抗蚀图形形成方法、使用该法的微细图形形成方法

文档序号:6835808
专利名称:抗蚀图形形成方法、使用该法的微细图形形成方法
技术领域
本发明涉及抗蚀图形的形成方法、使用该法的微细图形的形成方法以及液晶显示元件的制造方法。
背景技术
在液晶显示元件的液晶阵列基板的制造中,使用利用了光致抗蚀剂被膜的光刻工序。
图2~图15是表示制造图16所示的结构的α-Si(无定形二氧化硅)形TFT阵列基板的工序的例子的图。在该例中,首先如图2所示,在玻璃基板1上形成栅电极层2’。
接着,在栅电极层2’上形成光致抗蚀剂被膜,通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形,该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序,如图3所示,形成抗蚀图形R1(第1光刻工序)。
然后,将得到的抗蚀图形R1作为掩膜对栅电极层2’进行蚀刻,然后通过除去抗蚀图形R1而形成如图4所示的栅电极2。
接着,如图5所示,在形成栅电极2的玻璃基板1上形成第1绝缘膜3,进而在其上面按顺序形成第1α-Si层4’以及蚀刻阻止膜5’。
在蚀刻阻止膜5’上形成光致抗蚀剂被膜,通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形,该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序,如图6所示,形成抗蚀图形R2(第2光刻工序)。
然后,将得到的抗蚀图形R2作为掩膜对第1α-Si层4’以及蚀刻阻止膜5’进行蚀刻,然后通过除去抗蚀图形R2而形成如图7所示的第1α-Si层4和蚀刻阻止膜5的层叠体。
如图8所示,在其上按顺序形成第2α-Si层6’以及源漏电极形成用金属膜7’。
然后,在该金属膜7’上形成光致抗蚀剂被膜,通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形,该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序,形成如图9所示的抗蚀图形R3(第3光刻工序)。
然后,将得到的抗蚀图形R3作为掩膜对金属膜7’以及第2α-Si层6’进行蚀刻,然后通过除去抗蚀图形R3,如图10所示,在蚀刻阻止膜5上形成已图形化的第2α-Si层6和源电极以及栅电极7。
接着,如图11所示,在玻璃基板1上形成第2绝缘膜8’。
然后,在该第2绝缘膜8’上形成光致抗蚀剂被膜,通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形,该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序,形成如图12所示的抗蚀图形R4(第4光刻工序)。
然后,将得到的抗蚀图形R4作为掩膜对第2绝缘膜8’进行蚀刻,然后通过除去抗蚀图形R4,如图13所示,形成图形化为具有接触孔的形状的第2绝缘膜8。
接着,如图14所示,在玻璃基板1上形成透明导电膜9’。
然后,在该透明导电膜9’上形成光致抗蚀剂被膜,通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形,该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序,形成如图15所示的抗蚀图形R5(第5光刻工序)。
然后,将得到的抗蚀图形R5作为掩膜对透明导电膜9’进行蚀刻,然后通过除去抗蚀图形R5,如图16所示,形成具有图形的透明导电膜9,从而得到液晶阵列基板。
经过这种工序而制成液晶阵列基板的方法,一共进行5次使用光掩膜进行选择性曝光的光刻工序(第1~第5光刻工序)。
不过,近年来,强烈要求液晶显示元件的低价格化,为此也在寻求制造工序的简略化,并控制抗蚀剂的消耗量等。
因此,为了响应这种需求,根据领域的不同使用厚度不同的台阶形抗蚀图形,由此,以前曾提出用1次的光刻工序进行使用了2次的光刻工序的方法。在该方法中,将台阶形抗蚀图形作为掩膜而进行蚀刻,然后通过利用其厚度差,将没有进行光刻工序而使该台阶形抗蚀图形的平面形状变形的构件再次作为掩膜使用,以进行蚀刻。
根据上述方法,理论上能够减少实施光刻工序的次数,所以由此能够控制抗蚀剂的消耗量,也可以简略化工序,所以希望其在廉价的液晶显示元件的制造中是有效的。
但是,即使使用以往的液晶显示元件制造中优选的抗蚀剂材料形成这种台阶形抗蚀图形,耐蚀刻性和耐热性不够充分,所以实现这种方法比较困难。
具体地说,如上所述,因为台阶形抗蚀图形在其变形前和变形后都是作为蚀刻的掩膜而使用的,需要其具有高耐蚀刻性,不过形成这种具有高耐蚀刻性的台阶形抗蚀图形比较困难。
另外,为了使在液晶显示元件的制造中所使用的抗蚀图形耐受蚀刻工序和注入工序,有时实施后烘处理以提高耐热性,不过在以往的液晶显示元件制造中优选的抗蚀剂材料在价廉且具有高灵敏度的反面,出现耐热性劣化的趋势,所以通过后烘处理使台阶形的抗蚀图形出现瑕疵,从而难以维持厚度不同的形状。

发明内容
本发明正是鉴于上述情况而完成的发明,其目的在于,提供一种耐蚀刻性以及耐热性优良并能够形成台阶形抗蚀图形的抗蚀图形的形成方法。
另外,本发明的目的还在于,提供使用了本发明的抗蚀图形的形成方法的微细图形的形成方法、以及使用该图形的液晶显示元件的制造方法。
为了达到上述目的,本发明的抗蚀图形的形成方法具有(A)在基体上形成光致抗蚀剂被膜的工序、(B)经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜形成具有厚壁部和薄壁部的图形形状的工序、以及(C)在进行上述图形形成之后进行UV固化处理而形成具有厚壁部和薄壁部的台阶形抗蚀图形的工序。
本发明的微细图形的形成方法优选含有(D)在进行了上述UV固化处理之后进一步进行后烘处理的工序。
