专利名称：检测覆晶基板的定位方法
技术领域：
本发明与被检测元件的定位技术有关，详细地说，是指一种检测覆晶基板的定位方法。
背景技术：
按，覆晶基板(flip chip substrate)是一种体积小且具有高密度接点及电路的电路板，其具有体积小、高脚数、良好电气特性等优点，然而，在将晶粒接合于覆晶基板之前，有必要对覆晶基板进行测试，如此可避免因为覆晶基板本身的瑕疵而导致晶粒的损耗。
而在以测试机对覆晶基板进行测试之前，必须将覆晶基板定位于待检测位置，而由于覆晶基板上的接点密度极高，其接点间间距极小，稍有一点差距即会导致检测结果的不正确，传统的定位方法，例如利用覆晶基板的板缘定位，已无法符合覆晶基板的极精密需求。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种检测覆晶基板的定位方法，其利用单一摄影机摄影取像，并配合各测试头的位移与旋转，可完成极为精密且快速的定位。
为实现上述目的，本发明提供的一种检测覆晶基板的定位方法，包含有下列步骤A、提供一检测设备，具有一上检测头、一下检测头、一承座、以及一摄影机，该上检测头及该下检测头均可于X轴方向、Y轴方向、Z轴方向上位移，且可水平旋转θ角度，该承座可于一第一位置及一第二位置间位移，当该承座位于该第二位置时，位于该上检测头与该下检测头之间，该承座中央具有一镂空部位，可供该下检测头由下方进入，该承座可相对于该摄影机于该第一位置及一第三位置间位移；
B、设定基准位置备置一基准覆晶基板，具有二定位标记，将该基准覆晶基板置于该承座上，于该承座位于该第二位置时，调整该上检测头及该下检测头，使该二检测头对正于基准覆晶基板，于该承座分别位于该第一位置及该第三位置时，该二定位标记分别对正于该摄影机，并纪录此基准位置；C、待检测覆晶基板定位将一待检测覆晶基板置于该承座上，调整该承座分别位于该第一位置及该第三位置，供该摄影机分别对该待检测覆晶基板的二定位标记分别进行取像；D、比对该待检测覆晶基板与该基准覆晶基板的二定位标记的位置，可得出各个定位标记在X轴座标及Y轴座标的差距，由此得到待检测覆晶基板相对于基准位置X轴、Y轴、以及θ角度差；E、使该承座位于该第二位置，将该上检测头及该下检测头依前述步骤所得的X轴、Y轴、以及θ角度差进行位移及旋转，以补偿误差，进而使该上检测头及下检测头对准该待检测覆晶基板；由上述步骤，可达成待检测覆晶基板在检测前的定位。
其中该摄影机为一CCD(电荷耦合装置)摄影镜头。
其中于取像时，该摄影机位于定位标记的正上方。
其中该承座位于该第一位置时是用以进/出料，位于该第二位置时是使待检测覆晶基板供检测。
图1为本发明一较佳实施例的结构示意图，显示上测试头、承座、以及下测试头间的空间形态；图2A为本发明一较佳实施例的动作示意图，显示承座位于第一位置时的状态；图2B为本发明一较佳实施例的动作示意图，显示承座位于第三位置时的状态；图3为本发明一较佳实施例的实施状态示意图，显示承座于第一位置的状态；图4为本发明一较佳实施例的实施状态示意图，显示承座于第二位置的状态。
具体实施例方式
为了详细说明本发明的特点所在，举以下一较佳实施例并配合
如后请参阅图1至图4，本发明一较佳实施例所提供的一种检测覆晶基板的定位方法，主要包含有下列步骤A、提供一检测设备(11)，具有一上检测头(12)、一下检测头(14)、一承座(16)、以及一摄影机(18)，该上检测头(12)及该下检测头(14)均可于X轴方向、Y轴方向、Z轴方向上位移，且可水平旋转θ角度，且该二检测头(12)(14)上具有探针(探针的构造为公知，且非本发明的申请重点，容不赘述)；该承座(16)用以承接覆晶基板(22)，可于一第一位置及一第二位置间位移，请参阅图3，当该承座(16)位于该第一位置时是用以进/出料；再参阅图4，当该承座(16)位于该第二位置时是位于该上检测头(12)与该下检测头(14)之间，可让待检测覆晶基板(21’)供检测，该承座(16)中央具有一镂空部位(17)，可供该下检测头(14)由下方进入，并与位于承座(16)上的覆晶基板底面的接点接触来进行检测，该摄影机(18)于本实施例中，为一CCD(电荷耦合装置)摄影镜头，该承座(16)可相对于该摄影机(18)于该第一位置(如图2A所示)及一第三位置(如图2B所示)间位移；B、设定基准位置备置一基准覆晶基板(21)，具有二定位标记(22)，将该基准覆晶基板(21)置于该承座(16)上，使该承座(16)位于该第二位置时，调整该上检测头(12)，及该下检测头(14)，使该二检测头(12)(14)上的探针(图中未示)对正于该基准覆晶基板(21)的接点，调整该承座