专利名称：平板显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及平板显示器，尤其涉及一种平板显示器，其防止驱动功率的电压下降，并使包括在各种电路装置安装于此的电路区域中的电子器件的性能降低最小化。
背景技术：
本申请参考早先于2005年5月28日和2005年6月23日向韩国知识产权局申请的两篇题为平板显示装置、序列号分别为10-2005-0045298和10-2005-0054369的申请，将其在此结合，并要求其所有权益。
关于制造超薄且超柔的平板显示器在其驱动性能方面已经作了大量研究，例如有机发光显示器(OLED)或薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)。
有源矩阵(AM)平板显示器包括每个像素中的像素电路，像素电路根据扫描线或数据线提供的信号控制并驱动像素的发光装置。
每个像素电路提供的驱动功率都通过线提供给像素。提供给每个像素的功率的电压由于Vdd线的电压降而不均匀。结果，就会发生不均匀亮度导致图像质量恶化。
同样，在AM OLED情况中，每个像素中包括至少一个电容器，由于多像素，电容器中会发生电压降。当屏幕较大及存在多个电容器时这个问题更加明显。
为了解决这个问题，本发明人开发了一种形成附加电源层的技术。
美国公开的专利申请2003/0111954A涉及一种有机电致显示器，其具有顶部发射结构，在该结构中有一个附加电源层，向基板提供功率。然而，在这种情况下，扫描驱动器、数据驱动器或特别的互补金属氧化物半导体(CMOS)薄膜晶体管(TFT)的电子器件的操作会被该电源层中断。
发明内容
本发明提供一种平板显示器，其防止驱动功率的电压下降并改善电路区域和像素区域中的电子器件的性能，各种电路装置安装在该电路区域中。
根据本发明的一个方面，提供的平板显示器包括基板；设置在基板上的绝缘膜；包括至少一个发光二极管的像素区域，该像素区域设置在绝缘膜上并适于显示图像；设置在绝缘膜上并包括适于控制提供给像素区域的信号的电子器件的电路区域；及插在基板和绝缘膜之间对应于像素区域的区域并与至少一个发光二极管的电极电连接的导电膜。
根据本发明的另一个方面，提供的平板显示器包括包括由导电材料制成的导电图形单元的基板；设置在基板上的绝缘膜；包括发光二极管的像素区域，该像素区域设置在绝缘膜上并适于显示图像；及设置在绝缘膜上并包括适于控制提供给像素区域的信号的电子器件的电路区域；该导电图形单元包括设置在对应于该像素区域的区域中的第一图形单元和设置在对应于电路区域的区域中的第二图形单元。
根据本发明的另一个方面，提供的平板显示器包括包括由导电材料制成的第一和第二图形单元的基板；设置在基板上的绝缘膜；设置在绝缘膜上的发光二极管；设置在绝缘膜上并与发光二极管电连接的薄膜晶体管(TFT)；及设置在绝缘膜上对应于第一图形单元外侧并与TFT电连接的至少一个电子器件；第一图形单元电连接TFT并且第二图形单元设置在对应于该电子器件的区域。
根据本发明的另一个方面，提供的平板显示器包括包括由导电材料制成的第一和第二图形单元的基板；设置在基板上的绝缘膜；设置在绝缘膜上的发光二极管；具有至少两个彼此并联的电容器的电容器单元，该电容器单元设置在绝缘膜上并电连接发光二极管；及设置在绝缘膜上对应于第一图形单元的外侧并电连接电容器单元的至少一个电子器件；第一图形单元是电容器单元的电极，且其中第二图形单元设置在对应于所述至少一个电子器件的区域。
当通过结合附图参考后面详细的说明更好地理解本发明时，对本发明更全面的了解及其伴随的许多优点将变得容易和显见，附图中，相同的参考标记代表相同或相似的元件，其中图1是根据本发明一个实施例的平板显示器的有源矩阵(AM)有机发光显示器(OLED)的平面图；图2是根据本发明一个实施例的图1的AM OLED的像素区域原理图；图3是根据本发明一个实施例的图2像素区域中一个单位像素的像素电路的详细原理电路图；图4是根据本发明一个实施例的沿图1中I-I线获得的基板的截面图；图5是根据本发明一个实施例的实现图3电路的像素结构的设置平面图；图6是沿图5中II-II线获得的截面图；图7是根据本发明另一个实施例的实现图3电路的像素结构的设置平面图；图8是沿图7中III-III线获得的截面图；图9是根据本发明另一个实施例的实现图3电路的像素结构的设置平面图；图10是沿图9中IV-IV线获得的截面图；图11是根据本发明一个实施例的图3电路区域中的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件的截面图；图12是根据本发明另一个实施例、关于沿图1中I-I线获得的截面图的另一个基板的截面图；图13是根据本发明一个实施例的图12中图形单元的平面图；及图14是根据本发明另一个实施例的图3电路区域中的CMOS器件的截面图。
