液晶显示装置的制造方法及用该方法制造的液晶显示装置的制作方法

文档序号:6857280
专利名称:液晶显示装置的制造方法及用该方法制造的液晶显示装置的制作方法
技术领域
本发明涉及用在玻璃基板上形成的薄膜晶体管(以下称为TFT)驱动的有源矩阵型等的液晶显示装置的制造方法及用该方法制造的液晶显示装置。
背景技术
在液晶显示装置的制造工序中,特别是在有源矩阵型TFT液晶面板的制造工序中,与玻璃基板的TFT阵列表面接触进行处理的工序是面板组装前的毛刷清洗工序或者摩擦(rubbing)工序。毛刷清洗时,在基板表面上形成成为显示像素的透明导电膜,此外,在摩擦时,在基板表面的上述透明电极上形成定向膜,由于清洗用滚动毛刷或者摩擦用滚动布与基板表面的接触,因而会产生透明导电膜屑和定向膜屑、金属膜屑等异物。当这些异物混入显示区的情况下,由于电极间的短路和液晶定向的紊乱等成为缺陷。
作为上述问题点的对应措施,即作为防止在摩擦时产生的各种异物向显示区飞散的措施,有在显示像素的周围形成伪像素,通过伪像素与伪像素周边部的高低差捕捉摩擦用滚动布的定向膜屑、金属膜屑的技术(例如专利文献1),形成将定向膜的高度一部分增高后的部分,在该高低差处捕捉摩擦用滚动布的定向膜屑和金属膜屑的技术(例如专利文献2),以及在定向膜非形成区域上用绝缘膜形成凹凸部,通过该沟槽部捕捉附着在摩擦用滚动布上的异物、金属膜屑、定向膜屑的实例(例如专利文献3)。
特开平9-43629号公报(8页,图4)[专利文献2]特开2004-240142号公报(11页,图2)[专利文献3]特开2001-318380号公报(5页,图2)在显示像素的周围形成伪像素的现有实例中,来自伪像素的玻璃基板的高度与透明导电膜的高度是一样的,作为定向膜形成的前工序,不能充分去除在清洗基板表面的毛刷清洗工序中产生的透明导电膜屑,此外,由于透明导电膜也形成在伪像素上,在毛刷清洗和摩擦时,对从伪像素产生的透明导电膜屑,反倒成为相反的效果。
此外,即使在用定向膜形成高低差的现有实例中,也没有考虑到在定向膜形成前进行的基板的毛刷清洗工序中产生的透明导电膜屑的除去。此外,在周围区域上形成比显示区的定向膜的厚度高的定向膜的情况下,在摩擦时有可能因剥落或缺口而产生定向膜屑。
此外,即使在定向膜外部形成凹凸状的异物除去部,捕捉摩擦用滚动布的纤维屑和附着在布上的异物、定向膜屑的情况下,由于在定向膜涂覆部上也产生透明导电膜屑,因而不能完全地除去。进而,透明导电膜屑与摩擦用滚动布的纤维屑和定向膜屑不同,即使用水或有机溶剂的清洗及超声波清洗也难于除去。进而,当用现在一般的制造技术制造由铬膜与绝缘膜构成的凹凸状的异物除去部时,其高度比上述显示区的平均高度低,在上述毛刷清洗工序中的异物捕捉效果不充分。此外,为了形成上述凹凸状的异物除去部,需要追加用于形成凹凸的工序,成为制造成本上升的重要原因。

发明内容
发明要解决的课题本发明是为了解决上述问题而进行的,其目的在于得到能够在显示区外拦住并捕捉由毛刷清洗产生的透明导电膜屑,消除因透明导电膜屑与邻接的像素间和对置电极基板短路而产生的缺陷的制造方法。进而,其目的在于不用追加新的工序,就能够防止在摩擦时产生的异物向显示区内的飞散。
解决课题的方法本发明的特征在于在用于驱动液晶的TFT阵列基板与对置基板之间夹持液晶的液晶显示装置的制造方法中,具有在上述TFT阵列基板上形成TFT阵列的同时,用与构成上述TFT阵列的多种材料同样的材料,在上述液晶显示装置的显示区的附近周围形成用于捕捉异物的屏障的TFT阵列形成工序。
发明的效果由于在在TFT阵列基板形成TFT阵列的同时,用与构成TFT阵列的多种材料同样的材料,形成屏障,能够形成比上述显示区的平均高度高的上述屏障,在毛刷清洗工序及摩擦工序时,能够得到充分的异物捕捉效果。进而,不需要用于形成上述屏障的追加的工序。


图1是本发明实施方式1至2中的液晶显示装置的结构图。
