一种Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法

文档序号:6850181阅读:483来源:国知局
专利名称:一种Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法
技术领域
本发明涉及p型ZnO晶体薄膜的生长方法,尤其是Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法。
背景技术
要实现ZnO基器件的应用,制备可控的n型和p型ZnO透明导电晶体薄膜是必须的。目前,人们对于n型ZnO晶体薄膜的研究已经比较充分,通过掺杂III价元素,已经能够实现实时、浓度可控的n型ZnO晶体薄膜的生长,具有优异的性能。然而,由于ZnO受主掺杂元素在ZnO中的固溶度很低,受主能级一般很深,空穴不易于热激发进入价带,而且ZnO本身存在诸多的本征施主缺陷,如间隙锌Zni和空位氧VO,对受主产生高度自补偿作用,这些因素使ZnO的p型掺杂变得异常困难,成为制约ZnO开发应用的瓶颈。
N是最好的受主掺杂元素,在ZnO中能够产生浅受主能级,是最有可能实现ZnO良好p型传导的一种技术。目前已有许多N掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的报道,但是得到的N掺杂p型薄膜存在一些问题,一是p型传导的可重复性和稳定性不高,二是p型传导的可控性不高。
Li也是一种受主掺杂元素,在ZnO中替代Zn的晶格位置能够产生浅受主能级,但是Li由于其尺寸较小,易于占据间隙位置作为施主存在,因而单独掺Li由于其自补偿效应,一般得到的是高阻ZnO晶体薄膜,难以获得性能良好的p型ZnO晶体薄膜。

发明内容
本发明的目的是为克服上述p型晶体薄膜中存在的问题,利用Li和N各自的特点,提供一种Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法。
本发明的Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,采用的是脉冲激光沉积法,包括以下步骤将衬底清洗后放入激光脉冲沉积装置的反应室中,反应室真空度抽到至少5×10-4Pa,以Li2O的质量百分含量为0.05~1.5%的ZnO-Li2O陶瓷片为靶材,以纯N2O为生长气氛,在反应室中电离,在气体压强为10~20Pa,衬底温度为400~600℃下,进行沉积生长。
本发明中,激光脉冲沉积的激光束能量为200~400mJ,激光脉冲频率为1~7Hz。所说的衬底可以是硅或蓝宝石或石英或玻璃;N2O纯度为99.99%以上;N2O电离电压为0.1~1.5kV。
ZnO晶体薄膜生长的时间由所需的厚度决定;N2O气体的压强以及靶材中Li2O的含量根据掺杂浓度调节。
本发明以N2O气体作为氮掺杂源,靶材中的Li2O作为Li掺杂源。沉积过程中,含有Zn、Li的剥离原子与N2O发生反应,生成Li-N共掺杂的p型ZnO晶体薄膜。Li和N均为ZnO的受主掺杂元素,Li的离子半径小于Zn,N的离子半径大于O,在Li-N共掺ZnO晶体薄膜中,Li占据Zn的晶格位置,N占据O的晶格位置,Li和N相互影响,其一,由于N较大的离子半径,使Li更多地占据Zn的晶格位置,减少Li在间隙位置的存在,从而使Li更能有效地作为受主而存在;其二,Li和N的相互作用能够减少N原子互相结合生成N2的可能性,而N2占据O的晶格位置会成为浅施主,弱化N的受主掺杂效果;其三,Li和N的相互作用使Li和N均能够稳定地存在于ZnO中,提高p型ZnO晶体薄膜的稳定性。
本发明的有益效果在于1)可以实现实时掺杂,在ZnO晶体薄膜生长过程中同时实现Li、N的共同掺杂;2)p型掺杂浓度可以通过调节靶材中Li2O的含量、生长气氛中N2O的压强和电离电压、激光束能量和激光脉冲频率来控制;3)利用Li和N的相互作用,可以提高Li和N的有效受主掺杂效果,使Li-N共掺杂的ZnO晶体薄膜具有良好的p型传导特性;4)利用Li和N的相互作用,可以使Li和N作为受主态在ZnO中稳定存在,使Li-N共掺杂的p型ZnO晶体薄膜具有良好的可重复性和稳定性。