具体实施例方式
下面参考附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明的示范性实施例。
图1是根据本发明一个实施例的平板显示器的有源矩阵(AM)有机发光显示器(OLED)的平面图。参考图1，OLED包括像素区域P和位于像素区域P边缘的电路区域C。
像素区域P包括多个像素，每个像素都包括有机发光装置，例如有机发光二极管(LED)。在全色OLED中，红色R、绿色G和蓝色B像素被设置成各种图形，例如线形、镶嵌状或网格状，且OLED可以是单色平板显示器。
电路区域C包括电子器件，该电子器件控制位于像素区域P的像素中的有机LED，且电路区域C中的电路控制输入到像素区域P的图像信号并向电子器件提供功率。
图1中的像素区域P和电路区域C可以按照原理电路图实现。
图2是根据本发明一个实施例的像素区域P中一个单位像素和电路区域C中与像素区域相连的电子器件E1、E2和E3的原理图，图3是根据本发明一个实施例的像素区域P中像素电路SC的详细电路图。
参考图2，像素包括作为有机LED的驱动功率来源的电源线Vdd、数据线和扫描线。
每个像素中的像素电路SC都与数据线、扫描线和Vdd电源线Vdd电连接，并控制有机LED的发光。
电路区域C可以包括与扫描线电连接的第一电子器件E1、与数据线电连接的第二电子器件E2和与Vdd电源线Vdd电连接的第三电子器件E3。第一电子器件E1可以是扫描驱动器，第二电子器件E2可以是数据驱动器，第三电子器件E3可以是Vdd功率源。电子器件E1、E2和E3可以通过类似在基板上印刷如像素电路SC或在基板上安装附加装置而实现，或者可以通过例如电缆的连接介质或柔性印刷电路板与像素电路SC相连。
同样，电路区域C可以进一步包括各种电子器件，用于通过控制有机LED的发光而在像素区域P中显示图像，以及包括与外部电路相连的端子焊盘。
在图3中，像素电路SC包括两个薄膜晶体管(TFTs)M1和M2以及一个电容器Cst，电路区域C包括与扫描线相连的互补金属氧化物半导体(CMOS)器件CM。
参考图3，根据本发明本实施例的AM OLED的像素电路SC包括至少两个TFT，即开关TFT M2和驱动TFT M1，电容器Cst和有机LED。
通过向扫描线提供的扫描信号打开或关断开关TFT M2，从而将向数据线提供的数据信号传送到存储电容器Cst和驱动TFT M1。根据本发明本实施例的开关TFT M2并不局限于此，而是可以包括开关电路，该电路具有多个TFT和电容器，或者可以进一步包括补偿驱动TFT M1的Vth的电路或补偿电源线Vdd的电压降的电路。
驱动TFT M1根据经过开关TFT M2传输的数据信号来确定输入到有机LED的电流量。
电容器单元Cst存储经过开关TFT M2传输的数据信号一帧的时间。如图3所示，根据本发明本实施例的电容器单元Cst可以包括两个电容器，即第一电容器C1和第二电容器C2。
在图3的电路图中，驱动TFT M1和开关TFT M2被示作P型金属氧化物半导体(PMOS)TFT，但本发明并不局限于此。驱动TFT M1和开关TFT M2中的至少之一可以是N型金属氧化物半导体(NMOS)TFT。同样，TFT和电容器的数量也并不局限于本实施例，而是可以根据需要变化的。
图3所示的CMOS器件CM具有P型TFT T1和N型TFT T2的耦合结构。扫描驱动器不必仅包括CMOS器件CM，而是可以与各种TFT和电路装置联合形成驱动器电路。
在本发明中，像素区域P和电路区域C可以在图4所示的基板上实现。图4是沿图1中I-I线获得的基板100的截面图。
参考图4，在基板100上形成第一图形单元101a，并形成绝缘膜102以覆盖第一图形单元101a。
