刻蚀剂烟排出装置的制作方法

文档序号:7133766阅读:173来源:国知局
专利名称:刻蚀剂烟排出装置的制作方法
技术领域
本发明涉及一种湿法刻蚀系统,更具体来说,涉及一种刻蚀剂烟排出装置,其安装在用于制造液晶显示装置的刻蚀过程中所用的刻蚀系统中,以将气态和液态的刻蚀剂排出所述系统,从而避免对该刻蚀系统的污染和腐蚀。
背景技术
随着近来半导体器件制造工业中技术的快速发展,已经生产出更薄、更亮的改进的液晶显示(LCD)装置产品。直至现在,CRT(阴极射线管)仍广泛用于显示装置,其具有功能和价格上的优点,但同时也具有许多缺点,包括在小型化和便携性方面的困难。
相反,与CRT相比,LCD装置有许多优点,尤其对于移动设备而言。这些优点包括可以将所述装置小型化,所述装置相对较轻,以及所述装置具有相对较低的功耗。LCD装置变得如此普通,以至于其正在取代传统的CRT装置,尤其当LCD装置克服了CRT的上述问题时。现在,在几乎所有需要显示装置的信息处理系统中,都使用了LCD装置。
同时,LCD装置的一个驱动原理是其液晶材料的光学各向异性和极化属性。由于液晶材料的结构薄而且长,根据施加到具有特定的取向和极化的液晶材料上的电场,可以调节液晶材料的分子排列方向。
因此,通过任意地调节所述排列方向,根据由液晶材料的光学各向异性所致的液晶分子的排列方向,可以透过光或阻碍光,从而显示色彩和图像。
典型地,LCD装置包括第一基板(薄膜晶体管基板)和第二基板(滤色器基板),二者被分离开来并彼此面对面地布置。
LCD装置的第一基板的制备过程的一个示例说明如下。
首先,将金属层淀积在一透明玻璃基板上,并通过刻蚀执行第一掩模工艺,以形成选通总线和栅电极。接着,通过循序淀积栅绝缘层、非晶硅层和掺杂的非晶硅层,来执行第二掩模工艺以形成沟道层。
然后,通过在其上形成有沟道层的基板上淀积源/漏金属层,并且接着通过刻蚀以形成源/漏电极和数据总线,来执行第三掩模工艺。进一步,淀积用于保护装置元件的防护层,并且执行第四掩模工艺以形成接触孔。接着,在其上形成有防护层的基板上淀积ITO透明金属层,并且通过刻蚀,执行第五掩模工艺以形成像素电极。
如上所述,通过在透明的玻璃基板上交替地淀积或涂覆金属层和绝缘层,来执行构图工艺。对于金属层,采用湿法刻蚀来刻蚀所述金属层;对于绝缘层,采用等离子体分子束法来进行干法刻蚀。
在刻蚀过程中,根据被刻蚀的对象来控制刻蚀室中的压力和等离子体的离子分子浓度的条件。
进一步,在所述滤色器基板的透明的上基板上形成格子状的黑底(black matrix)。接着,在该黑底上形成红(R)、绿(G)、蓝(B)滤色器层,以完成该滤色器基板。
进一步,在所述黑底的形成中,例如,通过真空淀积,在所述基板上形成诸如铬的金属层,并且在其上形成光敏树脂。接着,通过光刻进行构图,并且接着刻蚀铬。
因而,薄膜晶体管基板和滤色器基板的制备中包括湿法刻蚀工艺。这种湿法刻蚀工艺分成有源限定工艺的PSL(多间隔LOCOS)或STI(浅槽隔离)结构和通孔环绕(via round)刻蚀工艺等。湿法刻蚀工艺中所用的刻蚀剂可以大致分为二元组和三元组化合物。
