热处理方法、配线图案的形成方法、电光学装置及其制法的制作方法

文档序号:6832014阅读:158来源:国知局
专利名称:热处理方法、配线图案的形成方法、电光学装置及其制法的制作方法
技术领域
本发明是关于对被处理材料进行热处理的热处理方法、配线图案的形成方法、电光学装置的制造方法、电光学装置及电子机器。
背景技术
多年来,例如,在基板上形成导电性薄膜,并对该导电性薄膜进行改质热处理。下述专利文献1中公开了一种有关技术,即,对于在基板上形成的金属薄膜,通过照射激光,对金属薄膜进行改质的激光退火处理技术。
在基板上涂布含有导电性材料的功能液后,为实现导电性而进行热处理(烧成处理),例如,至少在300℃以上,必须热处理30分钟以上,热处理需要很长时间,从而妨碍了生产效率的提高。另外,在基板由塑料等制成,不具有耐热性时,高温下长时间热处理,会引起基板变形等不良现象。

发明内容
本发明就是鉴于这种问题而进行的,其目的是提供一种对被处理材料(基板)的材质不产生影响,并可以有效热处理被处理材料的热处理方法。再一个目的是提供一种使用该热处理方法形成配线图案的方法,以及电光学装置的制造方法,电光学装置和电子机器。
为了解决上述课题,本发明的热处理方法,其特征在于,在含有将光能转变成热能的光热转变材料的基质材料和被处理材料相对向的状态下,向上述基质材料照射光线,使用上述光热转变材料对上述被处理材料进行热处理。根据本发明,通过基质材料中含有光热转变材料,有效地将照射光的光能转变成热能,可以向被处理材料提供对被处理材料进行热处理的足够的热能。而且,在本发明中,由于其构成是向光热转变材料照射光线,可瞬间产生高温,所以可在短时间内对被处理材料进行热处理。另外,在本发明中,由于其构成是对被处理材料瞬间提供热能,所以即使是含有如塑料等不具有耐热性材料的情况下,仍可以抑制对该被处理材料的影响。
本发明的热处理方法中,最好在基质材料与被处理材料紧密结合的状态下照射光线。这样可以有效地将基质的光热转变材料产生的热能供与被处理材料。
本发明的热处理方法中,上述含有光热转变材料的光热转变层,能够采用单独在上述基质材料上设置该基质材料的构成,也能够采用将上述光热转变材料混合在上述基质材料中的构成。任何一种构成,都可以将光热转变材料生成的热能供与被处理材料,对该被处理材料进行热处理。
上述含有光热转变材料的光热转变层,其构成是单独在基质材料上设置该基质材料时,最好在使光热转变层与被处理材料相对向的状态下,照射上述光线,更好是在光热转变层与被处理材料密接的状态下照射光线。这样可有效地将光热转变层生成的热能供与被处理材料。
本发明的热处理方法中,上述热处理至少包括干燥处理和烧成处理中的任何一种,即,使用光热转变材料对被处理材料进行干燥处理中烧成处理,可以提供足够的热能。
本发明的热处理方法中,其特征在于,上述被处理材料,含有导电性材料,并对该导电性材料进行热处理。由此,例如对含有导电性材料的材料层进行烧成处理,可以呈现导电性。材料层的构成,例如包括有机EL(电致发光)显示装置形成用材料、液晶显示装置形成用材料,或等离子体显示装置形成用材料时,制造各种显示装置工序中的干燥处理或烧成处理,可以适用本发明的热处理方法。
本发明的热处理方法中,其特征在于,上述光为激光,按照上述光热转变材料照射具有相应波长的光。由此可以有效地将照射光热转变材料的光能转变成热能。
本发明的配线图案的形成方法,其特征在于,通过上述记载的热处理方法,对设在被处理材料上的导电性材料层进行热处理的工序。根据本发明,对被处理材料的材质不会产生影响,短时间内烧成导电性材料层而呈现导电性,并可以形成配线图案。
本发明的电光学装置制造方法,其特征在于,具有通过上述记载的热处理方法,对设在被处理材料上的功能性材料层进行热处理的工序。根据本发明,在电光学装置的制造工序中,存在热处理工序时,通过在该热处理工序中适用本发明的热处理方法,不会对被处理材料的材质产生影响,并可以在短时间内热处理功能性材料层,并可以提高生产效率。
本发明的电光学装置,其特征在于,具有通过上述记载的配线图案形成方法形成的配线图案。另外,本发明的电光学装置,其特征在于,通过上述记载的电光学装置制造方法制造的。本发明的电子机器,其特征在于,具有上述记载的电光学装置。根据本发明,可以优良的生产效率进行制造可以发挥所要性能的电光学装置,以及可以提供具有该装置的电器设备。
作为电光学装置,例如有液晶显示装置,有机EL(电致发光)显示装置,及等离子体显示装置等。
将上述材料层(导电性材料层、功能性材料层)设置在被处理材料上时,可使用液体喷出法,将功能液的液滴喷出在被处理材料(基板)上,进行配置。液滴喷出法,使用具有喷头的液滴喷出装置即可实现,该液滴喷出装置包括具有喷墨喷头的喷墨装置。喷墨装置的喷墨喷头,利用喷墨法可定量地喷出含有功能液的液体状材料液滴,例如是可定量地连续滴下每1个点为1~300纳克液体状材料的装置。作为液滴喷出装置也可以是分配器装置。
所谓液体状材料是指具有能够从液滴喷出装置喷头的喷嘴喷出(可滴下)粘度的介质。不管是水性的,还是油性的,都可以。只要具有可从喷嘴喷出的流动性(粘度),就足以,即使混入固体物质,作为整体,只要是流动体就可以。液体状材料中所含的材料,可以是加热到熔点以上可溶解的,也可以是作为微粒子在熔剂中搅拌的,除了溶剂外,还可以添加染料、颜料及其他功能性材料的。
所谓上述功能液,是在含有功能性材料的液体状材料中,通过配置在基板上可以发挥所定功能的。作为功能性材料,例如有为形成含有彩色滤光片的液晶显示装置,液晶显示装置形成用材料、为形成有机EL(电致发光)显示装置,有机EL显示装置形成用材料、为形成等离子体显示装置,等离子体显示装置形成用材料、以及为形成流通电流的配线图案,含金属的配线图案形成用材料等。