基板100可以是由玻璃或塑料构成的绝缘基板。基板100并不局限于此，也可以是导电金属基板。在这种情况下，整个基板100与第一图形单元101a电连接，从而将会在后面描述的本发明的效果可以通过使在第一图形单元101a上部上的绝缘膜102的厚度不同于在基板100上部上的绝缘膜102的厚度而获得。然而在下文中，基板100是绝缘基板，而若基板100指的是导电基板，将添加附加的元件。
第一图形单元101a可以由任何导电材料形成。例如，金属，如Al、Mo、Ag、Mg、W、Fe、Cr、Ni、Mn等都可以用于形成第一图形单元101a。
如图4所示，第一图形单元101a位于对应于像素区域P的区域中，设置为不位于对应于电路区域C的区域中。
绝缘膜102可以是有机绝缘膜、无机绝缘膜或有机-无机混合膜的单层结构或多层结构。有机绝缘膜可以由聚合物形成，例如，通用聚合材料，如PMMA或PS、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、亚胺基团聚合物、芳基醚基团聚合物、酰胺基团聚合物、氟基团聚合物、p-苯二甲基团聚合物、乙烯醇基团聚合物和这些材料的混合物。无机绝缘膜可以由SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT等形成。如图4所示，绝缘膜102可以具有平坦的表面。
图5是根据本发明一个实施例、可以实现图3电路的像素结构的设置平面图，图6是沿图5中II-II线获得的截面图。
参考图5，每个像素都设置成与扫描线151、数据线152和Vdd电源线153相交。
如上所述，每个像素都包括开关TFT M2、电容器单元Cst、驱动TFT M1和具有像素电极161的有机LED。
在本发明的本实施例中，电容器单元Cst的第二电极132经由第一通孔140与第一图形单元101a电连接。因此，防止了电容器单元Cst的电压下降，并同时防止了Vdd电源线153的电压下降。
下面，将参考图6详细描述根据本发明本实施例的像素电路的结构。图6是图3电路图中驱动TFT M1、光学LED和电容器单元Cst的截面图。
在图6中仅仅示出了驱动TFT M1。然而，当开关装置S1包括TFT时，该TFT可以在形成驱动TFT M1时形成。因此，在下文中，将主要描述驱动TFTM1。
如上所述，在基板100上形成第一图形单元101a，并形成覆盖第一图形单元101a的绝缘膜102。在绝缘膜102上形成TFT、电容器单元Cst等。
在绝缘膜102上形成TFT的半导体层111。该半导体层111可以由无机半导体或有机半导体形成。
无机半导体可以包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC或Si。在绝缘膜102上形成非晶硅之后，该非晶硅通过结晶过程被转化为多晶硅，接着通过将该多晶硅形成图形来形成半导体层111。非晶硅可以利用各种结晶方法结晶，包括固相结晶(SPC)、激光结晶、连续横向固化(SLS)或金属诱发横向结晶。
有机半导体材料包括并五苯、并四苯、并三苯、萘、α-6-噻吩、α-4-噻吩、二萘嵌苯及其衍生物、红荧烯及其衍生物、六苯及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸亚胺及其衍生物、二萘嵌苯四羧酸双氢化物及其衍生物、萘四羧酸双氢化物及其衍生物、萘的低聚苊及其衍生物、α-5-噻吩低聚噻吩及其衍生物、不包含金属的酞菁染料及其衍生物、phyromeliticdianhydride及其衍生物、phyromeliticdiimid及其衍生物、包括噻吩及其衍生物的共轭聚合物、以及包括氟及其衍生物的聚合物。
半导体层111可以分成沟道区域111a两侧的源极区域111b和漏极区域111c。根据TFT的类型，源极和漏极区域111b、111c可以颠倒。
形成半导体层111之后，形成覆盖半导体层111的栅极绝缘膜103，并在栅极绝缘膜103对应于沟道区域111a的区域上形成栅电极112。当形成栅电极112之后，形成电容器单元Cst的第一电极131。电容器单元Cst的栅电极112和第一电极131可以由这样的材料形成，该材料包括金属，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或这些材料的化合物，或者透明导电材料，例如ITO、LZO、ZnO或In2O3。同样，栅电极112和第一电极131可以由导电有机材料或导电胶形成，包括金属导电颗粒，例如Ag、Mg或Cu，并且可以是单层结构或多层结构。
