专利名称：1MHz－100MHz频段腔体式低损耗合路器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器。适用于无线通讯领域。
背景技术：
现有无线通讯用于1-100MH频段的发射功率输出合路器主要采用衰减3dB二合一的合路器，该合路器一般由LC电路式微带及其它匹配方式实现。每二合一就损耗3dB。如多信道合路器，图1所示，4个信道的合路损耗为6dB，以此类推8个信道的合路损耗为12dB，因此，现有的合路器在用于多信道合路时损耗太大。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是针对现有技术中多信道功率合路器损耗大的问题，而提供一种1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其目的是使在多信道功率合路时输出端功率较输入端功率损耗可小于3dB以下，从而使得多信道的功率合路效率成倍地提高。
本实用新型所采用的技术方案是1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述合路器由一组高Q谐振腔式带通滤波器并联组成。
所述高Q谐振腔式带通滤波器为电容输入输出结构，包括输入端口藕合电容C1，输出端口藕合电容C2，可变电容C3及高Q电感L。
所述高Q谐振腔式带通滤波器为电感抽头输入、电容输出结构，在该结构中，高Q电感L的不同位置抽头分别与输入端口、可变电容C3及输出端口藕合电容C2相接。
所述高Q谐振腔式带通滤波器由高Q电感L与谐振腔形成分布电容，谐振腔的顶部装有垂直设置的，可在高Q电感L的中间上、下调节的螺杆。
所述高Q谐振腔式带通滤波器由高Q电感L与谐振腔形成分布电容，高Q电感L与谐振腔之间接有高Q可调电容C3′。
所述高Q谐振腔式带通滤波器为单腔式，即只有一个谐振腔。
所述高Q谐振腔式带通滤波器由2～4个单腔滤波器串联而成，相邻两个谐振腔中间开有藕合腔孔。
所述谐振腔及螺杆由非磁性金属材料制作。
本实用新型的有益效果是采用本实用新型的合路器在多信道合路时损耗低，例如用本实用新型制作的8信道功率合路时损耗为小于3dB，而用3dB藕合器制作的合路器损耗为12dB，两者相差9dB以上。合路器每个单元都有很好的频率选择性，从而使得合路器各信道之间有良好的隔离度。
图11是以本实用新型制作的30-40MHz合路器在网络分析仪上的测试性能图。从图中可以看出，本实用新型的合路器性能优良，具有很高的工程实用价值。
图1是本实用新型背景技术采用衰减3dB二合一的合路器示意图。
图2是本实用新型由多个高Q谐振腔式带通滤波器组成合路器的示意图。
图3是本实用新型中电容输入输出结构的电原理图。
图4是本实用新型中电感抽头输入、电容输出结构的电原理图。
图5是本实用新型单腔式用螺杆分布电容调整频率的结构图。
图6是本实用新型单腔式用高品质可调电容调整频率的结构图。
图7是本实用新型双腔式用螺杆分布电容调整频率的结构图。
图8是本实用新型双腔式用高品质可调电容调整频率的结构图。
图9是本实用新型采用电容输入输出结构时与发射机及负载天线匹配的原理图。
图10是本实用新型采用电感抽头输入、电容输出结构时与发射机及负载天线匹配的原理图。
图11是用本实用新型制作的合路器在网络分析仪上测试的性能图。
具体实施方式
如图2所示，本实施例一个八合一的合路器由8个高Q谐振腔式带通滤波器2并联组成，每个滤波器单元的输入接发射机1，输出接负载或发射天线RL。采用本实用新型的技术方案可组成2～16信道以上合路器，信道数的增加对衰减影响较小。
图3所示的高Q谐振腔式带通滤波器2为电容输入输出形式，它由输入端口藕合电容C1、输出端口藕合电容C2、司变电容C3及高Q电感L所组成。输入、输出的电容可根据每个信道间的隔离要求及允许的功率损耗阻抗匹配及电感的抽头位置选择容量大小。输入、输出电容可接在电感的顶端或电感的某个抽头位置，但必须与电路阻抗等参数匹配(本例发射机的输出阻抗及负载式天线阻抗均为50Ω)。如图9所示。