二元组化合物包括HF和去离子水(DIW),其中,溶解在DIW中的HF被离解成少量的HF2以刻蚀氧化层。三元组化合物被称作SBOE(表面活化剂缓冲的氧化物刻蚀剂),由HF、NH4F、DIW和负离子表面活化剂组成。在这种SBOE组刻蚀剂中,DIW中全部的HF都由添加的NH4F离解成了HF2。
在LCD装置的制备过程中,将诸如上述的多种化合物混合起来作为刻蚀剂使用。图1示出了典型的刻蚀系统中所用的刻蚀剂供给装置的结构。图1是典型的刻蚀系统中的刻蚀剂供给装置的示意图。
如图1中所示,刻蚀剂供给装置100包括第一刻蚀剂罐110a和第二刻蚀剂罐110b,二者容纳上面所述的刻蚀剂化合物。刻蚀剂供给装置100还包括泵150,其用于将来自第一刻蚀剂罐110a和第二刻蚀剂罐110b的刻蚀剂提供到供给管130。
此外,在刻蚀剂供给装置100的上部设置有刻蚀剂烟排出单元120a、120b,用于将气态的刻蚀剂排出所述刻蚀系统。再者,刻蚀工艺完成后,所设置的返回管线140可以将刻蚀工艺中所用的刻蚀剂返回到第一刻蚀剂罐110a和第二刻蚀剂罐110b中。
虽然没有在图中示出,例如,刻蚀剂供给装置100还包括自循环单元;过滤单元,用于过滤被返回的刻蚀剂;以及,冷却剂供给部分。
更具体地来讲,结构如上的刻蚀剂供给装置100利用泵150的运动来混合第一刻蚀剂罐110a和第二刻蚀剂罐110b中所容纳的刻蚀剂化合物,并将混合好的刻蚀剂提供给刻蚀工艺所用的刻蚀室(未示出)。接着,当在LCD装置的薄膜晶体管基板和滤色器基板的制备中进行刻蚀工艺时,刻蚀剂供给装置100将所述混合好的刻蚀剂提供给要被刻蚀处理的基板。
刻蚀工艺完成后,刻蚀工艺中所用的刻蚀剂通过刻蚀剂供给装置100的返回管线140回到第一刻蚀剂罐110a和第二刻蚀剂罐110b中。此外,当对基板执行另一刻蚀工艺时,刻蚀剂供给装置100利用泵150的运动将刻蚀剂提供给所述刻蚀室。
在所述刻蚀系统的刻蚀剂供给装置100中,向所述刻蚀室供给刻蚀剂和从所述刻蚀室返回刻蚀剂都要重复进行。在如上所述的刻蚀剂的重复供给和返回过程中,易挥发的刻蚀剂会变成气体并飘到刻蚀剂供给装置100上方。因此,在刻蚀剂供给装置100的上部设置了刻蚀剂烟排出单元120a、120b,用于将气态的刻蚀剂排出所述系统。
图2是传统刻蚀系统中所安装的刻蚀剂烟排出装置的结构示意图。
如图2中所示,在该刻蚀剂排出装置中设置了排出风道200。该排出风道200位于所述刻蚀剂供给装置的上部,并被配置得穿透所述装置100,这样,就可通过该排出风道200将向上升的气态刻蚀剂从所述装置100排出。
当气态刻蚀剂通过排出风道200排出时,上升的刻蚀剂通常会在所述排出风道200中重新液化。这种重新液化的刻蚀剂会从排出风道200返回到装置100中,下滴的刻蚀剂会落在所述刻蚀系统上。这会对装置100中的刻蚀设备造成污染和腐蚀。

发明内容
因此,本发明的一个实施例就涉及一种刻蚀剂烟排出装置,其基本上消除了由所述背景技术的局限和缺点所导致的一个或更多个问题。
本发明的一个实施例提供了一种刻蚀剂烟排出装置,其通过将在LCD装置的制备过程中用于湿法刻蚀工艺的气化或液化刻蚀剂完全排出,防止了所述刻蚀剂对刻蚀系统的污染和腐蚀。
