专利名称：通孔的形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种通孔的形成方法。
背景技术：
半导体集成电路芯片的工艺制作利用批量处理技术，在同一硅衬底 上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功 能。随着超大规模集成电路的迅速发展，芯片的集成度越来越高，元器 件的尺寸越来越小，因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对半导体 工艺制作结果的影响也日益突出。其中一个典型的例子是小孔径通孔的
制作随着器件尺寸的缩小，芯片制作中需要形成的各种孔的尺寸也进 一步缩小，然而，曝光机由于曝光极限难以定义出小于110nm的小孔径的 孔图案，制作出小孔径的通孔非常困难。
为制作小尺寸的通孔，现有的一种方法是通过对光刻胶的热处理， 使其产生热回流，发生变形，使得由光刻胶定义出的孔的孔径缩小，形 成尺寸突破曝光极限的小孔径的通孔。
图1 A至1C为说明现有的小孔径通孔的形成方法的器件剖面图，其 中，图1A为光刻后的器件剖面图，如图1A所示，为在衬底101上的介质 层102内形成小孔径的通孔，先利用光刻胶103定义了一个孔104,由于受 光刻曝光尺寸的限制，该光刻胶内的孔104的孔径比设定的要在介质层 102内形成的孔的孔径略大。为使该104孔的孔径缩小，直至与设定的孔 径相同，对光刻胶进行了加热处理，使其产生热回流。
图1B为光刻胶热回流后的器件剖面图，如图1B所示，经过加热处理 后，光刻胶发生了形变，在水平方向上有一定的扩展，变形后的光刻胶 103-1内的孑U04-1的孔径相应地变小了 。
图1C为刻蚀后的器件剖面图，如图1C所示，以变形后的光刻胶103-1 为掩膜对介质层102进行刻蚀，在其内形成了小孔径的通孔IIO，该孔的 孔径与变形后的光刻胶孔104-1的孔径相同，也就实现了孔径小于光刻啄 光尺寸的通孔的制作。然而，该种方法存在以下缺点
1、 热回流后的光刻胶的形状取决于其图案的大小，芯片中图案大小 的不一致会导致光刻胶回流的程度不同，结果由其保护进行刻蚀而形成 各孔的孔径也不会均匀一致；
2、 热回流后的光刻胶在水平尺寸的扩展有限，因此，能由其形成的 通孔的孔径与光刻时的曝光尺寸相比缩小的也有限，即可调整的孔径尺
寸有限；
3、 热回流后的光刻胶形状会不规则，导致形成的小孔径通孔的边缘 形状及侧壁形状不好(图中未示出)。
4、 光刻胶的热回流情况不易精确控制，孔径调整的可控性较差。
为改善传统热回流方法形成小孔径通孔时的不足，申请号为 200510135720.X的中国专利申请公开了 一种改进后的方法，该方法在光 刻形成较大孔径的孔后，按该大孔径的孔对介质层进行初步刻蚀，该步 刻蚀形成较浅的第一孔，然后，再对光刻胶进行热回流处理，使得光刻 胶流至所述较浅的第一孔的侧壁处，接着，以该光刻胶图形为掩膜再次 对介质层进行刻蚀，形成开口尺寸较小的通孔。因光刻胶热回流的不可 定性，该方法形成的通孔同样存在着尺寸不均匀、调整范围有限、形状 较差、可控性较差等问题，形成的孔质量较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种通孔的形成方法，该方法可以提高小孔 径通孔的形成质量。
本发明提供的一种通孔的形成方法，包括步骤
提供衬底；
对所述衬底进行光刻处理，形成具有第 一孔径的孔图案；
沉积附加介质层；
刻蚀所述衬底，在所述村底上形成具有第二孔径的通孔。
其中，所述附加介质层的厚度由所述第一孔径与所述第二孔径的差 值决定。
其中，所述附加介质层可以为氧化硅层，其沉积温度可以在210。C 至230。C之间。
本发明具有相同或相应技术特征的另一种通孔的形成方法，包括步
骤
提供衬底，且所述村底上包含第一介质层和位于第一介质层之上的 第二介质层；
在所述衬底上形成具有第 一孔径的光刻图案； 刻蚀所述第二介质层，在所述第二介质层上形成具有第一孔径的孔