接着，形成层间绝缘膜104以覆盖栅电极112和第一电极131。
然后形成通过层间绝缘膜104和栅极绝缘膜103的接触孔141和142，并且在层间绝缘膜104上形成源电极和漏电极113和114。源电极和漏极113和114通过接触孔141和142分别与半导体层111的源极区域和漏极区域111b和111c接触。
源电极和漏电极113和114也可以由下面的材料形成，包括金属，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或这些材料的化合物，或者透明导电材料，例如ITO、IZO、ZnO或In2O3。同样，源电极和漏电极113和114可以由导电有机材料或导电胶形成，包括金属导电颗粒，例如Ag、Mg或Cu，且可以是单层结构或多层结构。
在形成源电极和漏电极113和114的同时，在层间绝缘膜104上形成电容器单元Cst的第二电极132。在层间绝缘膜104、栅极绝缘膜103和绝缘膜102中形成第一通孔140，使层间绝缘膜104上形成的电容器单元Cst的第二电极132能够连接第一图形单元101a。
如图6所示，根据本发明本实施例的TFT的结构并不局限于此，而可以具有各种TFT结构，例如底栅极结构。
在形成TFT和电容器单元Cst之后，形成覆盖TFT和电容器单元Cst的平面化膜105。在平面化膜105中形成通孔164，且在平面化膜105上形成OLED的像素电极161。结果，像素电极161就与驱动TFTM1的漏电极114相连。
在已经形成覆盖平面化膜105和像素电极161的像素定义膜106之后，在像素定义膜106中形成开口107，用于暴露像素电极161的预定部分。
栅极绝缘膜103、层间绝缘膜104、平面化膜105和像素定义膜106也可以是有机绝缘膜、无机绝缘膜或有机-无机混合薄膜，且可以形成为单层结构或多层结构。有机绝缘膜可以由聚合物形成，例如，通用聚合材料，如PMMA或PS、具有苯酚基团的聚合衍生物、丙烯酸聚合物、亚胺基团聚合物、芳基醚基团聚合物、酰胺基团聚合物、氟基团聚合物、p-苯二甲基族聚合物、乙烯醇基团聚合物和这些材料的混合物。无机绝缘膜可以由SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZrO2、BST、PZT等形成。
有机发光层162和面对电极(facing electrode)163顺序地形成在像素电极161上，通过像素定义膜106中的开口107暴露。
像素电极161可以作为阳极电极，而面对电极163可以作为阴极电极。像素电极161可以图形化为对应于每个像素的尺寸，而面对电极163可以形成以覆盖全部像素。
由于第一图形单元101a形成在基板100上，所以有机LED可以是顶部发射型。在这种情况下，像素电极161可以用作反射电极。当像素电极161被用作反射电极时，在反射膜利用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或这些金属的化合物形成之后，像素电极161可以在该反射膜上由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成。面对电极163可以是透明电极。当面对电极163为透明电极时，可以这样形成面对电极163，以便在面对有机发光层162沉积由具有低功函数的金属形成的薄膜之后，具有低功函数的金属例如为Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或这些金属的化合物，可以在该材料层上形成由用于形成透明电极的材料构成的辅助电极层或汇流电极线，用于形成透明电极的材料例如为ITO、IZO、ZnO或In2O3。当第二电极层34作为反射电极时，通过沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或这些金属的化合物形成第二电极层34。
用于形成像素电极161和面对电极163的材料并不局限于此，且可以是导电有机材料或导电胶。