本发明的其他优点和特征将在下面的说明中部分地加以阐述,并且对于那些具有本领域内的普通技术水准的人而言,通过阅读下述内容,将部分地变得清楚;或者也可以从本发明的实施中获悉这些优点和特征。借助在书面说明和其权利要求以及附图中所具体指出的结构,可以了解并实现本发明的优点。
为实现这些以及其他优点,根据本发明,如在这里所具体实现和概述的那样,在一个实施例中,在一刻蚀系统中安装了刻蚀剂烟排出装置,用于排出在所述刻蚀系统中生成的气态刻蚀剂。该刻蚀剂烟排出装置包括排出风道,其提供了用于排出气态刻蚀剂的通道;排出盘,设置其用于收集来自所述排出风道的液化刻蚀剂;支撑部件,其将所述排出盘和所述排出风道连接起来;以及,排出管线,其与所述排出盘相连,收集在所述排出盘中的液化刻蚀剂通过该排出管线被从所述排出盘除去。所述排出风道可以是空心的圆柱形。
可以按下述方式形成所述排出盘的上表面,即,使由与所述排出风道最接近的上表面第一端形成的开孔的宽度大于由与所述排出风道最远离的上表面第二端形成的开孔的宽度。在此情况下,所述上表面的第一端与第二端之间的排出盘上表面的斜度可以是一定值。
所述排出风道和所述排出盘之间的空间可以用来提供一路线,通过该路线,在所述刻蚀系统中生成的气态刻蚀剂被导引到了所述排出风道中。
所述支撑部件可以形成为基本圆锥台的形状,其中,最接近所述排出风道的支撑部件宽度小于最远离所述排出风道的支撑部件宽度。
设置所述排出管线,以使在排出管线中的液化刻蚀剂被从所述排出装置中除去或在刻蚀系统中重新利用。
在本发明的另一方面中,刻蚀系统包括刻蚀剂供给装置,其用于供给刻蚀剂;刻蚀室,在其中使用由所述刻蚀剂供给装置供给的刻蚀剂来进行刻蚀;以及,刻蚀剂烟排出装置,其设置在刻蚀剂供给装置的上部。所述刻蚀剂烟排出装置包括排出风道,其提供了用于排出气态刻蚀剂的通道;排出盘,设置其用于收集已经冷凝成液化刻蚀剂并从所述排出风道滴落的气态刻蚀剂;支撑部件,其将所述排出盘和所述排出风道连接起来;以及,排出管线,其与所述排出盘相连,并除去收集在所述排出盘中的液化刻蚀剂。
和上面的装置类似,所述排出风道可以是空心的圆柱形。可以按下述方式形成所述排出盘的上表面,即,使由与所述排出风道最接近的上表面第一端形成的开孔的宽度大于由与所述排出风道最远离的上表面第二端形成的开孔的宽度。在此情况下,所述上表面的第一端与第二端之间的排出盘上表面的斜度可以是一定值。所述排出风道和所述排出盘之间的空间可以用来提供一路线,通过该路线,在所述刻蚀系统中生成的气态刻蚀剂被导引到了所述排出风道中。所述支撑部件可以形成为基本圆锥台的形状,其中,最接近所述排出风道的支撑部件宽度小于最远离所述排出风道的支撑部件宽度。设置所述排出管线,以使在排出管线中的液化刻蚀剂被从所述排出装置中除去或在刻蚀系统中重新利用。
另一实施例是一种减少在刻蚀剂烟排出装置中的凝结刻蚀剂与刻蚀系统中的设备之间的接触的方法。该方法包括提供一通道,通过该通道,排出在所述刻蚀系统中生成的气态刻蚀剂,并且在该通道中,气态刻蚀剂冷凝成凝结刻蚀剂;以及,在所述凝结刻蚀剂与所述设备之间发生接触前,将从所述通道中漏出的凝结刻蚀剂收集在一收集站中,从而防止所述凝结刻蚀剂接触所述设备。
