专利名称：内存模块整合结构的制作方法
技术领域：
本发明有关于一种内存模块整合结构，特别是有关于一种可提升散热效果的内存模块整合结构。
背景技术：
一般来说，就传统的双列直插式存储器模块(Dual In-line Memory Module，DIMM)而言，其DDR2内存模块的运作是由一单核心中央处理器(CPU)所控制。然而，在新一代的服务器系统架构中，其中央处理器将全面晋升为64位双核心(64bit/dual core)的形式，而其内存模块也将转变为全缓冲双列直插式存储器模块(Fully Buffered Dual In-line Memory Module，FBDIMM)。
请参阅图1，在一服务器系统的一主机板2上插接有若干个全缓冲双列直插式存储器模块1，而每一个全缓冲双列直插式存储器模块1除了仍具有若干个DDR2内存模块10之外，其还另外具有一高速存储器缓冲芯片(Advanced MemoryBuffer chip，AMB chip)11，此高速存储器缓冲芯片11可加速全缓冲双列直插式存储器模块1的频率及加大其频宽。值得注意的是，上述的高速存储器缓冲芯片11乃是设置于全缓冲双列直插式存储器模块1内的其中一个DDR2内存模块10之上。
如上所述，由于高速存储器缓冲芯片11在全速运行时的功率会达到4~6瓦特，故将会产生额外的热量。因此，仍如图1所示，在高速存储器缓冲芯片11上还会附着有一铜片12来帮助高速存储器缓冲芯片11进行散热。然而，在目前规格为1U(容置高度为44.45毫米)的机架式服务器系统架构中，由于其空间的限制，故含有铜片12的全缓冲双列直插式存储器模块1并无法有效地将高速存储器缓冲芯片11所产生的额外热量排除，因而会对整个服务器系统造成过热现象。
发明内容
本发明的目的是要提供一种内存模块整合结构，可加速排除全缓冲双列直插式存储器模块的高速存储器缓冲芯片所产生的额外热量，以避免过热现象发生。
本发明基本上采用如下技术方案以解决上述问题。也就是说，本发明内存模块整合结构包括至少一全缓冲双列直插式存储器模块，具有一第一板体、至少一内存模块、一高速存储器缓冲芯片以及一导热片，其中，该内存模块设置于该第一板体之中，该高速存储器缓冲芯片附着于该内存模块之上，以及该导热片连接于该高速存储器缓冲芯片；以及一散热装置，设置于该全缓冲双列直插式存储器模块之上，并且连接于该导热片，其中，该高速存储器缓冲芯片运行所产生的热量经由该导热片传导至该散热装置，并且经由该散热装置传导至外界。
同时，根据本发明的内存模块整合结构，该导热片平行于该第一板体，该散热装置具有一第二板体以及至少一夹接部，该第二板体设置于该第一板体之上，并且垂直于该第一板体，以及该夹接部从该第二板体延伸至该导热片，并且夹接该导热片。
本发明还具有以下技术特征，所述夹接部包括两平行夹片，导热片位于该夹片之间。
本发明还具有以下技术特征，在该导热片与每一夹片之间涂覆有散热膏。
本发明还具有以下技术特征，在该导热片与每一夹片之间设置有一导热垫。
本发明还具有以下技术特征，该散热装置以及该导热片是由金属所制成。
本发明还具有以下技术特征，该散热装置以及该导热片是由铜或铝所制成。
由于采用以上的技术方案，当高速存储器缓冲芯片运作时，其所产生的额外热量可经由导热片传导至散热装置，然后再经由散热装置传导或散逸至外界。因此，服务器系统的过热现象即可避免发生。
图1是现有技术全缓冲双列直插式存储器模块的应用示意图；图2是本发明内存模块整合结构的立体示意图；图3是本发明内存模块整合结构的分解示意图；图4是本发明内存模块整合结构的局部示意图。
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例并结合附图做详细说明。
请参阅图2及图3，本实施例内存模块整合结构100可应用于一服务器系统之中，并且插接于一主机板200之上。
仍如图2及图3所示，内存模块整合结构100主要包括有若干个全缓冲双列直插式存储器模块(Fully Buffered Dual In-line Memory Module，FBDIMM)110以及一散热装置120。