图1是表示使用本发明的热处理方法的热处理装置之一实施方式简要构成图。
图2是表示本发明热处理方法之一实施方式模式图。
图3是表示形成本发明配线图案用的喷头的简要构成图。
图4是表示本发明配线图案形成方法之一实施方式的流程图。
图5是表示本发明配线图案形成方法之一实施方式的模式图。
图6是表示本发明配线图案形成方法之一实施方式的模式图。
图7是表示通过本发明的热处理方法对导电性材料层进行热处理形式的模式图。
图8是表示具有通过本发明配线图案形成方法形成配线图案之一例电光学装置的等离子体显示装置的分解立体图。
图9是表示作为本发明电光学装置制造方法之一个实例,制造液晶显示装置的彩色滤光片工序的模式图。
图10是表示通过本发明热处理方法对彩色滤光片材料进行热处理形式的模式图。
图11是表示作为本发明电光学装置制造方法之一例,有机EL显示装置制造工序之一例模式图。
图12是表示作为本发明电光学装置制造方法之一例,有机EL显示装置制造工序之一例模式图。
图13是表示作为本发明电光学装置制造方法之一例,有机EL显示装置制造工序之一例模式图。
图14是表示通过本发明的热处理方法,对有机EL元件材料进行热处理形式的模式图。
图15是表示具有本发明电光学装置的电子机器之一例示图。
图16是表示微透镜制造工序之一例模式图。
图中,1-被处理材料,2-材料层,4-光热转变层,5-基体材料,7-热处理板具体实施方式
(热处理方法)以下参照附图,对本发明的热处理方法进行说明。图1是本发明热处理方法中使用的一种热处理装置实施方式的简要构成图。图1中,热处理装置10备有发射具有所定波长激光光束的激光光源11、和支撑被处理材料1的台面12。被处理材料1具有基板3、和设在基板3上面的材料层2。激光光源11和支撑被处理材料1的台面12配置在腔室14内。腔室14与抽吸装置13连接着,可抽吸该腔室14内的气体。本实施方式中,作为激光光源11可使用近红外半导体激光器(波长为830nm)。
在此,以下的说明中,将水平面内的所定方向取为X轴方向,将水平面内与X轴方向成直交的方向取为Y轴方向,将分别与X轴和Y轴成直交的方向(垂直方向)取为Z轴方向。
热处理片7相对于被处理材料1密接的。热处理片7备有基质材料5和设在基质材料5上的光热转变层4。光热转变层4以与基质材料5独立的层设在基质材料5上。图1中,光热转变层4设在基质材料5的下面。
台面12在支撑被处理材料1和与该被处理材料1密接热处理片7的状态下,可沿X轴方向和Y轴方向移动地被设置,被处理材料1和热处理片7,通过台面12的移动,可相对于光源11射出的光束进行移动。台面12也可沿Z轴方向移动。在光源11与台面12支撑的热处理片7之间,配置未图示的光学系统。通过沿Z轴方向移动支撑被处理材料1和热处理片7的台面12,可调整热处理片7(被处理材料1)相对于上述光学系统焦点的位置。这样,由光源11射出的光束就可以照射到台面12支撑的热处理片7(基质材料5)上。
作为基质材料5,可以使用透过激光光束可能的,例如玻璃基质和透明性高分子等。作为透明性高分子,例如有像聚乙烯对酞酸酯一类的聚酯、聚丙烯、聚环氧、聚乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚砜、聚酰亚胺等。由透明性高分子形成基质材料时,其厚度最好为10-500μm。例如,这样可将基质材料5形成带状,并可以卷成辊子状,也可一边保持在转鼓上,一边进行输送(移动)。
虽然此处是将基质材料1支撑在同时沿XY方向移动的台面12上,但将基质材料1保持在转鼓上时,转鼓可沿水平行进方向(扫描方向,X轴方向)、旋转方向(Y轴方向)、及垂直方向(Z轴方向)移动。
光热转变层4,其构成是含有将光能转变成热能的光热转变材料,作为构成光热转变层4的光热转变材料,可以使用公知的材料,只要是可以有效地将激光转变成热的材料就可以,对其没有特殊限定,例如有由铝、其氧化物和/或其硫化物形成的金属层、或由添加了碳黑、石墨或红外线吸收色素等的高分子形成的有机层等。作为红外线吸收色素,例如有蒽醌系、双硫氢基镍配位化合物系、花青系、偶氮钴络合物系、二铵(diiminium)系、三十碳六稀嗡(squarium)系、酞菁系、萘酞菁系等。另外,将环氧树脂等合成树脂作为粘合剂,并将上述光热转变材料溶解或分散在该粘合剂中,设置在基质材料5上。这种情况下,环氧树脂作为固化剂发挥功能,通过固化,使光热转变层4固定在基质材料5上。当然也可以不溶解或分散在粘合剂中,直接将上述光热转变材料设置在基质材料5上。
作为光热转变层4,使用上述金属层时,可以利用真空蒸镀法、电子束蒸镀法、或溅射法,以形成在基质材料5上。作为光热转变层4,使用上述有机层时,可以利用如下方法在基质材料5上形成,即,一般的膜涂布法,例如有挤压涂布法、旋转涂布法、凹版涂布法、反转辊子涂布法、棒涂布法、微型凹版涂布法、刮刀涂布法等。在光热转变层4的涂布方法中,最好是除去基质材料5表面所带静电后,使光热转变层形成用功能液均匀地形成在基质材料5上,各方法中使用的装置最好安装除电装置。
例如,被处理材料的基板3,由玻璃板、合成树脂膜、或半导体片构成。材料层2,在此可由含有银等金属微粒子的功能液形成。