本方法可以进一步包括从所述收集站除去所述凝结刻蚀剂。本方法可以进一步包括从所述排出装置除去收集的凝结刻蚀剂,或者在所述刻蚀系统中重新利用所收集的凝结刻蚀剂。本方法可以进一步包括将所述气态刻蚀剂导引到所述通道与所述收集站之间的空间中。
本方法可以进一步包括将所述收集站的内表面加工成锥形,以便撞击所述内表面后弹起的凝结刻蚀剂相对于该凝结刻蚀剂撞击所述内表面的角度成一倾斜角度运动;本方法还可以包括将所述内表面的主要部分加工成一锥形,使所述内表面的该主要部分的斜度为定值。
本方法可以进一步包括在所述凝结刻蚀剂接触所述收集站之前,截接从所述通道向所述收集站运动的至少一部分凝结刻蚀剂。在此情况下,可以通过将截接所述凝结刻蚀剂的部分的截接器加工成锥形,使得所述截接器距所述通道的距离越远、截接器的宽度越宽,从而增加被截接的凝结刻蚀剂的量。
应该理解,本发明的前述综合说明和下面的具体说明都是示例和解释性的,用于对如权利要求所述的本发明提供进一步的解释。


所包含的附图用于提供对本发明的深入理解,并且被并入本申请并构成申请的一部分,所述附图示出了本发明的实施例,并且和说明书一起用来阐释本发明的原理。图中图1是传统刻蚀系统中的刻蚀剂供给装置的示意图;图2是传统刻蚀系统中所安装的刻蚀剂烟排出装置的结构示意图;图3是根据本发明的实施例的安装在刻蚀系统中的刻蚀剂烟排出装置的结构示意图;图4(a)和4(b)分别是根据本发明的实施例的排出盘的俯视图和横截面视图。
具体实施例方式
下面将具体说明本发明的实施例,其示例示出在附图中。
典型的刻蚀系统中所安装的刻蚀剂供给装置的结构与图1中的相类似。图1示意性地示出了一典型的刻蚀系统中的刻蚀剂供给装置。
图1中所示的典型的刻蚀系统的说明与背景技术中的说明类似,因此,下文中将简要地引述背景技术。
如图1中所示的刻蚀剂供给装置100利用泵150的运动来混合第一刻蚀剂罐110a和第二刻蚀剂罐110b中所容纳的刻蚀化合物,并将混合好的刻蚀剂提供给在其中进行刻蚀工艺的刻蚀室。当在LCD装置的薄膜晶体管基板和滤色器基板的制备过程中进行刻蚀时,刻蚀剂供给装置100将混合好的刻蚀剂提供给进行刻蚀加工的基板。
刻蚀工艺完成后,刻蚀工艺中所用的刻蚀剂通过刻蚀剂供给装置100的返回管线140回到第一刻蚀剂罐110a和第二刻蚀剂罐110b中。此外,当对基板执行另一刻蚀工艺时,刻蚀剂供给装置100利用泵150的运动将刻蚀剂提供给所述刻蚀室。虽然没有在图中示出,刻蚀剂供给装置100还包括自循环单元;过滤单元,用于过滤被返回的刻蚀剂;以及,冷却剂供给部分。
在所述刻蚀系统的刻蚀剂供给装置100中,将刻蚀剂提供给所述刻蚀室和从所述刻蚀室返回刻蚀剂都要重复进行。在如上所述的刻蚀剂的重复供给和返回过程中,易挥发的刻蚀剂会变成气态并飘到刻蚀剂供给装置100上方。因此,在刻蚀剂供给装置100的上部设置了刻蚀剂烟排出单元120a、120b,用于将气态的刻蚀剂排出所述系统。
下面,参考图3来说明本发明的刻蚀剂烟排出装置。图3是根据本发明的安装在所述刻蚀系统中的刻蚀剂烟排出装置的结构示意图。
如图3中所示,本发明的刻蚀剂烟排出装置包括排出风道300、支撑部件301、排出盘303,以及排出管线305。下面,将详细说明每个组成元素。
