专利名称：具有静电防护、电磁隔离以及抗氧化的封装结构及其制造方法
技术领域：
本发明有关电子微小构装技术，特别是有关一种具有静电防护、电磁隔 离、以及抗氧化的封装结构及其制造方法。
背景技术：
现今模块集成电路封装SIP(System in Package)或集成电路(Integrated Circuits)的方式，不论是单一芯片、或是整合多芯片的模块(module)，大 抵是采用铸模(molding component)方式。随着模块集成电路技术的进步， 模块集成电路日益微小化，即有越来越多的技术问题还须克服，而主要的 技术问题有三 一是静电防护的问题，由于电子元件的縮小化趋势渐渐明 朗，所以元件所承受的静电伤害的预防也要加强；二是电磁干扰，由于元 件的縮小化，所以电磁干扰也要特别的处理，才可以防止电磁波讯号彼此 之间的干扰；三是封装接点氧化的问题，由于元件的縮小，元件的输入/ 输出接点氧化问题，也会造成量产良率无法提升。光就解决电磁干扰一事，现有技术是在模块集成电路所设置的电路板 上，利用金属零组件将模块集成电路包覆其内，以遮蔽方式(shielding)获 致电磁隔离的效果。但是金属遮罩是用于包覆模块集成电路，面积必须比 模块集成电路大；另外，金属遮罩需按模块集成电路的尺寸另行制造，故 生产成本也高。再者，金属遮罩仅解决电磁干扰的问题，却无法静电防护 与接点氧化的问题。发明内存因此，本发明的一目的在于提供一种具有静电防护、电磁隔离、以及 抗氧化的微小封装结构及其制造方法。为实现上述目的，本发明可通过提供一种封装结构来完成。此封装结 构包括 一基底；至少一零件，设置于基底上； 一导电接点，设置邻近于 基底边缘处； 一包覆层，设置于基底上方覆盖零件，并露出导电接点的接 触部；以及， 一导电层，设置于包覆层上，并与导电接点的接触部呈电性 耦接。表面的导电层和露出的导电接点有时不需要达到电性耦接也可达到 同样的效果。而且所使用的导电层可以是金属、导电油墨、导电塑胶、导 电碳粉等材质所构成。本发明还可提供一种封装结构的制造方法来完成，此制造方法包括下 列步骤提供一基底，按切割道区分为多个单元区域范围，每一单元区域 范围内设置有至少一零件；在切割道上设置导电接点；在基底表面设置一 包覆层，并覆盖零件和导电接点；根据切割道形成沟槽，用以露出导电接 点；以及，在包覆层上与沟槽内设置一导电层，使导电层与露出的导电接 点呈电性耦接。表面的导电层和露出的导电接点有时不需要达到电性耦接 也可达到同样的效果。
图l是显示根据本发明封装结构一较佳实施例的顶视图； 图2是显示图1的II-II线所截的剖面图；以及图3至图7是显示根据本发明封装结构的制造方法剖面流程图。
具体实施方式
下文将以模块形式的模块集成电路封装结构做一实施例，对于单一芯 片模块集成电路封装结构，或是多芯片封装也可同理适用。请参照图i，所示为根据本发明一封装结构i的顶视图；而沿图i的n-n线所截的剖面图即显示于图2。图1和图2所示，标号10代表一基底，此 基底10可以是BT、 FR4，、 LTcc、 FR5或是金属等基板材质所构成，厚度约 为O. lmm l咖或更厚。标号11A、 IIB、 IIC代表零件，可以是模块集成电 路芯片、芯片电阻、或芯片电容，这些零件11A、 IIB、 IIC是固定于基底IO 上。标号12代表导电接点(conductive pad),设置于基底10的边缘区域， 通常是连接至接地电位。标号13代表包覆层(molding layer),可以利用 模块集成电路的包覆材质或是其它的绝缘材质所构成，覆于基底10的全部 表面，将零件11A、 IIB、 IIC等覆盖起来，但需将导电接点12的部分露出， 其为接触部15。标号14代表导电层(conductive layer),覆盖于包覆层13