有机发光层162可以是低分子量的有机层或聚合物有机层。当有机发光层162是低分子量的有机薄膜时，有机发光层162可以是空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(ELL)或这些层的组合，且可以由铜酞菁染料(CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉(Alq3)。低分子量有机薄膜可以利用蒸发法形成。
当有机发光层162是聚合物有机膜时，有机发光层162可以是HTL和EML。HTL可以由聚-(2，4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)形成，EML可以由聚-次苯基次亚乙烯基(PPV)、可溶解PPV′s、氰基-PPV或聚氟化物形成，且可以利用丝网印刷工艺或喷墨印刷工艺形成。
有机LED的上部在形成之后与外部空气隔离。
根据本发明的一个实施例，第一电容器C1包括第一图形单元101a、绝缘膜102、栅极绝缘膜103和第一电极131，以及第二电容器C2包括第一电极131、层间绝缘膜104和第二电极132。第二电极132与第一图形单元101a相连，使第一电容器C1和第二电容器C2可以彼此并联连接。同样，如图5所示，源电极113与电容器单元Cst的第二电极132相连，使驱动TFT M1和电容器单元Cst彼此电连接。同样，当形成源电极和漏电极113和114时形成的Vdd电源线153，与源电极113和第一图形单元101a相连，从而实现与图3所示相同的电路。
这样，根据本发明一个实施例的第一图形单元101a作为电容器单元Cst的电极，从而防止电容器单元Cst的电压下降，由于第一图形单元101a与Vdd电源线153电连接，所以第一图形单元101a还可以防止Vdd电源线153的电压下降。
如上所述，根据本发明的电容器结构可以应用于多种结构。
图7是根据本发明另一个实施例的OLED的平面图，图8是沿图7中III-III线获得的截面图。
图7和8所示的OLED的像素的基本结构与图5和6所示的基本相同。因此省略对其的详细描述，而仅描述主要的不同之处。
参考图7，根据本发明本实施例的OLED不包括附加Vdd电源线，如图8所示，第一图形单元101a作为Vdd电源线。就是说，向现有Vdd线供电的驱动电源还向第一图形单元101a供电。因此，仅仅扫描线151和数据线152通过每一个像素，从而使结构紧凑。还可以消除Vdd线和相邻像素之间电断开的危险。
电容器单元Cst的第二电极132与开关TFT M2的漏电极相连成一体，并与驱动TFT M1的栅电极112通过接触孔143相连(参见图7)。如图7和8所示，电容器单元Cst的第一电极131通过第一通孔140与向其提供Vdd电源的第一图形单元101a电连接s。
同样，驱动TFT M1的源电极113通过第二通孔144与第一图形单元101a相连。图7和8的其他结构与图5和6所示的相同。
在本发明的本实施例中，由于在栅电极112形成的同时形成的电容器单元Cst的第一电极131与第一图形单元101a电连接，所以可以防止电容器单元Cst的电压下降，而由于供应Vdd功率的Vdd线不通过像素，所以还可以防止Vdd电源线的电压下降。
图9是根据本发明另一个实施例的OLED的像素平面图，图10是沿图9中IV-IV线获得的截面图。
图9和10中的OLED的像素不包括类似于图7和8中OLED的像素的附加Vdd线，而是由第一图形单元101a作为Vdd线。
同样，开关TFT M2的漏电极与电容器单元Cst的第一电极131相连，电容器单元Cst的第一电极131与驱动TFTM1的栅电极112形成一体。
如图9和10所示，电容器单元Cst的第二电极通过第一通孔140与向其提供Vdd电源的第一图形单元101a电连接。同样，第二电极132和驱动TFT M1的源电极113形成一体。
图9和10的其他结构与图7和8中的相同，因此省略对其的详细描述。
根据本发明的本实施例，由于在形成源电极和漏电极113、114的同时形成的电容器单元Cst的第二电极132与第一图形单元101a电连接，所以可以防止电容器单元Cst的电压下降，而由于提供Vdd功率的Vdd线不通过像素，所以还可以防止Vdd电源线的电压下降。
