专利名称:使用反馈增强型发光二极管的照明器件的制作方法
技术领域:
本申请涉及使用反馈增强型发光二极管的照明器件。
背景技术:
提供室内和户外照明的传统的照明器件典型地使用白炽电灯泡、荧光灯或者卤素灯。然而,现存的照明器件具有短的寿命、高的成本和/或与之相关的危害。近来,发光二极管(LED)灯已被用于提供日常照明,用以克服现存照明器件的某些缺点。然而,即使在操作于LED的灯中,许多光被吸收或者作为热损失掉了,浪费了大量的可以作为光提供的能量。因此,所需的是,提供更加高效的照明器件,其能够消除或者减小能量损失并且更加高效地提供照明。
发明内容
提供了使用反馈增强型发光器件的照明器件。在一个方面,照明器件包括光源,其包括至少一个安置在两个反馈层之间的发光材料层。该两个反馈层中的至少一个具有周期性变化的折射率分布。
光源可以安装在具有至少一个开口的壳体中。配光元件可以安装在该壳体中并且置于光源和该开口之间,用于分送从光源向该开口发射的光。在另一方面,诸如前向散射体的第二配光元件可以安装在壳体中,位于该开口和该配光元件之间。在另一方面,可以安装第二配光元件以便于覆盖该壳体的开口。
在一个方面,反馈层中的一个或者两个包括至少全息记录材料层。该全息记录材料层可以包括在该材料中构图的平面波干涉图形。在另一方面,两个反馈层中的一个或者两个可以包括具有多个对应于不同波长的光的平面波干涉图形的全息记录材料。
在另一方面,照明器件可以包括至少一个置于两个反馈层之间的光发射材料层。该光发射材料可以是有机材料。两个反馈层中的至少一个具有周期性变化的折射率分布。诸如分光屏或者散射体的配光元件可以附装到光源上,用于散射从发射层发射的光。在一个方面,反馈层中的一个或者两个包括至少全息记录材料层。该全息记录材料层可以包括在该材料上构图的平面波干涉图形。在另一方面,两个反馈层中的一个或者两个可以包括具有多个对应于不同波长的光的平面波干涉图形的全息记录材料。
通过参考附图,在下文中详细描述了另外的特征以及多种实施例的结构和操作。在附图中,相似的参考数字表相同或者功能相似的元件。
附图简述
图1说明了一个实施例中的可用于本公开内容的照明器件的发射器件。
图2说明了一个实施例中的反馈增强型发光二极管,其用于本公开内容的照明器件中。
图3说明了根据一个实施例的灯。
图4说明了根据另一实施例的构造灯。
图5说明了单模FE-OLED和多模FE-OLED的结构的对比。
图6说明了一个实施例中的配光器。
具体实施例方式
公开了使用反馈增强型发光二极管的照明器件,诸如灯。在本申请中,所使用的术语“发光材料”、“发射材料”和“发射体材料”是可互换的,并且指那些具有发光属性的材料。在题为“FEEDBACKENHANCED LIGHT EMITTING DEVICE”的共同未决的美国专利申请Serial No.__中完整地公开了反馈增强型发光二极管的结构和操作。例如,图1和2说明了可用于本公开内容的照明器件中的反馈增强型发光二极管。
图1说明了一个实施例中的可用于本公开内容的照明器件的发射器件。器件1包括发射层2和反馈元件4。反馈元件4可以是具有周期性折射率变化的层,其允许某些光透射通过反馈元件4。在另一方面,反馈元件4可以是具有周期性和连续的折射率变化的层。在题为“FEEDBACK ENHANCED LIGHT EMITTING DEVICE”的共同未决的美国专利申请Serial No.__中详细描述了具有周期性和连续的折射率变化的反馈元件层。
还可以包括第二反馈元件6,使得发射层位于两个反馈元件4、6之间。第二反馈元件6可以允许某些光透射通过第二反馈元件6,或者基本上反射入射到其上的光。在一个实施例中,可以将具有周期性折射率变化的结构、平面镜、分布布拉格反射体(DBR)或者另外的反射体用作第二反馈元件6。发射层2可以包括有机材料。发射层2也可以是有机发光二极管。
反馈增强型发光二极管在一方面还可以包括其他的元件,诸如位于反馈层和发射层之间的透明缓冲层、扩散体、阳极、阴极或者其他元件。图2说明了具有额外的元件的发射器件200。例如,诸如阴极102和阳极104的电极对可以分别安置在发射层2与顶反馈层4和底反馈层6之间。