以下参照图2对热处理顺序进行说明。如图2(a)所示,将热处理片7的光热转变层4和被处理材料1的材料层2相对向后,形成密接。为了使光热转变层4与材料层2密接,在将光热转变层4和材料层2相对向后,驱动抽吸装置13(参照图1)抽吸腔室14内的气体,使腔室内14形成减压。由此,光热转变层4和材料层2(被处理1)之间的空间也被减压,形成负压状态,使光热转变层4与材料层2形成密接。同样,如图2(b)所示,从热处理片7(基质材料5)的上面侧,照射具有所定光束径的激光光束。通过照射激光光束,加热与该照射区域相对应的基质材料5和光热转变层4。将照射光热转变层4的激光光束光能转变成热能,并将该热能供与材料层2。供与了热能的材料层2被加热(烧成)。如上所述,使用光热转变层4,对被处理材料1的材料层2进行热处理。
对材料层2热处理后,停止驱动抽吸装置13,并解除上述减压状态(负压状态),如图2(c)所示,可将热处理片7和被处理材料1分离。
如以上说明,通过在基质材料5上设置光热转变层4,可以有效地将照射光的光能转变成热能,并可以将足够的热能供与被处理材料1(材料层2),对被处理材料1(材料2)进行热处理。而且,在本实施方式中,其构成是通过基质材料5向光热转变层4照射光线,可在瞬间产生高温,所以可以在短时间内对被处理材料1(材料层2)进行热处理。另外,本实施方式中,由于构成是在瞬间内对被处理材料1(材料层2)供与热能,所以即使是被处理材料1的基板3含有如塑料等不具有耐热性材料时,也可以抑制对该基板3产生影响。不使用电子束和紫外线,而使用近红外激光等,通过设置光热转变层4,可将足够的热能供与该材料层2,对被处理材料1(材料层2)进行热处理(烧成处理)。因此,使用光照射装置的选择幅度很宽,即使不使用昂贵的大规模光照射装置,也可以使用热处理片7的光热转变层4,以足够的热能,对被处理材料1(材料层2)进行热处理(烧成处理)。
另外,通过使用光热转变材料,即使被处理材料自身是不可以吸收光能(激光光能)的物质,或者是不可以转变成热的物质,也可以由光(激光)形成退火工序。例如,当红外激光直接接触银墨时,虽然可以干燥(去除溶剂),但不可以烧成,更不可以呈现导电性。当红外激光直接接触银墨时,会产生擦伤而不可以膜化等不良现象。这是因为银墨不可以很好吸收光能而产生的。然而使用如本发明的光热转变材料,对于像银墨一类不可以很好吸收光能的物质,由光的退火工序也成为可能。由于仅限于可以吸收红外光等长波长的激光光的物质,所以使用光热转变材料是有效的。例如,通过对光热转变材料使用碳黑等物质,可产生数百度以上(例如300度以上,或500度以上)的高温,例如,只要在300度以上,就可以对不可以烧成银墨进行烧成。
本实施方式中,虽然是在将热处理片7和被处理材料1密接的状态下,照射光的构成,但也可以稍稍离开一些,将光热转变层4产生的热能,供与与该光热转变层4相对向的被处理材料1(材料层2)。
图2中,虽然将材料层2设置在基板3上与激光光束径大致相同大小的区域内,当然也可将材料层2设在基板3的全面上,等比激光光束径更宽的区域内。将材料层2设在比激光光束径宽的区域内时,也可以向热处理片7(基质材料5)的所定区域内照射光,也可以在被处理材料1的材料层2上,对根据上述所定区域的热处理区域形成图案,也可以对材料层2中,与上述所定区域相对应的区域实施热处理(烧成处理)。
在对材料层2所定区域进行热处理(烧成处理)时,可以采用如下构成,即,向具有所定图案的掩模照射光线,向热处理片7(基质材料5)照射通过掩模的光线的构成。由此,可以形成照射激光光束径以下的细小热处理区域图案。也可采用使台面12沿XY方向移动,相对于激光光束,边移动热处理片7和被处理材料1,边照射激光光束的构成。即,使照射的光(激光光束)与热处理片7和被处理材料1作相对移动,描绘出热处理区域的图案,根据这种构成,可以省略制造掩模的工序。
本实施方式中,其构成,虽然是将光热转变层4设在与热处理片7的材料层2相对向的面(即,基质材料5的下面)上,也可以设在不与热处理片7的材料层2相对向的面(即,基质材料5的上面)上,即使是这种构成,也可以通过基质材料5将光热转变层4生成的热能供与材料层2。也可以将光热转变层4设在基质材料5的上下两个面上。
另外,上述实施方式中,虽然将光热转变材料设在与基质材料5独立的层(光热转变层4)上,其构成也可能将光热转变材料混合在基质材料5中。即使这种构成,也可以将照射激光的光能转变成热能,并将其热能供与被处理材料1(材料层2)。而且也可以在混合了光热转变材料的基质材料5上,设置与其不同的光热转变层4。
上述实施方式中,虽然是在将热处理片7与被处理材料1密接的状态下,从热处理片7侧照射光线,但也可以从被处理材料1侧照射光线。这种情况下,被处理材料1的基板3和材料层2,由可透光的透明材料构成,通过这些基板3和材料层2向光热转变层4照射光线。
另外,作为光源11,除了近红外半导体激光外,还可使用水银灯、卤素灯、氙灯、闪光灯等。可使用紫外线激光等,除了近红外线激光以外所有通常使用的激光。
设置光热转变层4时,最好照射具有与光热转变材料相应波长的光。即,由于根据所用的光热转变材料而很好地吸收光的波长带域不同,所以,通过照射具有与光热转变材料相应波长的光。可以有效地将光能转变成热能。换句话说,就是根据照射的光而选择所用的光热转变材料。本实施方式中,作为激光光源,由于使用近红外半导体激光(波长830nm),所以作为光热转变材料,最好使用具有吸收红外线~可见光线区域光性质的材料。
在基质材料5和光热转变层4之间,或光热转变层4的表面上,可以设置使光热转变层4的光热转变作用均匀化的中间层。作为这种中间层的形成材料,例如有可以满足上述要求的树脂材料。这样的中间层,例如利用旋转涂布法、凹版涂布法、模具涂布法等公知的涂布方法,将具有所定组成的树脂组合物涂布在光热转变层4的表面上,通过干燥可形成。照射激光束时,由光热转变层4的作用,光能转变成热能,进而由中间层的作用,使该热能形成均匀化。因此,可以向光照射区域部分中的材料2(被处理材料1)供与均匀的热能。
