专利名称：同频带天线在电路板上的配置结构的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种多天线的电路布局，特别是一种同频带天线在电路板上的配置结构。
背景技术：
无线通讯设备，例如移动电话、笔记本计算机、个人数字助理(personaldigital assistant；PDA)、无线接入点(access point；AP)等，是利用以电磁波传递讯息的无线通讯技术而发展出的无线通讯设备。此些无线通讯设备无需通过缆线连接即可达到与远程沟通，因此种方便移动的优点，致使其越来越普及化。近几年来，对于无线通讯设备在不降低其效能的前提下，尽可能地朝向轻薄短小且多功能的目标前进，以期能满足更高质量的消费需求。
在无线通讯市场中，无线网络(Wireless Lan；WLAN)通讯协议(例如802.11b/g)和蓝牙(Bluetooth)通讯协议是主要且相当普及的两项通讯技术。因此，在多功能发展上，如何使此两种都使用ISM(Industrial，Scientific andMedical；工业、科学和医疗)频段的技术可以共存于同一无线通讯设备上，并且其均能展现最佳工作效能，将为未来许多无线通讯设备带来设计挑战。正因为WLAN通讯协议和蓝牙通讯协议均使用2.4GHz的射频(radiofrequency；RF)频带(属ISM频段中，不需付费申请的全球性公众共享频带)。当一无线通讯设备提供两种以上的通讯系统(例如WLAN系统和蓝牙系统等)时，虽然两者所使用的调制方式和扩频技术各有所不同，但是当两系统的无线收发范围有重复现象时，就会发生互相干扰的现象产生。因此，如何使不同通讯系统可共存于同一无线通讯设备上，遂成为此相关研发领域的一极重要的研究课题。
然而，2.4GHz的RF频带，其频带较窄(2.4GHz～2.8435GHz)，随着无线通讯设备的蓬勃发展，目前的使用已超出其负荷，因而造成拥挤的现象。一般性干扰(Normal Interference)现象主要因为通讯系统之间未知对方的频道，而导致主频重复在相同通道上，因此为求良好的通讯质量及优选的稳定性，通常是避免此些通讯系统在重复的信道上传输数据，借以避免干扰产生。传统的解决方法多是将不同通讯系统的天线使用不同的传输频带，来借以避免干扰产生。再者，则通过一切换装置来切换使用不同通讯系统，也就是说，不同通讯系统虽并存于同一无线通讯设备上，但并不会同时执行数据的传输。因此，如何使不同通讯系统可共存于同一无线通讯设备上，仍有其相当的困难度及技术频颈有待克服。
发明内容
鉴于以上的问题，本发明的主要目的在于提供一种同频带天线在电路板上的配置结构，借以解决先前技术所公开的不同通讯系统共存于同一无线通讯设备上的问题。
因此，为达上述目的，本发明所公开的同频带天线在电路板上的配置结构，包括有电路板和两天线；其中，此两天线分别相对地设置于电路板的两侧，用以利用相同频带来收发不同无线通讯协议的电磁波讯号。
此电路板可为一小型电路板。换句话说，电路板设置有两天线的两侧，其垂直距离介于14cm到16.5cm之间。
此外，电路板可为矩形。而两天线可分别设置于电路板同侧两夹角上，亦或分别设置于电路板的两对角上，亦或分别设置于电路板的两对侧的约中央部位。
再者，两天线可以不同极化方向而设置，亦或是以相同极化方向而设置。
另外，于两天线之间可设置一导波材料。此导波材料可为金属或涂料。
其中，天线可为天线芯片、陶瓷天线、双极天线(Dipole antenna)、螺旋型天线(Helix antenna)、平面天线(Planar antenna)及微带型天线(Microstripantenna)等。而无线通讯协议分别为无线网络(Wireless Lan；WLAN)通讯协议(例如802.11b/g)和蓝牙(Bluetooth)通讯协议。
有关本发明的特征与实作，配合附图作最佳实施例详细说明如下。
图1A显示根据本发明第一实施例的同频段天线在电路板上的配置结构；图1B显示根据本发明第二实施例的同频段天线在电路板上的配置结构；图2到图10显示在图1B中的第一天线的实际测试的辐射场形图；图11到图19显示在图1B中的第二天线的实际测试的辐射场形图；第20、21图显示以网络分析仪测量图1B的配置结构所得的S参数曲线图；图22显示根据本发明第三实施例的同频段天线在电路板上的配置结构；图23、图24显示以网络分析仪测量图22的配置结构所得的S参数曲线图；图25显示根据本发明第四实施例的同频段天线在电路板上的配置结构；图26、图27显示以网络分析仪测量图25的配置结构所得的S参数曲线图；图28显示根据本发明第五实施例的同频段天线在电路板上的配置结构；图29、图30显示以网络分析仪测量图28的配置结构所得的S参数曲线图；图31显示根据本发明第六实施例的同频段天线在电路板上的配置结构；以及图32、图33显示以网络分析仪测量图31的配置结构所得的S参数曲线图。
主要组件符号说明110电路板122第一天线124第二天线130导波材料L1第一边L2第二边L3第三边L4第四边C11曲线C12曲线C13曲线C14曲线
C15曲线C16曲线C17曲线C18曲线C19曲线C21曲线C22曲线C23曲线C24曲线C25曲线C26曲线C27曲线C28曲线C29曲线C31曲线C32曲线C33曲线C34曲线C35曲线C36曲线C37曲线C38曲线C39曲线C41曲线C42曲线C43曲线C44曲线C45曲线C46曲线C47曲线C48曲线
C49曲线C51曲线C52曲线C53曲线C54曲线C55曲线C56曲线C57曲线C58曲线C59曲线C61曲线C62曲线C63曲线C64曲线C65曲线C66曲线C67曲线C68曲线C69曲线S11曲线S12曲线S21曲线S22曲线Δ1标示Δ2标示Δ3标示具体实施方式
以下举出具体实施例以详细说明本发明的内容，并以图示作为辅助说明。说明中提及的符号参照附图符号。
参考图1A，显示根据本发明第一实施例的同频段天线在电路板上的配置结构；此同频带天线在电路板上的配置结构具有一电路板110和两天线，以下分别称为第一天线122和第二天线124。第一天线122和第二天线124分别相对地设置于电路板110的两侧，用以利用相同频带来收发不同无线通讯协议的电磁波讯号。于此，电路板110沿反时针方向具有第一边L1、第二边L2、第三边L3和第四边L4，而第一天线122位于第一边L1与第二边L2之间的一角落，第二天线124则位于第一边L1与第四边L4之间的一角落。如此一来，即可减少两天线间的干扰。再者，于第一天线122和第二天线124之间更可具有一导波材料130，如图1B所示。此导波材料可为金属、涂料等。
其中，天线可为天线芯片、陶瓷天线、双极天线(Dipole antenna)、螺旋型天线(Helix antenna)、平面天线(Planar antenna)及微带型天线(Microstripantenna)等。而无线通讯协议分别为无线网络(Wireless Lan；WLAN)通讯协议(例如802.11b/g)和蓝牙(Bluetooth)通讯协议。于此，两天线可用以接收射频(radio frequency；RF)频带的电磁波讯号。此射频频带为2.4GHz。
于此，更提出实际测试的辐射场形图和S参数(scattering parameter；散射参数)作说明，如图2～图19所示。
参照图2～图10，是第一天线以频率2.4GHz、2.45GHz及2.484GHz作不同平面、不同极化下的辐射场形的实际测试。