(16)的位置，使其分别位于该第一位置及该第三位置时，该摄影机(18)分别位于该二定位标记(22)的正上方取像，并然后记录此基准位置；C、待检测覆晶基板(21’)定位将一待检测覆晶基板(21’)置于该承座(16)上，调整该承座(16)分别位于该第一位置及该第三位置，供该摄影机(18)分别对该待检测覆晶基板(21’)的二定位标记(22’)分别进行取像；D、比对该待检测覆晶基板(21’)与该基准覆晶基板(21)的二定位标记(22’)(22)的位置，可得出各个定位标记(22’)(22)在X轴座标及Y轴座标的差距，由此得到待检测覆晶基板(21’)相对于基准位置的X轴、Y轴、以及θ角度差；E、使该承座(16)位于该第二位置，将该上检测头(12)及该下检测头(14)依前述步骤所得的X轴、Y轴、以及θ角度差进行位移及旋转，以补偿误差，进而使该上检测头(12)及下检测头(14)对准该待检测覆晶基板(21’)。
由上述步骤可知，本发明是先对一基准覆晶基板(21)上的定位标记(22)进行基准位置设定，之后在检测待检测覆晶基板(21’)时，即可与该基准位置进行比对，并找出位置差距，再将上检测头(12)及下检测头(14)于X轴、Y轴上位移，并旋转θ角度来补偿该位置差距，达到定位的效果。
本发明于附图中所示的定位标记(22)为十字形，此仅为举例而已，本发明的定位标记(22)亦可为其他形状如矩形、圆形等。
本发明的承座(16)相对于该摄影机(18)在该第一位置及该第三位置时，该摄影机(18)一次仅针对一定位标记(22)进行取像，此由于精度上的考量，因此，该承座(16)需要在该第一位置及该第三位置间移动。
由上可知，本发明可产生的优点为利用单一摄影机摄影取像以取得基准覆晶基板位置与待测覆晶基板间的位置差距，并配合各测试头的位移与旋转来补偿该位差距，较常用以板缘定位的方式更为精密，良率更高。
权利要求
1.一种检测覆晶基板的定位方法，包含有下列步骤A、提供一检测设备，具有一上检测头、一下检测头、一承座、以及一摄影机，该上检测头及该下检测头均可于X轴方向、Y轴方向、Z轴方向上位移，且可水平旋转θ角度，该承座可于一第一位置及一第二位置间位移，当该承座位于该第二位置时，位于该上检测头与该下检测头之间，该承座中央具有一镂空部位，可供该下检测头由下方进入，该承座可相对于该摄影机于该第一位置及一第三位置间位移；B、设定基准位置备置一基准覆晶基板，具有二定位标记，将该基准覆晶基板置于该承座上，于该承座位于该第二位置时，调整该上检测头及该下检测头，使该二检测头对正于基准覆晶基板，于该承座分别位于该第一位置及该第三位置时，该二定位标记分别对正于该摄影机，并纪录此基准位置；C、待检测覆晶基板定位将一待检测覆晶基板置于该承座上，调整该承座分别位于该第一位置及该第三位置，供该摄影机分别对该待检测覆晶基板的二定位标记分别进行取像；D、比对该待检测覆晶基板与该基准覆晶基板的二定位标记的位置，可得出各个定位标记在X轴座标及Y轴座标的差距，由此得到待检测覆晶基板相对于基准位置X轴、Y轴、以及θ角度差；E、使该承座位于该第二位置，将该上检测头及该下检测头依前述步骤所得的X轴、Y轴、以及θ角度差进行位移及旋转，以补偿误差，进而使该上检测头及下检测头对准该待检测覆晶基板；由上述步骤，可达成待检测覆晶基板在检测前的定位。
2.依据权利要求1所述的检测覆晶基板的定位方法，其特征在于，其中该摄影机为一CCD(电荷耦合装置)摄影镜头。
3.依据权利要求1所述的检测覆晶基板的定位方法，其特征在于，其中于取像时，该摄影机位于定位标记的正上方。
4.依据权利要求1所述的检测覆晶基板的定位方法，其特征在于，其中该承座位于该第一位置时是用以进/出料，位于该第二位置时是使待检测覆晶基板供检测。
全文摘要
本发明是有关于一种检测覆晶基板的定位方法，包含有下列步骤A.提供一检测设备，具有一上检测头、一下检测头、一承座、以及一摄影机；B.设定基准位置备置一基准覆晶基板，具有二定位标记，调整该承座的位置，使该摄影机对该基准覆晶基板上的定位标记分别取像并记录此基准位置；C.待检测覆晶基板定位以该摄影机对该待检测覆晶基板的二定位标记分别进行取像；D.比对该待检测覆晶基板与该基准覆晶基板的二定位标记的位置，由此得到待检测覆晶基板相对于基准位置的位置差距；E.将该上检测头及该下检测头依前述步骤所得的位置差距位移或旋转，以补偿误差，进而完成定位。
文档编号H01L21/66GK1734279SQ200410056069
公开日2006年2月15日 申请日期2004年8月9日 优先权日2004年8月9日
发明者陈金圣, 陈逸平, 陈志明 申请人:东捷科技股份有限公司