(实施例)作为热处理片7的基质材料5,使用厚0.2mm左右的聚碳酸酯制片,作为光热转变层4,在该片上涂布厚2μm左右的混合了碳黑的热固化型环氧树脂,待其固化后使用。而作为被处理材料1,在聚乙烯对酞酸酯(PET)制膜上,根据液滴喷出法,形成了由银墨而构成的材料层。然后,作为该被处理材料的上述膜,以将其材料层形成面作为外侧那样地保持在转鼓上,在该膜上热处理片的上述片,将其光热转变层形成面作为内侧,卷绕在上述膜上,并进行了密接。而且,一边以50rpm旋转转鼓,一边利用功率14W的近红外半导体激光装置,对于片照射2次波长830nm的激光。照射后,银墨呈现银色,确认呈现了导电性,电阻值为30Ω/cm。
(配线图案的形成方法)以下对于具有本发明热处理工序之一例配线图案形成工序进行说明。本实施方式中,在被处理材料1的基板3上配置配线图案形成材料,根据本发明的热处理方法,对该配置的配线图案形成用材料进行热处理。本实施方式中,为了将配线图案形成用材料配置在基板3上,使用液滴喷出法(喷墨法)喷出含有配线图案形成用材料的功能液液滴。在液滴喷出法中,在喷头20与基板3相对向的状态下,由喷头20喷出含有配线图案形成用材料的功能液液滴。
作为液滴喷出法的喷出技术,有带电控制方式、加压振动方式、电热转变方式、静电吸引方式、电机械转变方式等。带电控制方式是用带电电极向材料付与电荷,利用偏向电极控制材料的飞翔方向,由喷嘴中喷出。加压振动方式是向材料施加30kg/cm2左右的超高压,使材料由喷嘴端部喷出,在不施加控制电压时,材料一直前进,并从喷嘴喷出,施加控制电压时,材料间会产生静电反作用,材料形成飞散,不会从喷嘴喷出。电热转变方式是利用设在储存材料的空间的加热器,使材料激剧气化,产生气泡,利用气泡的压力,将空间内的材料喷出。静电吸引方式,向储存材料的空间内施加微小压力,使材料在喷嘴处形成弯月面,在此状态下加以静电引力,使材料引出。电机械转变方式是利用压电元件接受到脉冲电信号而变形的性质,由于压电元件的变形,通过储存材料的空间内可挠曲物质,付与压力,使材料从该空间受到挤压,从喷嘴喷出。除此之外,还可以使用利用电场引起流体粘性变化的方式,和用放电火花飞散的方式等技术。液滴喷出法的优点是所用材料浪费很少,而且可以将所要求量的材料准确地配置在所要求的位置上。利用液滴喷出法喷出液体材料之一滴量,例如为1-300纳克。本实施方式中,使用电机械转变方式(压电方式)。
图3是利用压电方式喷出功能液(液体材料)原理的说明图。
在图3中,喷头20备有盛装功能液(含有配线图案形成用材料的液体材料)的液体室、和与该液体室21邻接设置的压电元件22。通过含有盛装功能液材料箱的供给系统23,将功能液供与液体室21。压电元件22与驱动电路24连接,通过该驱动电路24,向压电元件22施加电压,通过压电元件22变形,使液体室21变形,功能液从喷嘴25喷出。这时,通过改变施加电压值,控制压电元件22的应变量。通过改变施加电压的频率控制压电元件22的应变速度,由于通过压电方式喷出液滴而不会加热材料,所以其优点是很难对材料的组份产生影响。
以下对形成配线图案的顺序进行说明。图4是形成配线图案的顺序流程图。对于形成配线图案的功能液,使用将溶剂(分散剂)取为二甘醇二乙醚的有机银化合物。图4中,本实施方式的配线图案形成方法,具有以下工序,即,在配置功能液液滴的基板上,形成与配线图案相应贮格围堰(bank)的贮格围堰形成工序(步骤1);向贮格围堰间沟槽部的底部付与亲液性的亲液化处理工序(步骤2);向贮格围堰付与疏液性的疏液化处理工序(步骤3);利用液滴喷出法,向贮格围堰间的沟槽部配置功能液液滴以形成膜图案(描绘)的材料配置工序(步骤4);包括至少除去一部分配置在基板上功能液液体成分的热处理的中间干燥工序(步骤5);和对形成所定膜图案的基板进行烧成的烧成工序(步骤7)。在中间干燥工序后,判断是否结束了所定图案的描绘(步骤6),图案描绘结束后进行烧成工序,而图案描绘没有结束,进行材料配置工序。
以下对各个工序进行说明。
(贮格围堰形成工序)首先,如图5(a)所示,作为表面改质处理,对基板3实施HMDS处理。HMDS处理是将六甲基二硅氨烷((CH3)3SiNHSi(CH3)3)形成蒸气状进行涂布的方法。由此,作为提高贮格围堰与基板3密接性的密接层,在基板3上形成HMDS层32。贮格围堰是在基板3上,以区分所定区域(形成配线图案的区域)的分割部件发挥功能的部件,贮格围堰的形成,可以利用光刻法和印刷法等任意的方法进行。例如,使用光刻法时,利用旋转涂布、喷出涂布、辊子涂布、模具涂布、浸渍涂布等所定的方法,如图5(b)所示,在基板3的HMDS层32上涂布与贮格围堰高度一致,贮格围堰形成用材料的有机材料31,在其上涂布抗蚀剂层。同样实施与贮格围堰形状(配线图案)相吻合的掩模,通过对抗蚀剂层进行曝光·显像,残留下与贮格围堰形状相吻合的抗蚀剂层。最后进行蚀刻除去抗蚀剂层以外部分的有机材料31。也可以由下层是无机物,上层是有机物构成的2层以上形成贮格围堰。由此,如图5(c)所示,设置贮格围堰B、B,以使围成周边形成配线图案的预定区域。作为形成贮格围堰的有机材料,可以是对功能液呈现疏液性的材料,也可以是如下述的,利用等离子体处理可疏液化的,与衬底基板的密接性很好的,易于利用光刻法形成图案的绝缘有机材料。例如可使用丙烯树脂、聚酰亚胺树脂、烯烃树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂等高分子材料。