阴极102可以包括与发射层2相邻的具有低功函数表面的透明传导结构,使得其能够将电子注入到发射层2中。在一个方面,为了提供具有所需透明度的阴极102,提供了双层阴极。该双层阴极可以包括非常薄(例如,5纳米(nm))的金属阴极,使得该金属是基本透明的。然后该金属可以通过类似氧化铟锡(ITO)的透明导体支撑到例如反馈层侧上,用于产生足够高的传导率以得到低阻抗器件。阳极104可以包括透明传导材料,选择该透明传导材料使其具有高的功函数,使得其能够将空穴注入到发射层2中。
发射层2可以包括有机电致发光材料,其光谱发射频带与顶反馈层4和底反馈层6的反射带重叠。在一个方面中,发射层2还可以是荧光或者磷光发射材料、诸如GaAs、AlGaAs或者InGaN的无机半导体发射材料。
顶反馈层4和/或底反馈层6可以包括具有周期性变化的折射率的不吸光材料。顶反馈层4和底反馈层6可以用作光子晶体,其反射沿标注为“光输出”110的轴线传播的给定波长频带的光。
沿层的垂直轴线进入反馈层材料的光在每当其通过折射率振荡的一个周期时会经历小的反射。当反馈元件足够厚时,反馈元件在谐振波长2d处可以用作近似完美的反射体,其中d是折射率空间振荡的强度。
在一个方面反馈层可以通过平面波全息图制造,其具有处于所需发射波长的峰值反射率。在一个方面,图2中所示的器件200可以倒转。即,阴极102和阳极104的位置可以互换。
该器件还可以包括基片106,其与底反馈层6相邻安置。基片106用作可以使该器件建构于其上的层。在一个方面,基片106可以包括透明材料。在一个方面,可以将该材料粘附于该器件上以用作封盖108。例如,封盖108用于密封封装以抵御周围的水和氧,或者另外用以保护器件不受化学作用或者其他降解作用的影响。
该器件的其他元件可以包括在阳极104和发射层2之间的空穴输运层。该空穴输运层可以用于允许更多的电子/空穴复合出现在发射层2中。例如,在具有不平衡的电子和空穴迁移率的发射层中,其通常具有低的空穴迁移率,电子/空穴复合趋向于出现在阳极。相似地,具有直接的阳极/发射体界面的器件趋向于是低效率的,这是因为许多陷阱,即发生了发射体的非辐射去激发的位置,存在于发射体/阳极界面处。例如,使用具有高的空穴迁移率的空穴输运层使出现在阳极处的电子/空穴复合的问题减到最小。还可以选择空穴输运层以使得空穴的导带位于阳极104的导带和发射层2的导带的中间,由此提供了从阳极到发射体的更加有效的空穴注入。
还可以在阳极104和空穴输运层之间提供空穴注入层。例如,如果使用了类似于缺乏良好定义的带结构的氧化铟锡(ITO)的阳极材料(其可能导致对器件的低效率的空穴注入),则可以提供类似铜酞菁的空穴注入层用以通过位于ITO和空穴输运材料中间的能级较好地定义带结构。因此提供该额外的空穴注入层可以有助于空穴注入,并且产生了更加有效率的器件。
在另一个实施例中,额外的空穴输运层可以插入在空穴注入层和发射体之间,用以进一步消除该带的能量差别。如果与发射体相邻的空穴输运层具有处于近似与发射体相同的能级处的电子导带,则电子可能“超越”该发射体,且在输运层中发生复合而不是在发射体中。通过在发射体和输运层之间插入具有高能量和良好空穴传导性的电子导带的电子阻挡层,可以消除该超越。
在另一个实施例中,可以在阴极102和发射层2之间提供电子输运层。电子输运层针对电子执行与空穴输运层针对空穴而执行的功能相似的功能。如同空穴输运层,可以添加另外的电子输运层以帮助带能量匹配。
在另一实施例中,可以在阴极102和电子输运层之间提供电子注入层。理想的是,使尽可能低的功函数材料用于阴极,使得能量不会被消耗于将电子注入到器件中。可以使用具有非常低的功函数的金属,诸如钙。然而,钙可能是易起化学反应的并且对湿气和氧是非常敏感的。还可以使用铝。尽管铝具有较高的功函数,但是已经发现,给铝涂敷非常薄的类似于氟化锂或者氟化镁材料的膜提供了“带偏移”效应,其有助于缓解带能量失配。
在另一实施例中,可以在发射体和空穴输运层之间提供空穴阻挡层以消除“超越”发射体的空穴。上文所述的载流子输运层、注入层和阻挡层还典型地用于传统的OLED器件。因此,此处将不再描述这些元件的进一步的特征。
