内面部之间的空间容积比助熔剂24的体积要大。
在把实施例3的轴向型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图6所示，从可熔合金22看，使可熔合金22的下面侧和绝缘壳21的下方的内面部之间的空间方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂24熔化时，因为在实施例3形成绝缘壳21内的可熔合金22的下面侧和绝缘壳21的下方的内面部之间的空间容积比助熔剂24的体积还大，所以熔化的助熔剂24由于重力作用几乎都确实地流入绝缘壳21内的可熔合金22的下面侧和绝缘壳21的下方的内面部之间的空间内。结果在可熔合金22的表面只存在少量的助熔剂24，因此，当周围温度继续上升超过可熔合金22的熔点、可熔合金22熔断时，即使在可熔合金22的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂24的气化量。因此，能减小温度熔断器内部空间的压力上升，于是，即使应用于高电压·大电流切断的场合，也难以造成实施例3的温度熔断器密封劣化和绝缘壳21的破损。
(实施例4)图7是本发明的实施例4的轴向型温度熔断器的剖面图。图8是助熔剂熔化后的轴向型温度熔断器的剖面图。实施例4的轴向型温度熔断器与图5、图6中表示的实施例3的轴向型温度熔断器的构成部件相同，与实施例3的不同点是如图7所示地形成绝缘壳21内的可熔合金22的上面侧和绝缘壳21的上方的内面部之间的空间容积比助熔剂24的体积要大。
在把实施例4的轴向型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图8所示，从可熔合金22看，使可熔合金22的上面侧和绝缘壳21的上方的内面部之间的空间方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂24熔化时，因为在实施例4形成绝缘壳21内的可熔合金22的上面侧和绝缘壳21的上方的内面部之间的空间容积比助熔剂24的体积还大，所以熔化的助熔剂24由于重力作用几乎都确实地流入绝缘壳21的可熔合金22的上面侧和绝缘壳21的上方的内面部之间的空间内。结果在可熔合金22的表面只存在少量的助熔剂24，因此，当温度继续上升超过可熔合金22的熔点、可熔合金22熔断时，即使在可熔合金22的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂24的气化量。因此，能减小温度熔断器内部空间的压力上升，即使应用于切断高电压·大电流的场合，也难以造成实施例4的温度熔断器密封劣化和绝缘壳体21的破损。
(实施例5)图9是本发明的实施例5的轴向型温度熔断器的剖面图。图10是助熔剂熔化后的轴向型温度熔断器的剖面图。实施例5的轴向型温度熔断器与图5、图6中表示的实施例3的轴向型温度熔断器的构成部件相同，与实施例3的不同点是如图9所示地形成绝缘壳21内的可熔合金22的一方的端部和一对封口体25中的一方的封口体25之间的空间容积要比助熔剂24的体积大。
在把实施例5的轴向型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等的发热部件上使用时，如图10所示，从可熔合金22看，使可熔合金22一方的端部和一对封口体25中的一方的封口体25之间的空间方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂24熔化时，因为在实施例5形成绝缘壳21内的可熔合金22的一方的端部和一对封口体25的一方的封口体25之间的空间容积比助熔剂24的体积还大，所以熔化的助熔剂24由于重力作用几乎都确实地流入绝缘壳21内的可熔合金22的一方的端部和一对封口体25中的一方的封口体25之间的空间内。结果，在可熔合金22的表面只存在少量的助熔剂24，因此，当温度继续上升超过可熔合金22的熔点、可熔合金22熔断时，即使在可熔合金22的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂24的气化量。因此，能减小温度熔断器内部空间压力的上升，即使应用于切断高电压·大电流的场合，也难以造成实施例5的温度熔断器密封劣化和绝缘壳21的破损。
(实施例6)图11是本发明的实施例6的薄型温度熔断器的上面图。图12是沿图11的线12-12的剖面图。图13是沿图11线13-13的剖面图。图14是助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图。在由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等树脂材料制成的薄片状的第一绝缘膜31上安装一对金属端子32，使其各端子的一部分要从下面向上面露出。一对端子32形成带状或者线状，并且在由铜、镍等导电性良好的金属制成的表面施以锡焊、或电镀锡、铜等。位于第一绝缘膜31的上方，在金属端子32的端部之间连接可熔合金33。可熔合金33用锡、铅、锌、铋、铟、镉、银、铜中之一种金属或者其中几种金属的合金制成。在可熔合金33的周围涂敷助熔剂34，助熔剂34是主要成分由松香组成的树脂，并且助熔剂34的色数为4～16。在第一绝缘膜31上密封固定安装片状的第二绝缘膜35，使其位于可熔合金33的上方，在与第一绝缘膜31之间形成空间。构成第二绝缘膜35的材料与所述第一绝缘膜31相同是理想的。这样，用第一绝缘膜31和第二绝缘膜35覆盖可熔合金33，并且，在除去设置可熔合金33的部分，第一绝缘膜31和第二绝缘膜35通过密封固定牢固。因此，可熔合金33被密封、防止可熔合金33的劣化。
