高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备的制作方法

专利名称:高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种能抑制层间连接导体破损的高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备。信号线路(20)沿线路部(21a～21e)延伸。基准接地导体(22)设置于电介质坯体(12)中比信号线路(20)更靠z轴方向的正方向侧，由此与信号线路(20)相对。辅助接地导体(24)设置于电介质坯体(12)中比信号线路(20)更靠z轴方向的负方向侧，由此与信号线路(20)相对。过孔导体(B1～B4)连接基准接地导体(22)与辅助接地导体(24)。在线路部(12b)中，从z轴方向俯视时，过孔导体(B1～B4)没有设置在比信号线路(20)更靠x轴方向的负方向侧。
【专利说明】高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备

【技术领域】
[0001]本实用新型涉及高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备，尤其涉及用于高频信号传输的高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备。

【背景技术】
[0002]作为现有的与高频信号线路相关的实用新型，已知有例如专利文献I所记载的高频信号线路。该高频信号线路包括电介质坯体、信号线以及两个接地导体。电介质坯体由多个电介质片材层叠而构成。信号线设置在电介质坯体内。两个接地导体在电介质坯体中沿层叠方向将信号线夹在中间。由此，信号线与两个接地导体形成带状线结构。
[0003]而且，一个接地导体上设有沿层叠方向俯视时与信号线重叠的多个开口。由此，信号线与一个接地导体之间就不易形成电容。因此，能缩小信号线与一个接地导体在层叠方向上的距离，从而能实现高频信号线路的薄型化。上述这种的高频信号线路例如可用于两个电路基板的连接。
[0004]然而，在专利文献I所记载的高频信号线路中，为了容易地进行连接两个电路基板的操作，考虑将高频信号线路长边方向的中央部分的形状形成为蜿蜒形状。图31是表示其长边方向的中央部分形成为蜿蜒形状的高频信号线路500的图。图32是表示其两端被拉伸时的高频信号线路500的图。
[0005]如图31所不，尚频?目号线路500的中央部分形成为婉艇形状。具体而目，尚频?目号线路500通过连接线路部502a?502e而构成。线路部502a在左右方向上延伸。线路部502b从线路部502a的右端开始向下侧延伸。线路部502c从线路部502b的下端开始向左侧延伸。线路部502d从线路部502c的左端开始向下侧延伸。线路部502e从线路部502d的下端开始向右侧延伸。此外，线路部502b、502d的长度远短于线路部502a、502c、502e的长度。
[0006]对于上述这样的高频信号线路500，在连接两个电路基板时，将线路部502a的左端向左侧拉伸，将线路部502e的右端向右侧拉伸。由此，如图32所示，高频信号线路500变形为Z字型。其结果是，设置于高频信号线路500两端的两个连接器之间的距离变大。因此，能够易于将两个连接器分别与两个电路基板连接。
[0007]然而，在所述高频信号线路500中，连接设置于内部的两个接地导体的过孔导体有可能破损。更详细而言，在高频信号线路500中，内置有信号线和两个接地导体，它们呈带状线结构。因此，两个接地导体通过过孔导体相互连接。
[0008]这里，若将线路部502a的左端向左侧拉伸，线路部502e的右端向右侧拉伸，则线路部502b、502d中发生扭转。其结果是，该力施加到设置于线路部502b、502d内的过孔导体，从而有可能导致过孔导体破损。
[0009]现有技术文献
[0010]专利文献
[0011]专利文献1:国际公开第2012/073591号刊物实用新型内容
[0012]实用新型所要解决的技术问题
[0013]因此，本实用新型的目的在于提供能抑制层间连接导体破损的高频信号线路以及包括该高频信号线路的电子设备。
[0014]解决技术问题的技术方案
[0015]本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路的特征在于，包括:电介质坯体，该电介质坯体由具有可挠性的多个电介质片材层叠而构成，包括:在规定方向上延伸的第I线路部；沿该第I线路部延伸的第2线路部；以及连接该第I线路部的该规定方向的一侧的端部和该第2线路部的该规定方向的一侧的端部，且比该第I线路部和该第2线路部短的第3线路部；信号线路，该信号线路沿所述第I线路部、所述第2线路部、以及所述第3线路部延伸；第I接地导体，该第I接地导体设置在所述电介质坯体中比所述信号线路更靠层叠方向的一侧，由此与该信号线路相对；第2接地导体，该第2接地导体设置在所述电介质坯体中比所述信号线路更靠层叠方向的另一侧，由此与该信号线路相对；以及一个以上的层间连接导体，该一个以上的层间连接导体设置于所述第I线路部和所述第2线路部中的至少一个，且贯穿所述电介质片材，由此来连接所述第I接地导体和所述第2接地导体，在所述第3线路部中，从层叠方向俯视时，在比所述信号线路更靠所述规定方向的另一侧没有设置所述层间连接导体。
[0016]本实用新型的一实施方式所涉及的电子设备的特征在于，包括:壳体；以及收纳于所述壳体的高频信号线路，所述高频信号线路包括:电介质坯体，该电介质坯体由具有可挠性的多个电介质片材层叠而构成，包括:在规定方向上延伸的第I线路部；沿该第I线路部延伸的第2线路部；以及连接该第I线路部的该规定方向的一侧的端部和该第2线路部的该规定方向的一侧的端部，且比该第I线路部和该第2线路部短的第3线路部；信号线路，该信号线路沿所述第I线路部、所述第2线路部、以及所述第3线路部延伸；第I接地导体，该第I接地导体设置在所述电介质坯体中比所述信号线路更靠层叠方向的一侧，由此与该信号线路相对；第2接地导体，该第2接地导体设置在所述电介质坯体中比所述信号线路更靠层叠方向的另一侧，由此与该信号线路相对；以及一个以上的层间连接导体，该一个以上的层间连接导体设置于所述第I线路部和所述第2线路部中的至少一个，且贯穿所述电介质片材，由此来连接所述第I接地导体和所述第2接地导体，在所述第3线路部中，从层叠方向俯视时，在比所述信号线路更靠所述规定方向的另一侧没有设置所述层间连接导体。
[0017]实用新型效果
[0018]根据本实用新型，能抑制层间连接导体的破损。

【附图说明】

[0019]图1是本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路的外观立体图。
[0020]图2是图1的高频信号线路的分解图。
[0021]图3是图1的高频信号线路的分解图。
[0022]图4是图1的高频信号线路的分解图。
[0023]图5是图1的高频信号线路的分解图。
[0024]图6是图1的高频信号线路的分解图。
[0025]图7是图2的A-A处的剖面结构图。
[0026]图8是图2的B-B处的剖面结构图。
[0027]图9是高频信号线路的连接器的外观立体图。
[0028]图10是高频信号线路的剖面结构图。
[0029]图11是从y轴方向俯视使用了高频信号线路的电子设备而得到的图。
[0030]图12是从z轴方向俯视使用了高频信号线路的电子设备而得到的图。
[0031]图13是表不安装于电路基板时的尚频彳目号线路的图。
[0032]图14是变形例I所涉及的高频信号线路的分解图。
[0033]图15是变形例I所涉及的高频信号线路的分解图。
[0034]图16是变形例2所涉及的高频信号线路的分解图。
[0035]图17是变形例2所涉及的高频信号线路的分解图。
[0036]图18是变形例2所涉及的高频信号线路的分解图。
[0037]图19是变形例2所涉及的高频信号线路的分解图。
[0038]图20是变形例2所涉及的高频信号线路的分解图。
[0039]图21是从z轴方向俯视变形例3所涉及的高频信号线路而得到的图。
[0040]图22是从z轴方向俯视变形例4所涉及的高频信号线路而得到的图。
[0041]图23是从z轴方向俯视变形例5所涉及的高频信号线路而得到的图。
[0042]图24是多个高频信号线路的集合体即母层叠体的俯视图。
[0043]图25是从z轴方向俯视变形例6所涉及的高频信号线路而得到的图。
[0044]图26是从z轴方向俯视变形例7所涉及的高频信号线路而得到的图。
[0045]图27是从z轴方向俯视变形例8所涉及的高频信号线路而得到的图。
[0046]图28是从z轴方向俯视变形例9所涉及的高频信号线路而得到的图。
[0047]图29A是从z轴方向俯视变形例10所涉及的高频信号线路的线路部而得到的图。
[0048]图29B是从z轴方向俯视变形例10所涉及的高频信号线路的线路部而得到的图。
[0049]图30A是从z轴方向俯视变形例11所涉及的高频信号线路的线路部而得到的图。
[0050]图30B是从z轴方向俯视变形例11所涉及的高频信号线路的线路部而得到的图。
[0051]图31是表示其长边方向的中央部分形成为蜿蜒形状的高频信号线路的图。
[0052]图32是表示其两端被拉伸时的高频信号线路的图。

【具体实施方式】
[0053]下面，参照附图，对本实用新型的实施方式所涉及的高频信号线路及包括该高频信号线路的电子设备进行说明。
[0054](高频信号线路的结构)
[0055]以下，参照附图对本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图1是本实用新型的一实施方式所涉及的高频信号线路10的外观立体图。图2至图6是图1的高频信号线路10的分解图。图7是图2的A-A处的剖面结构图。图8是图2的B-B处的剖面结构图。以下，将高频信号线路10的层叠方向定义为z轴方向。此外，将高频信号线路10的长边方向定义为X轴方向，将与X轴方向及Z轴方向正交的方向定义为y轴方向。
[0056]高频信号线路10例如用于在移动电话等电子设备内连接两个高频电路。如图1至图8所示，高频信号线路10包括电介质坯体12、外部端子16a、16b、信号线路20、基准接地导体22、辅助接地导体24、过孔导体(层间连接部)bl、b2、BI?B4及连接器100a、100b。