每一个全缓冲双列直插式存储器模块110具有一第一板体111、若干个内存模块(例如，DDR2内存模块)112、一高速存储器缓冲芯片(Advanced MemoryBuffer chip，AMB chip)113以及一导热片114。内存模块112设置于第一板体111之中，而高速存储器缓冲芯片113附着于其中一个内存模块112之上。导热片114附着于高速存储器缓冲芯片113之上，并且导热片114平行于第一板体111。
散热装置120设置于若干个全缓冲双列直插式存储器模块110之上，并且同时连接于若干个导热片114。更详细的来说，散热装置120具有一第二板体121以及若干个夹接部122。第二板体121设置于若干个第一板体111之上，并且垂直于若干个第一板体111。每一个夹接部122均从第二板体121延伸至每一个导热片114，并且每一个夹接部122都夹接每一个导热片114。在本实施例之中，每一个夹接部122还包括有两个平行夹片122a，当每一个夹接部122夹接每一个导热片114时，导热片114位于两夹片122a之间。此外，在导热片114与每一个夹片122a之间可涂覆散热膏，或者，如图4所示，在导热片114与每一个夹片122a之间可设置一导热垫123。涂覆散热膏或设置导热垫123的目的是为了避免在导热片114与每一个夹片122a之间产生间隙，而影响到导热片114与夹片122a之间的热传导效果。此外，散热装置120可由金属(例如铜或铝)所制成。
如上所述，当高速存储器缓冲芯片113运行时，其所产生的额外热量可经由导热片114传导至散热装置120，然后再经由散热装置120传导或散逸至外界。因此，服务器系统的过热现象即可避免发生。
权利要求
1.一种内存模块整合结构，其特征在于，包括至少一全缓冲双列直插式存储器模块，具有一第一板体、至少一内存模块、一高速存储器缓冲芯片以及一导热片，其中，该内存模块设置于该第一板体之上，该高速存储器缓冲芯片附着于该第一板体之上，该导热片附着于该高速存储器缓冲芯片，其中所述内存模块整合结构还包括一散热装置，设置于所述全缓冲双列直插式存储器模块之上，并且连接于所述导热片。
2.根据权利要求1所述的内存模块整合结构，其特征在于，所述散热装置具有一第二板体以及至少一夹接部，该第二板体设置于该第一板体之上，所述夹接部从第二板体延伸至导热片，并且夹接该导热片。
3.根据权利要求2所述的内存模块整合结构，其特征在于，所述第二板体垂直于第一板体。
4.根据权利要求2所述的内存模块整合结构，其特征在于，所述夹接部包括两平行夹片，所述导热片位于该夹片之间。
5.根据权利要求4所述的内存模块整合结构，其特征在于，在所述导热片与每一夹片之间涂覆有散热膏。
6.根据权利要求4所述的内存模块整合结构，其特征在于，在所述导热片与每一夹片之间设置有一导热垫。
7.根据权利要求1或2所述的内存模块整合结构，其特征在于，所述散热装置是由金属所制成。
8.根据权利要求7所述的内存模块整合结构，其特征在于，所述散热装置是由铜所制成。
9.根据权利要求7所述的内存模块整合结构，其特征在于，所述散热装置是由铝所制成。
全文摘要
一种内存模块整合结构，可加速排除全缓冲双列直插式存储器模块的高速存储器缓冲芯片所产生的额外热量，包括至少一全缓冲双列直插式存储器模块以及一散热装置。所述全缓冲双列直插式存储器模块具有一第一板体、至少一内存模块、一高速存储器缓冲芯片以及一导热片。该内存模块设置于该第一板体之中，该高速存储器缓冲芯片附着于该内存模块之上，以及该导热片连接于该高速存储器缓冲芯片。所述散热装置设置于该全缓冲双列直插式存储器模块之上，并且连接于该导热片。所述高速存储器缓冲芯片运行所产生的热量经由该导热片传导至该散热装置，并且经由该散热装置传导至外界，避免产生服务器系统的过热现象。
文档编号H01L25/00GK1992241SQ20051013292
公开日2007年7月4日 申请日期2005年12月28日 优先权日2005年12月28日
发明者张弘 申请人:技嘉科技股份有限公司