而且，在实施例6，如图12所示，形成可熔合金33的下面侧和第一绝缘膜31的上面之间的空间容积要比助熔剂34的体积大。
在把实施例6的薄型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图14所示，从可熔合金33看，使可熔合金33的下面侧和第一绝缘膜31的上面之间的空间方向与重力方向大体相同地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂34熔化时，因为在实施例6形成可熔合金33的下面侧和第一绝缘膜31的上面之间的空间的容积比助熔剂34的体积还大，所以熔化的助熔剂34由于重力作用、几乎都确实地流入可熔合金33的下面侧和第一绝缘膜31的上面之间的空间内。结果，在可熔合金33的表面只存在少量的助熔剂34，因此，当周围温度继续上升、超过可熔合金33的熔点、可熔合金33熔断时，即使在可熔合金33的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂34的气化量。因此，能减小温度熔断器内部空间压力的上升，即使应用于切断高电压·大电流的场合，也难以造成实施例6的温度熔断器密封劣化和破损。
(实施例7)图15是本发明的实施例7的薄型温度熔断器的剖面图。图16是助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图。实施例7的薄型温度熔断器与图11～图14中表示的实施例6的薄型温度熔断器的构成部件相同，与实施例6的不同点是如图15所示地形成可熔合金33的上面侧和第二绝缘膜35的下面之间的空间容积要比助熔剂34的体积大。
在把实施例7的薄型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图16所示，从可熔合金33看，使可熔合金33的上面侧和第二绝缘膜35的下面之间的空间方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂34熔化时，因为在实施例7形成可熔合金33的上面侧和第二绝缘膜35的下面之间的空间容积要比助熔剂34的体积大，所以熔化的助熔剂34由于重力作用几乎都确实地流入可熔合金33的上面侧和第二绝缘膜35的下面之间的空间内。结果，在可熔合金33的表面只存在少量的助熔剂34，因此当周围温度继续上升、超过可熔合金33的熔点、可熔合金33熔断时，即使在可熔合金33的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂34的气化量。因此，能减少温度熔断器内部空间压力的上升，即使应用于切断高电压·大电流的场合，也难以造成实施例7的温度熔断器密封劣化和破损。
(实施例8)图17和图18是本发明的实施例8的薄型温度熔断器的剖面图。图19和图20是助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图。实施例8的薄型温度熔断器与图11～图14中表示的实施例6的薄型温度熔断器的构成部件相同，与实施例6的不同点是如图17和图18所示地形成可熔合金33的一方的侧面与第一绝缘膜31和第二绝缘膜35的密封固定部之间的空间容积要比助熔剂34的体积大。
在把实施例8的薄型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图19和图20所示，从可熔合金33看，使可熔合金33的一方的侧面与第一绝缘膜31和第二绝缘膜35的密封固定部之间形成的空间方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂34熔化时，因为在实施例8形成可熔合金33的一方的侧面和第一绝缘膜31、第二绝缘膜35两绝缘膜的密封固定部之间的空间容积比助熔剂34的体积还大，所以熔化的助熔剂34由于重力作用几乎都确实地流入可熔合金33的一方的侧面和第一绝缘膜31、第二绝缘膜35两绝缘膜的密封固定部之间的空间内。结果，在可熔合金33的表面只存在少量的助熔剂34，因此，当周围温度继续上升、超过可熔合金33的熔点、可熔合金33熔断时，即使在可熔合金33的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂34的气化量。因此，能减少温度熔断器内部空间的压力的上升，即使应用于切断高电压·大电流的场合，也难以造成实施例8的温度熔断器密封劣化和破损。
(实施例9)图21是本发明的实施例9的薄型温度熔断器的上面图。图22是沿图21的线22-22的剖面图。图23是沿图21的线23-23的剖面图。图24是助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图。在由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等树酯材料制成的薄片状的第一绝缘膜41上安装幅度比第一绝缘膜41狭窄的一对金属端子42，该一对金属端子42由铜、镍等导电性良好的金属制成带状或者线状、并且其表面施以锡焊、或电镀锡、铜等。位于第一绝缘膜41的上方、在金属端子42的端部之间连接可熔合金43。可熔合金43用锡、铅、锌、铋、铟、镉、银、铜中的一种金属或者其中几种金属的合金制成。在可熔合金43的周围涂敷助熔剂44，助熔剂44是主要成分由松香组成的树酯，并且，助熔剂44的色数为4～16。在第一绝缘膜41上密封固定安装片状的第二绝缘膜45，使其位于可熔合金43的上方，在与所述第一绝缘膜41之间形成空间。构成第二绝缘膜45的材料与所述第一绝缘膜41相同是理想的。这样，用第一绝缘膜41和第二绝缘膜45覆盖可熔合金43，并且，在除去设置可熔合金43的部分，第一绝缘膜41的外周部和第二绝缘膜45的外周部通过密封固定牢固，因此，可熔合金43被密封、防止可熔合金43的劣化。