图2为应用在频率2.4GHz时，在x-y平面下的辐射场形图；其中，曲线C11为水平极化(horizontal polarization；H polarization)下的辐射场形，可得峰值增益约为-6.35dB且平均增益约为-12.4dB；曲线C12为垂直极化(vertical polarization；V polarization)下的辐射场形，可得峰值增益约为1.31dB且平均增益约为-1.68dB；而曲线C13为水平+垂直极化(H+Vpolarization)下的辐射场形，可得峰值增益约为1.36dB且平均增益约为-1.64dB。
图3为第一天线于应用在频率2.45GHz时，在x-y平面下的辐射场形图；其中，曲线C21为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为-5.34dB且平均增益约为-11.5dB；曲线C22为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.49dB且平均增益约为-1.33dB；而曲线C23为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.49dB且平均增益约为-1.28dB。
图4为第一天线于应用在频率2.484GHz时，在x-y平面下的辐射场形图；其中，曲线C31为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为-5.17dB且平均增益约为-11.57dB；曲线C32为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.5dB且平均增益约为-1.3dB；而曲线C33为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.5dB且平均增益约为-1.25dB。
图5为第一天线于应用在频率2.4GHz时，在y-z平面下的辐射场形图；其中，曲线C14为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.15dB且平均增益约为-4.42dB；曲线C15为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.15dB且平均增益约为-2.49dB；而曲线C16为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.98dB且平均增益约为-1.39dB。
图6为第一天线于应用在频率2.45GHz时，在y-z平面下的辐射场形图；其中，曲线C24为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.49dB且平均增益约为-4.1dB；曲线C25为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.66dB且平均增益约为-2.19dB；而曲线C26为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.62dB且平均增益约为-1.10dB。
图7为第一天线于应用在频率2.484GHz时，在y-z平面下的辐射场形图；其中，曲线C34为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.66dB且平均增益约为-4.29dB；曲线C35为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.0dB且平均增益约为-2.38dB；而曲线C36为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.1dB且平均增益约为-1.29dB。
图8为第一天线于应用在频率2.4GHz时，在z-x平面下的辐射场形图；其中，曲线C17为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.15dB且平均增益约为-3.1dB；曲线C18为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为0.31dB且平均增益约为-3.24dB；而曲线C19为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.37dB且平均增益约为-1.17dB。
图9为第一天线于应用在频率2.45GHz时，在z-x平面下的辐射场形图；其中，曲线C27为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.82dB且平均增益约为-3.33dB；曲线C28为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为0.49dB且平均增益约为-2.97dB；而曲线C29为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.43dB且平均增益约为-1.18dB。
图10为第一天线于应用在频率2.484GHz时，在z-x平面下的辐射场形图；其中，曲线C37为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.83dB且平均增益约为-3.33dB；曲线C38为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为0.16dB且平均增益约为-3.31dB；而曲线C39为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.13dB且平均增益约为-1.37dB。
参照图11～图19，是第二天线以频率2.4GHz、2.45GHz及2.484GHz作不同平面、不同极化下的辐射场形的实际测试。
图11为应用在频率2.4GHz时，在x-y平面下的辐射场形图；其中，曲线C41为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为-5.02dB且平均增益约为-9.05dB；曲线C42为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为0.98dB且平均增益约为-1.78dB；而曲线C43为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.02dB且平均增益约为-1.63dB。
图12为第一天线于应用在频率2.45GHz时，在x-y平面下的辐射场形图；其中，曲线C51为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为-3.34dB且平均增益约为-8.10dB；曲线C52为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.49dB且平均增益约为-1.36dB；而曲线C53为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.52dB且平均增益约为-1.18dB。
