专利名称：微型半导体器件封装低弧度焊线的形成工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种微型半导体器件封装低弧度焊线形成的工艺。属半导体器件封装技术领域。
背景技术：
封装微型半导体器件是表面组装技术的基础核心。主要用于封装场效应晶体管、肖特基二极管、数字晶体管等产品。其体积小、重量轻、电性能良好，更符合电子产品发展的趋势。
从微型半导体器件侧面示意1中可以看出，器件塑封体树脂总高度0.5mm，引线框架3′底部向上打弯深度0.1mm，考虑器件可靠性，金线2′与塑封体树脂表面距离须保留0.1mm，那么在芯片1′厚度100μm±10μm的条件下，要求焊线弧高控制在中心值0.1mm±5μm的范围。焊线弧度、形态取决于焊头运动轨迹。普通弧度焊线其焊头运动轨迹是从第一焊点在Z方向垂直而上弧形落在第二焊点位置。这种工艺不能形成焊线弧高在0.1mm±5μm的低弧度，因此不能满足微型半导体封装的要求。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种微型半导体器件封装低弧度焊线的形成工艺。
本发明的目的是这样实现的一种微型半导体器件封装低弧度焊线的形成工艺，其特点是焊接低弧度焊线的焊线机焊头运动轨迹分三步进行第一步、从第一焊点A在Z方向垂直向上运动一段高度H1并朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S1；第二步、在第一步轨迹终点在Z方向再垂直向上运动一段高度H2并再朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S2；第三步、在第二步轨迹终点在Z方向垂直而上运动弧形落在第二焊点B位置。
本发明通过改变焊头运动轨迹来形成微型半导体器件封装低弧度焊线。因此能满足微型半导体封装的要求。
图1为采用低弧度焊线封装的微型半导体器件侧面示意图。
图2为本发明的典型平坦焊线低弧度轨迹图。
图3为本发明的焊线低弧度形态图。
具体实施例方式本发明为一种微型半导体器件封装低弧度焊线的形成工艺。参见图2，图2为典型平坦低弧度轨迹图。低弧度的运动轨迹分三步进行第一步、从第一焊点A在Z方向垂直向上运动一段高度H1并朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S1；第二步、在第一步轨迹终点在Z方向再垂直向上运动一段高度H2并朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S2；
第三步、在第二步轨迹终点在Z方向垂直而上运动弧形落在第二焊点B位置。
从图2中可以看出，低弧度焊线有连续二次不同逆向高度、逆向距离的轨迹特征来形成图3的低弧度状态。由此，逆向高度、逆向距离是控制低弧度的关键。
实际生产工艺应用上，焊头运动状态受控于焊线机各种应用模式下的参数设定值。低弧度生产应用一般采用低弧度模式，模式中的高度(KinkHeight)、逆向距离(Rever Motion)、弧度系数(Loop Factor)、平坦长度(Flat Length)、Z方向(Csp Z Inflection)、XY方向(Csp XY Inflection)几项参数的设定值及相互组合，对弧度大小有着很重要的影响。通过多次实验发现，不同数值的组合，其弧高大小不同，在高度为同一数值，改变逆向幅度数值大小，弧高随着数值大小而相应增减；在高度、逆向幅度设定某一认可值，改变弧度系数、Z方向和XY方向数值大小，弧高将稍有变化。在生产工艺应用上，采用如下数值范围来获取低弧度的状态高度H1、H20.8～1.2mils逆向距离S1、S21～1.5mils弧度系数 -0.5～1.0mils平坦长度L＝(S22+H22)1/210～12milsZ方向0～1milsXY方向 -1～1.5mm。
同时，选用抗拉强度大、延伸率略低的焊线来应用在低弧度焊线形成工艺上，对平坦的低弧度形成有很大帮助，并弥补了由于二次逆向易造成球颈拉力强度偏小的缺陷，焊线用金线抗拉强度在9％～15％之间、延伸率在3％～6％之间。
权利要求
1.一种微型半导体器件封装低弧度焊线的形成工艺，其特征在于焊接低弧度焊线的焊线机焊头运动轨迹分三步进行第一步、从第一焊点A在Z方向垂直向上运动一段高度H1并朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S1；第二步、在第一步轨迹终点在Z方向再垂直向上运动一段高度H2并朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S2；第三步、在第二步轨迹终点在Z方向垂直而上运动弧形落在第二焊点B位置。
2.根据权利要求1所述的一种微型半导体器件封装低弧度焊线的形成工艺，其特征在于焊线机的参数设定范围如下高度H1、H20.8～1.2mils逆向距离S1、S21～1.5mils弧度系数 -0.5～1.0mils平坦长度L＝(S22+H22)1/210～12milsZ方向 0～1milsXY方向 -1～1.5mm。
3.根据权利要求1或2所述的一种微型半导体器件封装低弧度焊线的形成工艺，其特征在于低弧度焊线抗拉强度9％～15％，延伸率3％～6％。
全文摘要
本发明涉及一种微型半导体器件封装低弧度焊线形成的工艺。属半导体器件封装技术领域。其特点是焊接低弧度焊线的焊线机焊头运动轨迹分三步进行第一步、从第一焊点A在Z方向垂直向上运动一段高度H
文档编号H01L21/60GK1571132SQ20041001484
公开日2005年1月26日 申请日期2004年5月9日 优先权日2004年5月9日
发明者严红月, 申明 申请人:江苏长电科技股份有限公司