在一个实施例中,器件200还可以包括缓冲层,例如,置于电极和反馈层之间的纯净电介质。当缓冲层安置在阴极102和顶反馈层4之间时,其可以用作阴极同外部环境之间的密封势垒,特别是在随后的工艺过程中。缓冲层还提供了反馈层4和6之间的正确的尺寸间隙,使得该间隙中的有害的光干涉不会发生。为了获得该功能,缓冲层可以插入到反馈层和电极之间以调节器件的光学厚度。缓冲层还可以用于维持该两个反馈层中的折射率分布之间的适当相位关系。此外,缓冲层可以用于调节反馈层之间的间隙厚度,由此调节在该间隙中谐振的光模的波长。
图1和2中所示器件基本上减小或者消除了全内反射,该全内反射可能出现于边界处的折射率失配处。通过基本上消除器件内部的光吸收损耗,可以使从器件中提取的光近似成倍增加。
在一个方面,回来参考图1,位于发射层2两侧的反馈元件4、6形成了谐振腔。反馈元件4、6将光反射回发射层2的材料中,并且允许在足够的光反射到发射层2中时发生受激发射。例如,光子和激子之间相互作用的数目调节了受激发射的速率。这样,通过将光定位于谐振腔中并且由此在发射层2中引发了高密度的光子,可以产生非常快速的受激发射转换。
典型地,在没有引入受激发射的情况中,自发发射主导了在发射材料中的光产生过程,该自发发射是相对慢的并且是纯粹的统计过程。快速转换为受激发射使得自发发射过程具有很少的或者不具有激发态能量以转换为光。甚至更慢的过程,即非辐射去激发,将激发态能量转换为热。这样,由于热形成的机制在慢于受激发射的量级上,因此受激发射取代了激发态能量到热的转换。因此,器件1的激发态能量主要被转换为光,而不是热。随之而来的发热的减少还可以导致器件中降低的温度,其允许器件中更长的寿命和更高的效率。
图3说明了根据本公开内容的一个实施例的灯300。灯300可以取代标准的荧光管灯。灯300的能量转换效率导致了减小的电量消耗和/或较大的照明度。灯300包括反馈增强型发光二极管(FE-LED)或反馈增强型有机发光二极管(FE-OLED)光源302、配光元件304、壳体306和诸如前向散射体的第二配光元件308。FE-LED或FE-OLED光源302可以被设置为使用现存在荧光灯固定装置,例如,安装在用于荧光灯照明器件的固定装置上。配光元件304可以具有配光屏,其可以相对与光源302分立形成,或者可以集成在光源302中以便于减少形成灯300的部件数目。
在2002年12月16日提交的题为“ILLUMINANT ANDMETHOD”的共同未决的美国专利申请Serial No.10/319,631中描述了配光屏的实施例的结构和操作,其整体内容在此处并入列为参考。例如,图5说明了根据本公开内容的实施例的光源/配光元件的组合的示例。组合发光体500包括反馈增强型LED或者OLED光源502,分光部件504和位于非光发射区域的装饰性或者功能性表面部件506。有机发光二极管光源可以包括灌注材料508、后玻璃510、后反馈层512、前反馈层514、有机发光二极管(OLED)516、阳极总线518、阴极总线520和前玻璃522。前反馈层514和后反馈层512可以形成谐振腔524,其在有机发光二极管516中激发增强型光发射,并且可以使光线基本平行。分光部件504可以通过粘合剂530粘着地接合到光产生部件502。来自光源502地光入射到分光部件504上。分光部件504包括锥形光导532,其将接收自光产生部件502的光引导至小的孔隙534。然后该光在一定的角度范围中发射,如果该光是平行的或者基本平行的,则使得该光散射到一定的角度范围中,由此提供了在该角度范围中可以看到的光源,并且其对该角度范围进行了照明。在美国专利No.5,563,738和5,481,385中进一步讨论了锥形光导532的配置,其在此处并入列为参考。区域506可以由具有低于光导532的折射率的纯净材料538填充,或者它可以包括彩色材料或者反射材料或者这些材料的组合。
在另一实施例中,在灯300中可以使用两个配光元件用于提供更好的光散射。壳体306可以具有用于壳体的传统的设计或者具有任何其他的适当的设计。前向散射体308也可以具有传统的设计,或者具有任何其他的适当的设计。具有上面设计的灯的照明效率约为标准荧光灯的照明效率的两倍,并且约为白炽灯的10倍。