图2是本发明实施方式1至2中的像素部及屏障的平面图。
图3是本发明实施方式1中的像素部及屏障的剖面图。
图4是本发明实施方式1至2中的栅层及栅线形成工序后的剖面图。
图5是本发明实施方式1至2中的栅绝缘膜形成工序后的剖面图。
图6是本发明实施方式1至2中的半导体膜形成工序后的剖面图。
图7是本发明实施方式1至2中的源/漏层形成、刻蚀及半导体膜刻蚀工序后的剖面图。
图8是本发明实施方式1至2中的保护膜形成工序后的剖面图。
图9是本发明实施方式1中的保护膜及栅绝缘膜刻蚀用抗蚀剂涂覆、刻蚀工序后的剖面图。
图10是本发明实施方式1中的保护膜及栅绝缘膜刻蚀工序后的剖面图。
图11是本发明实施方式1中的ITO形成工序后的剖面图。
图12是本发明实施方式1或者2中的毛刷清洗工序的模式图。
图13是本发明实施方式1中的定向膜形成工序后的剖面图。
图14是本发明实施方式1或者2中的摩擦工序的模式图。
图15是本发明实施方式2中的像素部及屏障的剖面图。
图16是本发明实施方式2中的保护膜及栅绝缘膜刻蚀用抗蚀剂涂覆、刻蚀工序后的剖面图。
图17是在本发明实施方式3中的被分割的显示区之间设置了屏障的情况的平面图。
1液晶显示装置、2显示区、 3TFT阵列基板、4栅线、5源线、 6屏障、
13端子部区、 14端子部区、 16像素部、17TFT、 18漏端子、 19接触孔、20栅层、 21栅绝缘膜、 22半导体层、23源/漏层、 24保护膜、 26抗蚀剂、27滚动毛刷、 28异物、30滚动毛刷与玻璃基板间的间隙、 32捕捉异物、33定向膜、34摩擦用滚动布、35异物、 37摩擦用布与玻璃基板间的间隙、39捕捉异物、 40纵切断线、 41横切断线具体实施方式
实施方式1以下,说明在液晶显示装置的制造方法中采用本发明的一个例子。图1表示用本发明实施方式1的制造方法制造的液晶显示装置的平面图。在图1所述的液晶显示装置1中,第一基板3(以下称为TFT阵列基板)由玻璃基板42、显示区2、屏障6构成。上述显示区2用在上述玻璃基板42上形成的栅线4与源线5划分的像素部及驱动像素部的TFT阵列构成为矩阵状,用环绕上述显示区2的屏障6和用于密封没有图示的液晶的密封材料7包围。此外,上述TFT阵列基板3与没有图示的第二基板(以下称为对置基板),通过密封材料7保持适当的间隙夹持液晶。
液晶驱动电路由在TFT阵列基板3上组装了COG(Chip OnGlass玻璃上芯片)的源驱动器8及栅驱动器9、向这些源驱动器8及栅驱动器9供给显示信号10与控制信号11的控制基板12构成,上述源驱动器8及栅驱动器9的输出,通过端子部区13及14与源线5及栅线4连接。
在图1中,用点划线包围的包含像素部及屏障的区域15,由构成显示区2的图的左端列的像素部与屏障6构成,图2表示其放大图。在图2中,16是构成矩阵状的显示区2的像素部,由向液晶施加电压的透明导电膜构成。在该实施方式中,以一般的透射式液晶显示装置作为一个例子说明液晶显示装置1。采用ITO(Indium TinOxide,氧化铟锡)作为构成像素部16的透明导电膜。以下,将该透明导电膜称为ITO。此外,像素部16通过接触孔19与TFT17的漏端子18导通,由TFT17进行驱动。此外,屏障6从显示区2的图2的最左端的源线5间隔预定的距离延伸配置在图2的上下方向上,作为整体如图1所示那样包围显示区2。
作为屏障6、TFT17及接触孔19的断面结构的一个例子,图3表示了图2所示的A-A间的剖面图。在图3中,TFT17是一般的反向交错型晶体管,如上所述,漏端子18通过接触孔19与像素部16的ITO膜161连接。屏障6从下层起依次由栅层20或者栅线4、栅绝缘膜21、半导体层22、源/漏层23、保护膜24构成,最上层是保护膜24,没有形成构成像素部16的ITO膜161。这里,屏障6的栅层20与图2的栅线4及TFT17的栅层20是同一层,用同样金属同时形成。此外,屏障6的栅绝缘膜21、半导体层22分别与TFT17的栅绝缘膜21、半导体层22是相同材料并同时形成。同样的,屏障6的源/漏层23与源线5、漏端子18及TFT17的源/漏层23是同层,用同样金属同时形成。