图11是根据本发明一个实施例的图3中电路区域C中的CMOS器件CM的截面图。参考图11，位于电路区域C的CMOS器件CM形成在其中不形成第一图形单元101a的区域中。
就是说，如图11所示，绝缘膜102形成在基板100上，P型TFT T1和N型TFT T2形成在绝缘膜102上。P型TFT T1和N型TFT T2的每一个都可以与驱动TFT M1同时形成。
P型TFT T1包括具有源极和漏极区域211b及沟道区域211a的半导体有源层211、与半导体有源层211绝缘的栅电极212，和与半导体有源层211的源极和漏极区域211b接触的源电极和漏电极213。
N型TFT T2包括具有源极和漏极区域221b及沟道区域221a的半导体有源层221、与半导体有源层221绝缘的栅电极222，和与半导体有源层221的源极和漏极区域221b接触的源电极和漏电极223。LDD区域221c位于源极和漏极区域221b与沟道区域221a之间。
由于CMOS器件下方不具有导电膜，所以CMOS器件CM不需要与提供Vdd功率的导电膜断开就能够工作。
当基板100是导电基板时，通过使绝缘膜102形成为比像素区域P厚，在Vdd功率供给基板100时导电基板的影响可以被最小化。
根据本发明的像素区域P和电路区域C可以如图12所示那样实现。图12是根据本发明另一个实施例、关于沿图1中I-I线获得的截面图的另一个结构的截面图。
参考图12，除第一图形单元101a之外，还形成第二图形单元101b，在基板100上形成覆盖第一图形单元101a和第二图形单元101b的绝缘膜102。
第二图形单元101b与第一图形单元101a相似可以由任何导电材料构成，例如Al、Mo、Mg、W、Fe、Cr、Ni、Mn等金属。
如图12所示，第二图形单元101b位于对应于电路区域C的区域中。图13是根据本发明一个实施例的图12图形单元的平面图。如图13所示，第二图形单元101b可以对应于电路区域C中的电子器件形成图形。类似本发明的实施例，当CMOS器件位于电路区域C中时，可以对应于CMOS器件的P型TFTT1和N型TFT T2的有源层形成第三图形单元101c和第四图形单元101d。
图14是根据本发明另一个实施例的图3中电路区域C中的CMOS器件CM的截面图。参考图14，位于电路区域C中的CMOS器件CM形成在第二图形单元101b上。
就是说，如图14所示，第三图形单元101c和第四图形单元101d分别形成在基板100上，在形成了覆盖第三图形单元101c和第四图形单元101d的绝缘膜102之后，P型TFT T1和N型TFT T2形成在绝缘膜102上。P型TFT T1和N型TFT T2可以与驱动TFT M1一起形成。
P型TFT T1包括具有源极和漏极区域211b及沟道区域211a的半导体有源层211、与半导体有源层211绝缘的栅电极212和与半导体有源层211的源极和漏极区域211b接触的源电极和漏电极213。
N型TFT T2包括具有源极和漏极区域221b及沟道区域221a的半导体有源层221、与半导体有源层221绝缘的栅电极222，和与半导体有源层221的源极和漏极区域221b接触的源电极和漏电极223。LDD区域221c位于源极和漏极区域221b与沟道221a之间。
在CMOS器件CM中，向位于P型TFT T1下方的第三图形单元101c提供正电压，向位于N型TFT T2下方的第四图形单元101d提供负电压，使第三图形单元101c和第四图形单元101d分别作为背栅。尽管没有示出，但第三图形单元101c与Vdd电源线相连，从而可以向其提供正Vdd电压，第四图形单元101d与阴极电源电连接，该电源是OLED的另一个驱动电源，从而可以向其提供负电压。
在电路区域C中，第二图形单元101b并不局限于此，而是可以根据位于电路区域C中的电子器件以多种方法构成。例如，当除了CMOS器件以外在电路区域C中还存在PMOS TFT或NMOS TFT时，形成匹配该TFT的附加导电图形，向该导电图形提供相应的正或负电压，从而使该导电图形可以作为背栅。
在本发明中，电路区域C中的电子器件的性能可以通过在电路区域C中形成作为背栅的导电图形而得到进一步改善。
根据本发明的平板显示器可以提供下面的优点。