在基板3上形成贮格围堰B、B时,实施氟酸处理,氟酸处理是例如用2.5%的氟酸水溶液实施蚀刻,除去贮格围堰B、B间HMDS层32的处理。在氟酸处理中,贮格围堰B、B以掩模发挥功能,除去位于贮格围堰B、B间形成沟槽部34底部35的有机物HMDS层32。由此,如图5(d)所示,除去了残渣HMDS。
(亲液化处理工序)接着对沟槽部34的底部35进行付与亲液性的亲液化处理工序。作为亲液化处理工序,可以选择通过照射紫外线,付与亲液性的紫外线(UV)照射处理,或在大气环境中以氧作为处理气体的O2等离子体处理等。同样,基板为玻璃基板时,其表面对功能液具有亲液性,但实施O2等离子体处理和紫外线照射处理,也可以提高在贮格围堰B、B间露出基板3表面(底部35)的亲液性。
O2等离子体处理和紫外线照射处理具有可以除去在底部35中存在的部分残渣HMDS的功能。由此,通过上述氟酸处理,即使产生没有完全除去贮格围堰B、B间底部35的有机物残渣(HMDS),通过进行O2等离子体处理或紫外线照射处理,也可以将该残渣去除。因此,作为残渣处理之一部分,虽然进行氟酸处理,但由于通过O2等离子体处理或紫外线照射处理,仍可以充分除去贮格围堰间底部35的残渣,所以也可以不进行氟酸处理。作为残渣处理,虽然说明了进行O2等离子体处理或紫外线照射处理中的任一种,但不用说,也可以将O2等离子体处理和紫外线照射处理组合。
(疏液化处理工序)接着,对贮格围堰B进行疏液化处理,向其表面付与疏液性。作为疏液性处理,可以采用在大气环境中,将四氟化碳(四氟甲烷)作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。作为处理气体,并不限于四氟化碳,也可以使用其他的氟碳系气体。通过进行这种疏液化处理,向构成贮格围堰B、B的树脂中导入氟基,付与高的疏液性。作为上述亲液化处理的O2等离子体处理,虽然在形成贮格围堰B前进行,但由于丙烯树脂和聚酰亚胺树脂等具有比利用O2等离子体进行前处理更容易形成疏液化(氟化)的性质,所以最好在形成贮格围堰B之后进行O2等离子体处理。
对贮格围堰B、B进行的疏液化处理,对事先进行亲液化处理的贮格围堰间基板3露出部分,多少都会有影响,尤其是基板3由玻璃等形成时,由于疏液化处理没有产生导入氟基,所以实际上也没有损害基板3的亲液性,即润湿性。关于贮格围堰B、B,也可以通过具有疏液性的材料(例如,具有氟基的树脂材料)形成,以省略该疏液化处理。
(材料配置工序)材料配置工序,如图6(e)所示,是通过由液滴喷出装置的液滴喷头20,喷出含有配线图案形成用材料的功能液液滴30,以配置在贮格围堰B、B间的沟槽部34内,在基板3上形成线状膜图案(配线图案)的工序。
本实施方式中,功能液是将含有配线图案形成用材料银的有机银化合物分散在二甘醇二乙醚中的液体。喷出液滴形成配线图案的预定区域(即,沟槽部34)是由贮格围堰B、B围成,所以可以阻止液滴扩展到所定位置以外。另外,由于对贮格围堰B、B付与了疏液性,喷出液滴之一部分即使落在贮格围堰B上,通过贮格围堰表面形成疏液性,所以从贮格围堰B上弹下,而落入贮格围堰间的沟槽部34内。进而,基板3露出的沟槽部34底部35,由于付与了亲液性,所以喷出的液滴在底部35很容易扩展,由此,功能液,如图6(f)所示,均匀配置在所定的位置内。
(中间干燥工序)向基板3上喷出液滴30后,为了除去分散剂和确保膜厚,可以根据需要进行干燥处理。干燥处理可以按照本发明的热处理方法进行。即,使热处理片7,相对于设在被处理材料的基板上的贮格围堰B和沟槽部34内的功能液被密接,通过向与热处理片7中至少沟槽部34相对应的区域照射激光光束,由热处理片7的光热转变层4生成的热能对沟槽部34内的功能液(导电性材料层)进行干燥(参照图7)。而且,通过重复进行上述中间干燥工序和上述材料配置工序,如图6(g)所示,可使功能液的液滴形成数层层叠,并形成膜厚厚的配线图案膜(膜图案)33A。
(烧成工序)喷出工序后的干燥膜,为了很好地形成微粒间的电接触,需要完全除去分散剂。为了提高导电性微粒表面的分散性,在涂布有机物等涂布材料时,这种涂布材料也需要去除。再有。功能液中含有有机银化合物时,为了得到导电性,需要进行热处理,除去有机银化合物中的有机成分,而残留下银粒子。为此,对喷出工序后的基板(被处理材料)3,实施本发明的热处理。即,对于作为被处理材料设在基板3上的贮格围堰B和沟槽部34内的膜图案33A,使热处理片7被密接,对热处理片7中至少与沟槽部34相对应的区域,照射激光光束,根据由热处理片7中光热转变层4生成的热能,烧成沟槽部34内的膜图案33A(参照图7)。通过以上工序,喷出工序后的导电性材料(有机银化合物)确保了微粒间的电接触,如图6(h)所示,转变成具有导电性的配线图案33。
另外,烧成工序后,通过除灰(ashing)剥离处理,可去除基板3上存在的贮格围堰B、B。作为除灰处理,可采用等离子体除灰和臭氯除灰等。等离子体除灰是使等离子体化的氧气等气体与贮格围堰反应,使贮格围堰气化,进行剥离去除的方法。贮格围堰是由碳、氧、氢构成的固体物质,通过与氧等离子体进行化学反应,形成CO2、H2O、O2,全部以气体剥离掉。而臭氧除灰的基本原理与等离子体除灰相同,是将O3(臭氧)分解,变成反应性气体O+(氧游离基),该O+与贮格围堰进行反应。与O+反应的贮格围堰变成CO2、H2O、O2,全部以气体剥离掉。通过对基板3实施除灰剥离处理,从基板3上除去贮格围堰。