图13为第一天线于应用在频率2.484GHz时，在x-y平面下的辐射场形图；其中，曲线C61为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为-2.84dB且平均增益约为-8.12dB；曲线C62为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.0dB且平均增益约为-1.34dB；而曲线C63为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.03dB且平均增益约为-1.17dB。
图14为第一天线于应用在频率2.4GHz时，在y-z平面下的辐射场形图；其中，曲线C44为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.48dB且平均增益约为-5.28dB；曲线C45为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为0.98dB且平均增益约为-2.8dB；而曲线C46为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.04dB且平均增益约为-1.94dB。
图15为第一天线于应用在频率2.45GHz时，在y-z平面下的辐射场形图；其中，曲线C54为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.82dB且平均增益约为-5.14dB；曲线C55为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.32dB且平均增益约为-2.06dB；而曲线C56为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.34dB且平均增益约为-1.36dB。
图16为第一天线于应用在频率2.484GHz时，在y-z平面下的辐射场形图；其中，曲线C64为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.0dB且平均增益约为-5.56dB；曲线C65为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.66dB且平均增益约为-2.2dB；而曲线C66为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.83dB且平均增益约为-1.55dB。
图17为第一天线于应用在频率2.4GHz时，在z-x平面下的辐射场形图；其中，曲线C47为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.15dB且平均增益约为-4.66dB；曲线C48为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为-0.02dB且平均增益约为-2.76dB；而曲线C49为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.47dB且平均增益约为-1.75dB。
图18为第一天线于应用在频率2.45GHz时，在z-x平面下的辐射场形图；其中，曲线C57为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.49dB且平均增益约为-3.75dB；曲线C58为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为0.49dB且平均增益约为-2.24dB；而曲线C59为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为2.26dB且平均增益约为-1.14dB。
图19为第一天线于应用在频率2.484GHz时，在z-x平面下的辐射场形图；其中，曲线C67为水平极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.83dB且平均增益约为-3.62dB；曲线C68为垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为0.16dB且平均增益约为-2.63dB；而曲线C69为水平+垂直极化下的辐射场形，可得峰值增益约为1.96dB且平均增益约为-1.3dB。
参照图20～图21，是以网络分析仪测量此配置结构由频率2.000GHz到频率3.000GHz的S参数特性。于此，可得到S11参数(即图20中的曲线S11)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-15.33dB(即图20中曲线S11的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-16.09dB(即图20中曲线S11的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-14.03dB(即图20中曲线S11的标示Δ3)；以及可得到S21参数(即图20中的曲线S21)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-38.23dB(即图20中曲线S21的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-41.27dB(即图20中曲线S21的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-39.50dB(即图20中曲线S21的标示Δ3)；并且，可得到S22参数(即图21中的曲线S22)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-18.56dB(即图21中曲线S22的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-22.53dB(即图21中曲线S22的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-15.69dB(即图21中曲线S22的标示Δ3)；以及可得到S12参数(即图21中的曲线S12)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-38.70dB(即图21中曲线S12的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-40.66dB(即图21中曲线S12的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-40.00dB(即图21中曲线S12的标示Δ3)。
于此实施例中，两天线分别为水平极化方向摆置和垂直极化方向摆置，然而两天线亦可均为水平极化方向摆置或垂直极化方向摆置。