图4说明了根据本公开内容的另一个实施例的构造灯。该构造灯400包括直接接合到FE-LED或者FE-OLED 402前面的屏或者散射体404。灯400可以安置在墙上、天花板上、地板上或者其他表面上,用以提供美观的舒适的照明。
当在相同的基片上以具有小几何区域的图形制造分别发射不同波长频带的光的两个、三个、四个或者更多个反馈增强型OLED或者LED,使得观察者的眼睛将其合在一起以产生白光或者其他所需颜色的光时,可以产生具有宽带光谱分布的灯。例如,在三色示例中,可以利用与VGA显示中的垂直彩色条带非常相似重复的红/蓝/绿的配置来对FE-OLED发射体的条带进行构图。当该条带足够窄时,灯的输出呈现出白光,且每个图中合成的光谱输出像是合成线。
在一个实施例中,例如,使用如上文所述用于发射层的红/蓝/绿的配置来对两个反馈层进行构图。在该实施例中,还可以对发射层进行构图,使得具有不同波长频带的发射体对应于反馈层图形。例如,在具有窄带发射体的实施例中,每当改变反馈层的间距时,改变发射体使得发射带和反射带重叠。
在第二实施例中可以使用宽带发射体,使得其发射带在两个或者更多的构图区域中与反馈层的反射带重叠。例如,通过分别被设置用于红色和绿色的反馈层间距,一个发射体可以提供红光和绿光用于构图的区域。在该实施例中,例如,当使用足够宽的宽带发射体时,可以不需要对发射层进行构图用于所需的效果。
根据本公开内容的发射器件可以是单模或者多模器件。通过制造带有具有由发射体所发射光的近似波长的宽度的谐振腔(反馈层之间的距离)的器件,可以制造单模器件,而多模器件带有具有至少数倍大于由发射体所发射光的波长的宽度的谐振腔。例如,图5对比了单模FE-OLED 802和多模FE-OLED 804的结构。单模FE-OLED 802具有处于玻璃封装中的全息反馈层806、808,其具有宽约400nm的谐振腔,约0.5μm的模间距和约1.5nm的光谱线宽。
多模FE-OLED 804具有位于玻璃封装外部的全息反馈层810、812。例如,约0.2nm的模间距出现于反馈层处,该反馈层隔开1mm并且使用500nm波长的光。光谱线宽由反馈层810、812的反射带宽确定,并且其约100nm。在多模器件804中,因为可以在OLED组装之后使用全息图,因此他们更容易制造。
在另一实施例中,多模器件可以具有位于玻璃封装中的反馈层或者具有一个位于玻璃封装中的反馈层和一个位于玻璃封装外的反馈层。包括相对厚的透明间隔层的透明空间可被用于填充发射器件和反馈层之间的空间,由此建立了所需的谐振腔厚度。该方法的优点在于,腔厚度可以独立于器件封装中的机械考虑而建立,并且其可以用于提供像素化的多模器件而不会带来视差问题。
对于一阶近似,对于具有反馈层的单模器件的理想设计具有所需输出光波长的1/2的谐振腔厚度,并且其具有与处于反馈层内表面的周期性折射率变化的相位相同的相位。也可以使用相同量级的厚度和其他的相位关系。
本发明的另一实施例可以使用缺陷模FE-OLED,如题为“FEEDBACK ENHANCED LIGHT EMITTING DEVICE”的共同未决的美国专利申请Serial No.__中所公开的。
本发明的另一实施例可以使用带边光激射FE-OLED,如题为“FEEDBACK ENHANCED LIGHT EMITTING DEVICE”的共同未决的美国专利申请Serial No.__中所公开的。
上文所述的实施例是说明性的示例,并且不应被解释为本发明限于这些具体的实施例。在不偏离附属权利要求中限定的本发明的精神或者范围的前提下,本领域的技术人员可以进行不同的变化和修改。
权利要求
1.一种照明器件,包括光源,其包括至少第一反馈层,其适于接收和反射光;第一电极,其形成于第一反馈层上;一个或者多个半传导层,其形成于第一电极上,该一个或者多个半传导层中的至少一个包括发光材料;第二电极,其安置于所述一个或者多个半传导层上;和第二反馈层,其适于接收和反射光,且置于第二电极上;和;配光元件,其安置在与第一反馈层和第二反馈层中的一个或者两个相邻,并且适于分送发射自它们的光。