圆柱形的排出风道300设置在刻蚀剂供给装置100的上部,以将气态的刻蚀剂导引到其中并排出装置100。此外,在排出风道300内设置有一通道,其基本上垂直于排出风道300所贯穿的材料,以使所述气体可以从中通过。
排出盘303设置在圆柱形的排出风道300的下方。这样,位于刻蚀剂供给装置300的上部中的气态刻蚀剂就被导引到排出风道300与排出盘303之间的空间中。
设置排出盘303以接收从排出风道300滴下的刻蚀剂,这部分刻蚀剂是在气态刻蚀剂通过排出风道300被排出所述装置100时,由于温度降低而冷凝成的。如图所示,排出盘303的顶部至少与排出风道300一样宽(并且可以比排出风道300宽),以收集来自排出风道300的几乎全部的凝结(或重新液化的)刻蚀剂。
此外,排出盘303的中心与支撑部件301的一端相连,支撑部件301的另一端(未示出)被以下述方式固定到排出风道300的内部,即,其基本不阻碍来自装置100通过排出盘303的气态刻蚀剂的流动(例如,使用一根或更多根与支撑部件301的端部和排出风道300的内部相连的杆)。支撑部件301、排出盘303和排出风道300,以及将这些连接起来的连接件,可由不被所述刻蚀剂明显腐蚀的一种或多种材料形成。如图所示,支撑部件301被形成为基本圆锥台的形状,其向着排出风道300逐渐变细。这种形状使得接触支撑部件301的凝结刻蚀剂由于表面张力作用附着到了支撑部件301上,并且沿着支撑部件301朝着排出盘303向下流。由于所述凝结刻蚀剂沿支撑部件301向下流,最后相对较轻地接触排出盘303,这种重新液化的刻蚀剂就不会溅在排出盘303的表面上。此外,当支撑部件301的宽度随着接近排出盘303而增加时,将增加接触支撑部件301的凝结刻蚀剂的量,并降低重新液化的刻蚀剂溅到排出盘303的表面上的可能性。
此外,排出管线305与排出盘303的底部相连,该排出管线305将收集从排出风道300滴到排出盘303上的重新液化的刻蚀剂。排出管线305也可由一种或多种不被刻蚀剂明显腐蚀的材料形成。
如图4(a)和4(b)中所示,排出盘303的上表面304朝向排出盘303的中心呈锥形(逐渐缩小)。图4(a)和4(b)分别是排出盘303的俯视图和沿线I-I所截接的排出盘303的横截面视图。如图所示,排出盘303的上表面可以朝排出盘303的最接近于下方设备的一端以一定值斜度倾斜(尽管该斜度不需是定值),从而由上表面304所接收的凝结刻蚀剂通过排出管线305被收集起来并输送,而不会溢出。因此,排出盘303可以形成为一基本圆柱的形状,而其内表面304可以形成为一基本圆锥台的形状。
排出盘303本身也可以形成为基本圆锥台的形状。如上所述,这种形状的一个优点是,凝结刻蚀剂可以溅在排出盘303的上表面304上。如果重新液化的刻蚀剂从足够高的高度滴到上表面304上,它可能会弹起超过排出盘303的边沿并落在下面的设备上,从而造成对所述设备的腐蚀和污染。然而,如果将上表面304锥形化,不仅重新液化的刻蚀剂会向下滴流到排出管线305中,而且弹起来的重新液化的刻蚀剂在到达排出盘303的边沿前也必须运行更远的距离。这增加了弹起的刻蚀剂接触上表面304的可能性,从而降低了弹起的刻蚀剂落在下面的设备上的可能性。
