专利名称：：监测晶圆托盘平整性的方法
技术领域：
：本发明涉及监测半导体制造装置性能的方法，具体地说，涉及监测晶圆托盘平整性的方法。
背景技术：
：晶圓托盘(E-table)是扫描机台(scanner)对晶圆进行曝光加工时用来放置晶圓的平台，这个晶圓托盘表面有无数个柱状凸起，晶圓放置在这些柱状凸起上面，并对柱状凸起之间抽真空，使晶圓被牢固地吸附在晶圆托盘上后进入曝光制程。如果晶圓托盘表面无数个柱状凸起不处于同一平面，会在曝光制程中影响晶圓上图形成形的质量。目前还没有晶圓托盘平整性监测的方法。ASML现有的技术是通过反射光照射到晶圓托盘表面，反射光中收集的语线反映到机器上呈现包含不同颜色的晶圓托盘的模拟图，通过颜色是否接近来判断晶圓托盘是否平整。然而，该技术实施过程复杂，需要采用专用设备及软件来完成，生产成本较高，而且由于需要将晶圓取下来分析晶圆托盘，所以不能及时监控晶圓托盘的平整性。
发明内容本发明的目的在于提供一种监测晶圆托盘平整性的方法，利用该方法可以简单且及时地监控晶圓托盘表面是否平整。为实现上述目的，本发明提供一种监测晶圆托盘平整性的方法，该晶圓托盘上吸附测试晶圆，其中，该方法通过监测吸附在晶圓托盘上的测试晶圓是否变形来监测晶圓托盘是否平整。所述方法还包括一个参照晶圆，该参照晶圆表面左右两边各设置至少两个标记A和B。所述测试晶圆在还没有吸附在晶圓托盘之前，先在与参照晶圆相同的位置标、注至少两个标记A和B。如果测试晶圓上的标记A和B与参照晶圆上的标记A和B不能对齐，则说明吸附该测试晶圆的晶圆托盘表面不平整。如果测试晶圓上标记A和B对应位于参照晶圆上标记A和B的外缘，则说明吸附该测试晶圓的晶圓托盘中间凸起。如果测试晶圓上标记A和B对应位于参照晶圆上标记A和B的内缘，则说明吸附该测试晶圓的晶圓托盘中间凹陷。。与现有技术相比，本发明通过监测测试晶圆是否变形来监测晶圆托盘是否平整，可以实时监控晶圓托盘，且该方法较为简单，无需专用的设备和软件，可以有效地降低生产成本。通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为图1为本发明监测晶圓托盘平整性的方法的示意图。具体实施例方式本发明提供的监测晶圆托盘平整性的方法利用的主要原理是如果晶圓托盘不平整，吸附在晶圆托盘上的晶圆也会变形。本发明主要利用监测晶圓是否变形来监测晶圓托盘是否平整。首先在一个完全平整的晶圓l和晶圓2上左右两边各:&置两个标记A和B，两个晶圓1和2上标注标记的位置相同。标注了标记A和B的晶圓1作为参照对象。请参阅图1，将晶圓2吸附在晶圓托盘(未图示)上，然后利用晶圓l判断晶圆托盘是否平整。如果晶圆2上的标记a和b与晶圓l上的标记a和b不能对齐，则说明吸附该晶圆2的晶圓托盘的表面不平整。如果晶圆2上标记a和b在晶圆1上标记a和b的外缘，则说明吸附该晶圓2的晶圆托盘中间凸起；如果晶圓2上标记a和b在晶圓1上标记a和b的内缘，则说明吸附该晶圓2的晶圓4乇盘中间凹陷。权利要求1.一种监测晶圆托盘平整性的方法，该晶圆托盘上吸附测试晶圆，其特征在于该方法通过监测吸附在晶圆托盘上的测试晶圆是否变形来监测晶圆托盘是否平整。2、如权利要求1所述的监测晶圓托盘平整性的方法，其特征在于所述方法还包括一个参照晶圓，该参照晶圓表面左右两边各设置至少两个标记A和B。3、如权利要求2所述的监测晶圓托盘平整性的方法，其特征在于所述测试晶圓在还没有吸附在晶圓托盘之前，先在与参照晶圓相同的位置标注至少两个标记A和B。4、如权利要求1所述的监测晶圆托盘平整性的方法，其特征在于如果测试晶圓上的标记A和B与参照晶圓上的标记A和B不能对齐，则说明吸附该测试晶圆的晶圓托盘表面不平整。5、如权利要求4所述的监测晶圓托盘平整性的方法，其特征在于如果测试晶圓上标记A和B对应位于参照晶圓上标记A和B的外缘，则说明吸附该测试晶圓的晶圓托盘中间凸起。6、如权利要求4所述的监测晶圓托盘平整性的方法，其特征在于如果测试晶圆上标记A和B对应位于参照晶圓上标记A和B的内缘，则说明吸附该测试晶圓的晶圓托盘中间凹陷。全文摘要本发明提供一种监测晶圆托盘平整性的方法，该晶圆托盘上吸附测试晶圆，其中，该方法通过监测测试晶圆是否变形来监测晶圆托盘是否平整。与现有技术相比，本发明提供的监测方法可以实时监控晶圆托盘，且该方法采用在一个参照晶圆与吸附晶圆托盘上的晶圆比较，其过程较为简单，无需专用的设备和软件，可以有效地降低生产成本。文档编号H01L21/00GK101206995SQ20061014762公开日2008年6月25日申请日期2006年12月20日优先权日2006年12月20日发明者冯德魁,杨金坡,梁国亮,烽袁申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司