而且，在实施例9，如图22所示地形成可熔合金43的下面侧和第一绝缘膜41的上面之间的空间容积要比助熔剂44的体积大。
在把实施例9的薄型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图14所示，从可熔合金43看，使可熔合金的下面侧和第一绝缘膜41的上面之间的空间方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂44熔化时，因为在实施例9形成可熔合金43的下面侧和第一绝缘膜41的上面之间的空间容积比助熔剂44的体积还大，所以，熔化的助熔剂44由于重力作用，几乎都确实地流入可熔合金43的下面侧和第一绝缘膜41的上面之间的空间内。结果，在可熔合金43的表面只存在少量的助熔剂44，因此，当周围温度继续上升、超过可熔合金43的熔点、可熔合金43熔断时，即使在可熔合金43的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂44的气化量。因此，能减小温度熔断器内部空间的压力上升，即使应用于切断高电压·大电流的场合，也难以造成实施例9的温度熔断器密封劣化和破损。
(实施例10)图25是本发明的实施例10的薄型温度熔断器的剖面图。图26是助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图。实施例10的薄型温度熔断器与图21～24中表示的实施例9的薄型温度熔断器的构成部件相同，与实施例9的不同点是如图25所示地使可熔合金43的上面侧和第二绝缘膜45的下面之间的空间容积要比助熔剂44的体积大。
在把实施例10的薄型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图26所示，从可熔合金43看，使可熔合金43的上面侧和第二绝缘膜45的下面之间的空间的方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂44熔化时，因为在实施例10形成可熔合金43的上面侧和第二绝缘膜45的下面之间的空间容积要比助熔剂44的体积大，所以熔化的助熔剂44由于重力作用几乎都确实地流入可熔合金43的上面侧和第二绝缘膜45的下面之间的空间内。结果，在可熔合金43的表面上只存在少量的助熔剂44，因此，当周围温度继续上升、超过可熔合金43的熔点、可熔合金43熔断时，即使在可熔合金43的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂44的气化量。因此，能减少温度熔断器的内部空间的压力上升，即使应用于切断高电压·大电流的场合，也难以造成实施例10的温度熔断器密封劣化和破损。
(实施例11)图27和图28是本发明的实施例11的薄型温度熔断器的剖面图。图29和图30是助熔剂熔化后的薄型温度熔断器的剖面图。实施例11的薄型温度熔断器与图21～图24中表示的实施例9的薄型温度熔断器的构成部件相同，与实施例9的不同点是如图27和图28所示地形成可熔合金43的一方的侧面与第一绝缘膜41、第二绝缘膜45两绝缘膜的密封固定部之间的空间容积要比助熔剂44的体积大。
在把实施例11的薄型温度熔断器安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上使用时，如图29和图30所示从可熔合金43看，使可熔合金43的一方的侧面与第一绝缘膜41、第二绝缘膜45两绝缘膜的密封固定部之间形成的空间的方向与重力方向大体一致地安装在各种电子设备和变压器、电机等发热部件上。当在该使用状态，在由周围温度上升使助熔剂44熔化时，因为在实施例11形成可熔合金43的一方的侧面与第一绝缘膜41、第二绝缘膜45两绝缘膜的密封固定部之间的空间比助熔剂44的体积还大，所以熔化的助熔剂44由于重力作用几乎都确实地流入可熔合金43的一方的侧面与第一绝缘膜41、第二绝缘膜45两绝缘膜的密封固定部之间形成的空间内。结果，在可熔合金43的表面只存在少量的助熔剂44，因此，当周围温度继续上升、超过可熔合金43的熔点、可熔合金43熔断时，即使在可熔合金43的尖端之间发生电弧，也能够减少在电弧发生时的助熔剂44的气化量。因此，能减少温度熔断器内部空间的压力上升，即使应用于切断高电压·大电流的场合，也难以造成实施例11的温度熔断器密封劣化和破损。
(实施例12)本发明的实施例12的温度熔断器是用在实施例6～11的温度熔断器中，收放可熔合金的第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足以下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm1.5mm≤L2≤3.5mm0.4mm≤L3≤1.5mm通过满足所述关系，温度熔断器形成既薄又小，即使用于高电压·大电流的场合，也难于造成密封劣化和破损。