上述实施方式,虽然是在基板3上设置区分基板3上所定区域的贮格围堰B,在贮格围堰B、B间配置功能液液滴的构成,但也可以不设置贮格围堰B,而在基板3表面上设置疏液化区域和亲液化区域,由喷头20对上述亲液化区域喷出配置功能液的液滴。在基板3表面上设置疏液化区域和亲液化区域时,例如,利用自组织化膜法和化学气相蒸镀法等,以FAS(氟烷基硅烷)对基板3进行处理,付与疏液性,接着,对该基板3有选择地照射紫外线(UV),可以分别形成疏液化区域和亲液化区域。作为疏液化处理,例如可以采用在大气环境中,以四氟甲烷为处理气体进行等离子体处理的方法(CF4等离子体处理法)。
在此,作为处理气体,并不仅限于四氟甲烷(四氟化碳),也可以使用其他氟碳系的气体,只要可以对功能液付与疏液性,也可以使用除氟外的其他处理气体。
另外,作为含有配线图案形成用材料的功能液,还可使用在分散剂中分散了导电性微粒子的分散液。作为导电性微粒子,例如能使用含有金、银、铜、铝、钯、和镍中的至少一种的金属微粒子,此外,还可使用这些金属的氧化物,以及导电性聚合物和超导电体的微粒子等。作为分散剂,只要可以分散上述导电性微粒子而不产生凝聚的就可以,没有特殊限定。例如,除水外,可以例示甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类,正庚烷、正辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、对异丙苯甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃类化合物;而且乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙醚、1,2-二甲氧乙烷、二(2-甲氧乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物;丙烯碳酸酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、环己酮等极性化合物。这些中,就微粒子的分散性和分散液的稳定性,和易于适用液滴喷出法而言,最好是水、醇类、烃类化合物、醚类化合物,作为更好的分散剂是水、烃类化合物。
(等离子体显示装置)以下,作为一例具有通过本发明的配线图案形成方法形成配线图案的电光学装置,一边参照图8,一边对等离子体显示装置进行说明。图8是由地址电极511和总线电极512a制成的等离子体显示装置500的分解立体图。这种等离子体显示装置500,大致由相对向配置的玻璃基板501和玻璃基板502,与这之间形成的放电显示部分510所构成。
放电显示部分510是多个放电室516的集合而成,多个放电室516中,将红色放电室516(R)、绿色放电室516(G)、蓝色放电室516(B)三个放电室516成对配置,构成1个像素。在上述(玻璃)基板501的上面,以所定间距形成条状的地址电极511,并形成电介质层519覆盖住这些地址电极511和基板501的上面,进而在电介质层519上,位于地址电极511,511之间,沿着各个地址电极511,形成有隔壁515。而且,在隔壁515中,其纵向的所定位置上,与地址电极511直交的方向上,以所定的间距进行分割(图示省略),基本上由与地址电极511的宽度方向左右两侧相邻的隔壁,和在与地址电极511直交的方向上延伸设置的隔壁,分割成长方形状的区域,与这些长方形区域相对应形成放电室516,这些长方形区域,三个为一对构成1个像素。而且,在由隔壁515区分成的长方形区域内,配置有荧光体517。荧光体517是发红、绿、蓝任何一种荧光的荧光体,所以分别在红色放电室516(R)的底部配置红色荧光体517(R)、在绿色放电室516(G)的底部配置绿色荧光体517(G)、在蓝色放电室516(B)的底部配置蓝色荧光体517(B)。
接着,在上述玻璃基板502侧,与上述地址电极511直交的方向上,以所定间距,由ITO形成多个条状的透明显示电极512,同时,为了辅助高电阻的ITO,由金属形成有总线电极512a,形成电介质层513,覆盖住它们,进而由MgO等形成有保护膜514。这样,将上述基板501和玻璃基板502的基板2相对向后彼此贴合,使上述地址电极511…与显示电极512…彼此形成直交,由基板501、隔壁515、和玻璃基板502侧形成的保护膜514围成空间部分,对该空间部分进行排气,并封入稀有气体,形成着放电室516。在玻璃基板502侧形成的显示电极512,对于各放电室516,每2个进行配置地形成着。上述地址电极511和显示电极512与未图示的交流电源连接,通过向各电极通电,在需要位置的放电显示部510中,激励荧光体517发光,形成彩色显示。
在本实施例中,特别是上述地址电极511和槽电极512a,通过本发明的配线图案形成方法形成。即,对于这些地址电极511和总线电极512a,尤其是在其形成图案中非常有利,喷出将金属胶体材料(例如金胶体和银胶体)和导电性微粒子(例如金属微粒子)分散而形成的功能液,通过干燥。烧成而形成的。对于荧光体517,是由喷头20,喷出溶剂中溶解了或分散剂中分散了荧光体材料的功能液,通过干燥·烧成也能形成。
(彩色滤光片)以下对使用本发明的热处理方法,制造电光学装置液晶显示装置的彩色滤光片顺序,参照图9和图10进行说明。首先,如图9(a)所示,对透明基板P的一个面,形成黑色基质(贮格围堰)52。该黑色基质52是区分彩色滤光片形成区域的基质,例如,按照光刻法形成。