关于本发明的微细图形的形成方法,作为上述基体,优选具有从玻璃基板一侧开始按顺序将栅电极、第1绝缘膜、第1无定形二氧化硅膜、蚀刻阻止膜、第2无定形二氧化硅膜、以及源漏电极形成用金属膜层叠在玻璃基板上而成的多层结构的构件。
关于本发明的微细图形的形成方法,在形成上述的台阶形抗蚀图形之后,优选进一步具有的工序为(E)将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述基体进行蚀刻处理,然后,(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化(ashing)处理,除去上述薄壁部,(G)在除去上述薄壁部之后,将厚壁部作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理,随后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部的工序。
或者,关于本发明的微细图形的形成方法,在通过使用具有上述多层结构体的基体的本发明的抗蚀图形的形成方法而形成上述台阶形抗蚀图形之后,优选进一步具有(E’)将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述源漏电极形成用金属膜、上述第2无定形二氧化硅膜、上述蚀刻阻止膜、以及上述第1无定形二氧化硅膜进行蚀刻处理,然后,(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化(ashing)处理,除去上述薄壁部,(G’)在除去上述薄壁部之后,将厚壁部作为掩膜而对上述源漏电极形成用金属膜以及上述第2无定形二氧化硅膜实施蚀刻处理,以露出上述蚀刻阻止膜层,随后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部的工序。
关于本发明的微细图形的形成方法,对上述源漏电极形成用金属膜的蚀刻处理优选湿式蚀刻处理或干式蚀刻处理,对上数第1无定形二氧化硅膜的蚀刻处理优选干式蚀刻处理。
本发明的液晶显示元件的制造方法,是具有在玻璃基板上形成像素图形而制作液晶阵列基板的工序的液晶显示元件的制造方法,通过本发明的微细图形的形成方法形成上述像素图形的一部分。
另外,本发明的液晶显示元件的制造方法,是在通过使用具有上述多层结构体的基体的本发明的抗蚀图形的形成方法而形成微细图形之后,优选进一步具有(I)在该微细图形上设置第2绝缘膜的工序、(J)通过光刻使第2绝缘膜形成图形的工序、(K)在形成图形的第2绝缘膜上形成透明导电膜的工序、(L)通过光刻使透明导电膜形成图形的工序。
根据本发明的抗蚀图形的形成方法,通过在光致抗蚀剂被膜形成图形之后实施UV固化,能够形成耐蚀刻性、耐热性良好且具有优良的形状稳定性的台阶形抗蚀图形。
另外,在液晶显示元件的制造中,与半导体制造工序相比,抗蚀剂消耗量显著大量化,另外,为了高生产率地使大型基板产品化,提高生产量是必不可少的。以前,例如虽将随意地使用了低分子量树脂的抗蚀剂材料等价廉且高灵敏度的抗蚀剂材料用于这种用途,但出现耐热性劣化的趋势,所以经过后烘处理的台阶形抗蚀图形出现瑕疵,从而难以维持厚度不同的形状。根据本发明,即使使用这种价廉且高灵敏度的抗蚀剂材料,也能够形成耐蚀刻性、耐热性良好的台阶形抗蚀图形。
根据本发明的微细图形的形成方法,台阶形抗蚀图形的耐蚀刻性优良,所以在将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对基体进行蚀刻之后,能够将通过灰化(ashing)处理除去该台阶形抗蚀图形的薄壁部而成的构件再次作为掩膜,从而对基体进行蚀刻,所以能够减少使用光掩膜对光致抗蚀剂被膜进行图形形成的光刻工序的次数。
因此,能够控制光致抗蚀剂的消耗量,也能够削减相对价高的光掩模的费用,进而也能够使工序简略化。
根据本发明的液晶显示元件的制造方法,能够在玻璃基板上形成像素图形并减少制成液晶阵列基板工序中的光刻工序的次数,所以由此,能够实现光致抗蚀剂消耗量的抑制、光掩膜使用的削减。另外,制造工序也能够简略化,所以对制造价廉的液晶显示元件是有效的。


图1A~图1G是按工序顺序表示本发明的抗蚀图形的形成方法以及微细图形的形成方法的实施方式的截面图。
图2是表示以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图3是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图4是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图5是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图6是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图7是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图8是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图9是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图10是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图11是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图12是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图13是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图14是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图15是表示继续前图的以往的液晶阵列基板的制造工序的一部分的截面图。