(实施例13)图31是本发明的实施例13的电池的立体图。该电池具有电池本体51；温度熔断器52，其与电池本体51电气连接，当电池本体51异常发热时切断电流；外部电极53，其设置在电池本体51的侧面上；保护电路54，其与电池本体51电气连接。温度熔断器52是在所述的实施例6～12中说明的温度熔断器中的任意一种。温度熔断器52，其一方的端子55通过在连接部56点焊等，被电气地连接在电池本体51的外部电极53上；其另一方的端子57通过在连接部58点焊等，被电气地连接在保护电路54上。温度熔断器52当电池本体51发热到规定温度以上、即发生异常发热时，切断电流。
实施例13的电池，当在使用状态，在由周围温度上升使温度熔断器52内的助熔剂熔化时，熔化的助熔剂确实地流入温度熔断器52内的内部空间内，因此，能使可熔合金的表面只存在少量的助熔剂。通过这样，在周围温度继续上升、超过可熔合金的熔点、可熔合金熔断时，即使在可熔合金的尖端发生电弧也能够减少电弧发生时的助熔剂的气化量。结果，能够减少温度熔断器52的内部空间的压力上升，因此能够获得即使应用于高电压·大电流切断的场合也难以造成温度熔断器52密封劣化和破损的电池。
产业利用的可能性本发明的温度熔断器，具有绝缘壳，其是具有开口部的有底的筒状体；可熔合金，其配设在绝缘壳内；导线，其一端与可熔合金连接，另一端从绝缘壳的开口部引到绝缘壳外；助熔剂，其被涂敷在可熔合金上；封口体，其封堵绝缘壳的开口部。使绝缘壳内的可熔合金和封口体之间的空间容积比助熔剂的体积大。
通过形成这样的结构，当在由周围温度上升使助熔剂熔化时，该助熔剂几乎都流入绝缘壳内的可熔合金和封口体之间的空间内，结果，在可熔合金的表面只存在少量的助熔剂，因此，当周围温度继续上升，超过可熔合金的熔点、可熔合金熔断时，即使在可熔合金的尖端之间发生电弧，也能够减少电弧发生时的助熔剂的气化量。这样，能够减少温度熔断器内部空间的压力上升，因此，能够获得即使应用于切断高电压·大电流的场合，也难以造成密封劣化和绝缘壳破损的温度熔断器。
权利要求
1.一种温度熔断器，其具有绝缘壳，其是具有开口部的有底的筒状体；可熔合金，其配设在所述绝缘壳内；导线，其一端与所述可熔合金连接，另一端从所述绝缘壳的开口部引到所述绝缘壳外；助熔剂，其被涂敷在所述可熔合金上；封口体，其封堵所述绝缘壳的开口部；所述绝缘壳内的所述可熔合金和所述封口体之间的空间容积比所述助熔剂的体积要大。
2.如权利要求1所述的温度熔断器，其特征在于，从所述可熔合金看，所述可熔合金和所述封口体之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。
3.如权利要求1所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
4.一种温度熔断器，其具有绝缘壳，其是具有开口部的有底的筒状体；可熔合金，其配设在所述绝缘壳内；导线，其一端与所述可熔合金连接，另一端从所述绝缘壳的开口部引到所述绝缘壳外；助熔剂，其被涂敷在所述可熔合金上；封口体，其封堵所述绝缘壳的开口部；所述绝缘壳内的所述可熔合金和所述绝缘壳的内底部之间的空间的容积比所述助熔剂的体积要大。
5.如权利要求4所述的温度熔断器，其特征在于，从所述可熔合金看，所述可熔合金和所述绝缘壳的内底部之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。
6.如权利要求4所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
7.一种温度熔断器，其具有绝缘壳，其是在两端具有开口部的筒状体；可熔合金，其配设在所述绝缘壳内；一对导线，每根导线的一端部分别连接所述可熔合金的两端部，每根导线的另一端部分别通过所述绝缘壳的开口部引到所述绝缘壳外；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；封口体，其封堵所述绝缘壳两端的开口部；所述绝缘壳内的所述可熔合金的表面和对向所述可熔合金的所述表面的所述绝缘壳的内表面部之间的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
8.如权利要求4所述的温度熔断器，其特征在于，从所述可熔合金看，所述可熔合金的所述表面和所述绝缘壳的所述内面部之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。
9.如权利要求4所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
10.一种温度熔断器，其具有绝缘壳，其是在两端具有开口部的筒状体；可熔合金，其配设在所述绝缘壳内；一对导线，每根导线的一端部分别连接所述可熔合金的两端部，每根导线的另一端部分别通过所述绝缘壳的开口部引到所述绝缘壳外；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；封口体，其封堵所述绝缘壳两端的开口部；所述绝缘壳内的所述可熔合金一方的端部和所述一对的封口体的一方之间的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
11.如权利要求10所述的温度熔断器，其特征在于，从所述可熔合金看，所述可熔合金的所述一方的端部和所述一对封口体的所述的一方之间的所述的空间位于和重力方向大体一致的方向上。