[0057]如图1所示，电介质坯体12是从z轴方向俯视时，具有沿X轴方向的长边方向且具有可挠性的板状构件，并且在X轴方向的中央部分呈以在y轴方向上振动的方式延伸的蜿蜒形状。电介质坯体12包含线路部12a?12e、连接部12f、12g。如图2至图6所示，电介质坯体12是将保护层14、电介质片材18a?18c从z轴方向的正方向侧向负方向侧依次层叠而构成的层叠体。下面，将电介质坯体12的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质坯体12的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。
[0058]如图1所示，线路部12a(第I线路部)在x轴方向上延伸，呈在y轴方向上具有均匀宽度的带状。如图1所示，线路部12c (第2线路部)沿着线路部12a在x轴方向上延伸，呈在y轴方向上具有均匀宽度的带状。线路部12c设置在比线路部12a更靠J轴方向的负方向侧。线路部12a的X轴方向正方向侧的端部与线路部12c的X轴方向正方向侧的端部在y轴方向上相邻。其中，线路部12a的长度比线路部12c的长度要长，因此，线路部12a的X轴方向负方向侧的端部与线路部12c的X轴方向负方向侧的端部不相邻。线路部12b (第3线路部)在y轴方向上延伸，呈在X轴方向上具有均匀宽度的带状。线路部12b与线路部12a的X轴方向正方向侧的端部和线路部12c的X轴方向正方向侧的端部相连接。此外，线路部12b的长度比线路部12a、12c的长度要短。
[0059]如图1所示，线路部12e (第4线路部)沿着线路部12c在x轴方向上延伸，呈在y轴方向上具有均匀宽度的带状。并且，设置在比线路部12c更靠y轴方向的负方向侧。即，线路部12e关于线路部12c设置在线路部12a的相反侧。线路部12c的x轴方向负方向侧的端部与线路部12e的X轴方向负方向侧的端部在I轴方向上相邻。其中，线路部12e的长度比线路部12c的长度要长，因此，线路部12c的X轴方向正方向侧的端部与线路部12e的X轴方向正方向侧的端部不相邻。线路部12d(第5线路部)在y轴方向上延伸，呈在X轴方向上具有均匀宽度的带状。线路部12d与线路部12c的X轴方向负方向侧的端部和线路部12e的X轴方向负方向侧的端部相连接。此外，线路部12d的长度比线路部12c、12e的长度要短。另外，线路部12a、12c、12e的y轴方向的宽度及线路部12b、12d的x轴方向的宽度相等。另外，图1中，用虚线表示线路部12a?12e的边界。
[0060]连接部12f、12g分别与线路部12a的x轴方向负方向侧的端部及线路部12e的x轴方向正方向侧的端部相连接，从z轴方向俯视时呈矩形形状。连接部12f、12g的y轴方向的宽度大于线路部12a、12c、12e的y轴方向的宽度以及线路部12b、12d的x轴方向的宽度。
[0061]如图2至图6所示，从z轴方向俯视时，电介质片材18a?18c的平面形状与电介质坯体12相同。电介质片材18a?18c由聚酰亚胺、液晶聚合物等具有可挠性的热塑性树脂构成。下面，将电介质片材18a?18c的z轴方向的正方向侧的主面称作表面，将电介质片材18a?18c的z轴方向的负方向侧的主面称作背面。
[0062]如图7及图8所示，电介质片材18a的厚度Tl要大于电介质片材18b的厚度T2。在将电介质片材18a?18c进行层叠后，厚度Tl例如为50?300 μπι。在本实施方式中，厚度Tl为100 μ mo厚度T2例如为10?100 μ m。在本实施方式中，厚度T2为50 μ m。
[0063]此外，如图2至图6所示，电介质片材18a由线路部18a_a?18a_e及连接部18a-f、18a_g构成。电介质片材18b由线路部18b_a?18b_e及连接部18b-f、18b_g构成。电介质片材18c由线路部18c_a?18c_e及连接部18c_f、18c_g构成。线路部18a_a、18b-a、18c-a构成线路部12a。线路部18a_b、18b_b、18c_b构成线路部12b。线路部18a_c、18b-c、18c-c构成线路部12c。线路部18a_d、18b_d、18c_d构成线路部12d。线路部18a_e、18b-e、18c_e构成线路部12e。线路部18a_f、18b_f、18c_f构成线路部12f。线路部18a_g、18b-g、18c-g构成线路部12g。
[0064]如图2至图6所示，信号线路20是以下线状的导体:S卩，传输高频信号，并沿线路部12a?12e及连接部12f、12g延伸，即从连接部12f起沿线路部12a?12e的延伸方向延伸至连接部12g的线状的导体。本实施方式中，信号线路20形成在电介质片材18b的表面上，由线路导体20a?20f构成。
[0065]线路导体20a在线路部18b_a上沿着x轴方向延伸，并位于线路部18b_a的y轴方向的大致中央。线路导体20b在线路部18b-b上沿着y轴方向延伸，并位于线路部18b-b的X轴方向的大致中央。线路导体20c在线路部18b-c上沿着X轴方向延伸，并位于线路部18b-c的y轴方向的大致中央。线路导体20d在线路部18b-d上沿着y轴方向延伸，并位于线路部18b_d的X轴方向的大致中央。线路导体20e在线路部18b_e上沿着x轴方向延伸，并位于线路部18b-e的Y轴方向的大致中央。线路导体20a?20e按照该顺序排列来连接。
[0066]线路导体20f与线路导体20a的x轴方向的负方向侧端部相连接，并在连接部18b-f上沿X轴方向延伸。如图2所示，线路导体20f的X轴方向负方向侧的端部位于连接部18b-f的大致中央。线路导体20g与线路导体20e的x轴方向正方向侧的端部相连接，并在连接部18b-g上沿X轴方向延伸。如图3所示，线路导体20g的X轴方向正方向侧的端部位于连接部18b-g的大致中央。
[0067]信号线路20的线宽例如为300 μπι?700 μπι。在本实施方式中，信号线路20的线宽为300 μπι。信号线路20由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。这里，信号线路20形成于电介质片材18b的表面是指在电介质片材18b的表面上通过镀敷形成金属箔，并对金属箔进行图案形成来形成信号线路20，或者在电介质片材18b的表面粘贴金属箔，并对金属箔进行图案形成来形成信号线路20。另外，由于对信号线路20的表面实施平滑化处理，因此，信号线路20的与电介质片材18b相接的面的表面粗糙度要大于信号线路20的没有与电介质片材18b相接的面的表面粗糙度。
[0068]如图2至图6所示，基准接地导体22是设置在电介质坯体12中比信号线路20更靠近z轴方向的正方向侧的实心状的导体层。更详细而言，基准接地导体22形成于电介质片材18a的表面，且隔着电介质片材18a与信号线路20相对。基准接地导体22中与信号线路20重叠的位置处未设置开口。高频信号线路10的特性阻抗主要取决于信号线路20与基准接地导体22的相对面积和距离、以及电介质片材18a?18c的相对介电常数。因此，在将高频信号线路10的特性阻抗设定为50 Ω的情况下，例如，利用信号线路20和基准接地导体22将高频信号线路10的特性阻抗设计为比50 Ω稍高的55 Ω。然后，对在下文中叙述的辅助接地导体24的形状进行调整，使得高频信号线路10的特性阻抗因信号线路20、基准接地导体22及辅助接地导体24而成为50 Ω。
[0069]基准接地导体22由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。这里，基准接地导体22形成于电介质片材18a的表面是指在电介质片材18a的表面上通过镀敷形成金属箔，并对金属箔进行图案形成来形成基准接地导体22，或者在电介质片材18a的表面粘贴金属箔，并对金属箔进行图案形成来形成基准接地导体22。另外，由于对基准接地导体22的表面实施平滑化处理，因此，基准接地导体22的与电介质片材18a相接的面的表面粗糙度要大于基准接地导体22的没有与电介质片材18a相接的面的表面粗糙度。
[0070]此外，如图2至图6所示，基准接地导体22由主要导体22a?22e以及端子导体22f、22g构成。主要导体22a设置在线路部18a_a的表面，且沿X轴方向延伸。主要导体22b设置在线路部18a-b的表面，且沿y轴方向延伸。主要导体22c设置在线路部18a_c的表面，且沿X轴方向延伸。主要导体22d设置在线路部18a_d的表面，且沿y轴方向延伸。主要导体22e设置在线路部18a_e的表面，且沿x轴方向延伸。主要导体20a?22e按照该顺序排列来连接。
[0071]端子导体22f设置在连接部18a_f的表面，且呈矩形环。端子导体22g与主要导体22a的X轴方向的负方向侧端部相连接。端子导体22g设置在连接部18a_g的表面，且呈矩形环。端子导体22g与主要导体22e的X轴方向的正方向侧端部相连接。
[0072]如图2至图6所示，辅助接地导体24设置在比信号线路20更靠z轴方向的负方向侧。辅助接地导体24上设有沿着信号线路20排列的多个开口 30。更详细而言，辅助接地导体24形成于电介质片材18c的表面，且隔着电介质片材18b与信号线路20相对。辅助接地导体24是具有屏蔽体功能的接地导体。以下，将辅助接地导体24的z轴方向的正方向侧的主面称为表面，将辅助接地导体24的z轴方向的负方向侧的主面称为背面。
[0073]辅助接地导体24由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。这里，辅助接地导体24形成于电介质片材18c的表面是指在电介质片材18c的表面上通过镀敷形成金属箔，并对金属箔进行图案形成来形成辅助接地导体24，或者在电介质片材18c的表面粘贴金属箔，并对金属箔进行图案形成来形成辅助接地导体24。另外，由于对辅助接地导体24的表面实施平滑化处理，因此，辅助接地导体24的与电介质片材18c相接的面的表面粗糙度要大于辅助接地导体24的没有与电介质片材18c相接的面的表面粗糙度。
[0074]此外，如图2至图6所示，辅助接地导体24由线路导体24a?24e以及端子导体24f、24g构成。主要导体24a设置在线路部18c-a的表面，且沿X轴方向延伸。主要导体24b设置在线路部18c-b的表面，且沿y轴方向延伸。主要导体24c设置在线路部18c-c的表面，且沿X轴方向延伸。主要导体24d设置在线路部18c-d的表面，且沿y轴方向延伸。主要导体24e设置在线路部18c_e的表面，且沿x轴方向延伸。主要导体24a?24e按照该顺序排列来连接。