图16是表示液晶阵列基板的例子的截面图。
具体实施例方式
<光致抗蚀剂组合物>
对用于形成光致抗蚀剂被膜的光致抗蚀剂组合物没有特别限制,能够使用至今为止用于液晶显示元件制造的抗蚀剂材料。
例如,能够优选使用的正型光致抗蚀剂组合物为相对于(A)碱性可溶性树脂100质量份,含有(B)下述通式(I)所表示的酚化合物5~25质量份,相对于(A)成分和(B)成分的总质量100质量份,含有从(C)下述通式(III)所表示的醌二叠氮酯化物(感光成分1)以及下述通式(V)所表示的醌二叠氮酯化物(感光成分2)中选出的至少一种,且其含量范围为15~40质量份,进而含有(D)有机溶剂。
[式中,R1~R8分别独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1~6的烷基、碳原子数1~6的烷氧基、或者碳原子数3~6的环烷基;R10、R11分别独立地表示氢原子或者碳原子数1~6的烷基;R9可以是氢原子、碳原子数1~6的烷基,此时Q具有氢原子、碳原子数1~6的烷基或用下述化学式(II) (式中,R12以及R13分别独立地表示氢原子、卤原子、碳原子数1~6的烷基、碳原子数1~6的烷氧基、或者碳原子数3~6的环烷基;c表示整数1~3。)表示的残基,或者,Q能够和R9的末端键合,此时,Q与R9、以及Q和R9之间的碳原子一起表示碳数3~6的环烷基;a、b表示整数1~3;d表示整数0~3;当a、b或d是3时,分别作为没有R3、R6或R8的化合物;n表示整数0~3。] (式中,D独立地表示氢原子、或1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰基,D中的至少一个表示1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰基。)关于(A)成分(碱性可溶性树脂)对作为(A)成分的碱性可溶性树脂没有特别限制,在正型光致抗蚀剂组合物中,作为被膜形成物质,能够从通常可以使用的物质中任意选择。例如,可以举例为作为正型光致抗蚀剂组合物的被膜形成用树脂而众所周知的酚醛树脂、丙烯酸树脂、苯乙烯和丙烯酸的共聚物、羟基苯乙烯的聚合物、聚乙烯基苯酚、聚α-甲基乙烯基苯酚等。其中,特别优选使用酚醛树脂,其中,优选无需溶胀而容易地溶解于碱性水溶液且显影性优良的热塑性酚醛清漆树脂。
作为酚醛树脂的例子,可以列举出酚类和醛类的缩合反应产物、酚类和酮类的缩合反应产物、乙烯基酚类聚合物、异丙烯基酚类聚合物、它们的酚醛树脂的加氢反应产物等。
作为形成上述酚醛树脂的酚类,可以列举出如苯酚;间甲酚、对甲酚、邻甲酚等甲酚类;2,3-二甲苯酚、2,5-二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、3,4-二甲苯酚等二甲苯酚类;间乙基苯酚、对乙基苯酚、邻乙基苯酚、2,3,5-三甲基苯酚、2,3,5-三乙基苯酚、4-叔丁基苯酚、3-叔丁基苯酚、2-叔丁基苯酚、2-叔丁基-4-甲基苯酚、2-叔丁基-5-甲基苯酚等烷基苯酚类;对甲氧基苯酚、间甲氧基苯酚、对乙氧基苯酚、间乙氧基苯酚、对丙氧基苯酚、间丙氧基苯酚等烷氧基苯酚类;邻异丙烯基苯酚、对异丙烯基苯酚、2-甲基-4-异丙烯基苯酚、2-乙基-4-异丙烯基苯酚等异丙烯基苯酚类;苯基苯酚等芳基苯酚类;4,4’-二羟基联苯、双酚A、间苯二酚、对苯二酚、邻苯三酚等聚羟基苯酚类等。可以单独使用它们,也可以组合两种以上使用。在这些酚类当中,特别优选间甲酚、对甲酚、2,5二甲苯酚、3,5-二甲苯酚、2,3,5-三甲基苯酚。
作为上述醛类,可以列举出如甲醛、多聚甲醛、三噁烷、乙醛、丙醛、丁醛、三甲基乙醛、丙烯醛、丁烯醛、环己醛、糠醛、呋喃基丙烯醛、苯甲醛、对苯二甲醛、苯乙醛、α-苯丙醛、β-苯丙醛、邻羟基苯甲醛、间羟基苯甲醛、对羟基苯甲醛、邻甲基苯甲醛、间甲基苯甲醛、对甲基苯甲醛、邻氯苯甲醛、间氯苯甲醛、对氯苯甲醛、肉桂醛等。可以单独使用它们,也可以组合两种以上使用。在这些醛类当中,从容易获得的观点来看,优选甲醛,但为了改善耐热性,特别优选组合使用羟基苯甲醛类和甲醛。
作为上述酮类,可以列举出如丙酮、甲基乙基甲酮、二乙酮、二苯基甲酮等。可以单独使用它们,也可以组合两种以上使用。在酚类和酮类的组合当中,特别优选邻苯三酚和丙酮的组合。
酚类和醛类或酮类的缩合反应产物,能够通过有酸性催化剂存在的公知方法来制造。作为此时的酸性催化剂,能够使用盐酸、硫酸、蚁酸、草酸、对甲苯磺酸等。由此得到的缩合反应产物,通过实施分类等处理分出的低分子区域的物质具有优良的耐热性,所以优选。分类等处理是通过将通过缩合反应得到的树脂溶解于良好溶剂、如甲醇、乙醇等醇,丙酮、甲基乙基酮等酮,或乙二醇单乙醚乙酸酯、四氢呋喃等中,接着注入到水中而使其沉淀等方法而进行的。
在上述的物质中,特别优选在全酚类重复单元中含有对甲酚类重复单元60摩尔%以上、且含有间甲酚类重复单元30摩尔%以上并且聚苯乙烯换算重均分子量(Mw)为2000~8000的酚醛清漆树脂。
当对甲酚类重复单元不到60摩尔%时,容易出现针对加热处理时的温度不均的灵敏度变化,另外,当间甲酚类重复单元不到30摩尔%时,灵敏度有劣化的趋势,所以不优选。
还有,也可以含有二甲苯酚类重复单元、三甲基苯酚类重复单元等其他的酚类重复单元,不过最优选由对甲酚类重复单元60~70摩尔%、间甲酚类重复单元40~30摩尔%构成的2组分类的酚醛清漆树脂,优选如同酚类的2核体(有2个酚核的缩合物分子)含量在GPC(凝胶渗透色谱法)法中为10%以下的酚类的低分子量体含量较少的酚醛清漆树脂。这是因为上述2核体在高温(例如130℃)的预烘或后烘中升华而污染炉子的顶板等,进而污染涂敷了抗蚀剂的玻璃基板,成为其有效利用率降低的原因。