此外,如图2所示,在栅线4与屏障6的交叉部25中,栅层20用栅绝缘膜21与栅线4分离,防止邻接栅线彼此之间短路。此外,在交叉部25中,栅线4与其他的部分相比被细线化,以防止在交叉部中的栅线4的杂散电容增加。
接着,参照附图,按照制造工序的顺序,就形成具有上述剖面结构的屏障6与TFT17的TFT阵列基板3的制造方法进行说明。首先,如图4所示,在玻璃基板42的表面,用同样材料同时成膜构成栅线4与TFT17的栅电极及屏障6的最下层的栅层20,并进行刻蚀。接着,如图5所示,在形成栅绝缘膜21后,如图6所示,用同样材料同时成膜半导体膜22,并进行刻蚀。接着,如图7所示,在上述半导体膜22的上面,用同样材料同时成膜构成源线5、TFT17的源电极、漏电极18的源/漏层23,并进行刻蚀。然后,以源/漏层23作为掩膜,将半导体膜22的上面一部分刻蚀成凹状,形成TFT17的沟道221。接着,在其上面形成图8所示的保护膜24,接着,涂覆图9所示的抗蚀剂26,将其曝光显影,为了刻蚀图10所示的接触孔19与屏障6,除去不需要的抗蚀剂部分。以该抗蚀剂26作为掩膜,一起进行刻蚀除去栅绝缘膜21及保护膜24的露出部分。
通过上述工序,由同样结构材料同时形成图10所示的屏障6及TFT17。然后,仅仅在图11的接触孔19的上部及像素部16部上成膜ITO膜161,并进行刻蚀,TFT17的漏端子18与由ITO膜161构成的像素部16连接。在屏障6上没有形成ITO膜。
这里,上述栅层20、源/漏层23用CVD法和溅射法在玻璃基板42上形成金属膜(Al、Cr、Mo等)。此外,栅绝缘膜21与保护膜24一般使用氮化硅(SiN)。
通过上述工序形成的屏障6的高度是1.5μm~2μm左右,虽然与TFT17几乎相同,但与占显示区2的大部分的像素部16相比仅高出栅层20及半导体膜22的量。由于像素部16的ITO膜161薄到小于等于0.1μm,即使加上它屏障6也充分高。屏障6的宽度其最大值在液晶显示装置1的外形制约的允许范围内,能够自由地设定,此外,由于需要具有耐受滚动毛刷清洗的剥离强度,其最小值通常设定在大于等于5μm。
如上所述,通过在TFT阵列基板制造工序中,与TFT阵列同时,而且使用相同金属形成屏障6,由此能够非常简便而且无需追加工序地在其周围形成比显示区2的平均高度高的屏障。
接着,随后,将在上述工序中制造的TFT阵列基板3投入到上述面板组装工序。面板组装工序的工序顺序一般是以定向膜涂覆、摩擦、密封材料涂覆、与对置基板的叠合、密封材料固化、液晶注入、注入口密封的顺序流动。这里,为了除去在TFT阵列基板3保管时粘附的灰尘和异物,需实施毛刷清洗作为面板组装工序的最初工序,即作为定向膜涂覆工序的前工序。在毛刷清洗中一般使用旋转的滚动毛刷。
图12表示在上述毛刷清洗工序中通常使用的滚动毛刷27的动作及异物28的移动的情况。在该图中,滚动毛刷27最初与显示区2的周围区域相接,然后向着显示区2进行。这里,通过滚动毛刷27的旋转及移动方向29,异物28被暂时扫近用间隙30表示的位置,即滚动毛刷27与TFT阵列基板3的间隙中,并从用移动方向31表示的方向,即从显示区2的外侧向屏障6的方向移动。异物28的构成要素主要是从之前进行了毛刷清洗处理的TFT阵列基板3的像素部16剥离的ITO屑附着在滚动毛刷27上的附着物和从清洗处理中的基板边缘剥离的ITO屑和其他的金属膜屑等,其大小为0.02μm~0.05μm左右。如上所述,由于屏障6的高度为1.5μm~2μm左右,且形成在上述周围区域,因此异物28首先被屏障6的高低差拦住,如捕捉异物32所示那样被屏障6的左侧侧壁捕捉。随后,用屏障6除去了异物的滚动毛刷27进而向移动方向29所示的方向前进,清洗显示区2。
