专利名称：高压mos晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及高压MOS晶体管的制作方法，特 别在制作高压MOS晶体管的过程中防止双峰效应的方法。
背景技术：
在半导体技术中，即使元件尺寸持续缩减，仍希望晶体管的性能可更为 增进，也希望能制造出结合低、高、中电压应用范围的集成电路半导体装置。 举例来说，用于驱动图像传感器、LCD以及印刷磁头等的集成电路(以下称 为驱动IC),由具有在+V以上的电源电压下工作的漏极及源极间的耐压能力 强的高压MOS晶体管的驱动输出单元，以及具有在数伏以下的电源电压下可 以使用的漏极耐压能力差的低压MOS晶体管的控制驱动输出单元的逻辑单元 构成。此类集成电路通常称作系统单晶片。尽管这类集成电路包含采用非常 低电压(比方1.8V或2.5V)来操作的逻辑晶体管，但是位于相同集成电路上 的其它晶体管是因高电压应用而设计的，因此是以高电压来操作，并且往往 漏极至源极的压差可能有30V甚至40V之高，高电压晶体管元件比逻辑电路中 的逻辑晶体管或周边晶体管有能力负载更多的电流。
现有制作高压MOS晶体管的制作方法请参考专利号为02146360的中国专 利所公开的技术方案。举例NMOS晶体管的形成，如图1A所示，在硅村底IOO 中注入p型离子形成P阱，在硅衬底100上形成第一光阻层102,由光刻机将光 罩101上的图形转移至第一光阻层102上，经过显影，在第一光阻层102上形成 浅沟槽图形103。
如图1B所示，以第一光阻层102为掩膜，蚀刻硅村底IOO，形成浅沟槽； 去除第一光阻层102,在浅沟槽内填充满绝缘物质，形成浅沟槽隔离区104， 浅沟槽隔离区104以外区i或为有源区110 。
如图1C所示，在炉管中通入氧气氧化有源区110处的硅衬底100,形成栅 氧化层106。
如图1D所示，用化学气相沉积法在栅氧化层106上形成多晶硅层108;在 多晶硅层108上旋涂第二光阻层(未图示)，经过曝光和显影，在第二光阻层 上形成栅极图形；以第二光阻层为掩膜，干法蚀刻多晶硅层108和栅氧化层106 至硅衬底100,多晶石圭层108作为栅极。
如图1E所示，去除第二光阻层；以栅极为自对准掩膜，在硅村底100中注 入n型离子，形成源极/漏极116;在多晶硅层108上形成金属硅化物层112,金 属硅化物层112、多晶硅层108和栅氧化层106组成栅极结构114;在栅极结构 114两侧形成间隙壁115。
如图1C，所示，对高压MOS晶体管来说，需要生长厚度在300埃至500 埃的栅氧化层106，由于浅沟槽隔离区104内绝缘物质的形成过程中，绝缘物 质会高出硅衬底IOO且会出现倒角(虚线椭圓表示)；在有源区110的硅衬底 100上形成栅氧化层106时，由于有源区110与浅沟槽隔离区104相接区倒角 处提供的硅比非相接区的硅少，所以会导致栅氧化层106的边缘部分比中间 部分薄，导致栅氧化层的边缘处阈值电压降低。
现有制作MOS晶体管栅氧化层过程中，由于高压MOS晶体管的栅氧化层 比较厚且受到浅沟槽隔离区倒角的影响，在形成栅氧化层过程中很容易造成 栅氧化层边缘部分比中间部分薄，导致栅氧化层的边缘处阈值电压降低，产 生双峰现象，从而导致器件功耗高，器件工作的稳定性差。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种半导体晶体管的制作方法，防止由于高压 MOS晶体管的栅氧化层比较厚且受到浅沟槽隔离区倒角的影响，在形成栅氧 化层过程中很容易造成栅氧化层边缘部分比中间部分薄，导致栅氧化层的边 缘处阈值电压降低，产生双峰现象，从而导致器件功耗高，器件工作的稳定性差。
为解决上述问题，本发明提供一种高压MOS晶体管的制作方法，其特征 在于，高压NMOS晶体管形成，包括下列步骤
a. 在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源 区图形，所述待曝光辅助有源区图形与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离 区图形凸出；
b. 将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移 至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；
c. 在有源区和辅助有源区的硅衬底中进行第 一次p型离子注入；
d. 在硅衬底上形成光阻层，经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口；
e. 以光阻层为掩膜，经由开口向辅助有源区的硅衬底中进行第二次p型离 子注入；
f. 在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层；
g. 在硅衬底上形成栅极、源极和漏极，其中栅极与有源区的重叠部分为沟道。
待曝光辅助有源区图形的长为沟道长度的20%~30%,宽为沟道宽度的 20% 30%。
所述p型离子为硼。第二次注入p型离子的剂量为5.0E1 l/cm2 l.OEl3/cm2， 第二次注入p型离子的能量为100 keV 200keV。第一次注入p型离子的剂量为 1.0E13/cm2 1.0E14/cm2,第一次注入p型离子的能量为500keV 1000keV。
步骤b包括将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源 区图形转移至光罩上，形成有源区图形、隔离区图形和辅助图形；将光罩上 的有源区图形、隔离区图形和辅助图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区 和辅助有源区。