关于(B)成分(增感剂)作为(B)成分,优选使用由上述通式(I)表示的酚类化合物。
作为(B)成分的例子,可以列举出三(4-羟苯基)甲烷、双(4-羟基-3-甲基苯基)-2-羟苯基甲烷、双(4-羟基-2,3,5-三甲基苯基)-2-羟苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-4-羟苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-3-羟苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-2-羟苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-4-羟苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-3-羟苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-2-羟苯基甲烷、双(4-羟基-3,5-二甲基苯基)-3,4-二羟苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-3,4-二羟苯基甲烷、双(4-羟基-2,5-二甲基苯基)-2,4-二羟苯基甲烷、双(4-羟苯基)-3-甲氧基-4-羟苯基甲烷、双(5-环己基-4-羟基-2-甲基苯基)-4-羟苯基甲烷、双(5-环己基-4-羟基-2-甲基苯基)-3-羟苯基甲烷、双(5-环己基-4-羟基-2-甲基苯基)-2-羟苯基甲烷、双(5-环己基-4-羟基-2-甲基苯基)-3,4-二羟苯基甲烷、1-[1-(4-羟苯基)异丙基]-4-[1,1-双(4-羟苯基)乙基]苯、1-[1-(3-甲基-4-羟苯基)异丙基]-4-[1,1-双(3-甲基-4-羟苯基)乙基]苯、2-(2,3,4-三羟苯基)-2-(2’,3’,4’-三羟苯基)丙烷、2-(2,4-二羟苯基)-2-(2’,4’-二羟苯基)丙烷、2-(4-羟苯基)-2-(4’-羟苯基)丙烷、2-(3-氟-4-羟苯基)-2-(3’-氟-4’-羟苯基)丙烷、2-(2,4-二羟苯基)-2-(4’-羟苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羟苯基)-2-(4’-羟苯基)丙烷、2-(2,3,4-三羟苯基)-2-(4’-羟基-3’,5’-二甲基苯基)丙烷、双(2,3,4-三羟苯基)甲烷、双(2,4-二羟苯基)甲烷、2,3,4-三羟苯基-4’-羟苯基甲烷、1,1-二(4-羟苯基)环己烷、2,4-双[1-(4-羟苯基)异丙基]-5-羟基苯酚等。
其中,因为增感效果尤其优良,所以优选双(4-羟基-3-甲基苯基)-2-羟苯基甲烷、双(4-羟基-2,3,5-三甲基苯基)-2-羟苯基甲烷、2,4-双[1-(4-羟苯基)异丙基]-5-羟基苯酚、1,1-二(4-羟苯基)环己烷、1-[1-(4-羟苯基)异丙基]-4-[1,1-双(4-羟苯基)乙基]苯等。
在液晶显示元件的制造领域中,生产量的提高是非常大的问题,不过通过配合该酚类化合物,达到高灵敏度化而有助于提高生产量,所以优选。
另外,通过配合该酚类化合物,在抗蚀膜上形成结实的表面难溶层,所以未曝光部分的抗蚀膜在显影时的膜磨损量较少,控制因显影时间的差产生的显影不均的出现,所以优选。
在该酚化合物中,用下式(VI)表示的化合物(1-[1-(4-羟苯基)异丙基]-4-[1,1-双(4-羟苯基)乙基]苯)和用下式(VII)表示的(双(2,3,5-三甲基-4-羟苯基)-2-羟苯基甲烷)在高灵敏度化、高残膜率化以及线性的改善效果优良这一点上,特别优选。
当配合(B)成分时,相对于作为(A)成分的碱性可溶性树脂100质量份,其含量为在5~25质量份、优选10~20质量份的范围内选择。当不够该范围时,无法得到足够的高灵敏度化、高残膜率化的改善效果,当超过这一范围时,容易在显影后的基板表面上出现残渣物,另外,原料成本也升高,所以不优选。
关于(C)成分(感光成分)优选使用从上述通式(III)所表示的醌二叠氮酯化物(感光成分1)以及上述通式(V)所表示的醌二叠氮酯化物(感光成分2)中选出的至少一种,特别是通过混合使用该感光成分1和感光成分2,即使在使用了500×600mm2的大型玻璃基板的工艺中,也能够提供宏观特性(涂敷性、加热不均特性、显影不均特性)优良的抗蚀剂材料。
还有,感光成分1的平均酯化率优选40~60%,更优选45~55%。当不到40%时,容易出现显影后的膜磨损,容易降低成膜率。当超过60%时,有灵敏度明显劣化的趋势。
作为该感光成分1,根据用下式(VIII)表示的化合物(双(2-甲基-4-羟基-5-环己基苯)-3,4-二羟苯基甲烷)的1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰化合物而成的醌二叠氮酯化物,在能够调节相对廉价且灵敏度、清晰度、线性优良的抗蚀剂组合物这一点上是优选的。其中,最优选酯化率50%。
另一方面,作为感光成分2,优选根据用下式(IX)表示的2,3,4,4’-羟基二苯甲酮的1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰化合物而成的醌二叠氮酯化物。其中,优选平均酯化率50~70%的物质,更优选55~65%。当不到50%时,容易出现显影后的膜磨损,容易降低残膜率。另一方面,当超过70%时,有贮存稳定性降低的趋势。该感光成分2在能够调节价格非常低廉且灵敏度优良的抗蚀剂组合物这一点上是优选的。其中,最优选酯化率59%的物质。
(C)感光成分除了能够使用上述感光成分1、2之外,还能够使用其他醌二叠氮酯化物。
上述其他醌二叠氮酯化物的使用量在(C)感光成分中优选为30质量%以下,特别优选在25质量%以下。