图4所示的高Q谐振腔式带通滤波器2为电感抽头输入、电容输出形式，在该结构中，高Q电感L的不同位置抽头分别与输入端口、可变电容C3及输出端口藕合电容C2相接。电感输入一般接发射机1，抽头的阻抗与发射机的输出阻抗(本例为50Ω)相匹配。输出端口藕合电容C2的大小，接入的电感位置以根据每信道的间隔及功率损耗允许值及负载RL阻抗匹配(本例为50Ω)而选择。如图10所示。
所述高Q谐振腔式带通滤波器2有两种方式调整谐振频率，一种是由高Q电感L与谐振腔3形成分布电容，其谐振频率即是带通频率，通过调节伸入高Q电感L中螺杆4的位置来调整分布电容，继而调整谐振频率。另一种是由高Q电感L与谐振腔3形成分布电容，其谐振频率即是带通频率，通过接入一个高Q可调电容C3′来调整谐振频率。
在本文中描述的可变电容C3，是由高Q电感分布自谐电容及谐振腔及调整螺杆共同组成C3；或高Q值电容与高Q电感分布自谐电容及谐振腔分布电容并联组成。
本例中的高Q电感L由铜线或其它高导电性能材料制作；谐振腔3由非磁性金属材料制作，除与高Q电感形成谐振外，还有电磁屏敝作用；螺杆4由非磁性材料制作。为了提高性能金属件可增加表面镀银。谐振腔可以是单个的，也可以多个串联，图7、图8所示的即是2个谐振腔串联，在两个腔体中间的隔板上开有藕合腔孔3-1。但无论是单腔式的还是多腔式的，其分布电容乃至谐振频率的调整都可以采用所述螺杆调节或加一个高Q可调电容。
权利要求1.一种1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述合路器由一组高Q谐振腔式带通滤波器(2)并联组成。
2.根据权利要求1所述的1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述高Q谐振腔式带通滤波器为电容输入输出结构，包括输入端口藕合电容C1，输出端口藕合电容C2，可变电容C3及高Q电感L。
3.根据权利要求1所述的1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述高Q谐振腔式带通滤波器为电感抽头输入、电容输出结构，在该结构中，高Q电感L的不同位置抽头分别与输入端口、可变电容C3及输出端口藕合电容C2相接。
4.根据权利要求1所述的1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述高Q谐振腔式带通滤波器由高Q电感L与谐振腔(3)形成分布电容，谐振腔(3)的顶部装有垂直设置的，可在高Q电感L的中间上、下调节的螺杆(4)。
5.根据权利要求1所述的1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述高Q谐振腔式带通滤波器由高Q电感L与谐振腔(3)形成分布电容，高Q电感L与谐振腔(3)之间接有高Q可调电容C3′。
6.根据权利要求4或5所述的1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述高Q谐振腔式带通滤波器为单腔式，即只有一个谐振腔(3)。
7.根据权利要求4或5所述的1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述高Q谐振腔式带通滤波器由2～4个单腔滤波器串联而成，相邻两个谐振腔(3)中间开有藕合腔孔(3-1)。
8.根据权利要求4或5所述的1MHz-100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述谐振腔(3)及螺杆(4)由非磁性金属材料制作。
专利摘要本实用新型涉及一种1MHz－100MHz频段腔体式低损耗合路器。本实用新型所要解决的技术问题是提供一种合路器，其目的是使在多信道功率合路时输出端功率较输入端功率损耗可小于3dB以下，从而使得多信道的功率合路效率成倍地提高。解决该问题的技术方案是1MHz－100MHz频段腔体式低损耗合路器，其特征在于所述合路器由一组高Q谐振腔式带通滤波器并联组成。本实用新型可用于无线通讯领域。
文档编号H01P1/20GK2800501SQ20052010068
公开日2006年7月26日 申请日期2005年2月24日 优先权日2005年2月24日
发明者俞聿光 申请人:俞聿光