[0075]端子导体24f设置在连接部18c_f的表面，且呈矩形环。端子导体24f与主要导体24a的X轴方向的负方向侧端部相连接。端子导体24g设置在连接部18c_g的表面，且呈矩形环。端子导体24g与主要导体24e的X轴方向的正方向侧端部相连接。
[0076]此外，如图2至图6所示，主要导体24a?24e上设有在x轴方向上延伸的呈长方形的多个开口 30。此外，将主要导体24a?24e中被开口 30夹持的部分称为桥接部90。桥接部90是沿y轴方向延伸的线状导体。由此，主要导体24a?24e呈阶梯型。从z轴方向俯视时，多个开口 30及多个桥接部90与信号线路20交替地重叠。于是，在本实施方式中，信号线路20横穿开口 30及桥接部90。
[0077]此外，如上所述，设计辅助接地导体24是为了进行微调以使得高频信号线路10的特性阻抗成为50 Ω。而且，将辅助接地导体24的桥接部90的X轴方向的间隔设计成在使用频带内不会产生辐射噪声。
[0078]如上所述，信号线路20从z轴方向的两侧被基准接地导体22及辅助接地导体24夹住。即，信号线路20、基准接地导体22及辅助接地导体24形成三板型带状线结构。此夕卜，如图7及图8所示，信号线路20与基准接地导体22之间的间隔(z轴方向上的距离)与电介质片材18a的厚度Tl基本相等，例如为50 μ m?300 μ m?在本实施方式中，信号线路20与基准接地导体22之间的间隔为100 μπι。另一方面，如图7及图8所示，信号线路20与辅助接地导体24之间的间隔(ζ轴方向上的距离)与电介质片材18b的厚度T2基本相等，例如为10 μπι?100 μπι。在本实施方式中，信号线路20与辅助接地导体24之间的间隔为50 μπι。即，辅助接地导体24与信号线路20在ζ轴方向上的距离被设计成小于基准接地导体22与信号线路20在ζ轴方向上的距离。
[0079]如图1及图2所示，外部端子16a是形成在连接部18a_f表面上的中央的矩形导体。由此，从ζ轴方向俯视时，外部端子16a与信号线路20的线路导体20f的x轴方向的负方向侧端部重叠。如图1及图3所示，外部端子16b是形成在连接部18a-g表面上的中央的矩形导体。由此，从ζ轴方向俯视时，外部端子16b与信号线路20的线路导体20g的X轴方向的正方向侧端部重叠。
[0080]外部端子16a、16b由以银、铜为主要成分的电阻率较小的金属材料制作而成。外部端子16a、16b的表面还实施了 Ni/Au镀敷。这里，外部端子16a、16b形成于电介质片材18a的表面是指在电介质片材18a的表面上通过镀敷形成金属箔，并对金属箔进行图案形成来形成外部端子16a、16b,或者在电介质片材18a的表面粘贴金属箔，并对金属箔进行图案形成来形成外部端子16a、16b。另外，由于对外部端子16a、16b的表面实施平滑化处理，因此，外部端子16a、16b的与电介质片材18a相接的面的表面粗糙度要大于外部端子16a、16b的没有与电介质片材18a相接的面的表面粗糙度。
[0081]如图2所示，过孔导体bl在ζ轴方向上贯穿电介质片材18a的连接部18a_f，将外部端子16a和线路导体20f的X轴方向的负方向侧端部相连接。如图3所示，过孔导体b2在ζ轴方向上贯穿电介质片材18a的连接部18a_g，将外部端子16b和线路导体20g的X轴方向的正方向侧端部相连接。由此，信号线路20连接在外部端子16a、16b之间。过孔导体bl、b2通过向形成于电介质片材18a的贯通孔内填充金属材料而形成。
[0082]如图2至图5所示，多个过孔导体BI在ζ轴方向上贯穿线路部18a_a、18a_b、18a-c、18a_e。如图2及图3所示，多个过孔导体BI设置在线路部18a_a、18a_e中比各桥接部90更靠y轴方向的正方向侧，并在X轴方向上排列成一列。如图5所示，多个过孔导体BI设置在线路部18a-b中比各桥接部90更靠x轴方向的正方向侧，并在x轴方向上排列成一列。如图4所示，多个过孔导体BI设置在线路部18a-c中比各桥接部90更靠y轴方向的负方向侧，并在X轴方向上排列成一列。其中，过孔导体BI如图6所示，未设置于线路部18a-d。
[0083]如图2至图5所示，多个过孔导体B2在ζ轴方向上贯穿线路部18b_a、18b_b、18b-c、18b-e。如图2及图3所示，多个过孔导体B2设置在线路部18b_a、18b_e中比各桥接部90更靠y轴方向的正方向侧，并在X轴方向上排列成一列。如图5所示，多个过孔导体B2设置在线路部18b-b中比各桥接部90更靠X轴方向的正方向侧，并在X轴方向上排列成一列。如图4所示，多个过孔导体B2设置在线路部18b-c中比各桥接部90更靠y轴方向的负方向侧，并在X轴方向上排列成一列。其中，过孔导体B2如图6所示，未设置于线路部18b-d。
[0084]过孔导体BI与过孔导体B2通过相互连接来构成I根过孔导体，并将基准接地导体22和辅助接地导体24相连接。过孔导体B1、B2通过向形成于电介质片材18a、18b的贯通孔内填充金属材料而形成。
[0085]如图2至图4及图6所示，多个过孔导体B3在ζ轴方向上贯穿线路部18a_a、18a-c、18a-d、18a_e。如图2及图3所示，多个过孔导体B3设置在线路部18a_a、18a_e中比各桥接部90更靠y轴方向的负方向侧，并在X轴方向上排列成一列。如图4所示，多个过孔导体B3设置在线路部18a-c中比各桥接部90更靠y轴方向的正方向侧，并在x轴方向上排列成一列。如图6所示，多个过孔导体B3设置在线路部18a-d中比各桥接部90更靠X轴方向的负方向侧，并在I轴方向上排列成一列。其中，过孔导体B3如图5所示，未设置于线路部18a-b。
[0086]如图2至图4及图6所示，多个过孔导体B4在ζ轴方向上贯穿线路部18b_a、18b-c、18b-d、18b-e。如图2及图3所示，多个过孔导体B4设置在线路部18b_a、18b_e中比各桥接部90更靠y轴方向的负方向侧，并在X轴方向上排列成一列。如图4所示，多个过孔导体B4设置在线路部18b-c中比各桥接部90更靠y轴方向的正方向侧，并在x轴方向上排列成一列。如图6所示，多个过孔导体B4设置在线路部18b-d中比各桥接部90更靠X轴方向的负方向侧，并在I轴方向上排列成一列。其中，过孔导体B4如图5所示，未设置于线路部18b-b。
[0087]过孔导体B3与过孔导体B4通过相互连接来构成I根过孔导体，并将基准接地导体22和辅助接地导体24相连接。过孔导体B3、B4通过向形成于电介质片材18a、18b的贯通孔内填充金属材料而形成。
[0088]如上所述，过孔导体B1、B2如图6所示，在线路部12d中，从ζ轴方向俯视时，在比信号线路20的线路导体20d更靠X轴方向的正方向侧未设置过孔导体B1、B2。S卩，从ζ轴方向俯视时，在线路部12d中比线路导体20d更靠近线路部12c、12e的区域中未设置过孔导体。此外，过孔导体B3、B4如图5所示，在线路部12b中，从ζ轴方向俯视时，在比信号线路20的线路导体20b更靠X轴方向的负方向侧未设置过孔导体B3、B4。S卩，从ζ轴方向俯视时，在线路部12b中比线路导体20b更靠近线路部12a、12c的区域中未设置过孔导体。
[0089]保护层14是覆盖电介质片材18a的几乎整个表面的绝缘膜。由此，保护层14覆盖基准接地导体22。保护层14例如由抗蚀剂材料等可挠性树脂构成。
[0090]此外，如图2所示，保护层14由线路部14a?14e及连接部14f、14g构成。线路部14a?14e通过覆盖线路部18a_a?18a_e的整个表面从而覆盖主要导体22a?22e。
[0091]连接部14f与线路部14a的X轴方向的负方向侧的端部相连接，覆盖连接部18a_f的表面。其中，在连接部14f上设有开口 Ha?Hd。开口 Ha是设置在连接部14f中央的矩形开口。外部端子16a经由开口 Ha露出至外部。此外，开口 Hb是设置于开口 Ha的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 He是设置于开口 Ha的X轴方向的负方向侧的矩形开口。开口 Hd是设置于开口 Ha的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子导体22f经由开口 Hb?Hd露出至外部，从而起到外部端子的作用。
[0092]连接部14g与线路部14e的x轴方向的正方向侧端部相连接，覆盖连接部18a_g的表面。其中，在连接部14g上设有开口 He?Hh。开口 He是设置在连接部14g的中央的矩形开口。外部端子16b经由开口 He露出至外部。此外，开口 Hf是设置于开口 He的y轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 Hg是设置于开口 He的X轴方向的正方向侧的矩形开口。开口 Hh是设置于开口 He的y轴方向的负方向侧的矩形开口。端子导体22g经由开口Hf?Hh露出至外部，从而起到外部端子的作用。
[0093]在具有上述结构的高频信号线路10中，信号线路20的特性阻抗在阻抗Zl和阻抗Z2之间周期性地变化。更详细而言，在信号线路20的与开口 30重叠的部分中，在信号线路20与基准接地导体22以及辅助接地导体24之间形成了相对较小的电容。因此，信号线路20的与开口 30重叠的部分的特性阻抗为相对较高的阻抗Zl。
[0094]另一方面，在信号线路20的与桥接部90重叠的部分中，在信号线路20与基准接地导体22以及辅助接地导体24之间形成了相对较大的电容。因此，信号线路20的与桥接部90重叠的部分的特性阻抗为相对较低的阻抗Z2。由此，开口 30和桥接部90在X轴方向上交替地排列。因此，信号线路20的特性阻抗在阻抗Zl与阻抗Z2之间周期性地变化。阻抗Zl例如为55 Ω，阻抗Z2例如为45 Ω。于是，信号线路20整体的平均特性阻抗例如为50 Ω 0
[0095]如图1所示，连接器100a、100b分别安装在连接部12f、12g的表面上。连接器10aUOOb的结构相同，因此，下面以连接器10b的结构为例进行说明。图9是高频信号线路10的连接器10b的外观立体图。图10是高频信号线路10的剖面结构图。
[0096]如图9及图10所示，连接器10b由连接器主体102、外部端子104、106、中心导体108及外部导体110构成。连接器主体102是在矩形的板状构件上连结圆筒形构件而得到的形状，由树脂等绝缘材料制作而成。