关于感光成分1和2的混合比例,相对于感光成分1的50质量份,优选感光成分2为40~60质量份,特别优选在45~55质量份的范围内。
当感光成分2的配合量少于该范围时,灵敏度有劣化的趋势,当多于该范围时,抗蚀剂组合物的清晰度、线性有劣化的趋势。
相对于作为(A)成分的碱性可溶性树脂和(B)成分的合计量100质量份,(C)成分的配合量在15~40质量份、优选20~30质量份的范围内进行选择为好。当(C)成分的配合量不够上述范围时,无法得到忠实于图形的图像,且复制性也降低。另一方面,当(C)成分的配合量超过上述范围时,灵敏度和清晰度劣化,另外,在显影处理之后有出现残渣物的趋势。
这种光致抗蚀剂组合物优选将(A)~(C)成分以及各种添加成分溶解于作为有机溶剂的下述(D)成分而以溶液的形式使用。
关于(D)成分(有机溶剂)作为优选的有机溶剂的例子,能够列举出丙酮、甲基乙基甲酮、环己酮、甲基异戊基甲酮、2-庚酮等酮类;乙二醇、丙二醇、二甘醇、乙二醇单乙酸酯、丙二醇单乙酸酯、二甘醇单乙酸酯、或它们的单甲醚、单乙基醚、单丙基醚、单丁基醚或单苯基醚等多元醇类及其衍生物;类似二噁烷的环醚类;以及乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸丁酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯等酯类。可以单独使用它们,也可以混合2种以上使用。
其中,丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA)赋予光致抗蚀剂组合物优良的涂敷性,并赋予大型玻璃基板上的抗蚀剂被膜优良的膜厚均匀性,所以优选。
最优选将PGMEA作为纯溶剂使用,不过除PGMEA之外的溶剂也能够和它混合使用。作为这种溶剂,可以举例为乳酸乙酯、γ-丁内酯、丙二醇单丁基醚等。
当使用乳酸乙酯时,优选在相对于PGMEA的质量比为0.1~10倍量、优选1~5倍量的范围内进行配合。
另外,当使用γ-丁内酯时,优选在相对于PGMEA的质量比为0.01~1倍量、优选0.05~0.5倍量的范围内进行配合。
在液晶显示元件的制造领域中,通常需要抗蚀剂被膜以0.5~2.5μm、特别是1.0~2.0μm的膜厚形成在玻璃基板上,为此优选使用这些有机溶剂,将组合物中的上述(A)~(C)成分的总量相对于组合物的总质量调整成30质量%以下、优选20~28质量%,以作为涂敷性优良的液晶显示元件制造用抗蚀剂材料。
此时也考虑任意使用的下述(E)成分的量,相对于组合物的总质量,溶剂(D)的使用量为65~85质量%,优选70~75质量%。
关于(E)成分(其他添加剂)作为其他成分,能够在不影响本发明的目的的范围内添加下述添加剂,即用于消晕的紫外线吸收剂,如2,2’,4,4’-四羟基二苯甲酮、4-二甲胺基-2’,4’-二羟基二苯甲酮、5-氨基-3-甲基-1-苯基-4-(羟基苯偶氮基)吡唑、4-二甲胺基-4’-羟基偶氮苯、4-二乙胺基-4’-乙氧基偶氮苯、4’-二乙胺基偶氮苯、姜黄色素等;或用于防止条痕的表面活性剂,如Florade FC-430、FC-431(商品名,住友3M(株)制)、Efftop EF122A、EF122B、EF122C、EF126(商品名,TokemProduct(株)制)等氟类表面活性剂,苯醌、萘醌、对甲苯磺酸等贮存稳定剂、进而必要时还可以添加加成树脂、增塑剂、稳定剂、对比度改善剂等惯用的添加剂。
下面,举出应用于液晶显示元件制造的例子,参照图1A~图1G,对本发明的抗蚀图形的形成方法和使用了该方法的微细图形的形成方法的实施方式进行说明。
首先。准备基体。对本发明的基体没有特别限制,但当使用基板上层叠有2层以上的用于蚀刻的层的基体时,可以有效获得本发明的效果,所以优选。
当制造液晶显示元件时,作为基体10,例如,如图1A所示,使用具有在玻璃基板1上从玻璃基板1一侧开始依次层叠栅电极2、第1绝缘膜3、第1无定形二氧化硅膜4’、蚀刻阻止膜5’、第2无定形二氧化硅膜6’、以及源漏电极形成用金属膜7’而成的多层结构的构件。栅电极2的图形形成能够按照上述图2~图4的步骤(包括第1光刻工序)进行。
对玻璃基板的大小没有特别限制,也能够形成500×600mm2以上、特别是550~650mm2以上的大型基板。
栅电极2是使用如铝(Al)、铬(Cr)、钛(Ti)、或钼(Mo)等金属等导电性材料而形成的。
第1绝缘膜3例如是由SiNx形成的。
蚀刻阻止膜5’例如是由SiNx形成的。
源漏电极形成用金属膜7’例如是由按顺序层叠钛(Ti)和铝(Al)和钛(Ti)而成的层叠膜构成的。
(A)首先,在基体10上形成光致抗蚀剂被膜R’。具体地说,在基体10上涂敷上述光致抗蚀剂组合物,通过在约100~140℃下进行加热干燥(预烘)而形成光致抗蚀剂被膜R’。
光致抗蚀剂被膜R’的厚度优选1.0~3.0μm左右。从在适度的曝光量、曝光时间的范围内能够形成该高低不平且能够对该高低不平进行形状良好的析像的观点来看,优选将光致抗蚀剂被膜R’的厚度设在该范围内。
(B)接着,经过光刻工序,如图1B所示,光致抗蚀剂被膜R’形成具有厚壁部r1和薄壁部r2的图形形状。具体地说,例如借助网纹掩膜等设置了透过率的掩膜(标线片)对光致抗蚀剂被膜R’进行选择性曝光,接着进行显影、水洗,由此能够形成因区域不同而厚度不同的形状的抗蚀图形。(第2光刻工序)(C)形成图形之后,进行UV(紫外线)固化处理,得到如图1B所示的台阶形抗蚀图形R。
因为通过后来的灰化(ashing)处理仅除去薄壁部r2而以需要的厚度残留厚壁部r1,所以台阶形抗蚀图形R的厚壁部r1和薄壁部r2的厚度差优选0.5~1.5μm左右,更优选的范围是0.7~1.3μm左右。
能够使用公知的方法进行UV固化。例如,使用公知的紫外线照射装置,对形成图形的抗蚀图形进行全面的紫外线照射。