开口；
沉积附加介质层；
刻蚀所述孔开口内的附加介质层和第一介质层，在所述第一介质层 内形成具有第二孔径的通孔。
其中，所述附加介质层的厚度由所述第一孔径与第二孔径的差值决定。
其中，所述附加介质层可以为氧化硅层，其沉积温度可以设置在 210。C至230。C之间。
本发明具有相同或相应技术特征的另 一种通孔的形成方法，包括步
骤
提供表面包含第一介质层的衬底；
在所述第一介质层上沉积刻蚀辅助层；
在所述刻蚀辅助层上形成具有第 一孔径的光刻图案；
刻蚀所述刻蚀辅助层，在所述刻蚀辅助层上形成具有第一孔径的孔
开口；
沉积附加介质层；
刻蚀所述孔开口内的附加介质层和第一介质层，在所述第一介质层 内形成具有第二孔径的通孔。
其中，所述附加介质层的厚度由所述第一孔径与第二孔径的差值决定。
其中，所述刻蚀辅助层和附加介质层为氮化硅或氧化硅层。
与现有技术相比，本发明具有以下优点
本发明的通孔的形成方法，在光刻形成较大孔径的孔图案后，先沉 积一层附加介质层，然后再进行刻蚀形成通孔，这样，在原来光刻形成 的大孔径的光刻胶孔的侧壁上就覆盖了一层附加介质层，以其为掩膜刻 蚀形成的通孔的孔径可以显著缩小，利用本发明方法可以简单方便地制 作成尺寸均匀、形状规则的小孔径通孔。
本发明的通孔的形成方法中，通过改变附加介质层沉积的厚度，可 以方便灵活地调整最终刻蚀形成的通孔的孔径，且可调整的孔径范围较 大，孔径尺寸的可控性也较强。
本发明的通孔的形成方法不仅可以制作出高质量的小孔径通孔，还 具有操作简单、实现方便的优点，对生产周期和生产成本的影响不大。
图1A至1C为说明现有的小孔径通孔的形成方法的器件剖面图； 图2A至2D为说明本发明第一实施例的通孔的形成方法的器件剖 面图3为本发明第一实施例的通孔的形成方法的流程图4A至4G为说明本发明第二实施例的通孔的形成方法的器件剖
面图5为本发明第二实施例的通孔的形成方法的流程图6A至6E为说明本发明第三实施例的通孔的形成方法的器件剖 面图7为本发明第三实施例的通孔的形成方法的流程图。
具体实施例方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合 附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。
本发明的处理方法可被广泛地应用到许多应用中，并且可利用许多 适当的材料制作，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本发明并 不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换 无疑地涵盖在本发明的保护范围内。
其次，本发明利用示意图进行了详细描述，在详述本发明实施例时， 为了便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，不 应以此作为对本发明的限定，此外，在实际的制作中，应包含长度、宽 度及深度的三维空间尺寸。
当半导体工艺进入90nm以下技术后，芯片中的各种孔的孔径也相 应地缩小，但是，由于光刻曝光机在曝光尺寸方面的限制，难以通过光 刻定义出孔径小于110nm的微孔。现有技术中利用光刻胶热回流形成的 小孔径的通孔形成质量则较差。为此，本发明提出了一种小孔径通孔的 形成方法，制作出了高质量的小孔径通孔。
图2A至2D为说明本发明第一实施例的通孔的形成方法的器件剖 面图，图3为本发明第一实施例的通孔的形成方法的流程图，下面结合 图2A至2D和图3对本发明的第一实施例进行详细介绍。
首先，提供衬底(S301),然后，对村底进行光刻，形成具有第一
孔径的孔图案(S302)。图2A为光刻后的器件剖面图，如图2A所示， 在衬底201上涂布一层光刻胶202，并在该光刻胶层上形成孔图案，由 于受光刻时曝光尺寸的限制，该孔图案的孔径不能作得太小。本实施例 中，设定在衬底内形成的小通孔的孔径为100nm，但仅利用光刻技术无 法直接形成该孔径大小的孔图案，因此，在本步中，先光刻形成具有第 一孔径al的光刻孔203，这一孔径al比设定的孔径要大，如为120nm， 这一尺寸对于光刻而言是易于实现的。