用炉管氧化法形成4册氧化层，所述4册氧化层的厚度为300埃 600埃。
步骤g包括在栅氧化层上形成多晶硅层，作为栅极；以栅极为掩膜，在 栅极两侧的硅衬底中注入n型离子，形成源极和漏极；在多晶珪层上形成金属 硅化物层，金属硅化物层、多晶硅层和栅氧化层组成栅极结构；在栅极结构 两侧形成间隙壁。
本发明提供一种高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于，高压PMOS 晶体管形成，包括下列步骤
A. 在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待膝光辅助有源 区图形，所述待曝光辅助有源区图形与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离 区图形凸出；
B. 将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转 移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；
C. 在有源区和辅助有源区的硅村底中进行第一次n型离子注入；
D. 在硅衬底上形成光阻层，经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口；
E. 以光阻层为掩膜，经由开口向辅助有源区的硅衬底中进行第二次n型离 子注入；
F. 在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层；
G. 在硅衬底上形成栅极、源极和漏极，其中栅极与有源区的重叠部分为沟道。
待曝光辅助有源区图形的长为沟道长度的20%~30%，宽为沟道宽度的 20%~30%。
所述n型离子为磷。第二次注入n型离子的剂量为1.0E12/cmLl.0E13/cm2, 第二次注入n型离子的能量为200 keV 600keV。第一次注入n型离子的剂量为 1.0E13/cm2 1.0E14/cm2,第一次注入n型离子的能量为500keV 1000keV。
步骤B包括将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源 区图形转移至光罩上，形成有源区图形、隔离区图形和辅助图形；将光罩上 的有源区图形、隔离区图形和辅助图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区 和辅助有源区。
用炉管氧化法形成4册氧化层，所述栅氧化层的厚度为300埃 600埃。
步骤G包括在栅氧化层上形成多晶硅层，作为栅极；以栅极为掩膜，在 栅极两侧的硅衬底中注入p型离子，形成源极和漏极；在多晶硅层上形成金属 硅化物层，金属硅化物层、多晶硅层和栅氧化层组成栅极结构；在栅极结构 两侧形成间隙壁。
与现有技术相比，本发明具有以下优点本发明在待曝光有源区图形和 待曝光隔离区图形相接处形成与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离区图形 凸出的待曝光辅助有源区图形，并将待曝光图形转移至硅村底上形成辅助有 源区，同时在辅助有源区进行两次同类型离子注入，提高辅助有源区的阈值 电压，使双峰现象不会出现，从而可以降低器件功耗，增加器件工作的稳定 性。
图1A至图1E是现有技术制作高压NM0S晶体管的示意图2是本发明制作高压NMOS晶体管的流程图3A至图3H是本发明形成高压NMOS晶体管栅氧化层的示意图4是本发明制作高压PMOS晶体管的流程图5A至图5H是本发明形成高压PMOS晶体管栅氧化层的示意图。
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图 对本发明的具体实施方式
估文详细的说明。
图2是本发明制作高压NMOS晶体管的流程图。如图2所示，执行步骤S201 在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图 形，所述待曝光辅助有源区图形与待膝光有源区图形连通向待曝光隔离区图 形凸出；S202将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区 图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；S203在有源区和辅 助有源区的硅衬底中进行第一次p型离子注入；S204在硅衬底上形成光阻层， 经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口； S205以光阻层为掩膜，经由开口 向辅助有源区的硅衬底中进行第二次p型离子注入；S206在有源区和辅助有源 区的硅衬底上形成栅氧化层；S207在硅衬底上形成栅极、源极和漏极，其中 栅极与有源区的重叠部分为沟道。
图3A至图3H是本发明制作高压NMOS晶体管的示意图。如图3A所示，用 图形布局软件，在待曝光有源区图形220和待曝光隔离区图形221的相接处形 成与待曝光有源区图形220连通向待曝光隔离区图形221凸出的待曝光辅助有 源区图形222，待曝光辅助有源区图形222的宽度为X'，长度Y'。
如图3B所示，用电子束写入装置或激光束写入装置将图形布局软件中的 待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待爆光辅助有源区图形转移至光罩 224上，形成有源区图形225 、隔离区图形223和辅助图形226 。