因此,从排出风道300滴下的液化刻蚀剂将进入排出盘303中,并被收集在排出盘303的中心处。接着,通过朝向装置100的底部的作为刻蚀剂通道的排出管线305,将收集在排出盘303的中心处的刻蚀剂排出装置100。在另一实施例中,可以将刻蚀系统构造得使返回的刻蚀剂可以被一再加工工艺重新利用,而非被排出所述系统。
如上所述,根据本发明的刻蚀剂烟排出装置,防止了所述排出风道中的凝结刻蚀剂接触所述排出风道下面的设备,而以气态呈现的刻蚀剂仍将被排出所述设备。也就是说,由于液化的刻蚀剂被收集到了排出盘中,并且被重新利用或被排出所述设备,可以防止对刻蚀系统的污染和腐蚀。
对于那些本领域内的熟练技术人员而言,显然可以对本发明进行各种修改和变型。例如,可向所述排出风道施加诸如真空等压差以帮助除去刻蚀剂。因此,本发明将覆盖落入附加权利要求及其等同物的范围内的修改和变型。
权利要求
1.一种刻蚀剂烟排出装置,其安装在刻蚀系统内,该刻蚀剂烟排出装置包括排出风道,其提供了一通道,以排出在所述刻蚀系统中生成的气态刻蚀剂;排出盘,设置其以收集来自所述排出风道的液化刻蚀剂;支撑部件,其将所述排出盘固定到所述排出风道;以及排出管线,其与所述排出盘相连,通过该排出管线,所述排出盘中的液化刻蚀剂被从所述排出盘中除去。
2.根据权利要求1所述的刻蚀剂烟排出装置,其中,所述排出风道具有一空心圆柱的形状。
3.根据权利要求1所述的刻蚀剂烟排出装置,其中,所述排出盘的上表面被形成为,使由与所述排出风道最接近的上表面第一端形成的开孔的宽度大于由与所述排出风道最远离的上表面第二端形成的开孔的宽度。
4.根据权利要求3所述的刻蚀剂烟排出装置,其中,所述上表面的第一端与第二端之间的排出盘上表面的斜度是一定值。
5.根据权利要求1所述的刻蚀剂烟排出装置,其中,所述排出风道与所述排出盘之间的空间提供了一路线,通过该路线,在所述刻蚀系统中生成的气态刻蚀剂被导引到了所述排出风道中。
6.根据权利要求1所述的刻蚀剂烟排出装置,其中,所述支撑部件被形成为基本圆锥台的形状,其中,最接近所述排出风道的支撑部件宽度小于最远离所述排出风道的支撑部件宽度。
7.根据权利要求1所述的刻蚀剂烟排出装置,其中,设置所述排出管线以将所述排出管线中的液化刻蚀剂从所述排出装置除去。
8.根据权利要求1所述的刻蚀剂烟排出装置,其中,设置所述排出管线以在所述刻蚀系统中重新利用所述排出管线中的液化刻蚀剂。
9.一种刻蚀系统,其包括刻蚀剂供给装置,其供给刻蚀剂;刻蚀剂烟排出装置,其设置在所述刻蚀剂供给装置的上方,该刻蚀剂烟排出装置包括排出风道,其提供了用于排出气态刻蚀剂的通道;排出盘,设置其以收集已经冷凝成液化刻蚀剂并从所述排出风道滴下的气态刻蚀剂;支撑部件,其将所述排出盘固定到所述排出风道;以及,排出管线,其与所述排出盘相连,用于除去收集在所述排出盘中的液化刻蚀剂;以及刻蚀室,在其中,使用由所述刻蚀剂供给装置提供的刻蚀剂进行刻蚀。
10.根据权利要求9所述的刻蚀系统,其中,所述排出风道具有一空心圆柱的形状。
11.根据权利要求9所述的刻蚀系统,其中,所述排出盘的上表面被形成为,使由与所述排出风道最接近的上表面第一端形成的开孔的宽度大于由与所述排出风道最远离的上表面第二端形成的开孔的宽度。