[0097]外部端子104设置在连接器主体102的板状构件的ζ轴方向负方向侧的面中、与外部端子16b相对的位置处。外部端子106设置在连接器主体102的板构件的ζ轴方向负方向侧的面中、与经由开口 Hf?Hh而露出的端子导体22g相对应的位置处。
[0098]中心导体108设置在连接器主体102的圆筒构件的中心，且与外部端子104相连接。中心导体108是输入或输出高频信号的信号端子。外部导体110设置在连接器主体102的圆筒构件的内周面上，且与外部端子106相连接。外部导体110是保持接地电位的接地端子。
[0099]如图9所示，具有如上结构的连接器10b以外部端子104与外部端子16b相连接、外部端子106与端子导体22g相连接的方式安装在连接部12g的表面上。由此，信号线路20与中心导体108进行电连接。此外，基准接地导体22和辅助接地导体24与外部导体110进行电连接。
[0100]高频信号线路10按照下述所说明的方式来使用。图11是从y轴方向俯视使用了高频信号线路10的电子设备200而得到的图。图12是从Z轴方向俯视使用了高频信号线路10的电子设备200而得到的图。图13是表示安装于电路基板202a、202b时的高频信号线路10的图。
[0101]如图11及图12所示，将高频信号线路10用于电子设备200。电子设备200包括高频信号线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b、电池组(金属体)206及壳体210。
[0102]壳体210中收纳有高频信号线路10、电路基板202a、202b、插座204a、204b、及电池组206。电路基板202a上设置有例如包含天线的发送电路或接收电路。电路基板202b上设置有例如供电电路。电池组206例如为锂离子充电电池，具有其表面被金属覆层所覆盖的结构。电路基板202a、电池组206及电路基板202b从x轴方向的负方向侧向正方向侧依次排列。
[0103]插座204a、204b分别设置在电路基板202a、202b的ζ轴方向负方向侧的主面上。插座204a、204b分别与连接器100a、100b连接。由此，在电路基板202a、202b之间传输的例如具有2GHz频率的高频信号经由插座204a、204b施加到连接器100a、100b的中心导体108。此外，经由电路基板202a、202b及插座204a、204b，将连接器100a、100b的外部导体110保持在接地电位。由此，高频信号线路10连接在电路基板202a、202b之间。
[0104]这里，电介质坯体12的表面(更确切而言是保护层14)与电池组206相接触。而且，电介质坯体12与电池组206通过粘接剂等进行固定。电介质坯体12的表面是相对于信号线路20位于基准接地导体22 —侧的主面。由此，在信号线路20与电池组206之间存在有实心状的基准接地导体22。
[0105]然而，在将高频信号线路10安装到电路基板202a、202b时，向x轴方向的负方向侧拉伸连接器100a，并向X轴方向的正方向侧拉伸连接器100b。由此，线路部12a向x轴方向的负方向侧拉伸，线路部12e向X轴方向的正方向侧拉伸。因此，线路部12c的X轴方向的正方向侧端部经由线路部12b通过线路部12a向X轴方向的负方向侧拉伸，线路部12c的X轴方向的负方向侧端部经由线路部12d通过线路部12e向X轴方向的负方向侧拉伸。其结果是，从y轴方向的正方向侧俯视时，线路部12c逆时针旋转，线路部12b、12d中发生扭转。通过上述动作，处于拉伸状态的图13中的连接器100a、100b之间的距离比处于未拉伸状态的图1中的连接器100a、100b之间的距离要长。因此，由于能够固定调整高频信号线路10的长度，因此，能够易于将连接器100a、10b安装到连接器204a、204b。
[0106](高频信号线路的制造方法)
[0107]下面，参照图2至图6，对高频信号线路10的制造方法进行说明。以下，以制作一个高频信号线路10的情况为例进行说明，但实际上，通过将大尺寸的电介质片材进行层叠及切割，能同时制作多个高频信号线路10。
[0108]首先，准备电介质片材18a?18c，该电介质片材18a?18c由表面上的整个面形成有铜箔(金属膜)的热塑性树脂形成。具体而言，电介质片材18a?18c的表面贴有铜箔。并且，对电介质片材18a?18c的铜箔的表面实施例如用于防锈的镀锌，使其平滑化。电介质片材18a?18c是液晶聚合物。此外，铜箔厚度为10 μπι?20 μπι。
[0109]接着，对形成在电介质片材18a表面上的铜箔进行图案化，由此在电介质片材18a的表面上形成图2至图6所示的外部端子16a、16b以及基准接地导体22。具体而言，在电介质片材18a表面的铜箔上印刷形状与图2至图6所示的外部端子16a、16b及基准接地导体22相同的抗蚀剂。然后，通过对铜箔实施刻蚀处理，将未被抗蚀剂覆盖的那部分铜箔去除。之后，喷淋抗蚀剂去除液来去除抗蚀剂。由此，利用光刻工序在电介质片材18a的表面上形成图2至图6所示那样的外部端子16a、16b及基准接地导体22。
[0110]接着，在电介质片材18b的表面上形成图2至图6所示的信号线路20。并且，在电介质片材18c的表面形成图2至图6所示的辅助接地导体24。信号线路20及辅助接地导体24的形成工序与外部端子16a、16b及基准接地导体22的形成工序相同，因此省略其说明。
[0111]接着，向电介质片材18a、18b上要形成过孔导体bl、b2、BI?B4的位置照射激光束，从而形成贯通孔。接着，在贯通孔中填充导电性糊料，从而形成过孔导体bl、b2、BI?B4。
[0112]然后，将电介质片材18a?18c从ζ轴方向的正方向侧向负方向侧按该顺序进行层叠，从而形成电介质坯体12。接着，从ζ轴方向的正方向侧和负方向侧对电介质片材18a?18c进行加压加热，使电介质片材18a?18c形成为一体。
[0113]接着，通过丝网印刷涂布树脂(抗蚀剂)糊料，从而在电介质片材18a的表面上形成覆盖基准接地导体22的保护层14。
[0114]最后，利用焊料将连接器100a、10b安装到连接部12f、12g上的外部端子16a、16b以及端子导体22f、22g上。由此，可得到图1所示的高频信号线路10。
[0115](效果)
[0116]根据具有上述结构的高频信号线路10，能抑制过孔导体BI?B4的破损。更详细而言，如图13所示，在将高频信号线路10安装到电路基板202a、202b时，连接器10a向x轴方向的负方向侧拉伸，连接器10b向X轴方向的正方向侧拉伸。此时，线路部12b中发生扭转。线路部12a的X轴方向的正方向侧端部及线路部12c的X轴方向的正方向侧端部与线路部12b的X轴方向的负方向侧长边相连接。因此，在线路部12b中比线路导体20b更靠X轴方向的负方向侧的区域发生较大的扭转。
[0117]然而，在高频信号线路10中，在线路部12b中比线路导体20b更靠X轴方向的负方向侧的区域没有设置过孔导体。因此，可抑制过孔导体因线路部12b弯曲而破损。
[0118]此外，若连接器10a向X轴方向的负方向侧拉伸，连接器10b向x轴方向的正方向侧拉伸，则线路部12d中也发生扭转。线路部12c的X轴方向的负方向侧端部及线路部12e的X轴方向的负方向侧端部与线路部12d的X轴方向的正方向侧长边相连接。因此，在线路部12d中比线路导体20d更靠X轴方向的正方向侧的区域发生较大的扭转。
[0119]然而，在高频信号线路10中，在线路部12d中比线路导体20d更靠X轴方向的正方向侧的区域没有设置过孔导体。因此，可抑制过孔导体因线路部12d弯曲而破损。另一方面，由于线路部12a、12c、12e设置有过孔导体BI?B4，因此，能够使这些部分中的接地电位稳定。
[0120]此外，根据高频信号线路10，能够实现薄型化。更详细而言，在高频信号线路10中，辅助接地导体24上设有开口 30。由此，信号线20与辅助接地导体24之间不易形成电容。因此，即使信号线路20与辅助接地导体24之间在ζ轴方向上的距离变小，信号线路20与辅助接地导体24之间形成的电容也不会过大。因此，信号线路20的特性阻抗不易偏离规定的特性阻抗(例如50 Ω )。其结果是，根据高频信号线路10，能将信号线路20的特性阻抗维持在规定的特性阻抗上，并能够实现薄型化。
[0121]此外，根据高频信号线路10，在高频信号线路10贴附于电池组206那样的金属体的情况下，能够抑制信号线路20的特性阻抗的变动。更详细而言，高频信号线路10以实心状的基准接地导体22位于信号线路20与电池组206之间的方式贴附于电池组206上。由此，信号线路20与电池组206就不会隔着开口相对，从而能够抑制信号线路20与电池组206之间形成电容。其结果是，能够抑制信号线路20的特性阻抗因将高频信号线路10贴附于电池组206而下降。
[0122](变形例I)
[0123]以下，参照附图对变形例I所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图14及图15是变形例I所涉及的高频信号线路1a的分解图。另外，对于变形例I所涉及的高频信号线路1a的外观立体图，引用图1来进行说明。
[0124]高频信号线路1a与高频信号线路10的不同点在于，在线路部12b、12d没有设置过孔导体BI?B4。接下来，以上述不同点为中心来说明高频信号线路10a。
[0125]如图14所示，线路部12b中，在线路导体20b的x轴方向的正方向侧及负方向侧没有设置过孔导体BI?B4。同样，如图15所示，线路部12d中，在线路导体20d的x轴方向的正方向侧及负方向侧没有设置过孔导体BI?B4。
[0126]在具有上述结构的高频信号线路1a中，线路部12a、12c、12e中设置有过孔导体BI?B4，但在发生扭转的线路部12b、12d中没有设置过孔导体。由此，能够更有效地抑制过孔导体的破损。
[0127](变形例2)
[0128]以下，参照附图对变形例2所涉及的高频信号线路的结构进行说明。图16至图20是变形例2所涉及的高频信号线路1b的分解图。另外，对于变形例2所涉及的高频信号线路1b的外观立体图，引用图1进行说明。
[0129]高频信号线路1b中，信号线路20和辅助接地导体24的形状与高频信号线路10不同。接下来，以上述不同点为中心来说明高频信号线路10b。