12.如权利要求11所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
13.一种温度熔断器，其具有第一绝缘膜；一对金属端子，其分别安装在所述第一绝缘膜上，使其各自的一部从所述第一绝缘膜向第一方向突出；可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜的所述第一方向上，连接在所述一对金属端子的所述一部之间；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其被安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述第一绝缘膜的第一方向的面和对向所述第一绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间的容积要大于所述助熔剂的体积。
14.如权利要求13所述的温度熔断器，其特征在于，从所述可熔合金看，所述第一绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。
15.如权利要求13所述的温度熔断器，其特征在于，还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体，所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
16.如权利要求13所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
17.一种温度熔断器，其具有第一绝缘膜；一对金属端子，其分别安装在所述第一绝缘膜上，使其各自的一部从所述第一绝缘膜向第一方向突出；可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜的所述第一方向上，连接在所述一对金属端子的所述一部之间；助熔剂，其涂在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其被安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述第二绝缘膜的面和对向所述第二绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
18.如权利要求17所述的温度熔断器，其特征在于，从所述可熔合金看，所述第二绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间位于和重力方向大体一致的方向上。
19.如权利要求17所述的温度熔断器，其特征在于，还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体，所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
20.如权利要求17所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
21.一种温度熔断器，其具有第一绝缘膜；一对金属端子，其分别安装在所述第一绝缘膜上，使其各自的一部从所述第一绝缘膜向第一方向突出；可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜的所述第一方向上，连接在所述一对金属端子的所述一部之间；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其通过密封固定部安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述可熔合金的一端与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
22.如权利要求21所述的温度熔断器，其特征在于，所述可熔合金的所述一端与所述第一绝缘膜和第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
23.如权利要求21所述的温度熔断器，其特征在于，还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体，所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
24.如权利要求21所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
25.一种温度熔断器，其具有第一绝缘膜；一对金属端子，其被安装在所述第一绝缘膜上；可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜开始的第一方向上，连接在所述一对金属端子的端部之间；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其被安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述第一绝缘膜的面和对向所述第一绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间容积要比所述助熔剂的体积大。
26.如权利要求25所述的温度熔断器，其特征在于，所述第一绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