12.根据权利要求9所述的刻蚀系统,其中,所述上表面的第一端与第二端之间的排出盘上表面的斜度是一定值。
13.根据权利要求9所述的刻蚀系统,其中,所述排出风道与所述排出盘之间的空间提供了一路线,通过该路线,在所述刻蚀系统中生成的气态刻蚀剂被导引到了所述排出风道中。
14.根据权利要求9所述的刻蚀系统,其中,所述支撑部件被形成为基本圆锥台的形状,其中,最接近所述排出风道的支撑部件宽度小于最远离所述排出风道的支撑部件宽度。
15.根据权利要求9所述的刻蚀系统,其中,设置所述排出管线以将所述排出管线中的液化刻蚀剂从所述排出装置除去。
16.根据权利要求9所述的刻蚀系统,其中,设置所述排出管线以在所述刻蚀系统中重新利用所述排出管线中的液化刻蚀剂。
17.一种减少在刻蚀剂烟排出装置中凝结的刻蚀剂与刻蚀系统中的设备之间的接触的方法,该方法包括提供一通道,通过该通道,排出在所述刻蚀系统中生成的气态刻蚀剂,并且在该通道中,所述气态刻蚀剂冷凝成凝结刻蚀剂;以及在所述凝结刻蚀剂与所述设备之间发生接触前,将从所述通道中漏出的凝结刻蚀剂收集在一收集站中,从而防止所述凝结刻蚀剂接触所述设备。
18.根据权利要求17所述的方法,进一步包括从所述收集站除去所述凝结刻蚀剂。
19.根据权利要求17所述的方法,进一步包括将所述收集站的内表面加工成锥形,以便撞击所述内表面后弹起的凝结刻蚀剂相对于该凝结刻蚀剂撞击所述内表面的角度成一倾斜角度运动。
20.根据权利要求19所述的方法,进一步包括将所述内表面的主要部分加工成一锥形,使所述内表面的该主要部分具有一定值斜度。
21.根据权利要求17所述的方法,进一步包括将所述气态刻蚀剂导引到所述通道与所述收集站之间的空间中。
22.根据权利要求17所述的方法,进一步包括在所述凝结刻蚀剂接触所述收集站之前,截接从所述通道向所述收集站运动的至少一部分凝结刻蚀剂。
23.根据权利要求22所述的方法,进一步包括通过将截接所述凝结刻蚀剂的部分的截接器加工成锥形,使得所述截接器距所述通道的距离越远、截接器的宽度越大,从而增加被截接的凝结刻蚀剂的量。
24.根据权利要求18所述的方法,进一步包括从所述排出装置除去所收集的凝结刻蚀剂。
25.根据权利要求18所述的方法,进一步包括在所述刻蚀系统中重新利用所收集的凝结刻蚀剂。
全文摘要
一种刻蚀剂烟排出装置安装在在LCD的制备过程中执行刻蚀工艺的刻蚀系统内。该刻蚀剂烟排出装置通过将气态和液态刻蚀剂都安全地排出,防止了对所述刻蚀系统的污染和腐蚀。该刻蚀剂烟排出装置包括排出风道,其提供了用于排出气态刻蚀剂的一通道;排出盘,其位于所述排出风道的下方,用于收集从所述排出风道滴下的凝结刻蚀剂;支撑部件,其将所述排出盘固定到所述排出风道;以及,排出管线,其与所述排出盘的底部相连,通过该排出管线,收集在所述排出盘中的刻蚀剂被从所述排出盘中除去。
文档编号H01L21/00GK1511653SQ20031011347
公开日2004年7月14日 申请日期2003年11月11日 优先权日2002年12月30日
发明者曺东烈, 东烈 申请人:Lg.飞利浦Lcd有限公司
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