接着,如图9(b)所示,从上述喷头20喷出含有彩色滤光片形成用材料的功能液滴54,使其弹落在滤光片元件53上。对于功能液54的喷出量,考虑到加热工序(干燥·烧成工序)中功能液体积的减少,取充足的量。
如上述,向基板P上全部滤光片元件53填充液滴54后,按照本发明的热处理方法加热功能液的液滴54。即,如图10所示,对黑色基质52,密接上热处理片7的光热转变层4,对该热处理片7照射光线。通过这种热处理,蒸发掉含有彩色滤光片形成用材料的功能液(功能性材料层)中的溶剂,减少功能液的体积。对于这种体积激剧减少的情况下,反复进行液滴喷出工序和加热工序,直到获得作为彩色滤光片的足够厚的膜。通过这种处理,蒸发掉功能液中所含的溶剂,最终只残留下功能液中所含的固体成分(功能性材料)而成膜,得到图9(c)所示的彩色滤光片55。
接着,为了使基板9平坦化,和保护彩色滤光片55,如图9(d)所示,在基板P上形成保护膜56,覆盖住彩色滤光片55和黑色基质52。形成该保护膜56时,可以采用旋转涂布法、辊子涂布法、劈开(ripping)法等方法。也可以与彩色滤光片55的情况一样,使用上述喷出装置进行。接着,如图9(e)所示,在整个保护膜56面上,利用溅射法和真空蒸镀法等形成透明导电膜57。随后,将透明导电膜57形成图案,如图9(f)所示,使像素电极58与上述滤光片元件53相对应形成图案。对于液晶显示屏的驱动使用TFT(Thin Film Transistor)时,不用形成这种图案。在这种彩色滤光片的制造中,由于使用上述喷头20,所以可以无障碍地连续喷出彩色滤光片材料,因此可以形成良好的彩色滤光片,并可以提高生产效率。
(有机EL显示装置)本发明的热处理方法,也适用于制造作为电光学装置的有机EL显示装置。参照图11~图13对有机EL显示装置的制造方法进行说明。为简化说明,图11~图13中只示出了单一的像素。
首先准备基板P。在此,有机EL元件的构成,能从基板侧射出由下述发光层发出的光,也能从基板的相反侧射出。在从基板侧射出发光的构成时,作为基板材料,虽然使用玻璃、石英、树脂等透明的或半透明的材料,但最好使用廉价的玻璃。本例中,作为基板,如图11(a)所示,使用由玻璃等形成的透明基板P。在基板P上,由非晶硅膜形成半导体膜700。接着,对该半导体膜700进行激光退火或利用本发明的热处理方法进行结晶化工序,聚硅膜中结晶化形成半导体膜700。而且,作为结晶化工序,也可以使用固相成长法等。接着,如图11(b)所示,将半导体膜(聚硅膜)700形成图案,成为岛状的半导体膜710。对其表面形成栅绝缘膜720。接着,如图11(c)所示,形成栅电极643A。接着,在此状态下,注入高浓度的磷离子,在半导体膜710上,对于栅电极643,形成自己整合的源·漏区域643a,643b。没有导入杂质的部分,形成通道区域643c。接着,如图11(d)所示,形成具有接触孔732、734的层间绝缘膜730后,在这些接触孔732,734内埋入中继电极736,738。接着,如图11(e)所示,在层间绝缘膜730上,形成信号线632、共同供电线633和扫描线(图11中未示出)。在此,中继电极738和各配线,也可以用同一工序形成。
这时,中继电极736通过下述的ITO膜形成。同样形成层间绝缘膜740,以覆盖各配线的上面,在与中继电极736相对应的位置上形成接触孔(未图示),在该接触孔内也以埋入地形成ITO膜,进而将该ITO膜形成图案,在由信号线632、共同供电线633和扫描线(未图示)围成的所定位置上,形成与源·漏区域643a进行电连接的像素电极641。这里,由信号线632和共同供电线633,进而扫描线(未图示)夹持的部分,成为形成下述空穴注入层和发光层的场所。
接着,如图12(a)所示,以围绕上述形成的场所那样形成贮格围堰650。这种贮格围堰650作为分割部件发挥功能,例如,最好由聚酰亚胺等绝缘性有机材料形成。贮格围堰650对于喷头喷出的功能液液滴最好呈现出非亲和性。为了使贮格围堰650实现非亲和性,例如采用以氟系化合物等对贮格围堰650的表面进行表面处理的方法。作为氟化合物,例如有CF4、SF5、CHF3等。作为表面处理,例如,有等离子体处理,UV照射处理等。这样的构成下,在空穴注入层和发光层的形成场所,即,这些形成材料的涂布位置与其周围贮格围堰650之间,形成足够高度的阶差611。接着,如图12(b)所示,在使基板P的上面向上的状态下,通过液滴喷头20,将含有空穴注入层形成用材料的功能液614A,有选择地涂布在贮格围堰650围成的涂布位置,即贮格围堰650内。接着根据本发明的热处理方法,对配置在基板P上的功能液614A进行热处理(干燥处理)。即,如图14所示,使热处理片7对贮格围堰650密接,对该热处理片7照射光线。由此,蒸发掉功能液(功能性材料层)614A中的溶剂,如图12(c)所示,在像素电极641上形成固体形的空穴注入层640A。
接着,如图13(a)所示,在使基板P的上面向上的状态下,通过液滴喷头20,有选择地将含有发光层形成用材料(发光材料)的功能液614B涂布在贮格围堰650内空穴注入层640A上。由液滴喷头喷出含有发光层形成用材料的功能液614B时,使功能液614B涂布在贮格围堰650内的空穴注入层640A上。在此,通过喷出功能液形成发光层时,是将含有发红色光的发光层形成用材料功能液、含有发绿色光的发光层形成用材料功能液、和含有发蓝色光的发光层形成用材料功能液,喷涂在分别对应的像素中。另外,预先确定各色对应的像素,以使它们形成有规则的配置。这样喷涂含有各色发光层形成用材料的功能液614B后,按照本发明的热处理方法进行热处理(干燥处理),通过蒸发掉功能液614A上形成固体形的发光层640B,由此得到由空穴注入层640A和发光层640B形成的发光部640。随后,如图13(c)所示,在整个透明基板P表面上,或者形成条状的反射电极654(相对电极)。这样就制得有机EL元件。