可以防止由于Vdd线的阻抗引起的Vdd线的电压下降，同时，可以防止电路区域中的电子器件由于电路区域中向其施加Vdd电源的导电膜所带来的性能下降。
由于电容器单元的电极作为导电膜，所以可以防止电容器的电压下降。
在电路区域中，电子器件的性能可以通过对应于电子器件形成导电图形而得到进一步改善，向导电图形提供相应的电压，从而使导电图形可以作为背栅。
尽管已经参考本发明的示范性实施例具体示出并描述了本发明，但本领域的普通技术人员可以理解，在不脱离由后面权利要求定义的本发明的实质和范围的情况下，可以在形式和细节上作各种改进。
权利要求
1.一种平板显示器，包括基板；设置在基板上的绝缘膜；包括至少一个发光二极管的像素区域，该像素区域设置在绝缘膜上并适于显示图像；电路区域，设置在绝缘膜上并包括适于控制提供给像素区域的信号的电子器件；及导电膜，插在基板和绝缘膜之间对应于像素区域的区域中，并电连接到上述至少一个发光二极管的一个电极。
2.权利要求1的平板显示器，其中像素区域包括至少一个像素电路，其电连接到所述至少一个发光二极管和导电膜。
3.权利要求2的平板显示器，其中像素电路包括驱动薄膜晶体管(TFT)，其电连接到所述至少一个发光二极管和导电膜。
4.权利要求2的平板显示器，其中像素电路包括电容器单元，其与所述至少一个发光二极管电连接，且其中电容器单元的至少一个电极与导电膜电连接。
5.权利要求4的平板显示器，其中电容器单元包括至少两个彼此并联连接的电容器，且其中导电膜包括该至少两个电容器之一的电极。
6.权利要求2的平板显示器，其中像素区域包括与像素电路电连接的数据线、扫描线和驱动电源线，且其中导电膜与驱动电源线电连接。
7.权利要求2的平板显示器，其中像素区域包括与像素电路电连接的数据线和扫描线，且其中导电膜适于向像素电路提供驱动功率。
8.权利要求1的平板显示器，其中电路区域包括设置在绝缘膜上的薄膜晶体管(TFT)。
9.一种平板显示器，包括包括导电材料的导电图形单元的基板；设置在基板上的绝缘膜；包括发光二极管的像素区域，该像素区域设置在绝缘膜上并适于显示图像；及电路区域，设置在绝缘膜上并包括适于控制提供给像素区域的信号的电子器件；其中导电图形单元包括设置在对应于像素区域的区域中的第一图形单元和设置在对应于电路区域的区域中的第二图形单元。
10.权利要求9的平板显示器，其中像素区域包括至少一个像素电路，其与所述发光二极管和第一图形单元电连接。
11.权利要求10的平板显示器，其中像素电路包括与发光二极管电连接的驱动薄膜晶体管(TFT)，且其中驱动TFT的源极电极和漏极电极之一与第一图形单元电连接。
12.权利要求10的平板显示器，其中像素电路包括与发光二极管电连接的电容器单元，且其中第一图形单元与电容器单元的至少一个电极电连接。
13.权利要求12的平板显示器，其中电容器单元包括至少两个彼此并联连接的电容器，且其中第一图形单元包括至少两个电容器之一的电极。
14.权利要求10的平板显示器，其中像素区域包括与像素电路电连接的数据线、扫描线和驱动电源线，且其中第一图形单元与驱动电源线电连接。
15.权利要求10的平板显示器，其中像素区域包括与像素电路电连接的数据线和扫描线，且其中第一图形单元适于向像素电路提供驱动功率。
16.权利要求9的平板显示器，其中电路区域包括至少一个设置在绝缘膜上的薄膜晶体管(TFT)，其中第二图形单元至少设置在对应于该至少一个TFT的沟道区域的区域中。
17.权利要求16的平板显示器，其中具有与提供给对应于第二图形单元的TFT的栅极电压相反极性的电压，被提供给第二图形单元。
18.权利要求16的平板显示器，其中电路区域包括CMOS器件，该器件包括设置在绝缘膜上的N型金属氧化物半导体(NMOS)TFT和P型金属氧化物半导体(PMOS)TFT，且其中第二图形单元包括设置为至少对应于NMOSTFT的沟道区域的第三图形单元和设置为至少对应于PMOS TFT的沟道区域的第四图形单元。
19.权利要求18的平板显示器，其中向第三图形单元提供负电压，向第四图形单元提供正电压。
20.权利要求19的平板显示器，其中提供给第三图形单元的电压由适于驱动发光二极管的驱动电源来提供。
21.权利要求19的平板显示器，其中提供给第四图形单元的电压由适于驱动发光二极管的驱动电源来提供。