[0130]如图16和图17所示，辅助接地导体24的主要导体24a、24e上设有在X轴方向上延伸的呈平行四边形状的多个开口 30、32。更详细而言，主要导体24a、24e具有多个连接部70、72、边74、76、以及多个桥接部78、80、86、88。边74是构成主要导体24a的y轴方向负方向侧的边的线状导体，且沿X轴方向延伸。边76是构成主要导体24a的y轴方向正方向侧的边的线状导体，且沿X轴方向延伸。多个连接部70从边74向y轴方向的正方向侧突出，呈半圆状。多个连接部70在X轴方向上等间隔地排成一列。多个连接部72从边76向y轴方向的负方向侧突出，呈半圆状。多个连接部72在X轴方向上等间隔地排成一列。连接部70和连接部72设置于X轴方向上不同的位置处。本实施方式中，连接部70和连接部72在X轴方向上交替排列。并且，连接部72在X轴方向上位于在X轴方向上相邻的两个连接部70的中间。连接部70在X轴方向上位于在X轴方向上相邻的两个连接部72的中间。
[0131]桥接部78是以从连接部70向y轴方向的正方向侧前进的同时向X轴方向的正方向侧前进的方式倾斜的线状导体，且与边76相连接。桥接部80是以从连接部72向y轴方向的负方向侧前进的同时向X轴方向的负方向侧前进的方式倾斜的线状导体，且与边74相连接。桥接部78与桥接部80平行。由此，在被边74、76和桥接部78、80包围起来的区域中形成开口 30。
[0132]桥接部86是以从连接部72向y轴方向的负方向侧前进的同时向x轴方向的正方向侧前进的方式倾斜的线状导体，且与边74相连接。桥接部88是以从连接部70向y轴方向的正方向侧前进的同时向X轴方向的负方向侧前进的方式倾斜的线状导体，且与边76相连接。桥接部86与桥接部88平行。由此，在被边74、76和桥接部86、88包围起来的区域中形成开口 32。
[0133]这里，在主要导体24a、24e的边74上设有切口 Cl。切口 Cl设置于主要导体24a、24e中比连接部72更靠y轴方向的负方向侧。由此，边74在切口 Cl处分离。
[0134]另外，在主要导体24a、24e的边76上设有切口 C2。切口 C2设置于主要导体24a、24e中比连接部70更靠y轴方向的正方向侧。由此，边76在切口 C2处分离。
[0135]如图18所示，辅助接地导体24的主要导体24c上设有在x轴方向上延伸的呈平行四边形状的多个开口 30、32。主要导体24c具有以ζ轴为中心将主要导体24a、24e旋转180度而得到的结构。因此，省略对主要导体24c的详细说明。
[0136]如图19所示，辅助接地导体24的主要导体24b具有连接部72、边76以及多个桥接部80、86。边76是构成主要导体24b的x轴方向正方向侧的边的线状导体，且沿y轴方向延伸。连接部72从边76向X轴方向的负方向侧突出，呈半圆状。连接部72设置于边76的y轴方向的中央。
[0137]桥接部80是以从连接部72向X轴方向的负方向侧前进的同时向y轴方向的正方向侧前进的方式倾斜的线状导体。桥接部80与线路部12a的边74相连接。
[0138]桥接部86是以从连接部72向x轴方向的负方向侧前进的同时向y轴方向的负方向侧前进的方式倾斜的线状导体。桥接部86与线路部12c的边74相连接。
[0139]这里，主要导体24b中没有设置边74。由此，设置有切口 Cl。
[0140]如图20所示，辅助接地导体24的主要导体24d具有连接部70、边74以及多个桥接部78、88。边74是构成主要导体24d的x轴方向负方向侧的边的线状导体，且沿y轴方向延伸。连接部70从边74向X轴方向的正方向侧突出，呈半圆状。连接部70设置于边74的y轴方向的中央。
[0141]桥接部78是以从连接部70向X轴方向的正方向侧前进的同时向y轴方向的负方向侧前进的方式倾斜的线状导体。桥接部78与线路部12e的边76相连接。
[0142]桥接部88是以从连接部70向X轴方向的正方向侧前进的同时向y轴方向的正方向侧前进的方式倾斜的线状导体。桥接部88与线路部12c的边76相连接。
[0143]这里，主要导体24d中没有设置边76。由此，设置有切口 C2。
[0144]如图16至图20所示，多个过孔导体Bll在ζ轴方向上贯穿线路部18a_a、18a_c、18a-d、18a_e。如图16及图17所示，多个过孔导体Bll设置在线路部18a_a、18a_e中比线路部12a、12e的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的负方向侧，并在x轴方向上排列成一列。如图18所示，多个过孔导体Bll设置在线路部18a-c中比线路部12c的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的正方向侧，并在X轴方向上排列成一列。如图20所示，多个过孔导体Bll设置在线路部18a-d中比线路部12d的X轴方向的中心线L更靠X轴方向的负方向侦U。其中，过孔导体Bll如图19所示，未设置于线路部18a-b。
[0145]如图16至图20所示，多个过孔导体B12在ζ轴方向上贯穿线路部18b_a、18b_c、18b-d、18b-e。如图16及图17所示，多个过孔导体B12设置在线路部18b_a、18b_e中比线路部12a、12e的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的负方向侧，并在x轴方向上排列成一列。如图18所示，多个过孔导体B12设置在线路部18b-c中比线路部12c的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的正方向侧，并在X轴方向上排列成一列。如图20所示，多个过孔导体B12设置在线路部18b-d中比线路部12d的X轴方向的中心线L更靠X轴方向的负方向侦U。其中，过孔导体B12如图19所示，未设置于线路部18b-b。
[0146]过孔导体Bll与过孔导体B12通过相互连接来构成I根过孔导体，并将基准接地导体22和辅助接地导体24的连接部70相连接。过孔导体Bll、B12通过向形成于电介质片材18a、18b的贯通孔内填充金属材料而形成。
[0147]如图16至图20所示，多个过孔导体B13在ζ轴方向上贯穿线路部18a_a、18b_b、18a-c、18a_e。如图16及图17所示，多个过孔导体B13设置在线路部18a_a、18a_e中比线路部12a、12e的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的正方向侧，并在x轴方向上排列成一列。如图18所示，多个过孔导体B13设置在线路部18a-c中比线路部12c的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的负方向侧，并在X轴方向上排列成一列。如图19所示，多个过孔导体B13设置在线路部18a-b中比线路部12b的x轴方向的中心线L更靠x轴方向的正方向侦U。其中，过孔导体B13如图20所示，未设置于线路部18a-d。
[0148]如图16至图20所示，多个过孔导体B14在ζ轴方向上贯穿线路部18b_a、18b_b、18b-c、18b-e。如图16及图17所示，多个过孔导体B14设置在线路部18b_a、18b_e中比线路部12a、12e的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的正方向侧，并在x轴方向上排列成一列。如图18所示，多个过孔导体B14设置在线路部18b-c中比线路部12c的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的负方向侧，并在X轴方向上排列成一列。如图19所示，多个过孔导体B14设置在线路部18b-b中比线路部12b的X轴方向的中心线L更靠X轴方向的正方向侦U。其中，过孔导体B14如图20所示，未设置于线路部18b-d。
[0149]过孔导体B13与过孔导体B14通过相互连接来构成I根过孔导体，并将基准接地导体22和辅助接地导体24的连接部72相连接。过孔导体B13、B14通过向形成于电介质片材18a、18b的贯通孔内填充金属材料而形成。
[0150]下面，将高频信号线路1b的线路部12a、12c、12e中设置有过孔导体Bll、B12的区间称为区间A2。高频信号线路1b的线路部12a、12c、12e中，区间A2是指在y轴方向上与过孔导体B11、B12重叠的区域。将高频信号线路1b的线路部12a、12c、12e中设置有过孔导体B13、B14的区间称为区间A3。区间A3是指在y轴方向上与过孔导体B13、B14重叠的区域。
[0151]这里，过孔导体Bll、B12与过孔导体B13、B14设置于线路部12a、12c、12e中在x轴方向上不同的位置。本实施方式中，过孔导体Bll、B12和过孔导体B13、B14在x轴方向上交替排列。于是，过孔导体Bll、B12在X轴方向上位于在X轴方向上相邻的两个过孔导体B13、B14的中间。过孔导体B13、B14在x轴方向上位于在x轴方向上相邻的两个过孔导体B11、B12的中间。
[0152]将高频信号线路1b的线路部12a、12c、12e中被区间A2和区间A3夹住的区间称为区间Al。区间Al是没有设置过孔导体Bll?B14的区间。
[0153]这里，信号线路20如图16至图20所示，如蛇行般延伸。首先，对线路部12a、12e中的线路导体20a、20e进行说明。
[0154]区间Al中的线路导体20a、20e位于比区间A2中的线路导体20a、20e更靠y轴方向的负方向侧。并且，区间Al中的线路导体20a、20e位于比区间A3中的线路导体20a、20e更靠I轴方向的正方向侧。由此，信号线路20在过孔导体B11、B12及过孔导体B13、B14之间迂回走线。
[0155]此外，线路导体20a、20e具有粗线部50、52、54和细线部56、58、60、62。粗线部50、52、54的线宽为线宽W1。细线部56、58、60、62的线宽为线宽W2。线宽Wl大于线宽W2。粗线部50在区间Al中，在线路部18b-a、18b-e的y轴方向的中心线L上沿x轴方向延伸。在从ζ轴方向俯视时，粗线部50与开口 30、32重叠。由此，从ζ轴方向俯视时，粗线部50不与辅助接地导体24重叠。
[0156]粗线部52在区间A2中，在比线路部18b_a、18b_e的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的正方向侧沿X轴方向延伸。其中，粗线部52的X轴方向的两端伸出到区间Al。在从ζ轴方向俯视时，粗线部52与切口 C2重叠。由此，从ζ轴方向俯视时，粗线部52不与辅助接地导体24重叠。