在形成上述具有较大孔径的孔图案后，在该衬底上沉积一层附加介 质层(S303)。图2B为形成附加介质层后的器件剖面图，如图2B所示， 利用化学气相沉积的方法在衬底的光刻图案上依其形貌沉积了 一层附 加介质层210，该附加介质层附着在光刻图案的孔侧壁上，使得该孔图 案的孔径有所减小，缩小至第二孔径a2，本发明正是利用这一点制作出 了孔径小于曝光极限通孔。该附加介质层的厚度由光刻孔与设定孔的孔 径差值决定。本实施例中，光刻孔的孔径(120nm)与i殳定孔(100nm) 的孔径相差20nm，即在光刻孔的孔壁上要附着10nm厚的附加介质层 才能最终形成设定的100nm的孔，因此，理想中本步中沉积的附加介 质层的厚度为10nm，即IOOA，考虑到侧壁处的厚度可能会比沉积厚度 略小，也可以在此1^5出上根据沉积情况略作调整，如可以沉积110 A等。 该附加介质层的厚度最好不要太厚，否则可能会使增大刻蚀的难度，使 通孔变形，其较优的厚度范围可以在5至200A之间。
注意该附加介质层的生长温度要低于与其相邻的光刻胶层可容忍 的高温。本实施例中，光刻胶可容忍的高温大约在250。C左右，因此， 最好选择该介质层的生长温度在210。C至230。C之间，如220。C。本实 施例中，为了便于去除，选取了在220。C下生长的氧化硅层来形成附加 介质层，其质地较为疏松，与光刻胶的刻蚀速率基本一致，在去除光刻 胶时便于一起去除。
接着，进行刻蚀处理，在衬底内形成具有第二孔径的通孔(S304)。 图2C为刻蚀后的器件剖面图，如图2C所示，由于附加介质层的刻蚀 速率与光刻胶的一致，在刻蚀后，形成了图2C所示的结构。刻蚀通孔 时，虽然在光刻孔底部有IOOA左右的附加介质层，但这一薄层很快就 可以被刻蚀去除，接着就会向下刻蚀衬底以形成通孔。但在这一刻蚀过 程中，由于光刻孔的侧壁上附着有附加介质层210，光刻孔内位于侧壁 的附加介质层210下的衬底不会被刻蚀，因此，最终在衬底上形成的具 有第二孔径的通孔的孔径a2明显要小于光刻后形成的光刻孔的孔径 al。本实施例中，刻蚀后在衬底内形成的通孔220的孔径a2为100nm， 形成了孔径突破曝光限制的小通孔。
刻蚀后就可以去除衬底上残余的光刻胶和附加介质层(S305 ),本 实施例中附加介质层是在低温下生长的氧化硅层，其易于去除，在进行 正常的光刻胶去除时，该残余的附加介质层也就会被同时去除，不需要 额外地增加工艺步骤。图2D为去除残余的光刻胶和附加介质层后的器 件剖面图，如图2D所示，在衬底201内形成了具有第二孔径a2的通孔 220。
本发明的第 一 实施例是直接在衬底内形成小孔径的通孔，在本发明 的其他实施例中，也可以是在衬底上所沉积的材料层内形成小孔径的通 孑L，如氧化硅层、氮化硅层或金属层等，其制作过程与第一实施例的相 同，在此不再赘述。
本发明的第二实施例是在层间介质层内形成小孔径的通孔(接触 孔)，图4A至4G为说明本发明第二实施例的通孔的形成方法的器件剖 面图，图5为本发明第二实施例的通孔的形成方法的流程图，下面结合 图4A至4G和图5对本发明的第二实施例进行详细介绍。
图4A为形成光刻图案后的器件剖面图，如图4A所示，首先，提 供了衬底401，且该衬底上至少包含第一介质层402和第二介质层403
(5501) 。本实施例中，是在层间介质层内形成小孔径的通孔，因此， 所用介质层为低K值的氧化硅，其中，第一介质层402为掺磷的氧化硅， 第二介质层为由TEOS沉积而成的氧化硅，二者在刻蚀速率上有明显的 差异。此外，作为层间介质层，其下通常会有一层作为刻蚀停止层的氮 化硅或氮氧化硅材料(本图中未示出)。
然后，对上述衬底进行光刻，在其上形成具有第一孔径的孔图案