22.一种平板显示器，包括包括导电材料的第一和第二图形单元的基板；设置在基板上的绝缘膜；设置在绝缘膜上的发光二极管；设置在绝缘膜上并与发光二极管电连接的薄膜晶体管(TFT)；及至少一个电子器件，设置在绝缘膜上以对应于第一图形单元的外侧并与TFT电连接；其中第一图形单元与TFT电连接，第二图形单元设置在对应于该电子器件的区域中。
23.权利要求22的平板显示器，其中第一图形单元至少设置在对应于发光二极管和TFT之一的区域中。
24.权利要求22的平板显示器，其中第一图形单元设置在对应于由发光二极管显示图像的区域的区域中。
25.权利要求22的平板显示器，其中TFT的第一电极与发光二极管的电极电连接，且其中TFT的第二电极与第一图形单元电连接。
26.权利要求22的平板显示器，其中电子器件包括TFT；其中第二图形单元设置成至少对应于TFT的沟道区域；及其中具有与提供给对应于第二图形单元的TFT的栅极电压相反极生的电压，被提供给第二图形单元。
27.权利要求22的平板显示器，其中电子器件包括互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，该器件具有N型金属氧化物半导体(NMOS)TFT和P型金属氧化物半导体(PMOS)TFT；其中第二图形单元包括设置为至少对应于NMOS TFT的沟道区域的第三图形单元和设置为至少对应于PMOS TFT的沟道区域的第四图形单元；及其中向第三图形单元提供负电压，向第四图形单元提供正电压。
28.权利要求27的平板显示器，其中提供给第三图形单元的电压由适于驱动发光二极管的驱动电源来提供。
29.权利要求27的平板显示器，其中提供给第四图形单元的电压由适于驱动发光二极管的驱动电源来提供。
30.一种平板显示器包括包括导电材料的第一和第二图形单元的基板；设置在基板上的绝缘膜；设置在绝缘膜上的发光二极管；具有至少两个彼此并联连接的电容器的电容器单元，该电容器单元设置在绝缘膜上并与发光二极管电连接；及至少一个电子器件，对应于第一图形单元的外侧设置在绝缘膜上并与电容器单元电连接；其中第一图形单元是电容器单元的电极，且其中第二图形单元设置在对应于所述至少一个电子器件的区域中。
31.权利要求30的平板显示器，其中第一图形单元至少设置在对应于发光二极管和电容器单元之一的区域中。
32.权利要求30的平板显示器，其中第一图形单元设置在对应于由发光二极管显示图像的区域的区域中。
33.权利要求30的平板显示器，其中电容器单元进一步包括至少一个在垂直于第一图形单元的方向上堆叠的电极。
34.权利要求30的平板显示器，其中至少一个电子器件包括薄膜晶体管(TFT)；其中第二图形单元设置为至少对应于TFT的沟道区域；及其中具有与提供给对应于第二图形单元的TFT的栅极电压相反极性的电压，被提供给第二图形单元。
35.权利要求22的平板显示器，其中该至少一个电子器件包括互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，该器件具有N型金属氧化物半导体(NMOS)TFT和P型金属氧化物半导体(PMOS)TFT；其中第二图形单元包括设置为至少对应于NMOS TFT的沟道区域的第三图形单元和设置为至少对应于PMOS TFT的沟道区域的第四图形单元；及其中向第三图形单元提供负电压，向第四图形单元提供正电压。
36.权利要求35的平板显示器，其中提供给第三图形单元的电压由适于驱动发光二极管的驱动电源来提供。
37.权利要求35的平板显示器，其中提供给第四图形单元的电压由适于驱动发光二极管的驱动电源来提供。
全文摘要
一种平板显示器，可以防止驱动功率的电压下降，同时，还可以将位于电路区域的电子器件的性能下降最小化，在该区域中设置各种电子器件，该平板显示器包括基板；设置在基板上的绝缘膜；包括至少一个发光二极管的像素区域，该像素区域设置在绝缘膜上并适于显示图像；设置在绝缘膜上并包括适于控制提供给像素区域的信号的电子器件的电路区域；及插在基板和绝缘膜之间对应于像素区域的区域中并与发光二极管的电极电连接的导电膜。
文档编号H01L27/15GK1874001SQ20061009987
公开日2006年12月6日 申请日期2006年5月29日 优先权日2005年5月28日
发明者具在本, 郑在景, 申铉秀, 牟然坤 申请人:三星Sdi株式会社