27.如权利要求25所述的温度熔断器，其特征在于，还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体，所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
28.如权利要求25所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
29.一种温度熔断器，其具有第一绝缘膜；一对金属端子，其被安装在所述第一绝缘膜上，可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜开始的第一方向上，连接在所述一对金属端子的端部之间；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其被安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述第二绝缘膜的面和对向所述第二绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
30.如权利要求29所述的温度熔断器，其特征在于，所述第二绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
31.如权利要求29所述的温度熔断器，其特征在于，还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体，所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
32.如权利要求29所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
33.一种温度熔断器，其具有第一绝缘膜；一对金属端子，其被安装在所述第一绝缘膜上，可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜开始的第一方向上，连接在所述一对金属的端部之间；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其通过密封固定部安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述可熔合金的一端与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
34.如权利要求33所述的温度熔断器，其特征在于，所述可熔合金的所述一端与所述第一绝缘膜和第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
35.如权利要求33所述的温度熔断器，其特征在于，还具有由收放所述可熔合金的所述第一和第二绝缘膜形成的温度熔断器本体，所述温度熔断器本体的长度L1、宽度L2、厚度L3满足如下的关系2.0mm≤L1≤5.0mm、1.5mm≤L2≤3.5mm、0.4mm≤L3≤1.5mm。
36.如权利要求33所述的温度熔断器，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
37.一种电池，其包括电池本体和温度熔断器，所述温度熔断器具有第一绝缘膜；一对金属端子，其分别安装在所述第一绝缘膜上，使其各自的一部从所述第一绝缘膜向第一方向突出；可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜开始的第一方向上，连接在所述一对金属端子的所述一部之间，通过所述电池本体发出的热量熔断；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其被安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述第一绝缘膜的所述第一方向的面和对向所述第一绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间容积要比助熔剂的体积大。
38.如权利要求37所述的电池，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
39.如权利要求37所述的电池，其特征在于，所述第一绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
40.一种电池，其包括电池本体和温度熔断器，所述温度熔断器具有第一绝缘膜；一对金属端子，其分别安装在所述第一绝缘膜上，使其各自的一部从所述第一绝缘膜向第一方向突出；可熔合金，其位于由所述第一绝缘开始的所述第一方向上，连接在所述一对金属端子的所述一部之间，通过所述电池本体发出的热量熔断；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其被安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述第二绝缘膜的面和对向所述第二绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
41.如权利要求40所述的电池，其特征在于，所述第二绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