如图3C所示，在石圭衬底200上形成第一光阻层202,将图3B的光罩224上的 有源区图形225、隔离区图形223和辅助图形226转移至第一光阻层202上，经 过曝光和显影后，在第一光阻层202上形成浅沟槽隔离图形203。
如图3D所示，以第一光阻层202为掩膜，蚀刻硅衬底200，形成浅沟槽； 去除第一光阻层202，在浅沟槽内填充满绝缘物质，形成浅沟槽隔离区204, 浅沟槽隔离区204以外区域为有源区210和辅助有源区211;在有源区210和辅 助有源区211的硅衬底200中进行第一次p型离子注入。
图3E是将图3D逆时针旋转30。，如图3E所示，用旋涂法在硅衬底200上 形成第二光阻层205，经过曝光和显影后，在第二光阻层205上形成开口207， 经由开口207向辅助有源区211处的硅衬底200中进行第二次p型离子注入。
如图3F所示，去除第二光阻层205,然后在炉管中通入氧气在温度为800 。C 1000 。C时氧化有源区210处的硅衬底200,形成厚度为300埃 600埃栅氧化 层206。
如图3G所示，用化学气相沉积法在栅氧化层206上形成厚度为1000埃 1500埃的多晶硅层208;在多晶硅层208上旋涂第三光阻层(未图示)，经过 曝光和显影，在形成栅极图形；以第三光阻层为掩膜，用干法蚀刻法蚀刻多 晶石圭层208和4册氧化层206至石圭衬底200,多晶石圭层208作为4册才及。
图3G'为图3G的俯视图，如图3G'所示，多晶硅层208所形成的栅极与 有源区210的重叠部分为沟道209,沟道209的宽度为X",长度为Y"。
如图3H所示，去除第三光阻层；以栅极为自对准确掩膜，在硅衬底200 中注入n型离子，形成源极/漏极216;在多晶硅层208上形成金属硅化物层212,
金属硅化物层212、多晶硅层208和栅氧化层206组成栅极结构214;在栅极结 构214两侧形成间隙壁215。
本实施例中，待曝光辅助有源区囝形222的长度Y，为沟道209长度Y"的 20% 30%,宽度X'为沟道宽度X"的20% 30%。
所述p型离子为硼离子或氟化硼，本实施例优选硼离子；其中，第二次注 入硼离子的剂量为5.0E1 l/cm2 1.0E13/cm2,具体剂量例如5.0E11/cm2 、 1.0E12/cm2、 5.0E12/cm2或1.0E13/cm2;第二次注入硼离子的能量为100 keV 200keV，具体能量例如IOO keV 、 120 keV、 140keV、 160 keV、 180 keV 或200keV。第一次注入硼离子的剂量为1.0E13/cmLl.0E14/cm2,具体例如 1.0E13/cm2 、 5.0E13/cm2或1.0E14/cm2 ;第 一 次注入硼离子的能量为 500keV 1000keV,具体例如500keV、 600 keV、 700 keV、 800keV、 900 keV 或IOOO keV。
本实施例中，氧化有源区210处的硅衬底200的温度具体例如800。C、 850 。C、 900°C、 950。C或1000。C。
本实施例中，栅氧化层206的厚度具体例如300埃、400埃、500埃或600埃。 多晶硅层208的厚度具体例如1000埃、IIOO埃、1200埃、1300埃、1400埃或1500埃。
图4是本发明制作高压PM0S晶体管的流程图。如图4所示，执行步骤S301 在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图 形，所述待曝光辅助有源区图形与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离区图 形凸出；S302将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区 图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；S303在有源区和辅 助有源区的硅衬底中进行第一次n型离子注入；S304在硅衬底上形成光阻层， 经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口； S305以光阻层为掩膜，经由开口
向辅助有源区的硅村底中进行第二次n型离子注入；S306在有源区和辅助有源 区的硅衬底上形成栅氧化层；S307在硅衬底上形成栅极、源极和漏极，其中 冲册极与有源区的重叠部分为沟道。
图5A至图5H是本发明形成高压PMOS晶体管栅氧化层的示意图。如图5A 所示，用图形布局软件，在待曝光有源区图形320和待曝光隔离区图形321的 相接处形成与待曝光有源区图形320连通向待曝光隔离区图形321凸出的待曝 光辅助有源区图形322,待曝光辅助有源区图形322的宽度为X',长度Y，。
如图5B所示，用电子束写入装置或激光束写入装置将图形布局软件中的 待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至光罩 324上，形成有源区图形325、隔离区图形323和辅助图形326。
如图5C所示，在硅衬底300上形成第一光阻层302,将图5B的光罩324上的 图形转移至第一光阻层302上，经过曝光和显影后，在第一光阻层302上形成 浅沟槽隔离图形303。
如图5D所示，以第一光阻层302为掩膜，蚀刻硅衬底300,形成浅沟槽； 去除第一光阻层302,在浅沟槽内填充满绝缘物质，形成浅沟槽隔离区304， 浅沟槽隔离区304以外区域为有源区310和辅助有源区311;在有源区310和辅 助有源区311的石圭衬底300中进行第一次n型离子注入。