(5502) 。在第二介质层403上涂布一层光刻胶404，并通过光刻在该 光刻胶层上形成孔图案。本实施例中，设定在层间介质层内形成的小接 触孔的孔径为llOnm，但仅利用光刻技术难以直接形成该孔径大小的孔 图案，因此，在本步中，在光刻胶内形成的是孔径尺寸较大、光刻易于 实现的光刻孔405，其孔径尺寸al可称为第一孔径，该第一孔径比设定 的通孔(接触孔)的孔径要大，如为120nm。
接着，以光刻图案为掩膜，对第二介质层进行刻蚀，在第二介质层 内形成孔开口 (S503 )。图4B为形成孔开口后的器件剖面图，如图4B 所示，在第二介质层403内形成了孔径为al的孔开口，该开口的孔径 尺寸同样也大于接触孔孔径的设定尺寸。由于第二介质层403与第一介 质层402的刻蚀速率不同，本步刻蚀可以较为准确地停止于第 一介质层 402上。
再接着，沉积一层附加介质层(S504),图4C为形成附加介质层后 的器件剖面图，如图4C所示，利用化学气相沉积的方法在衬底的光刻 图案上依其形貌沉积了一层附加介质层410,该附加介质层的厚度最好 不要太厚，否则可能会使增大刻蚀的难度，使通孔变形，其较优的厚度 范围可以在5至200A之间，具体厚度可由光刻孔与设定孔的孔径差值 决定。本实施例中，光刻孔的孔径(120nm)与i殳定孔(110nm)的孔径 相差10nm，即需要在光刻孔的孔壁上要附着5nm厚的附加介质层。因 此，将本步中沉积的附加介质层的厚度设置为5nm，即50A。由图中可
以看到，沉积附加介质层后，光刻孔的孔径已减小至a2，即110nm。
为不损伤光刻胶，本步附加介质层的生长温度最好在210°C至 230。C之间，如220。C。本实施例中，选取的是在220°C下生长的氧化 硅层，其质地较为疏松，与光刻胶的刻蚀速率基本一致，在去除光刻胶 时便于一起去除。
然后，对第一介质层进行刻蚀，形成具有第二孔径的通孔(S505 )。 图4D为刻蚀后的器件剖面图，如图4D所示，在刻蚀通孔时，虽然在 孔开口的底部有50A左右的附加介质层，但这一薄层很快就可以被刻蚀 去除，接着就会向下刻蚀第一介质层以形成通孔。在这一刻蚀过程中， 由于光刻孔及孔开口的侧壁上附着有附加介质层410，最终在第一介质 层402内形成了具有第二孔径的通孔420，其孔径a2明显要小于光刻后 形成的光刻孔的孔径al。本实施例中，刻蚀后在第一介质层内形成的通 孔420的孔径a2为110nm，形成了突破曝光限制的小孔径的通孔。
刻蚀后就可以去除衬底上残余的光刻胶和附加介质层(S506),通 常在进行正常的光刻胶去除时，刻蚀后残余的附加介质层也就会被同时 去除，不需要额外地增加工艺步骤，即使还略有残留，在后面去除第二 介质层时也可以被同时去除。图4E为去除残余的光刻胶和附加介质层 后的器件剖面图，如图4E所示，在第一介质层402内形成了具有第二 孔径a2的通孔420。
接着，在通孔内填充金属(S507)，图4F为填充金属后的器件剖面 图，如图4F所示，在通孔内填充了金属430,通常可以为铜金属，为 提高填充性能，在填充金属前还可以先沉积一层粘附/阻挡层(图中未 示出)，该填充过程为本领域的普通技术人员所熟知，在此不再赘述。
再接着，进行化学机械研磨，去除通孔外的金属和第二介质层 (S508),图4G为研磨后的器件剖面图，如图4G所示，形成了孔径小于 光刻曝光尺寸的通孔(接触孔)。
本发明的第二实施例是先在第二介质层上刻蚀形成孔径较大的孔 开口后，再沉积附加介质层，形成具有小孔径的通孔，在本发明的其他 实施例中，也可以在光刻图案后，直接沉积附加介质层，然后再刻蚀第 二介质层和第 一介质层，即形成的第二介质层内的孔开口的孔径与第一 介质层内的通孔的孔径相同。
本发明的上述实施例的附加介质层都是直接沉积在光刻胶上的，其 生长温度要受到光刻胶耐高温特性的限制，在本发明的其他实施例中， 还可以在光刻前先生长一层刻蚀辅助层，然后，通过光刻刻蚀将光刻图 形转移到该辅助层上，再去除光刻胶，以此辅助层为掩膜进行通孔的刻 蚀。本发明的第三实施例以此为例进行说明。