2.权利要求1的器件,进一步包括具有至少一个开口的壳体,光源安装在该壳体中并且被安置用以基本在开口方向发射光,并且该配光元件安装在该壳体中并且置于该光源和该开口之间,用于分送光源朝向开口的光。
3.权利要求1的器件,其中配光元件附装到光源。
4.权利要求1的器件,其中配光元件安置于与光源直接相邻。
5.权利要求1的器件,其中配光元件包括分光屏。
6.权利要求5的器件,其中分光屏包括多个锥形光导。
7.权利要求2的器件,进一步包括第二配光元件,其安装在壳体中,位于开口和配光元件之间。
8.权利要求7的器件,其中第二配光元件安装成覆盖壳体的开口。
9.权利要求1的器件,其中配光元件包括散射体,用于散射从光源发射的光。
10.权利要求1的器件,其中光源和配光元件的形状基本是平的和细长的。
11.权利要求1的器件,其中光源和配光元件彼此直接接合。
12.权利要求1的器件,其中该器件适于附装到墙壁或者天花板上,或者附装到这两者上。
13.权利要求1的器件,其中该器件包括多个配光元件。
14.权利要求1的器件,其中第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者至少包括具有光子晶体结构的层。
15.权利要求1的器件,其中第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者至少包括全息记录材料层。
16.权利要求1的器件,其中第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者至少包括具有平面波干涉图形的材料层。
17.权利要求1的器件,其中第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者至少包括具有对应于不同波长的光的平面波干涉图形的材料层。
18.权利要求17的器件,其中对应于每个波长的光的平面波干涉图形被分别限制于材料层平面中的分立的几何形状的域或区域。
19.权利要求18的器件,其中几何形状的区域包括平行的带。
20.权利要求18的器件,其中第一反馈材料层中的分立的几何形状域或区域具有基本相同的几何形状,并且在第二反馈材料层的平面中占据基本相同的位置。
21.权利要求17的器件,其中一个或者多个反馈材料层包括至少全息记录材料层。
22.权利要求17的器件,其中一个或者多个反馈材料层包括至少光子晶体材料层。
23.权利要求16的器件,其中一个或者多个反馈材料层包括至少全息记录材料层。
24.权利要求16的器件,其中一个或者多个反馈材料层包括至少光子晶体材料层。
25.权利要求1的器件,其中发光材料层包括两个或者更多的发光材料,该每一发光材料被分立地构图为在发光材料平面中的几何形状的域或区域。
26.权利要求25的器件,其中发光材料平面中的几何形状的域或区域具有基本相同的形状,并且在第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者的平面中占据基本相同的位置。
27.权利要求26的器件,其中每个发光材料具有光谱发射带,其与第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者中的对应域或区域中的干涉图形的反射带基本重叠。
28.权利要求27的器件,其中一个或者多个发光材料具有宽的光谱带发射,其可以用于发光材料的域或区域中,该发光材料的域或区域位于对应于第一反馈层或者第二反馈层或者第一反馈层和第二反馈层这两者中的、具有对应于不同波长的光的平面波干涉图形的域或区域中。
29.权利要求1的器件,其中第一反馈层和第二反馈层之间的距离是处于约为发射光的一个半波长的级中。
30.权利要求1的器件,其中第一反馈层和第二反馈层之间的距离是处于约为发射光的两个或者更多个半波长的级中。
31.权利要求1的器件,其中配光元件与光源是一体的。
32.权利要求1的器件,其中发光材料包括电致发光材料,其光谱发射带与第一反馈层和第二反馈层的反射带重叠。
33.权利要求1的器件,其中第一和第二电极,以及一个或者多个半传导层形成于由第一反馈层和第二反馈层形成的连续光子晶体的缺陷中。