图5E是将图5D逆时针旋转30。，如图5E所示，用旋涂法在硅衬底300上 形成第二光阻层305,经过曝光和显影后，在第二光阻层305上形成开口307， 经由开口 307向辅助有源区311处的硅衬底300中进行第二次n型离子注入。
如图5F所示，去除第二光阻层305,然后在炉管中通入氧气在温度为800 'C 100(TC时氧化有源区310处的硅衬底300,形成厚度为300埃 600埃栅氧化 层306。
5G是将图5F顺时针旋转30。，如图5G所示，用化学气相沉积法在栅氧化 层306上形成厚度为1000埃 1500埃的多晶硅层308;在多晶硅层308上旋涂第 三光阻层(未图示)，经过曝光和显影，在形成栅极图形；以第三光阻层为 掩膜，用干法蚀刻法蚀刻多晶硅层308和栅氧化层306至硅衬底300,多晶硅层 308作为4册才及。
图5G'为图5G的俯视图，多晶硅层308所形成的栅极与有源区310的重叠 部分为沟道309,沟道309的宽度为X",长度为Y"。
如图5H所示，去除第三光阻层；以栅极为自对准确掩膜，在硅衬底300 中注入p型离子，形成源极/漏极316;在多晶硅层308上形成金属硅化物层312, 金属硅化物层312、多晶硅层308和栅氧化层306组成栅极结构314;在栅极结 构314两侧形成间隙壁315。
本实施例中，待曝光辅助有源区图形322的长度Y'为沟道309长度Y"的 20% 30%,宽度X'为沟道309宽度X"的20% 30%。
所述n型离子为磷离子或砷离子，本实施例优选磷离子；其中，第二次注 入磷离子的剂量为1.0E12/cm2 1.0E13/cm2 ,具体剂量例如l懇2/cm2 、 5.0E12/cn^或1.0E13/cm、第二次注入硼离子的能量为200 keV 600keV，具体 能量例如200 keV 、 300keV、 400 keV、 500或600keV。第一次注入磷离子的 剂量为1.0E13/cm2~1.0E14/cm2 , 具体例如1.0E13/cm2 、 5.0E13/cm2或 1.0E14/cm2;第一次注入磷离子的能量为500keV 1000keV,具体例如500keV、 600keV、 700keV、 800 keV、 900 keV或1000 keV。
本实施例中，氧化有源区310处的硅衬底300的温度具体例如800。C、 850 °C、 900°C、 950。C或100(TC。
本实施例中，栅氧化层306的厚度具体例如300埃、400埃、500埃或600埃。 多晶硅层308的厚度具体例如1000埃、IIOO埃、1200埃、BOO埃、1400埃或1500埃。
虽然本发明己以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本 领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改， 因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
1.一种高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于，高压NMOS晶体管形成，包括下列步骤a.在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图形，所述待曝光辅助有源区图形与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离区图形凸出；b.将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；c.在有源区和辅助有源区的硅衬底中进行第一次p型离子注入；d.在硅衬底上形成光阻层，经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口；e.以光阻层为掩膜，经由开口向辅助有源区的硅衬底中进行第二次p型离子注入；f.在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层；g.在硅衬底上形成栅极、源极和漏极，其中栅极与有源区的重叠部分为沟道。
2. 根据权利要求l所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于待曝光 辅助有源区图形的长度为沟道长度的20%~30% ，宽度为沟道宽度的 20%~30%。
3. 根据权利要求l所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于所述p 型离子为硼。
4. 根据权利要求3所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于第二次 注入p型离子的剂量为5.OE 11 /cm2 1 .OE 13/cm2。
5. 根据权利要求4所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于第二次 注入p型离子的能量为100 keV 200keV。
6. 根据权利要求l所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于第一次 注入p型离子的剂量为1 .OE 13/cm2 1 .OE 14/cm2 。
7. 根据权利要求6所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于第一次 注入p型离子的能量为500keV 1000keV。