关于紫外线的照射条件,为了UV固化不使抗蚀图形的形状发生变形,得到耐蚀刻性优良且耐热性良好的台阶形抗蚀图形R,优选使用主要输出特别是从Deep UV区域至可见光区域的波长(波长100~700nm左右)的紫外线、特别是200~500nm左右的波长的紫外线的光源,以约1000~50000mJ/cm2的照射量进行照射。更优选的照射量为2000~15000mJ/cm2左右。能够通过照射的紫外线的强度和照射时间来控制照射量。
还有,当进行UV固化(照射)时,为了不在照射部出现皱褶,优选对急剧照射或照射造成的温度上升进行控制。
(D)在UV固化之后,能够进行后烘。具体地说,该后烘处理是在100~170℃的温度下实施加热处理3~10分钟左右。更优选的加热条件是120~130℃、4~6分钟左右。
该后烘处理并不是必须的,不过通过进行后烘可以进一步改善台阶形抗蚀图形R的耐热性。另外,通过后烘处理,可以改善台阶形抗蚀图形R和基体10的密接性,所以对湿式蚀刻处理得到高耐受性尤其有效。其中,通过UV固化处理改善台阶形抗蚀图形R的耐热性,所以在后烘工序中不必担心出现图形的变形。
其中,根据需要,该UV固化处理和后烘处理也能够在后述的(F)工序中的台阶形抗蚀图形R的灰化(ashing)处理之后再次进行。
(E)如图1C所示,将如此形成的台阶形抗蚀图形R作为掩膜,对基体10的金属膜7’进行蚀刻。能够使用众所周知的手法进行金属膜7’的蚀刻。一般使用湿式蚀刻法,不过也可以是干式蚀刻法。
接着,如图1D所示,将同一台阶形抗蚀图形R作为掩膜,对因上述金属膜7’的蚀刻而露出来的第2无定形二氧化硅膜6’和其下面的蚀刻阻止膜5’、以及第1无定形二氧化硅膜4’进行蚀刻。能够使用众所周知的手法进行这些层的蚀刻。一般可以使用干式蚀刻法。通过将这里的台阶形抗蚀图形R用作掩膜的蚀刻,形成蚀刻阻止膜5和第1无定形二氧化硅层4。
(F)随后,对台阶形抗蚀图形R实施灰化(ashing)处理,如图1E所示,除去薄壁部r2。能够使用众所周知的手法进行灰化(ashing)处理。
当对台阶形抗蚀图形R进行灰化(ashing)处理时,厚壁部r1和薄壁部r2同时出现膜磨损,几乎完全除去薄壁部r2,成为露出其下面的金属膜7’而残留有厚壁部r1的状态。在此状态下,通过停止灰化(ashing)处理而能够只除去薄壁部r2。当剩下的厚壁部r1过薄时,作为蚀刻掩膜的功能不够充分,所以残留的厚壁部r1的厚度优选在0.7μm以上。
(G)接着,如图1F所示,将残留的厚壁部r1作为掩膜,对通过除去上述薄壁部r2而露出的金属膜7’进行蚀刻处理,由此形成源电极以及漏电极7。
接着,如图1G所示,将残留的厚壁部r1作为掩膜,对通过上次的金属膜7’的蚀刻处理而露出的第2无定形二氧化硅膜6’进行蚀刻处理,由此形成图形化后的第2无定形二氧化硅膜6。
(H)然后,除去厚壁部r1。厚壁部r1的除去方法能够采用灰化(ashing)处理等众所周知的手法进行。
在迄今为止的工序中,可以得到如前述的图10所示的结构和相同结构的微细图形。
然后,能够通过前述的图11~图15所示的工序和同样的工序制造液晶阵列基板。即,(I)如图11所示,在上次的工序中得到的微细图形上形成第2绝缘膜8’。第2绝缘膜8’例如是由SiNx形成的。
(J)在第2绝缘膜8’上形成光致抗蚀剂被膜,通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形,该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序,形成如图12所示的抗蚀图形R4(第3光刻工序)。将得到的抗蚀图形R4作为掩膜对第2绝缘膜8’进行蚀刻,然后通过除去抗蚀图形R4,如图13所示,得到图形化为形成有接触孔的形状的第2绝缘膜8。
(K)如图14所示,在形成图形的第2绝缘膜8上形成透明导电膜9’。透明导电膜9’例如是由ITO(氧化铟锡)形成的。
(L)在透明导电膜9’上形成光致抗蚀剂被膜,通过光刻法使该光致抗蚀剂被膜形成图形,该光刻法包括借助掩膜而选择性进行曝光的工序,形成如图15所示的抗蚀图形R5(第4光刻工序)。
然后,将得到的抗蚀图形R5作为掩膜对透明导电膜9’进行蚀刻,然后通过除去抗蚀图形R5,如图16所示,形成具有图形的透明导电膜9,从而得到液晶阵列基板。
在如上所述获得的液晶阵列基板和对向基板之间夹持液晶,并采用众所周知的方法进行组装而可以得到液晶显示元件。
根据本实施方式,能够形成高耐蚀刻性的台阶形抗蚀图形R,所以在将该台阶形抗蚀图形R作为掩膜对基体10的金属膜7’、第2无定形二氧化硅膜6’、蚀刻阻止膜5’、以及第1无定形二氧化硅膜4’进行蚀刻之后,能够将该台阶形抗蚀图形R的厚壁部r1作为掩膜,对金属膜7’以及第2无定形二氧化硅膜6’进行蚀刻。
因此,能够减少在液晶阵列基板的制造工序中进行光刻工序的次数。例如,在图2~15所示的方法中,对于制造液晶阵列基板需要进行5次光刻工序(第1~第5光刻工序),而在本实施方式中,能通过进行4次光刻工序(第1~第4光刻工序)制造相同结构的液晶阵列基板。由此,能够控制光致抗蚀剂的消耗量,也可以简略化工序,所以能够削减液晶阵列基板的制造成本。
另外,在本实施方式中形成的台阶形抗蚀图形R具有良好的耐热性并可以防止后烘处理时出现的变形。通过实施后烘,能够进一步改善台阶形抗蚀图形的耐热性以及耐蚀刻性。
还有,在本实施方式中,台阶形抗蚀图形的截面呈凹下形状,台阶形抗蚀图形因区域的不同而厚度不同,可以是具有厚壁部和薄壁部的形状,根据形状对由蚀刻形成的微细图形进行适当设计。例如,可以是在厚壁部的外侧设有薄壁部的截面凸出形状,也可以是截面山型形状。
另外,在本实施方式中,将本发明应用于制造图16所示的结构的α-Si(无定形二氧化硅)形TFT阵列基板的工序,但并不限于这种结构的液晶阵列基板。本发明可以用于各种具有像素图形的液晶阵列基板的制造,使用本发明的微细图形的形成方法形成部分像素图形,由此可以得到与本实施方式相同的效果。
在下述实施例和比较例中,形成台阶形抗蚀图形,评价耐热性、耐干式蚀刻性以及耐湿式蚀刻性。特性的评价按如下所述进行。