图6A至6E为说明本发明第三实施例的通孔的形成方法的器件剖 面图，图7为本发明第三实施例的通孔的形成方法的流程图，下面结合 图6A至6E和图7对本发明的第三实施例进行介绍。
图6A为形成光刻图案后的器件剖面图，如图6A所示，首先，提 供了衬底601，且该衬底上包含一层第一介质层602 (S701 )。本实施例 中，该第一介质层为未掺杂的氧化硅(USG)，需要在其内形成小孔径 的通孔。
然后，在该第一介质层602上生长一层刻蚀辅助层603 (S702)。 该刻蚀辅助层的刻蚀速率与位于其下的第 一介质层602相比要有明显差 异，如可以用掺杂的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料，本实施例中， 选用该层为氮化硅层，其生长厚度由其下层的第一介质层602的刻蚀深 度及二者的刻蚀速率差决定。
接着，进行光刻，在刻蚀辅助层上形成具有第一孔径的孔图案 (S703 )。在刻蚀辅助层603上涂布一层光刻胶604,并在该光刻胶层 上形成孔图案。本实施例中，设定在第一介质层602内形成的通孔的孔 径为90nm，但本步中，光刻形成的可以是孔径尺寸较大、光刻易于实现的光刻孔605,其孔径尺寸al可以称为第一孔径，该第一孔径比设定 的通孔(接触孔)的孔径要大，如为120nm。
接着，以光刻图案为掩膜，对刻蚀辅助层603进行刻蚀，在其内形 成孔开口 (S704)。图6B为形成孔开口后的器件剖面图，如图6B所示， 在刻蚀辅助层603内形成了孔径与光刻孔的孔径相同的孔开口，即，该 开口的孔径al同样也大于接触孔孔径的设定尺寸，为120nm。
在刻蚀辅助层603上形成孔开口后，将其表面的光刻胶604去除 (S705 ),然后，在已形成孔开口的刻蚀辅助层603上沉积一层附加介 质层(S706),图6C为形成附加介质层后的器件剖面图，如图6C所示， 利用化学气相沉积的方法在衬底的光刻图案上依其形貌沉积了 一层附 加介质层610，该附加介质层较优的厚度范围可以在5至200A之间， 具体厚度可由光刻孔(刻蚀辅助层603的孔开口 )与设定孔的孔径差值 决定。本实施例中，光刻孔的孔径(120nm)与设定孔(90nm)的孔径 相差30nm，即需要在光刻孔的孔壁上要附着15nm厚的附加介质层。 因此，将本步中沉积的附加介质层的厚度i殳置为15nm,即150A。由图 中可以看到，沉积附加介质层后，刻蚀辅助层603的孔开口孔径已减小 至a2,即90nm。
本步附加介质层的生长温度不用再受光刻胶耐高温特性的限制，可 以较高，其材料选择上也更为灵活，如可以选择与刻蚀辅助层相同的材 料一—氮化硅，或者仍选用较为疏松的氧化硅材料。本实施例中，选用 了后者。
再接着，进行刻蚀，在第一介质层602内形成具有第二孔径的通孔 (S707)。图6D为刻蚀后的器件剖面图，如图6D所示，在刻蚀后，刻 蚀通孔时，虽然在孔开口的底部有150A左右的附加介质层，但这一薄 层很快就可以被刻蚀去除，接着就会向下刻蚀第一介质层602以形成通 孔。在这一刻蚀过程中，由于刻蚀辅助层603的孔开口的側壁上附着有附加介质层610，最终在第一介质层602上形成的了具有第二孔径的通 孔620，其孔径a2明显要小于光刻后形成的光刻孔的孔径al。本实施 例中，选用的附加介质层610的刻蚀速率要快于刻蚀辅助层603,因此， 在刻蚀后在孔开口侧壁处残留下的附加介质层要低于刻蚀辅助层，注 意，通过综合考虑孔开口深度(刻蚀辅助层厚度)、附加介质层610与 第一介质层602的刻蚀速率差，可以令本步刻蚀后仍余有部分附加介质 层，以确保第一介质层602内的通孔边缘不会受损。由图中可以看到， 本步刻蚀后，在第一介质层602内形成了孔径a2为90nm的通孔620, 其尺寸突破了曝光限制。
刻蚀后就可以去除残余的刻蚀辅助层和附加介质层(S708 )，本实 施例中，可以用热磷酸溶液去除由氮化硅形成的刻蚀辅助层，由于附加 介质层的刻蚀速率较氮化硅快，其仅在孔开口的角落处略有残留，会随 之一起漂去。另外，如果附加介质层选用的也是氮化硅材料，虽然其残 留物会与刻蚀辅助层高度基本相同，但其在热磷酸中也会被快速腐蚀去 除，不会对后续工艺有影响。图6E为去除残余的刻蚀辅助层和附加介 质层后的器件剖面图，如图6E所示，在第一介质层602内形成了具有 第二孔径a2的通孔620。