这里,当假设没有形成屏障6时,如图所示那样凝集并大型化了的异物28飞散到显示区2内。这里,虽然TFT17的高度与屏障6几乎相同,由于为了提高透射率以尽可能小的尺寸形成在像素部16的左下角,不能期待拦住异物28的效果。因此,凝集在用间隙30表示的位置并大型化了的导电性异物28飞散到像素部16上的可能性高。当凝集的异物28飞散到显示区2内时,在像素部16与对置电极之间引起短路,或在邻接的像素部16彼此之间引起短路,成为导致像素缺陷的原因。
此外,在毛刷清洗工序中,在考虑能够充分清洗显示区2而且难于产生像素部16的ITO膜剥落的条件后,进行将滚动毛刷27按向TFT阵列基板3的压力的设定。当将上述按压过分提高时,即当使玻璃基板42与滚动毛刷27的间隔过分狭窄时,ITO膜剥离增加。在本实施方式中,如图3所示,作为屏障6的结构,使用构成TFT阵列基板3的多种材料,形成屏障6使其比显示区2的平均高度高,容易捕捉异物28。此外,如上所述,异物28的大小是0.02μm~0.05μm左右。由于如上所述形成屏障6,因此能够如捕捉异物32那样捕捉扫近的异物28的大部分。
此外,如上所述,由于在屏障6上没有形成ITO膜,因此即使形成为比显示区2的平均高度高,在毛刷清洗工序中,也没有从屏障6表面剥落ITO膜,滞留在其后的显示区上的问题。
接着,说明在摩擦工序中的屏障6的作用。在上述面板组装工序中,在摩擦工序前有定向膜涂覆工序,在本实施方式中,如图13所示,不仅在显示区2上而且在屏障6的上部也形成定向膜33。该定向膜33在定向膜涂覆工序中形成。即仅仅在决定定向膜的涂覆范围的复制版上附加包围显示区2的屏障6的图形,就能够容易地实现。涂覆了定向膜33后屏障6的高度,至少形成为比像素部16高,能够提高异物捕捉效果。
这里,说明摩擦工序中的异物捕捉的情况。能够考虑将图12中的滚动毛刷27置换成摩擦用滚动布。图14表示上述摩擦工序中的摩擦用滚动布34的动作及异物35的移动情况。在该图中,摩擦用滚动布34最初接近显示区2的周围区域,然后向着显示区2进行。这里,通过摩擦用滚动布34的旋转及移动方向36,异物35被暂时扫近用间隙37表示的位置,即被暂时扫近摩擦用滚动布34与TFT阵列基板3的间隙中,并向移动方向38表示的方向,即从显示区2的外侧朝向屏障6的方向移动。
异物35的构成要素主要是从之前进行了摩擦工序处理的TFT阵列基板3的像素部16剥离的定向膜屑附着在摩擦用滚动布34上的附着物和从基板边缘部剥离的金属膜屑和定向膜屑等,其大小为0.15μm~0.2μm左右,当凝缩的块飞散到显示区2上时,成为因短路和定向不良引起的亮点缺陷的原因。但是,如上所述,由于屏障6的高度为1.5μm~2μm左右,且形成在上述周围区域,因此异物35首先被屏障6的高低差拦住,如捕捉异物39所示那样被屏障6的侧壁的左侧面捕捉。用屏障6除去了异物35的摩擦用滚动布34一边在图示的方向上旋转一边进而在移动方向36所示的方向上前进,接触显示区2的定向膜,实施摩擦处理。
这样,通过在显示区2的周围区域形成屏障6,即使在摩擦工序中也能够捕捉异物35,能够抑制显示不良的发生。
如图1所示,在上述实施方式中,屏障6包围显示区2,在图的横方向中,位于栅线4的端子部区域14与显示区2之间,如图2所示,通过在屏障6与栅线4交叉的位置分离栅线4与栅层20,防止邻接的栅线彼此之间短路。同样的,在图的纵方向中,屏障6位于源线5的端子部区域13与显示区2之间,通过在屏障6与源线5交叉的位置分离源线5与源层23,防止邻接源线彼此之间短路。此外,由于将屏障6设置在端子部区域13及14与显示区2之间,因此有效地利用其间的空余区域,能够避免因设置屏障6引起的TFT阵列基板3的大型化。此外,如上所述,通过使屏障6与栅线4或者源线5如上述交叉,也能够将屏障6形成在显示区2的极近旁,能够抑制在其间产生的异物。