(1)耐热性评价对于在实施例和比较例中得到的抗蚀图形,在130℃下进行加热处理300秒,将抗蚀图形的形状没有出现变形的记为○,出现变形的记为×。
(2)耐干式蚀刻性评价对于在实施例和比较例中得到的抗蚀图形,使用干式蚀刻装置“TCE-7612X”(装置名;东京应化工业公司制),使用CF4、CHF3、He作为蚀刻气体,分别为40毫升/min、40毫升/min、160毫升/min,在300mTorr(39.9Pa)的减压气氛下,在700W-400kHz、场所(stage)温度为20℃、靶温度为25℃的处理条件下,进行干式蚀刻处理,将在处理前后抗蚀图形的形状没有出现变形的记为○,出现变形的记为×。
(3)耐湿式蚀刻性评价对于在实施例和比较例中得到的抗蚀图形,将形成该抗蚀图形的基板浸渍在温度设成20℃的湿式蚀刻液[含有氢氟酸(HF)/氟化铵(NH4F)=1/6(质量比)的混合物的水溶液20质量%]中10分钟,由此进行湿式蚀刻处理,将处理后的抗蚀图形未从基底基板上剥离的情况记为○,剥离的情况记为×。
(实施例1)调制正型光致抗蚀剂组合物。
准备(A)成分甲酚酚醛清漆树脂[通过常规方法使间甲酚/对甲酚=4/6(摩尔比)的混合酚类和甲醛发生缩合反应而得到的、重均分子量(Mw)=5000的树脂]100质量份、(B)成分[双(2,3,5-三甲基-4-羟苯基)-2-羟苯基甲烷]10质量份、(C)成分[2,3,4,4’-四羟基二苯甲酮1摩尔和1,2-萘醌二叠氮-5-磺酰氯2.34摩尔的酯化反应产物]29.7质量份、(D)成分[PGMEA]430质量份,在均匀溶解上述(A)~(D)成分之后,作为表面活性剂,向其中配合BYK-310(Bikchemi公司制)400ppm,使用孔径0.2μm的薄膜滤器过滤上述物质,调制成正型光致抗蚀剂组合物。
使用采用中央滴下和旋涂法的抗蚀剂涂敷装置[TR-36000(东京应化工业(株)制)],对得到的正型光致抗蚀剂组合物以1000rpm进行旋转涂敷10秒,由此在形成有Ti膜的玻璃基板(360mm×460mm)上形成抗蚀层。
接着,将加热板的温度设为130℃,通过留出了约1mm间隔的邻近烘焙,进行60秒的第1次干燥,接着,将加热板的温度设为120℃,通过留出了约0.5mm间隔的邻近烘焙,实施60秒的第2次干燥,形成膜厚2.0μm的光致抗蚀剂被膜。
对该光致抗蚀剂被膜进行借助掩膜的选择性曝光,进行显影处理、清洗而形成图形,然后使用高压水银灯(输出波长为200~600nm的光)实施照射量为3000mJ/cm2的UV固化(照射)处理,形成台阶形抗蚀图形。
得到的台阶形抗蚀图形是如图1所示的截面凹下形状,厚壁部的厚度为2.0μm、薄壁部的厚度为0.8μm,整个宽为13μm,薄壁部的宽为5μm。
关于该台阶形抗蚀图形,评价其耐热性、耐干式蚀刻性、以及耐湿式蚀刻性的结果如下表1所示。
(实施例2)使用与实施例1相同的正型光致抗蚀剂组合物,采用与实施例相同的步骤形成台阶形抗蚀图形。其中,将台阶形抗蚀图形的形成做成截面凸出形状,其尺寸为,厚壁部的厚度为2.0μm、薄壁部的厚度为0.8μm,整个宽为13μm,薄壁部的宽为5μm。
关于该台阶形抗蚀图形,评价其耐热性、耐干式蚀刻性、以及耐湿式蚀刻性的结果如下表1所示。
(实施例3)在与实施例1相同地形成台阶形抗蚀图形之后,与此相对,在130℃下进行后烘处理300秒。
关于后烘处理之后的台阶形抗蚀图形,评价其耐热性、耐干式蚀刻性、以及耐湿式蚀刻性的结果如下表1所示。
(实施例4)在与实施例2相同地形成台阶形抗蚀图形之后,与此相对,在130℃下进行后烘处理300秒。
关于后烘处理之后的台阶形抗蚀图形,评价其耐热性、耐干式蚀刻性、以及耐湿式蚀刻性的结果如下表1所示。
(比较例1)除了不进行UV固化处理之外,和实施例1同样地形成台阶形的抗蚀图形。
关于该台阶形抗蚀图形,评价其耐热性、耐干式蚀刻性、以及耐湿式蚀刻性的结果如下表1所示。
(比较例2)除了不进行UV固化处理之外,和实施例2同样地形成台阶形的抗蚀图形。
关于该台阶形抗蚀图形,评价其耐热性、耐干式蚀刻性、以及耐湿式蚀刻性的结果如下表1所示。
(比较例3)对于在比较例1中得到的台阶形抗蚀图形(未经UV固化),与上述实施例3相同地进行后烘处理。
关于后烘处理之后的台阶形抗蚀图形,评价其耐热性、耐干式蚀刻性、以及耐湿式蚀刻性的结果如下表1所示。
(比较例4)对于在比较例2中得到的台阶形抗蚀图形(未经UV固化),与上述实施例4相同地进行后烘处理。
关于后烘处理之后的台阶形抗蚀图形,评价其耐热性、耐干式蚀刻性、以及耐湿式蚀刻性的结果如下表1所示。
表1

※在后烘处理之后,因抗蚀图形出现变形,所以没有评价耐热性、耐干式蚀刻性、以及耐湿式蚀刻性。
权利要求
1.一种抗蚀图形的形成方法,其特征在于,具有(A)在基体上形成光致抗蚀剂被膜的工序、(B)经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜图形化为具有厚壁部和薄壁部的图形形状的工序、以及(C)在进行上述图形化之后进行UV固化处理而形成具有厚壁部和薄壁部的台阶形抗蚀图形的工序。
2.根据权利要求1所述的抗蚀图形的形成方法,其特征在于,具有(D)在进行上述UV固化处理之后进行后烘处理的工序。
3.根据权利要求1所述的抗蚀图形形成方法,其特征在于,所述基体是在玻璃基板上具有多层结构的基体,所述多层结构是从玻璃基板侧起依次叠层有栅电极、第1绝缘膜、第1无定形二氧化硅膜、蚀刻阻止膜、第2无定形二氧化硅膜、以及源漏电极形成用金属膜的多层结构。
4.根据权利要求2所述的抗蚀图形形成方法,其特征在于,所述基体是在玻璃基板上具有多层结构的基体,所述多层结构是从玻璃基板侧起依次叠层有栅电极、第1绝缘膜、第1无定形二氧化硅膜、蚀刻阻止膜、第2无定形二氧化硅膜、以及源漏电极形成用金属膜的多层结构。