42.如权利要求40所述的电池，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)以上的硬脂酰胺。
43.一种电池，其包括电池本体和温度熔断器，所述温度熔断器具有第一绝缘膜；一对金属端子，其分别安装在所述第一绝缘膜上，使其各自的一部从所述第一绝缘膜向第一方向突出；可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜开始的所述第一方向上，连接在所述一对金属端子的所述一部之间，通过所述电池本体发出的热量熔断；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其通过密封固定部安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述可熔合金的一端与所述第一绝缘膜和第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
44.如权利要求43所述的电池，其特征在于，所述可熔合金的所述一端与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
45.如权利要求43所述的电池，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)的硬脂酰胺。
46.一种电池，其包括电池本体和温度熔断器，所述温度熔断器具有第一绝缘膜；一对金属端子，其安装在所述第一绝缘膜上；可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜开始的第一方向上，连接在所述一对金属端子的端部之间，通过所述电池本体发出的热量熔断；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其被安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述第一绝缘膜的面和对向所述第一绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
47.如权利要求46所述的电池，其特征在于，所述第一绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
48.如权利要求46所述的电池，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)的硬脂酰胺。
49.一种电池，其包括电池本体和温度熔断器，所述温度熔断器具有第一绝缘膜；一对金属端子，其安装在所述第一绝缘膜上；可熔合金，其位于由所述第一绝缘膜开始的第一方向上，连接在所述一对金属端子的端部之间，通过所述电池本体发出的热量熔断；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其被安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述第二绝缘膜的面和对向所述第二绝缘膜的所述面的所述可熔合金的面之间的空间容积要比所述助熔剂的体积大。
50.如权利要求49所述的电池，其特征在于，所述第二绝缘膜的所述面和所述可熔合金的所述面之间的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
51.如权利要求49所述的电池，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)的硬脂酰胺。
52.一种电池，其包括电池本体和温度熔断器，所述温度熔断器具有第一绝缘膜；一对金属端子，其安装在所述第一绝缘膜上；可熔合金，其位于由第一绝缘膜开始的第一方向上，连接在所述一对金属端子的端部之间，通过所述电池本体发出的热量熔断；助熔剂，其涂敷在所述可熔合金上；第二绝缘膜，其通过密封固定部安装在所述第一绝缘膜上，使其位于由所述可熔合金开始的所述第一方向上，并且与所述第一绝缘膜之间形成空间；所述可熔合金的一端与所述第一绝缘膜和第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的空间的容积要比所述助熔剂的体积大。
53.如权利要求52所述的电池，其特征在于，所述可熔合金的所述一端与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的所述密封固定部之间形成的所述空间，从所述可熔合金看，位于和重力方向大体一致的方向上。
54.如权利要求52所述的电池，其特征在于，所述助熔剂含有20％(重量)的硬脂酰胺。
全文摘要
本发明提供一种温度熔断器。该温度熔断器具有绝缘壳，其是有开口部的有底筒状体；可熔合金，其配设在绝缘壳内；导线，其一端与可熔合金连接，另一端从绝缘壳的开口部引到绝缘壳外；助熔剂，其被涂敷在可熔合金上；封口体，其封堵绝缘壳的开口部；且使绝缘壳内的可熔合金和封口体之间的空间容积比助熔剂的体积大。该温度熔断器即使用于切断高电压·大电流的场合也难以造成该温度熔断器密封劣化或绝缘壳破损。
文档编号H01H37/76GK1520600SQ02811189
公开日2004年8月11日 申请日期2002年6月5日 优先权日2001年6月5日
发明者仙田谦治, 河野笃司, 和田达也, 也, 司 申请人:松下电器产业株式会社