34.权利要求33的器件,其中该缺陷包括在具有小于发射光一个波长的光子晶体的空间相位中的相滑移。
35.权利要求33的器件,其中从发光材料层发射的光以缺陷模发出。
36.权利要求1的器件,其中第一反馈层和第二反馈层在它们的光谱反射带的峰值波长处均不透射光,并且发光材料将光辐射成为带边光激射模。
37.权利要求1的器件,其中光源进一步包括空穴注入层,其置于第一反馈层和所述一个或者多个半传导层之间。
38.权利要求1的器件,其中光源进一步包括电子注入层,其置于第二反馈层和所述一个或者多个半传导层之间。
39.权利要求1的器件,其中光源进一步包括空穴输运层,其置于空穴注入层和所述一个或者多个半传导层之间。
40.权利要求1的器件,其中光源进一步包括电子输入层,其置于电子注入层和所述一个或者多个半传导层之间。
41.权利要求14的器件,其中光子晶体结构包括一维、二维或者三维光子晶体结构或者它们的组合。
42.权利要求1的器件,其中第一反馈层和第二反馈层中的一个或者两个具有的折射率分布至少部分沿垂直于或者基本垂直于各自反馈层平面的轴方向周期性变化。
43.权利要求42的器件,其中具有周期性变化的折射率分布的第一反馈层和第二反馈层中的一个或者两个具有至少部分连续变化的折射率分布。
44.权利要求1的器件,其中第一反馈层和第二反馈层之间的距离使得反馈层之间的空间组成腔,其中具有一个或者多个所需波长的光相长地发生干涉。
45.权利要求1的器件,其中由第一反馈层和第二反馈层反射中的一个或者两个反射的光激发所述一个或者多个发光材料层的光发射。
46.权利要求45的器件,其中光的受激发射导致由器件发射的光的基本平行。
47.权利要求45的器件,其中光的受激发射导致光激射行为。
48.权利要求33的器件,其中光子晶体结构包括一维、二维或者三维光子晶体结构或者它们的组合。
49.权利要求1的器件,其中发光材料包括纯净的材料、固体溶液、合金、异质混合物或者它们的组合。
50.权利要求1的器件,其中发光材料包括聚合物发光材料。
51.权利要求1的器件,其中发光材料包括交联有机发光材料。
52.权利要求1的器件,其中发光材料包括包含具有在小分子分子量到聚合物分子量之间的分子量范围的分子的发光材料。
53.权利要求1的器件,其中发光材料包括溶解在聚合物主体中的小分子发光材料。
54.权利要求1的器件,其中发光材料包括荧光材料。
55.权利要求1的器件,其中发光材料包括磷光材料。
56.权利要求1的器件,其中发光材料包括有机和无机化合物发光材料。
57.权利要求1的器件,其中发光材料包括无机发光材料。
58.权利要求1的器件,其中发光材料包括液晶材料。
59.权利要求2的器件,其中配光元件包括分光屏。
60.权利要求59的器件,其中分光屏包括多个锥形光导。
61.权利要求1的器件,其中由器件发射的所有光占用单一的光传播模。
62.权利要求61的器件,其中第一反馈层和第二反馈层之间的间距等于排除了由于反射而引起的相移的λ/2,其中λ是光在单一的光传播模中的波长。
63.权利要求1的器件,其中由器件发射的光占用两个或者更多个光传播模。
64.权利要求1的器件,其中第一反馈层和第二反馈层中的一个或者两个包括叠加了多个周期性空间频率变化的折射率分布。
65.权利要求1的器件,进一步包括基片,在该基片上安置有第一反馈层。
66.权利要求65的器件,其中该基片包括玻璃基片。
67.权利要求65的器件,其中该基片包括挠性塑料基片、金属基片、半导体基片中的一个或者多个。
全文摘要
公开了使用反馈增强型发光器件的照明器件(200)。阴极(102)和阳极(104)的位置是可互换的。该器件还包括安置于与底反馈层(106)相邻的基片(106)。置于反馈元件之间的发光二极管(FE-LED)可以用作照明器件中的光发射元件。光发射元件可以耦合到配光元件。在一个方面,发光二极管可以是有机发光二极管(FE-OLED)。
文档编号H01L51/52GK1666579SQ03815540
公开日2005年9月7日 申请日期2003年5月8日 优先权日2002年5月8日
发明者约翰·N·马尼奥, 吉恩·C·科赫 申请人:泽奥勒克斯公司