8. 根据权利要求l所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于步骤b 包括将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转 移至光罩上，形成有源区图形、隔离区图形和辅助图形；将光罩上的有源区图形、隔离区图形和辅助图形转移至硅衬底上形成 有源区、隔离区和辅助有源区。
9. 根据权利要求l所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于用炉管 氧化法形成栅氧化层。
10. 根据权利要求9所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于所述栅 氧化层的厚度为300埃 600埃。
11. 根据权利要求l所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于步骤g 包括在栅氧化层上形成多晶硅层，作为栅极；以栅极为掩膜，在栅极两侧的硅衬底中注入n型离子，形成源极和漏极；在多晶硅层上形成金属硅化物层，金属硅化物层、多晶硅层和栅氧化 层组成栅极结构；在栅极结构两侧形成间隙壁。
12. —种高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于，高压PMOS晶体管形成， 包括下列步骤A. 在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源 区图形，所述待曝光辅助有源区图形与待曝光有源区图形连通向待曝光隔离区图形凸出；B. 将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；C. 在有源区和辅助有源区的硅衬底中进行第一次n型离子注入；D. 在硅衬底上形成光阻层，经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口；E. 以光阻层为掩膜，经由开口向辅助有源区的硅衬底中进行第二次n型离 子注入；F. 在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层；G. 在硅衬底上形成栅极、源极和漏极，其中栅极与有源区的重叠部分为 沟道。
13. 根据权利要求12所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于待曝光 辅助有源区图形的长度为沟道长度的20%~3 0% ，宽度为沟道宽度的 20%~30%。
14. 根据权利要求12所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于所述n 型离子为磷。
15. 根据权利要求15所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于第二次 注入n型离子的剂量为1 .OE 12/cm2 1 .OE 13/cm2 。
16. 根据权利要求16所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于第二次 注入n型离子的能量为200 keV 600keV。
17. 根据权利要求12所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于第一次 注入n型离子的剂量为1 .OE 13/cm2~ 1 .OE 14/cm2 。
18. 根据权利要求17所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于第一次 注入n型离子的能量为500keV 1000keV。
19. 根据权利要求12所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于步骤B 包括将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转 移至光罩上，形成有源区图形、隔离区图形和辅助图形；将光罩上的有源区图形、隔离区图形和辅助图形转移至硅衬底上形成 有源区、隔离区和辅助有源区。
20. 根据权利要求12所述的半导体晶体管的制作方法，其特征在于用炉管 氧化法形成栅氧化层。
21. 根据权利要求20所述的半导体晶体管的制作方法，其特征在于所述栅 氧化层的厚度为300埃 600埃。
22. 根据权利要求12所述的高压MOS晶体管的制作方法，其特征在于步骤H 包括在栅氧化层上形成多晶硅层，作为栅极；以栅极为掩膜，在栅极两侧的硅衬底中注入p型离子，形成源极和漏极；在多晶硅层上形成金属硅化物层，金属硅化物层、多晶硅层和栅氧化 层组成栅极结构；在才册才及结构两侧形成间隙壁。
全文摘要
一种高压MOS晶体管的制作方法，包括下列步骤在待曝光有源区图形和待曝光隔离区图形相接处形成待曝光辅助有源区图形；将待曝光有源区图形、待曝光隔离区图形和待曝光辅助有源区图形转移至硅衬底上形成有源区、隔离区和辅助有源区；在有源区和辅助有源区的硅衬底中进行第一次p型离子注入；在硅衬底上形成光阻层，经过曝光和显影后，在光阻层上形成开口；以光阻层为掩膜，经由开口向辅助有源区的硅衬底中进行第二次p型离子注入；在有源区和辅助有源区的硅衬底上形成栅氧化层。经过上述步骤，在辅助有源区进行两次同类型离子注入，提高辅助有源区的阈值电压，双峰现象不会出现，从而可以降低器件功耗，增加器件工作的稳定性。
文档编号H01L21/02GK101197288SQ20061011916
公开日2008年6月11日 申请日期2006年12月5日 优先权日2006年12月5日
发明者卢普生, 蔡巧明, 辛春艳 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司