[0157]粗线部54在区间A3中，在比线路部18b_a、18b_e的y轴方向的中心线L更靠y轴方向的负方向侧沿X轴方向延伸。其中，粗线部54的X轴方向的两端伸出到区间Al。在从ζ轴方向俯视时，粗线部54与切口 Cl重叠。由此，从ζ轴方向俯视时，粗线部54不与辅助接地导体24重叠。上述粗线部50、52、54的两端呈锥形。
[0158]细线部56在区间Al中连接粗线部52的x轴方向的正方向侧端部与粗线部50的X轴方向的负方向侧端部。细线部56以向y轴方向的负方向侧前进的同时向X轴方向的正方向侧前进的方式倾斜。如图16和图17所示，在从y轴方向俯视时，细线部56与桥接部
78重叠。
[0159]细线部58在区间Al中连接粗线部50的x轴方向的正方向侧端部与粗线部54的X轴方向的负方向侧端部。细线部58以向y轴方向的负方向侧前进的同时向X轴方向的正方向侧前进的方式倾斜。如图16和图17所示，在从y轴方向俯视时，细线部58与桥接部
80重叠。
[0160]细线部60在区间Al中连接粗线部50的x轴方向的正方向侧端部与粗线部52的X轴方向的负方向侧端部。细线部60以向y轴方向的正方向侧前进的同时向X轴方向的正方向侧前进的方式倾斜。如图16和图17所示，在从y轴方向俯视时，细线部60与桥接部
88重叠。
[0161]细线部62在区间Al中连接粗线部54的x轴方向的正方向侧端部与粗线部50的X轴方向的负方向侧端部。细线部62以向y轴方向的正方向侧前进的同时向X轴方向的正方向侧前进的方式倾斜。如图16和图17所示，在从y轴方向俯视时，细线部62与桥接部
86重叠。
[0162]接着，对线路部12c中的线路导体20c进行说明。线路导体20c具有以ζ轴为中心将线路导体20a、20e旋转180度而得到的结构。因此，省略对线路导体20c的详细说明。
[0163]接着，对线路部12b中的线路导体20b进行说明。如图19所示，线路导体20b在过孔导体B13、B14间迂回走线。更详细而言，线路导体20b具有粗线部54和细线部58、62。粗线部54的线宽为线宽W1。细线部58、62的线宽为线宽W2。线宽Wl大于线宽W2。
[0164]粗线部54在线路部12b的y轴方向的中央，在比线路部18b_b的x轴方向的中心线L更靠X轴方向的负方向侧沿I轴方向延伸。在从ζ轴方向俯视时，粗线部54与切口 Cl重叠。由此，从ζ轴方向俯视时，粗线部54不与辅助接地导体24重叠。上述粗线部54的两端呈锥形。
[0165]细线部58连接粗线部54的y轴方向的正方向侧端部与线路部12a的粗线部50的X轴方向的正方向侧端部。如图19所示，在从y轴方向俯视时，细线部58与桥接部80重叠。
[0166]细线部62连接粗线部54的y轴方向的负方向侧端部与线路部12c的粗线部50的X轴方向的正方向侧端部。如图19所示，在从y轴方向俯视时，细线部62与桥接部86重叠。
[0167]接着，对线路部12d中的线路导体20d进行说明。如图20所示，线路导体20d在过孔导体B11、B12之间迂回走线。更详细而言，线路导体20d具有粗线部52和细线部56、60。粗线部52的线宽为线宽W1。细线部56、60的线宽为线宽W2。线宽Wl大于线宽W2。
[0168]粗线部52在线路部12d的y轴方向的中央，在比线路部18b_d的x轴方向的中心线L更靠X轴方向的正方向侧沿I轴方向延伸。在从ζ轴方向俯视时，粗线部52与切口 C2重叠。由此，从ζ轴方向俯视时，粗线部52不与辅助接地导体24重叠。上述粗线部52的两端呈锥形。
[0169]细线部56连接粗线部52的y轴方向的负方向侧端部与线路部12e的粗线部50的X轴方向的负方向侧端部。如图20所示，在从y轴方向俯视时，细线部56与桥接部78重叠。
[0170]细线部60连接粗线部52的y轴方向的正方向侧端部与线路部12c的粗线部50的X轴方向的负方向侧端部。如图20所示，在从y轴方向俯视时，细线部60与桥接部88重叠。
[0171](效果)
[0172]根据具有上述结构的高频信号线路10b，与高频信号线路10相同，能够抑制过孔导体的破损。根据高频信号线路10b，无需像高频信号线路10那样沿着信号线路20各形成两个过孔导体。因此，能够增大信号线路20的宽度，从而能够减少传输损耗。此外，也无需像高频信号线路10那样在线路部12b、12d中采用不同的过孔导体的配置平衡。因此，在线路部12b、12d中，能够抑制与其他线路部的接地电位的失衡。
[0173](变形例3)
[0174]以下，参照附图对变形例3所涉及的高频信号线路进行说明。图21是从ζ轴方向俯视变形例3所涉及的高频信号线路1c所得的图。图21中，用虚线表示线路部12a?12e的边界。
[0175]高频信号线路1c与高频信号线路10的不同之处在于，线路部12a?12c的连接部分以及线路部12c?12e的连接部分的结构。接下来，以上述不同点为中心来说明高频?目号线路10c。
[0176]由线路部12a?12c连接而形成的内周部分冲压成圆形。由此，形成圆形的孔H1。同样地，由线路部12c?12e连接而形成的内周部分冲压成圆形。由此，形成圆形的孔H2。
[0177]在具有上述结构的高频信号线路1c中，与高频信号线路10相同，能够抑制过孔导体BI?B4的破损。
[0178]此外，在高频信号线路1c中，由线路部12a?12c连接而形成的内周部分不存在角部。因此，在线路部12b发生扭转时，可抑制线路部12b从内周部分的角部开始破损。
[0179]同样地，由线路部12c?12e连接而形成的内周部分不存在角部。因此，在线路部12d发生扭转时，可抑制线路部12d从内周部分的角部开始破损。
[0180](变形例4)
[0181]以下，参照附图对变形例4所涉及的高频信号线路进行说明。图22是从ζ轴方向俯视变形例4所涉及的高频信号线路1d所得的图。图22中，用虚线表示线路部12a?12e的边界。
[0182]高频信号线路1d与高频信号线路1c的不同之处在于孔Hl、H2的位置。接下来，以上述不同点为中心来说明高频信号线路10d。
[0183]高频信号线路1d的孔Hl设置于比高频信号线路1c的孔Hl更靠y轴方向的正方向侧。由此，在高频信号线路1d中，孔Hl不突出至线路部12c，而仅突出至线路部12a。
[0184]此外，高频信号线路1d的孔H2设置于比高频信号线路1c的孔H2更靠y轴方向的负方向侧。由此，在高频信号线路1d中，孔H2不突出至线路部12c，而仅突出至线路部 12e。
[0185]在具有上述结构的高频信号线路1d中，与高频信号线路1c相同，能够抑制过孔导体BI?B4的破损。
[0186]此外，在高频信号线路1d中，由线路部12a?12c连接而形成的内周部分不存在角部。因此，在线路部12b发生扭转时，可抑制线路部12b从内周部分的角部开始破损。
[0187]同样地，由线路部12c?12e连接而形成的内周部分不存在角部。因此，在线路部12d发生扭转时，可抑制线路部12d从内周部分的角部开始破损。
[0188]此外，由于孔H1、H2不突出至线路部12c，因此，能够将高频信号线路1d的孔H1、H2的直径设置为小于高频信号线路1c的孔Hl、H2的直径。由此，在线路部12c内，信号线路20、基准接地导体22、辅助接地导体24以及过孔导体BI?B4的设计自由度变高。
[0189](变形例5)
[0190]下面，参照附图，对变形例5所涉及的高频信号线路1e进行说明。图23是从ζ轴方向俯视变形例5所涉及的高频信号线路1e所得的图。图24是多个高频信号线路1e的集合体即母层叠体300的俯视图。图23中，用虚线表示线路部12a?12e的边界。
[0191]高频信号线路1e与高频信号线路10的不同点在于外边缘呈长方形。接下来，以上述不同点为中心来说明高频信号线路10e。
[0192]高频信号线路1e中，在比电介质坯体12的y轴方向的中心更靠y轴方向的正方向侧设置有沿X轴方向延伸的切割线CU。切割线Cll从电介质坯体12的X轴方向的负方向侧的短边开始向X轴方向的正方向侧延伸。但是，切割线Cll不到达电介质坯体12的X轴方向正方向侧的短边。由此，形成线路部12a?12c。
[0193]此外，高频信号线路1e中，在比电介质坯体12的y轴方向的中心更靠y轴方向的负方向侧设置有沿X轴方向延伸的切割线C12。切割线C12从电介质坯体12的X轴方向的正方向侧的短边开始向X轴方向的负方向侧延伸。但是，切割线C12不到达电介质坯体12的X轴方向负方向侧的短边。由此，形成线路部12c?12e。
[0194]在具有上述结构的高频信号线路1e中，也与高频信号线路1a相同，可抑制过孔导体的破损。
[0195]此外，高频信号线路1e呈长方形。因此，如图24所示，在母层叠体300中能以不形成间隙的方式将高频信号线路1e排列成矩阵状。其结果是，能够由母层叠体300来制作更多的高频信号线路10e。
[0196](变形例6)
[0197]下面，参照附图，对变形例6所涉及的高频信号线路1f进行说明。图25是从ζ轴方向俯视变形例6所涉及的高频信号线路1f所得的图。图25中，用虚线表示线路部12a?12e的边界。
[0198]高频信号线路1f与高频信号线路1e的不同点在于，在切割线Cll的x轴方向的正方向侧端部形成有孔H4，在切割线C12的X轴方向的负方向侧端部形成有孔H5。
[0199]在具有上述结构的高频信号线路1f中，也与高频信号线路1e相同，可抑制过孔导体BI?B4的破损。
[0200]高频信号线路1f中，通过在切割线Cll的X轴方向的正方向侧端部设置圆形的孔H4，能够在线路部12b发生扭转时抑制线路部12b的破损。
[0201]同样地，通过在切割线C12的X轴方向的负方向侧端部设置圆形的孔H5，能够在线路部12d发生扭转时抑制线路部12d的破损。
[0202](变形例7)
[0203]下面，参照附图，对变形例7所涉及的高频信号线路1g进行说明。图26是从ζ轴方向俯视变形例7所涉及的高频信号线路1g所得的图。图26中，用虚线表示线路部12a?12e的边界。
[0204]高频信号线路1g中，切割线C11、C12的形状与高频信号线路1e不同。接下来，以上述不同点为中心来说明高频信号线路log。
[0205]高频信号线路1g中，切割线C11、C12呈L字型。更详细而言，切割线Cll在电介质坯体12的X轴方向的负方向侧，在从y轴方向的负方向侧的角部附近向y轴方向的正方向侧延伸后，向X轴方向的正方向侧弯折。并且，以在线路部12a与线路部12c之间形成间隙的方式进行冲压。