图1是根据本发明方法采用的脉冲激光沉积装置示意图。图中1为KrF准分子激光器;2为N2O气体的进气阀门;3为质量流量计;4为自动压强控制仪;5为N2O的电离系统;6为靶材转动系统;7为观察窗;8为机械泵和分子泵;9为衬底转动系统;10为聚焦镜(F=600mm);11为反射镜(R=95%);12为靶材架;13为生长过程中的羽辉;14为样品架;15为加热器,16为热电偶;图2是实施例制得的p型ZnO晶体薄膜的x射线衍射(XRD)图谱;图3是实施例制得的p型ZnO晶体薄膜的光学透射谱。
图4是实施例制得的p型ZnO晶体薄膜的室温光致发光(PL)谱。
具体实施例方式
以下结合附图通过实例对本发明作进一步的说明。
将石英衬底经过清洗后放入反应室样品架14上,反应室真空度抽至3×10-4Pa,以Li2O质量百分含量为0.1%的ZnO-Li2O陶瓷片为靶材,将靶材置于靶材架12上,以纯度99.99%的N2O作为生长气氛,经进气阀门2进入真空反应室,真空室内的压强由自动压强控制仪4控制,压强为15Pa,N2O的电离电压为0.3kV。衬底由加热器15加热,本例的衬底温度为450℃。在300mJ的激光束能量和3Hz的激光脉冲频率下开始沉积生长,生长时间30min,在衬底上生成Li-N共掺的p型ZnO晶体薄膜。
制得的Li-N共掺杂p型ZnO晶体薄膜的室温电学性能,如表1所示,载流子浓度为1.22×1018cm-3,电阻率3.39Ωcm,载流子迁移率1.28cm2/V·s,显示具有良好的p型传导特性。
表1

上述实例制得的薄膜的x射线衍射(XRD)图谱,见图2,只有ZnO的(002)衍射峰出现,该峰的半高宽FWHM为0.21°,显示本发明方法制得的Li-N共掺杂p型ZnO晶体薄膜具有良好的结晶性能;图3所示是上述薄膜的光学透射谱。由图可见,在可见光区域的透射率高达90%左右,在390nm处有一很陡的基本吸收边,显示本发明方法制得的Li-N共掺杂p型ZnO晶体薄膜具有良好的光学性能。
图4所示是上述薄膜的室温PL谱。由图可见,在383nm处有一很强的紫外辐射峰,该峰是与受主相关的激子引起的近边辐射,在PL谱中占据主导地位,显示本发明方法制得的Li-N共掺杂p型ZnO晶体薄膜具有优异的薄膜质量和光学特性。
权利要求
1.Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,其特征是将衬底清洗后放入激光脉冲沉积装置的反应室中,反应室真空度抽到至少5×10-4Pa,以Li2O的质量百分含量为0.05~1.5%的ZnO-Li2O陶瓷片为靶材,以纯N2O为生长气氛,在反应室中电离,在气体压强为10~20Pa,衬底温度为400~600℃下,进行沉积生长。
2.根据权利要求1所述的Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,其特征是激光脉冲沉积的激光束能量为200~400mJ,激光脉冲频率为1~7Hz。
3.根据权利要求1所述的Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,其特征是N2O电离电压为0.1~1.5kV。
4.根据权利要求1所述的Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,其特征是所说的衬底是硅或蓝宝石或石英或玻璃。
5.根据权利要求1所述的Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法,其特征是所说的N2O纯度为99.99%以上。
全文摘要
本发明公开的Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是脉冲激光沉积法,以高纯N
文档编号H01L21/02GK1772974SQ20051006127
公开日2006年5月17日 申请日期2005年10月26日 优先权日2005年10月26日
发明者吕建国, 叶志镇, 张银珠, 曾昱嘉, 朱丽萍, 赵炳辉 申请人:浙江大学
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