参照图22，显示根据本发明第三实施例的同频段天线在电路板上的配置结构；于此，第一天线122位于电路板110的第二边L2与第三边L3之间的一角落，而第二天线124则位于电路板110的第三边L3与第四边L4之间的一角落；其中，两天线以相同极化方向而摆置。并且，以网络分析仪测量此配置结构由频率2.000GHz到频率3.000GHz的S参数特性；可得到S11参数(即图23中的曲线S11)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-15.87dB(即图23中曲线S11的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-20.10dB(即图23中曲线S11上的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-30.0dB(即图23中曲线S11的标示Δ3)，以及可得到S21参数(即图23中的曲线S21)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-28.45dB(即图23中曲线S21的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-31.60dB(即图23中曲线S21的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-31.14dB(即图23中曲线S21的标示Δ3)；并且，可得到S22参数(即图24中的曲线S22)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-11.96dB(即图24中曲线S22的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-16.51dB(即图24中曲线S22的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-18.90dB(即图24中曲线S22的标示Δ3)；以及得到S12参数(即图24中的曲线S12)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-29.35dB(即图24中曲线S12的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-32.36dB(即图24中曲线S12的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-30.89dB(即图24中曲线S12的标示Δ3)。
此外，两天线亦可设置于电路板110的两对角；换句话说，第一天线122位于电路板110的第一边L1与第二边L2之间的一角落，而第二天线124则系位于电路板110的第三边L3与第四边L4之间的一角落，如图25所示。于此，二天线以不同极化方向而摆置。并且，以网络分析仪测量此配置结构由频率2.000GHz到频率3.000GHz的S参数特性；可得到S11参数(即图26中的曲线S11)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-18.36dB(即图26中曲线S11的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-22.63dB(即图26中曲线S11的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-16.33dB(即图26中曲线S11的标示Δ3)，以及可得到S21参数(即图26中的曲线S21)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-20.79dB(即图26中曲线S21的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-21.13dB(即图26中曲线S21的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-21.73dB(即图26中曲线S21的标示Δ3)；并且，可得到S22参数(即图27中的曲线S22)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-14.82dB(即图27中曲线S22的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-18.66dB(即图27中曲线S22的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-16.34dB(即图27中曲线S22的标示Δ3)；以及得到S12参数(即图27中的曲线S12)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-22.22dB(即图27中曲线S12的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-22.13dB(即图27中曲线S12的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-22.32dB(即图27中曲线S12的标示Δ3)。
再者，两天线亦可以相同极化方向而摆置，如图28所示。此时，以网络分析仪测量此配置结构由频率2.000GHz到频率3.000GHz的S参数特性；可得到S11参数(即图29中的曲线S11)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-13.16dB(即图29中曲线S11的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-17.89dB(即图29中曲线S11的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-22.53dB(即图29中曲线S11的标示Δ3)，以及可得到S21参数(即图29中的曲线S21)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-21.11dB(即图29中曲线S21的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-21.22dB(即图29中曲线S21的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-20.24dB(即图29中曲线S21的标示Δ3)；并且，可得到S22参数(即图30中的曲线S22)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-15.12dB(即图30中曲线S22的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-20.45dB(即图30中曲线S22的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-16.50dB(即图30中曲线S22的标示Δ3)；以及得到S12参数(即图30中的曲线S12)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-21.25dB(即图30中曲线S12的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-21.17dB(即图30中曲线S12的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-20.51dB(即图30中曲线S12的标示Δ3)。