[0206]切割线C12在电介质坯体12的X轴方向的正方向侧，在从y轴方向的正方向侧的角部附近向y轴方向的负方向侧延伸后，向X轴方向的负方向侧弯折。并且，以在线路部12c与线路部12e之间形成间隙的方式进行冲压。
[0207]在具有上述结构的高频信号线路1g中，也与高频信号线路1e相同，可抑制过孔导体BI?B4的破损。
[0208](变形例8)
[0209]下面，参照附图，对变形例8所涉及的高频信号线路1h进行说明。图27是从ζ轴方向俯视变形例8所涉及的高频信号线路1h所得的图。图27中，用虚线表示线路部12a?12e的边界。
[0210]高频信号线路1h与高频信号线路1g的不同点在于，连接部12f与线路部12d之间形成有间隙，以及连接部12g与线路部12b之间形成有间隙。
[0211]在具有上述结构的高频信号线路1h中，也与高频信号线路1g相同，可抑制过孔导体BI?B4的破损。
[0212](变形例9)
[0213]下面，参照附图，对变形例9所涉及的高频信号线路1i进行说明。图28是从ζ轴方向俯视变形例9所涉及的高频信号线路1i所得的图。图28中，用虚线表示线路部12a?12e的边界。
[0214]高频信号线路1i的X轴方向的长度与高频信号线路1h不同。具体而言，高频信号线路1i的X轴方向的长度比高频信号线路1h的X轴方向的长度要长。
[0215]在具有上述结构的高频信号线路1i中，也与高频信号线路1g相同，可抑制过孔导体BI?B4的破损。
[0216](变形例10)
[0217]下面，参照附图，对变形例10所涉及的高频信号线路1j进行说明。图29A是从ζ轴方向俯视变形例10所涉及的高频信号线路1j的线路部12a?12c所得的图。图29B是从ζ轴方向俯视变形例10所涉及的高频信号线路1j的线路部12c?12e所得的图。
[0218]高频信号线路1j中，过孔导体的间隔与高频信号线路1a不同。接下来，以上述不同点为中心来说明高频信号线路10j。
[0219]如图29A所示，将线路部12a中设置为最靠近x轴方向的正方向侧的端部的过孔导体称为过孔导体Ba。此外，将线路部12c中设置为最靠近X轴方向的正方向侧的端部的过孔导体称为过孔导体Bb。并且，将信号线路20中最接近过孔导体Ba的部分设为部分Pa。将信号线路20中最接近过孔导体Bb的部分设为部分Pb。此时，部分Pa与部分Pb之间的信号线路20的长度La优选为在信号线路20所传输的高频信号的波长的1/2以下，更优选在1/4以下。例如，当高频信号的频率为2GHz时，对于部分Pa与部分Pb之间的信号线路20的长度La为高频信号的1/4以下的情况，该长度La在0.0375m以下。
[0220]如图29B所示，将线路部12c中设置为最靠近x轴方向的负方向侧的端部的过孔导体称为过孔导体Be。此外，将线路部12e中设置为最靠近X轴方向的负方向侧的端部的过孔导体称为过孔导体Bd。并且，将信号线路20上最接近过孔导体Be的部分设为部分Pc。将信号线路20上最接近过孔导体Bd的部分设为部分Pd。此时，部分Pc与部分Pd之间的信号线路20的长度Lb优选为在信号线路20所传输的高频信号的波长的1/2以下，更优选在1/4以下。例如，当高频信号的频率为2GHz时，对于部分Pc与部分Pd之间的信号线路20的长度Lb为高频信号的1/4以下的情况，该长度Lb在0.0375m以下。
[0221]根据具有上述结构的高频信号线路10j，与高频信号线路1a相同，能够更有效地抑制过孔导体的破损。
[0222]此外，根据高频信号线路10j，可抑制从线路部12b、12d及其附近向X轴方向和y轴方向辐射噪声。下面，以线路部12b为例进行说明。如图29A所示，在部分Pa、Pb中，由于过孔导体Ba、Bb接近于信号线路20，因此在它们之间形成有电容。因此，部分Pa、Pb中的信号线路20的特性阻抗低于部分Pa与部分Pb之间的信号线路20的特性阻抗。由此，部分Pa、Pb中产生高频信号的反射，部分Pa与部分Pb之间产生以部分Pa、Pb为波腹的驻波。这种驻波可能会引起噪声。
[0223]然而，在高频信号线路1j中，部分Pa与部分Pb之间的信号线路20的长度La为信号线路20所传输的高频信号的波长的1/2以下。因此，可抑制在部分Pa与部分Pb之间产生驻波。其结果是，可抑制从线路部12b及其附近向X轴方向和y轴方向辐射噪声。根据相同的理由，可抑制从线路部12d及其附近向X轴方向和y轴方向辐射噪声。
[0224]此外，高频信号线路1j中，在线路部12b、12d及其附近，可抑制噪声混入信号线路20所传输的高频信号中。下面，以线路部12b及其附近为例进行说明。
[0225]由于基准接地导体22和辅助接地导体24从ζ轴方向的两侧夹住信号线路20，因此可抑制噪声从信号线路20向ζ轴方向辐射。另一方面，在信号线路20的X轴方向或y轴方向上只存在过孔导体。因此，噪声易于从信号线路20向X轴方向或y轴方向辐射。
[0226]此处，在线路部12a与线路部12b的连接部分，线路部12a的线路导体20a与线路部12b的线路导体20相接近。因此，如图29A的箭头M所示，若噪声从线路部12a向x轴方向或y轴方向辐射，则有可能会混入到信号线路12b所传输的高频信号中。同样地，如图29A的箭头M所示，若噪声从线路部12b向X轴方向或y轴方向辐射，则有可能会混入到信号线路12a所传输的高频信号中。其结果是，线路部12a与线路部12b进行电磁场耦合，从而可能会产生传输损耗。
[0227]然而，在高频信号线路1j中，部分Pa与部分Pb之间的信号线路20的长度La为信号线路20所传输的高频信号的波长的1/4以下。因此，在部分Pa与部分Pb之间，可抑制产生频率为信号线路20所传输的高频信号的2倍以下的驻波。例如，当信号线路20所传输的高频信号的频率为2GHz时，可抑制产生4GHz以下的驻波。当信号线路20所传输的高频信号的频率为2GHz时，通常在信号线路20中传输具有IGHz?3GHz带宽的高频信号。由此，通过抑制产生4GHz以下的驻波，从而抑制了频率在信号线路20所传输的高频信号的频带内的噪声的产生。其结果是，高频信号线路1j中，在线路部12b及其附近，可抑制噪声混入信号线路20所传输的高频信号中。根据相同的理由，在线路部12d及其附近，可抑制噪声混入信号线路20所传输的高频信号中。
[0228](变形例11)
[0229]下面，参照附图，对变形例11所涉及的高频信号传输线路1k进行说明。图30A是从ζ轴方向俯视变形例11所涉及的高频信号线路1k的线路部12a?12c所得的图。图30B是从ζ轴方向俯视变形例11所涉及的高频信号线路1k的线路部12c?12e所得的图。
[0230]高频信号线路1k中，过孔导体的间隔与高频信号线路1b不同。接下来，以上述不同点为中心来说明高频信号线路10k。
[0231]如图30A所示，将线路部12a中设置为最靠近x轴方向的正方向侧的端部的过孔导体称为过孔导体Be。此外，将线路部12c中设置为最靠近X轴方向的正方向侧的端部的过孔导体称为过孔导体Bf。将线路部12b中设置为最靠近该线路部12a的过孔导体称为过孔导体Bg。对于线路部12b中的过孔导体，仅设置有过孔导体Bg。因此，过孔导体Bg在线路部12b中设置为最靠近该线路部12c。
[0232]并且，将信号线路20中最接近过孔导体Be的部分设为部分Pe。将信号线路20中最接近过孔导体Bf的部分设为部分Pf。将信号线路20中最接近过孔导体Bg的部分设为部分Pg。此时，部分Pe与部分Pg之间的信号线路20的长度Lc优选为在信号线路20所传输的高频信号的波长的1/2以下，更优选在1/4以下。同样，部分Pf与部分Pg之间的信号线路20的长度Ld优选为在信号线路20所传输的高频信号的波长的1/2以下，更优选在1/4以下。
[0233]如图30B所示，将线路部12c中设置为最靠近x轴方向的负方向侧的端部的过孔导体称为过孔导体Bh。将线路部12e中设置为最靠近X轴方向的负方向侧的端部的过孔导体称为过孔导体Bi。此外，将线路部12d中设置为最靠近该线路部12c的过孔导体称为过孔导体Bj。对于线路部12d中的过孔导体，仅设置有过孔导体Bj。因此，过孔导体Bj在线路部12d中设置为最靠近该线路部12e。
[0234]并且，将信号线路20中最接近过孔导体Bh的部分设为部分Ph。将信号线路20中最接近过孔导体Bi的部分设为部分Pi。将信号线路20中最接近过孔导体Bj的部分设为部分Pj。此时，部分Ph与部分Pj之间的信号线路20的长度Le优选为在信号线路20所传输的高频信号的波长的1/2以下，更优选在1/4以下。同样，部分Pi与部分Pj之间的信号线路20的长度Lf优选为在信号线路20所传输的高频信号的波长的1/2以下，更优选在1/4以下。
[0235]根据具有上述结构的高频信号线路10k，与高频信号线路1b相同，能够更有效地抑制过孔导体的破损。
[0236]此外，根据高频信号线路10k，可抑制从线路部12b、12d及其附近向X轴方向和y轴方向辐射噪声。下面，以线路部12b为例进行说明。如图30A所示，在部分Pe、Pg中，由于过孔导体Be、Bg接近于信号线路20，因此在它们之间形成有电容。因此，部分Pe、Pg中的信号线路20的特性阻抗低于部分Pe与部分Pg之间的信号线路20的特性阻抗。由此，部分Pe、Pg中产生高频信号的反射，部分Pe与部分Pg之间产生以部分Pe、Pg为波腹的驻波。这种驻波可能会引起噪声。
[0237]然而，在尚频信号线路1k中，部分Pe与部分Pg之间的信号线路20的长度Lc为信号线路20所传输的高频信号的波长的1/2以下。因此，可抑制在部分Pe与部分Pg之间产生驻波。根据相同的理由，可抑制在部分Pf与部分Pg之间产生驻波。其结果是，可抑制从线路部12b及其附近向X轴方向和I轴方向辐射噪声。根据相同的理由，可抑制从线路部12d及其附近向X轴方向和y轴方向辐射噪声。
[0238]此外，高频信号线路1k中，在线路部12b、12d及其附近，可抑制噪声混入信号线路20所产生的高频信号中。下面，以线路部12b及其附近为例进行说明。
[0239]由于基准接地导体22和辅助接地导体24从z轴方向的两侧夹住信号线路20，因此可抑制噪声从信号线路20向z轴方向辐射。另一方面，在信号线路20的X轴方向或y轴方向上只存在过孔导体。因此，噪声易于从信号线路20向X轴方向或y轴方向辐射。