本发明中所说的通孔是指在半导体制作中需刻蚀形成的各种孔，如 连接孔、接触孔、隔离孔等等，应理解为只要是利用附加介质层形成比 光刻孔的孔径小的孔，无论该孔制作于哪种/些材料内，用于作什么， 都落入了本发明所保护的范围之内。
采用本发明的形成方法形成的小孔径通孔，尺寸均勻、形状规则， 且孔径的可调整范围较大，可控性也较强，具有较高的质量。
此外，本发明的通孔的形成方法还具有操作简单、实现方便的优点，对生产周期和生产成本的影响不大。
本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，
任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能 的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的 范围为准。
权利要求
1. 一种通孔的形成方法，包括步骤提供衬底；对所述衬底进行光刻处理，形成具有第一孔径的孔图案；沉积附加介质层；刻蚀所述衬底，在所述衬底上形成具有第二孔径的通孔。
2、 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述附加介质层 的厚度由所述第一孔径与所述第二孔径的差值决定。
3、 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于所述附加介质层 为氧化硅层。
4、 如权利要求1.所述的形成方法，其特征在于所述附加介质层 的沉积温度在210°C至230°C之间。
5、 一种通孔的形成方法，包括步骤提供衬底，且所述衬底上包含第一介质层和位于第一介质层之上的 第二介质层；在所述衬底上形成具有第 一孔径的光刻图案；刻蚀所述第二介质层，在所述第二介质层上形成具有第一孔径的孔 开口；沉积附加介质层；刻蚀所述孔开口内的附加介质层和第一介质层，在所述第一介质层 内形成具有第二孔径的通孔。
6、 如权利要求5所述的形成方法，其特征在于所述附加介质层 的厚度由所述第 一孔径与第二孔径的差值决定。
7、 如权利要求5所述的形成方法，其特征在于所述附加介质层 为氧化硅层。
8、 如权利要求5所述的形成方法，其特征在于所述附加介质层的沉积温度在210°C至230°C之间。
9、 一种通孔的形成方法，包括步骤 提供表面包含第一介质层的衬底； 在所述第一介质层上沉积刻蚀辅助层；在所述刻蚀辅助层上形成具有第 一孔径的光刻图案； 刻蚀所述刻蚀辅助层，在所述刻蚀辅助层上形成具有第 一孔径的孔 开口；沉积附加介质层；刻蚀所述孔开口内的附加介质层和第一介质层，在所述第一介质层 内形成具有第二孔径的通孔。
10、 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于所述附加介质层 的厚度由所述第一孔径与第二孔径的差值决定。
11、 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于所述刻蚀辅助层 和附加介质层为氮化硅或氧化硅层。
全文摘要
本发明公开了一种通孔的形成方法，包括步骤提供衬底；对所述衬底进行光刻处理，形成具有第一孔径的孔图案；沉积附加介质层；刻蚀所述衬底，在所述衬底上形成具有第二孔径的通孔。采用本发明的形成方法形成的通孔，尺寸均匀、形状规则，且孔径的可调整范围较大，可控性较强，形成质量较高。
文档编号H01L21/70GK101207069SQ200610147808
公开日2008年6月25日 申请日期2006年12月22日 优先权日2006年12月22日
发明者张世谋, 杜珊珊, 韩秋华 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司