此外,在上述记述中,虽然屏障6包围显示区2,但在工序中,预先决定毛刷清洗和摩擦的方向,只要没有其方向变更的可能性,在显示区2的图中,能够在纵方向或者横方向,或者在两方向上形成,此外,只要设计上可能,能够在显示区2的上下左右上形成多条,具有与本实施方式同样的效果,这是显而易见的。
此外,在本实施方式1中,虽然就屏障6用直线包围显示区的周围的形状进行了说明,但只要能够捕捉异物,不必特定为直线,只要设计上能够确保设置的区域,即使在折线形状和矩形波形状其他形状中,也具有与本实施方式1同样的异物捕捉的效果。
此外,在图1中,虽然屏障6形成在显示区2与密封材料7之间,但只要是显示区2的外侧的周围区域即可,即使是密封材料7的外部也没有问题不限定特殊位置。
进而,在本实施方式1中,虽然就使用具有透射性的ITO金属膜作为像素部16的导电膜材料进行了说明,但并不限定于这种材料,也可以使用其他的导电性材料。例如,在液晶显示装置1是反射型显示装置的情况下,采用铝(Al)和银(Ag)等高反射率的非透射性的金属作为构成像素部16的导电膜。进而,即使在分割成非透射性的金属与透射性金属(半透射型显示装置的情况)形成像素部16的情况下,也与本实施方式1同样具有异物捕捉的效果,这是显而易见的。
实施方式2在上述实施方式1中,如从图9的抗蚀剂26的形状及图3的剖面结构所了解的那样,屏障6的侧面露出栅层20、半导体层22、源/漏层23等金属层。
但是,当金属在侧壁面露出时,考虑到因使用的金属膜的种类不同,对液晶中的微小的水分等的浸透引起的金属腐蚀的耐性降低。这种情况下,如在图15的屏障6的剖面图所示那样,通过使之成为在屏障6的侧壁面上保留栅绝缘膜21与保护膜24的结构,能够提高抗腐蚀性。这种情况,如图16的抗蚀剂26的形状所示,通过扩展用屏障6的上部的抗蚀剂覆盖的区域,能够容易地实现。其他的TFT17和屏障6的制造工序、图12所示的毛刷清洗工序的情况与实施方式1相同,故省略对其他制造工序的说明。
如上所述,在保留屏障6的侧壁面的栅绝缘膜21与保护膜24的结构的情况下,屏障6的剖面形状成为类似台形形状。如上所述,在将屏障6设置在密封材料7的外部的情况下和在制造TFT阵列基板后到投入面板组装工序为止的保管时间长的情况下等,作为屏障6与外气接触时间长的情况的预防腐蚀对策是有效的。
实施方式3图17表示在以多个显示区划分由一枚玻璃基板42构成的TFT阵列基板一起形成TFT阵列,并在完成面板工序后进行切断得到多个液晶显示装置的方法中,形成上述屏障6,捕捉异物的实施方式。在该图中,4枚显示区2被分配在一枚玻璃基板42上,只要用预先决定的多个纵切断线40及横切断线41切断TFT阵列基板及对置基板,就能够组装多个同一规格的液晶显示装置。
在图17中,在用纵切断线40与横切断线41包围的4个显示区2的边界区及最外周上,用与实施方式1同样的方法形成屏障6。如上所述,即使在本实施方式3中,由于上述屏障6形成在显示区2的周边部上,因此与实施方式1同样,能够在面板组装工序中的上述毛刷清洗工序中捕捉异物。
这种情况下,由于在组装液晶显示装置时屏障6被切断并废弃,不残存于液晶显示装置1内。
权利要求
1.一种液晶显示装置的制造方法,是第二基板具有间隙地被粘合在在显示区内具有TFT阵列和由该TFT阵列驱动构成像素部的导电膜的第一基板上,在上述间隙中夹持液晶而成的液晶显示装置的制造方法,具备在上述第一基板上,形成上述TFT阵列的同时,在上述显示区的附近周围的至少一部分上,用与构成上述TFT阵列的多种材料同样的材料,形成屏障的TFT阵列形成工序。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于作为构成上述屏障的材料,上述导电膜不在此列。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于具备形成在侧壁面上具有栅绝缘膜或者保护膜的上述屏障的TFT阵列形成工序。