5.一种微细图形的形成方法,其特征在于,在使用权利要求1所述的方法形成所述台阶形抗蚀图形之后,具有如下工序(E)将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理;然后(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化处理,除去上述薄壁部;(G)在除去上述薄壁部之后,将厚壁部作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理;然后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部。
6.一种微细图形的形成方法,其特征在于,在使用权利要求2所述的方法形成所述台阶形抗蚀图形之后,具有如下工序(E)将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理;然后(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化处理,除去上述薄壁部;(G)在除去上述薄壁部之后,将厚壁部作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理;然后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部。
7.一种微细图形的形成方法,其特征在于,在使用权利要求3所述的方法形成所述台阶形抗蚀图形之后,具有如下工序(E)将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理;然后(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化处理,除去上述薄壁部;(G)在除去上述薄壁部之后,将厚壁部作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理;然后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部。
8.一种微细图形的形成方法,其特征在于,在使用权利要求4所述的方法形成所述台阶形抗蚀图形之后,具有如下工序(E)将该台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理;然后(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化处理,除去上述薄壁部;(G)在除去上述薄壁部之后,将厚壁部作为掩膜而对上述基体实施蚀刻处理;然后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部。
9.一种微细图形的形成方法,其特征在于,在使用权利要求3所述的方法形成所述台阶形抗蚀图形之后,具有如下工序(E’)将所述台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述源漏电极形成用金属膜、上述第2无定形二氧化硅膜、上述蚀刻阻止膜、以及上述第1无定形二氧化硅膜进行蚀刻处理;然后(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化处理,除去上述薄壁部;(G’)在除去上述薄壁部之后,将厚壁部作为掩膜而对上述源漏电极形成用金属膜以及上述第2无定形二氧化硅膜实施蚀刻处理,以露出上述蚀刻阻止膜层;然后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部。
10.一种微细图形的形成方法,其特征在于,在使用权利要求4所述的方法形成所述台阶形抗蚀图形之后,具有如下工序(E’)将所述台阶形抗蚀图形作为掩膜而对上述源漏电极形成用金属膜、上述第2无定形二氧化硅膜、上述蚀刻阻止膜、以及上述第1无定形二氧化硅膜进行蚀刻处理;然后(F)对该台阶形抗蚀图形进行灰化处理,除去上述薄壁部;(G’)在除去上述薄壁部之后,将厚壁部作为掩膜而对上述源漏电极形成用金属膜以及上述第2无定形二氧化硅膜实施蚀刻处理,以露出上述蚀刻阻止膜层;然后(H)除去上述台阶形抗蚀图形的厚壁部。
11.根据权利要求9所述的微细图形的形成方法,其特征在于,上述源漏电极形成用金属膜的蚀刻处理是湿式蚀刻处理或者干式蚀刻处理,上述第2无定形二氧化硅膜的蚀刻处理是干式蚀刻处理。
12.根据权利要求10所述的微细图形的形成方法,其特征在于,上述源漏电极形成用金属膜的蚀刻处理是湿式蚀刻处理或者干式蚀刻处理,上述第2无定形二氧化硅膜的蚀刻处理是干式蚀刻处理。
13.一种液晶显示元件的制造方法,具有在玻璃基板上形成像素图形而制作液晶阵列基板的工序,其特征在于,上述像素图形的一部分是通过权利要求5~8中任意一项所述的微细图形的形成方法而形成。
14.一种液晶显示元件的制造方法,其特征在于,在通过权利要求9~12中任意一项所述的方法形成微细图形之后,具有(I)在该微细图形上设置第2绝缘膜的工序、(J)通过光刻对第2绝缘膜进行图形化的工序、(K)在图形化后的第2绝缘膜上形成透明导电膜的工序、(L)通过光刻对透明导电膜进行图形化的工序。
全文摘要
本发明提供一种抗蚀图形的形成方法,其特征在于,具有下述工序(A)在基体(10)上形成光致抗蚀剂被膜的工序、(B)经过含有选择性曝光的光刻工序而使上述光致抗蚀剂被膜图形化为具有厚壁部(r1)和薄壁部(r2)的图形形状的工序、以及(C)在进行上述图形形成之后进行UV固化处理而形成具有厚壁部(r1)和薄壁部(r2)的台阶形抗蚀图形(R)的工序。
文档编号H01L21/336GK1629732SQ20041010031
公开日2005年6月22日 申请日期2004年12月9日 优先权日2003年12月12日
发明者森尾公隆 申请人:东京应化工业株式会社
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