另外，两天线亦可设置于电路板110的两侧的约中央部位；换句话说，第一天线122大致上位在电路板110的第二边L2的中央部位，而第二天线124则大致上位在电路板110的第四边L4的中央部位，如图31所示。此时，以网络分析仪测量此配置结构由频率2.000GHz到频率3.000GHz的S参数特性；可得到S11参数(即图32中的曲线S11)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-8.40dB(即图32中曲线S11的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-8.55dB(即图32中曲线S11的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-7.59dB(即图32中曲线S11的标示Δ3)，以及可得到S21参数(即图32中的曲线S21)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-13.64dB(即图32中曲线S21的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-13.78dB(即图32中曲线S21的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-14.06dB(即图32中曲线S21的标示Δ3)；并且，可得到S22参数(即图33中的曲线S22)在频率2.4GHz下测量得反射功率比约为-7.06dB(即图33中曲线S22的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得反射功率比约为-8.35dB(即图33中曲线S22的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得反射功率比约为-8.76dB(即图33中曲线S22的标示Δ3)；以及得到S12参数(即图33中的曲线S12)在频率2.4GHz下测量得传输功率比约为-14.04dB(即图33中曲线S12的标示Δ1)，在频率2.44GHz下测量得传输功率比约为-13.41dB(即图33中曲线S12的标示Δ2)，而在频率2.48GHz下测量得传输功率比约为-14.29dB(即图33中曲线S12的标示Δ3)。
再者，此电路板可为一小型电路板。而电路板设置有两天线的两侧，其垂直距离介于14cm到16.5cm之间。
虽然本发明以前述的优选实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何业内人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围须视本说明书所附的权利要求书所界定者为准。
权利要求
1.一种同频带天线在电路板上的配置结构，包括一电路板；以及二天线，所述天线分别相对地设置于该电路板的两侧，用以利用相同频带来收发不同无线通讯协议的电磁波讯号。
2.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该电路板设置有所述天线的两侧的垂直距离介于14cm到16.5cm之间。
3.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该电路板为矩形。
4.根据权利要求3所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该电路板沿反时针方向具有一第一边、一第二边、一第三边和一第四边，所述天线中的一个位于该第一边与该第二边之间的一角落，以及所述天线中的另一个位于该第一边与该第四边之间的一角落。
5.根据权利要求3所述的同频带天线在电路板的配置结构，其特征在于，该电路板沿反时针方向具有一第一边、一第二边、一第三边和一第四边，所述天线中的一个位于该第二边与该第三边之间的一角落，以及所述天线中的另一个位于该第三边与该第四边之间的一角落。
6.根据权利要求3所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该电路板沿反时针方向具有一第一边、一第二边、一第三边和一第四边，所述天线中的一个位于该第二边的约中央部位，以及所述天线中的另一个位于第四边的约中央部位。
7.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，所述天线以不同极化方向而设置。
8.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，所述天线以相同极化方向而设置。
9.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，还包括一导波材料，位于所述天线之间。
10.根据权利要求9所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该导波材料为一金属。
11.根据权利要求9所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该导波材料为一涂料。
12.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该频带为一射频频带。
13.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该无线通讯协议为一无线网络通讯协议。
14.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该无线通讯协议为一蓝牙通讯协议。
15.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该天线为一天线芯片。
16.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该天线为一陶瓷天线。
17.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该天线为一双极天线。
18.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该天线为一螺旋型天线。
19.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该天线为一平面天线。
20.根据权利要求1所述的同频带天线在电路板上的配置结构，其特征在于，该天线为一微带型天线。
全文摘要
一种同频带天线在电路板上的配置结构，包括电路板和两天线；其中，此两天线分别相对地设置于电路板的两侧，用以利用相同频带来收发不同无线通讯协议的电磁波讯号，借以减少两天线间的干扰。
文档编号H01Q21/00GK1979945SQ200510125950
公开日2007年6月13日 申请日期2005年11月30日 优先权日2005年11月30日
发明者詹利泽, 朱志伟 申请人:微星科技股份有限公司