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于具备在使清洗用毛刷接触上述屏障并通过后,使之与上述显示区接触,进行上述第一基板清洗的清洗工序。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于具备在形成了上述TFT阵列的显示区与上述屏障的上部,同时形成使上述液晶定向的定向膜的定向膜形成工序。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于上述定向膜形成工序,形成定向膜使在上述屏障上形成的定向膜比在上述显示区上形成的定向膜的平均高度高。
7.如权利要求5所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于具备在使摩擦用布接触上述屏障上的定向膜并通过后,使之与上述显示区上的定向膜接触,进行摩擦的摩擦工序。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于上述TFT阵列形成工序,在具备被划分的多个显示区的上述第一基板上,在上述各显示区内形成TFT阵列的同时,在划分上述各显示区的边界上形成上述屏障。
9.一种液晶显示装置的制造方法,是第二基板具有间隙地被粘合在在显示区内具有TFT阵列和由该TFT阵列驱动构成像素部的导电膜的第一基板上,在上述间隙中夹持液晶而成的液晶显示装置的制造方法,其特征在于在上述第一基板上,在形成上述TFT阵列的同时,位于连接配置在上述显示区的外侧的液晶驱动电路的端子部区域与上述显示区之间,而且,在上述TFT阵列的相邻的栅驱动用布线的间隙或者相邻的源驱动用布线的间隙的至少一方上,用与构成上述TFT阵列的多种材料同样的材料形成屏障。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于具备在形成连接上述TFT的源或者漏端子与上述导电膜的接触孔的同时,刻蚀上述屏障的外形的接触孔形成工序。
11.如权利要求9所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于作为构成上述屏障的材料,上述导电膜不在此列。
12.一种液晶显示装置的制造方法,是第二基板具有间隙地被粘合在在显示区内具有TFT阵列和由该TFT阵列驱动构成像素部的导电膜的第一基板上,在上述间隙中夹持液晶而成的液晶显示装置的制造方法,其特征在于具备在上述第一基板上,在形成上述TFT阵列的同时,在上述显示区的附近周围的至少一部分上,用与构成上述TFT阵列的多种材料同样的材料,形成屏障的TFT阵列形成工序;在形成连接上述TFT的源或者漏端子与上述导电膜的接触孔的同时,刻蚀上述屏障的外形的接触孔形成工序。
13.如权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于作为构成上述屏障的材料,上述导电膜不在此列。
14.一种液晶显示装置,用权利要求1、9、12中的任何一项所述的制造方法制造。
全文摘要
本发明的目的在于得到能够在显示区外拦住并捕捉由毛刷清洗产生的异物,消除异物与邻接像素间和对置电极基板间的短路产生的缺陷的制造方法。其实现方法是在液晶显示装置1的显示区2的附近周围形成用于捕捉异物28的屏障6。作为屏障6的制造方法,具有在形成TFT16的同时,用与构成TFT16的多种材料同样的材料形成屏障6的工序。
文档编号H01L21/027GK1790142SQ20051013177
公开日2006年6月21日 申请日期2005年12月16日 优先权日2004年12月17日
发明者箕轮宪一, 大桥刚 申请人:三菱电机株式会社
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