[0240]此处，在线路部12a与线路部12b的连接部分，线路部12a的线路导体20a与线路部12b的线路导体20b相接近。因此，如图30A的箭头M所示，若噪声从线路部12a向x轴方向或y轴方向辐射，则有可能会混入到信号线路12b所传输的高频信号中。同样地，如图30A的箭头M所示，若噪声从线路部12b向X轴方向或y轴方向辐射，则有可能会混入到信号线路12a所传输的高频信号中。其结果是，线路部12a与线路部12b进行电磁场耦合，从而可能会产生传输损耗。
[0241]然而，在高频信号线路1k中，部分Pe与部分Pg之间的信号线路20的长度Lc为信号线路20所传输的高频信号的波长的1/4以下。因此，在部分Pe与部分Pg之间，可抑制产生频率为信号线路20所传输的高频信号的2倍以下的驻波。根据相同的理由，在部分Pf与部分Pg之间，可抑制产生频率为信号线路20所传输的高频信号的2倍以下的驻波。例如，当信号线路20所传输的高频信号的频率为2GHz时，可抑制产生4GHz以下的驻波。当信号线路20所传输的高频信号的频率为2GHz时，通常在信号线路20中传输具有IGHz?3GHz带宽的高频信号。由此，通过抑制产生4GHz以下的驻波，从而抑制了频率在信号线路20所传输的高频信号的频带内的噪声的产生。其结果是，高频信号线路1k中，在线路部12b及其附近，可抑制噪声混入信号线路20所传输的高频信号中。根据相同的理由，在线路部12d及其附近，可抑制噪声混入信号线路20所传输的高频信号中。
[0242]另外，在线路部12b也可以设置多个过孔导体B13、B14。同样地，在线路部12d也可以设置多个过孔导体Bll、B12。
[0243](其它实施方式)
[0244]本实用新型所涉及的高频信号线路不限于高频信号线路10、10a?10k，可在其要旨范围内进行变更。
[0245]另外，也可以对高频信号线路10、10a?1k的结构进行组合。
[0246]保护层14是通过丝网印刷来形成的，但也可以通过光刻工序形成。
[0247]另外，在高频信号线路10，1a?1k中，也可以不安装连接器100a，100b。这种情况下，高频信号线路10、1a?1k的端部通过焊料等与电路基板相连接。另外，也可以只在高频信号线路10、10a?1k的一个端部安装连接器100a。
[0248]此外，还可以使用通孔导体来代替过孔导体。通孔导体是指利用镀敷等方法在设置于电介质坯体12的贯通孔的内周面上形成导体而得到的层间连接部。
[0249]另外，也可以不在辅助接地导体24上设置开口 90。
[0250]另外，过孔导体BI?B4无需设置于所有的线路部12a、12b、12e，也可以仅设置于至少一个线路部。其中，为了稳定接地电位，优选将过孔导体BI?B4设置于所有的线路部12a、12b、12e0
[0251]此外，高频信号线路10、10a?1k也可用作为天线前端模块等RF电路基板中的高频信号线路。
[0252]工业上的实用性
[0253]如上所述，本实用新型适用于高频信号线路以及具备该高频信号线路的电子设备，尤其在能抑制层间连接导体破损这一点上较为优异。
[0254]标号说明
[0255]BI?B4，Bll?B14过孔导体
[0256]10、10a?1k高频信号线路
[0257]12电介质坯体
[0258]12a?12g线路部
[0259]14保护层
[0260]18a?18c电介质片材
[0261]20信号线路
[0262]22基准接地导体
[0263]24辅助接地导体
[0264]30、32 开口
[0265]10aUOOb 连接器
[0266]200电子设备
【权利要求】
1.一种高频信号线路，其特征在于，包括: 电介质还体，该电介质还体由具有可烧性的多个电介质片材层叠而构成，包括:在规定方向上延伸的第I线路部；沿该第I线路部延伸的第2线路部；以及连接该第I线路部的该规定方向的一侧的端部和该第2线路部的该规定方向的一侧的端部，且比该第I线路部和该第2线路部短的第3线路部； 信号线路，该信号线路沿所述第I线路部、所述第2线路部、以及所述第3线路部延伸；第I接地导体，该第I接地导体设置在所述电介质坯体中比所述信号线路更靠层叠方向的一侧，由此与该信号线路相对； 第2接地导体，该第2接地导体设置在所述电介质坯体中比所述信号线路更靠层叠方向的另一侧，由此与该信号线路相对；以及 一个以上的层间连接导体，该一个以上的层间连接导体设置于所述第I线路部和所述第2线路部中的至少一个，且贯穿所述电介质片材，由此来连接所述第I接地导体和所述第2接地导体， 在所述第3线路部中，从层叠方向俯视时，在比所述信号线路更靠所述规定方向的另一侧没有设置所述层间连接导体。2.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第3线路部中未设置所述层间连接导体。3.如权利要求2所述的高频信号线路，其特征在于， 将所述第I线路部中设置为最靠近所述规定方向上的一侧端部的所述层间连接导体设为第I层间连接导体，将所述第2线路部中设置为最靠近该规定方向上的一侧端部的所述层间连接导体设为第2层间连接导体， 所述信号线路中最接近于所述第I层间连接导体的第I部分、与该信号线路中最接近于所述第2层间连接导体的第2部分之间的该信号线路的长度为该信号线路所传输的电磁波的波长的1/4以下。4.如权利要求1至3的任一项所述的高频信号线路，其特征在于， 所述电介质坯体还包括:第4线路部，该第4线路部相对于所述第2线路部设置于所述第I线路部的相反侧，且沿该第2线路部延伸；以及第5线路部，该第5线路部连接该第2线路部的所述规定方向上的另一侧端部与该第4线路部的该规定方向上的另一侧端部，且比该第2线路部和该第4线路部要短， 在所述第5线路部中，从层叠方向俯视时，在比所述信号线路更靠所述规定方向的一侧没有设置所述层间连接导体。5.如权利要求4所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第5线路部中未设置所述层间连接导体， 将所述第2线路部中设置为最靠近所述规定方向上的另一侧端部的所述层间连接导体设为第3层间连接导体，将所述第4线路部中设置为最靠近该规定方向上的另一侧端部的所述层间连接导体设为第4层间连接导体， 所述信号线路中最接近于所述第3层间连接导体的第3部分、与该信号线路中最接近于所述第4层间连接导体的第4部分之间的该信号线路的长度为该信号线路所传输的电磁波的波长的1/4以下。6.如权利要求4所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第I线路部向所述规定方向的另一侧拉伸，且所述第5线路部向该规定方向的一侧拉伸。7.如权利要求5所述的高频信号线路，其特征在于， 所述第I线路部向所述规定方向的另一侧拉伸，且所述第5线路部向该规定方向的一侧拉伸。8.如权利要求1所述的高频信号线路，其特征在于， 所述层间连接导体设置于所述第I线路部至所述第3线路部， 将所述第I线路部中设置为最靠近所述规定方向上的一侧端部的所述层间连接导体设为第5层间连接导体，将所述第3线路部中设置为最靠近该第I线路部的所述层间连接导体设为第6层间连接导体， 所述信号线路中最接近于所述第5层间连接导体的第5部分、与该信号线路中最接近于所述第6层间连接导体的第6部分之间的该信号线路的长度为该信号线路所传输的电磁波的波长的1/4以下。9.如权利要求8所述的高频信号线路，其特征在于， 将所述第2线路部中设置为最靠近所述规定方向上的一侧端部的所述层间连接导体设为第7层间连接导体，将所述第3线路部中设置为最靠近该第2线路部的所述层间连接导体设为第8层间连接导体， 所述信号线路中最接近于所述第7层间连接导体的第7部分、与该信号线路中最接近于所述第8层间连接导体的第8部分之间的该信号线路的长度为该信号线路所传输的电磁波的波长的1/4以下。10.如权利要求8或9所述的高频信号线路，其特征在于， 所述电介质坯体还包括:第4线路部，该第4线路部相对于所述第2线路部设置于所述第I线路部的相反侧，且沿该第2线路部延伸；以及第5线路部，该第5线路部连接该第2线路部的所述规定方向上的另一侧端部与该第4线路部的该规定方向上的另一侧端部，且比该第2线路部和该第4线路部要短， 在所述第5线路部中，从层叠方向俯视时，在比所述信号线路更靠所述规定方向的一侧没有设置所述层间连接导体， 所述层间连接导体设置于所述第2线路部、所述第4线路部以及所述第5线路部， 将所述第2线路部中设置为最靠近所述规定方向上的另一侧端部的所述层间连接导体设为第9层间连接导体，将所述第5线路部中设置为最靠近该第2线路部的所述层间连接导体设为第10层间连接导体， 所述信号线路中最接近于所述第9层间连接导体的第9部分、与该信号线路中最接近于所述第10层间连接导体的第10部分之间的该信号线路的长度为该信号线路所传输的电磁波的波长的1/4以下。11.如权利要求10所述的高频信号线路，其特征在于， 将所述第4线路部中设置为最靠近所述规定方向上的另一侧端部的所述层间连接导体设为第11层间连接导体，将所述第5线路部中设置为最靠近该第4线路部的所述层间连接导体设为第12层间连接导体， 所述信号线路中最接近于所述第11层间连接导体的第11部分、与该信号线路中最接近于所述第12层间连接导体的第12部分之间的该信号线路的长度为该信号线路所传输的电磁波的波长的1/4以下。12.—种电子设备，其特征在于，包括: 壳体；以及 高频信号线路，该高频信号线路收纳于所述壳体， 所述高频信号线路包括: 电介质还体，该电介质还体由具有可烧性的多个电介质片材层叠而构成，包括:在规定方向上延伸的第I线路部；沿该第I线路部延伸的第2线路部；以及连接该第I线路部的该规定方向的一侧的端部和该第2线路部的该规定方向的一侧的端部，且比该第I线路部和该第2线路部短的第3线路部； 信号线路，该信号线路沿所述第I线路部、所述第2线路部、以及所述第3线路部延伸；第I接地导体，该第I接地导体设置在所述电介质坯体中比所述信号线路更靠层叠方向的一侧，由此与该信号线路相对； 第2接地导体，该第2接地导体设置在所述电介质坯体中比所述信号线路更靠层叠方向的另一侧，由此与该信号线路相对；以及 一个以上的层间连接导体，该一个以上的层间连接导体设置于所述第I线路部和所述第2线路部中的至少一个，且贯穿所述电介质片材，由此来连接所述第I接地导体和所述第2接地导体， 在所述第3线路部中，从层叠方向俯视时，在比所述信号线路更靠所述规定方向的另一侧没有设置所述层间连接导体。
【文档编号】H01P3-08GK204303962SQ201390000422
【发明者】佐佐木怜, 若林祐贵 [申请人]株式会社村田制作所