另外,也可以是将像素电极形成具有反射特性的电极,作为相对向电极,形成具有透明性电极(透明电极)的结构。这种情况下,由图面上的上方射出发光。进而作为像素电极,也可能形成具有透明性电极,还可能在像素电极的下层上形成具有发射性的材料。这种情况,例如可以利用以铝(Al)等材料为主成分的材料形成,如上述一样,形成由图面上的上方射出发光的结构。
如上述,本实施方式中,根据液滴喷出法形成空穴注入层640A和发光层640B,适用本发明的热处理方法。而且,根据本发明的配线图案形成方法,也能形成信号线632、共同供电线633,扫描线、和像素电极641等。
(电子机器)以下对具备上述电光学装置(有机EL显示装置、等离子体显示装置、液晶显示装置等)的电子机器适用例进行说明。图15(a)是表示一例移动电话机的立体图。图15(a)中,符号1000表示移动电话机主体,符号1001表示使用了上述电光学装置的显示部。图15(b)是表示一例手表型电子机器的立体图。图15(b)中,符号1100表示手表主体,符号1101表示使用了上述电光学装置的显示部。图15(c)是一例文字处理器,个人计算机等携带型信息处理装置的立体图。图15(c)中,符号1200表示信息处理装置,符号1202表示键盘等输入部,符号1204是信息处理装置主体,符号1206是使用了上述电光学装置的显示部。图15(a)~(c)所示的电子机器,由于具有上述实施方式的电光学装置,所以可以获得具有显示质量优良,清晰的画面显示部的电子机器。
另外,除了上述例外,作为其他例,还有液晶电视、取景器型和监测直视型的视频信号磁带录像器、汽车驾驶导向装置、寻呼机、电子笔记本、计算器、文字处理器、工作台、电视电话、具有POS末端、电子纸、触摸屏的设备等。本发明的电光学装置也适用于这种电子机器的显示部。
(微透镜)图16是表示使用本发明的热处理方法,形成微透镜工序之一例的图。
如图16(a)所示,在基板810上形成贮格围堰811。而且,从喷头20,对该贮格围堰811,811之间的沟槽部内喷出含有透镜材料的功能液812。作为透镜材料,最好是透明高折射率的材料。例如,使用光固化性和热固化性的树脂、无机材料等。本例中,使用了热固化性树脂。在喷出功能液812的工序之前,最好对贮格围堰811进行上述疏液化处理。接着,如图16(b)所示,将配置在基质材料810上的透镜材料812进行固化。作为固化处理,使用本发明的热处理方法。即,对贮格围堰811密接上热处理片7,并对该热处理片7照射光线。作为透镜材料,使用光固化性树脂时,通过对透镜材料照射所定波长的光,进行固化处理。通过固化处理,在由贮格围堰811区分的区域内形成凸状的曲面透镜813。
权利要求
1.一种热处理方法,其特征在于,在将含有可以将光能转变成热能的光热转变材料的基质材料与被处理材料相对向的状态下,向上述基质材料照射光,使用上述光热转变材料对上述被处理材料进行热处理。
2.根据权利要求1所述的热处理方法,其特征在于,在使上述基质材料1与上述被处理材料密接的状态下照射光线。
3.根据权利要求1或2所述的热处理方法,其特征在于,上述含有光热转变材料的光热转变层,在上述基质材料上,与该基质材料独立而被设置着。
4.根据权利要求3所述的热处理方法,其特征在于,在将上述光热转变层与上述被处理材料相对向的状态下照射光线。
5.根据权利要求3或4所述的热处理方法,其特征在于,在使上述光热转变层与被处理材料密接的状态下照射光线。
6.根据权利要求1~5中的任一项所述的热处理方法,其特征在于,将上述光热转变材料混合在上述基质材料中。
7.根据权利要求1~6中的任一项所述的热处理方法,其特征在于,上述热处理包括干燥处理和烧成处理中的至少一种。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的热处理方法,其特征在于,上述被处理材料含有导电性材料,并对上述导电性材料进行热处理。
9.根据权利要求1~8中的任一项所述的热处理方法,其特征在于,照射具有与上述光热转变材料相应波长的光。
10.一种配线图案的形成方法,其特征在于,具有对设在被处理材料上的导电性材料层,通过权利要求1~9中的任一项所述的热处理方法进行热处理的工序。
11.一种电光学装置的制造方法,其特征在于,具有对设在被处理材料上的功能性材料层,通过权利要求1~9中的任一项所述的热处理方法进行热处理的工序。
12.一种电光学装置,其特征在于,具有通过权利要求10所述的形成方法形成的配线图案。
13.一种电光学装置,其特征在于,通过权利要求11所述的制造方法制造的。
14.一种电子机器,其特征在于,具有权利要求12或13所述的电光学装置。
全文摘要
本发明提供一种不对被处理材料的材质产生影响,而可以有效对该被处理材料进行热处理的热处理方法。将具有可以使光能转变成热能的光热转变层(4)和基质材料(5)的热处理片(7)与被处理材料(1)相对向,并向热处理片(7)照射光线,使用由光热转变层(4)生成的热能,对被处理材料(1)进行热处理。
文档编号H01L21/268GK1585575SQ20041005768
公开日2005年2月23日 申请日期2004年8月23日 优先权日2003年8月22日
发明者丰田直之 申请人:精工爱普生株式会社
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