表面及侧面；较佳而言，导电层14需与导电接点12的接触部15呈电性连接； 此导电层14可以是由导电塑胶、导电油墨、导电碳粉、或是金属等材质所构成；导电塑胶可以是聚苯胺(polyaniline) (PAn)、聚吡咯 (polypyrrole) (PPy)、 对聚苯(poly-p眼-phenylene) (PPP)、 聚噻吩 (polythiophene)(PT)等。较佳而言，若导电层14采用导电油墨、导电塑 胶、导电碳粉等材质，与包覆层13附着性较金属材质为佳，可靠度较好； 另外，导电油墨、导电塑胶、导电碳粉等可以提供较金属为佳的抗氧化性。根据本发明，先在固定电子零件的基底10边缘处设置有导电接点12， 后续在覆上包覆层13，再接着做切割时露出导电接点12的部分做接触部 15，然后将导电层14形成于包覆层13的全部表面，而与导电接点12的接触 部15成电性接触。由于导电接点12是连接于接地电位，故可将静电导出， 获致静电防护的效果；另外，导电层14将全部包覆层13予以包覆，形成避 免电磁干扰的屏蔽面，可获得电磁隔离的效果；再又，利用导电层14电化 氧化的形成，可使接触金属的表面的其他部分不易氧化，获致抗氧化的效 果。再者，图1所示的导电接点12是属选择性组成要件，也可予以略去。 请参照图3至图7，所示为根据本发明封装结构的制造方法剖面流程 图。如图3所示，在一基底30上，是按切割道(scribe line) 32区分为多 个单元区域34A、 34B、 34C、 34D等，此基底30可以是BT、 FR4、 LTcc、 FR5 等基板材质所构成，厚度约为O. lmm lmm。各单元区域范围34A-34D内， 分别设置有零件，诸如单元区域范围34A内设有零件36A，单元区域范围 34B内设有零件36B，单元区域范围34C内设有零件36C，单元区域范围34D 内设有零件36D，而各零件固设于基底30的方式，可以焊接、表面黏着、 或插接于固设于基底的插座等方式形成。图3中，还有若干导电接点38设 置于基底上，位于切割道32处，此导电接点38可以是金属、导电物质等材 质构成，可以是长条状或片状等各式形状。接着，在全般基底30表面上形成一包覆层40，，即如图4所示。而此 形成包覆层40的步骤，可以铸模方式(molding)将绝缘材质覆盖基底30表 面，即同时覆盖导电接点38、零件36A-36D等等， 一则作为各零件间绝缘
之用，再则将表面予以平坦化处理。此包覆层40可以由包覆化合物(Molding Compound)等材质所构成，厚度约介于O. 2 2. 0mm之间。然后，如图5所示，按照各切割道32的位置，对包覆层40进行切割， 借以将包覆层40根据单元区域范围34A-34D,区分为包覆层40A-40D。沿切 割道32切割的过程中，不仅对包覆层40做切割，也对位于切割道32上方的 导电接点38进行切割，诸如单元区域范围34A与34B间的导电接点38经切 割导电接点38A和38B，单元区域范围34B与34C间的导电接点38经切割导电 接点38C和38C，单元区域范围34C与34D间的导电接点38经切割导电接点38C 和38D。经过切割处理后，可通过切割所产生的沟槽42、 44、 46露出导电 接点38的部分，诸如经由沟槽42可露出导电接点38A和38B，经由沟槽44 可露出导电接点38B和38C，经由沟槽46可露出导电接点38C和38D等等。再请参照图6，形成一导电层48覆盖于包覆层40A-40D的上表面与侧表 面，并填充于沟槽42、 44、 46内。经此，导电层48可以与露出的导电接点 38、 38A、 38B、 38C、 38D、 38等呈电性耦接。此导电层14可以是由导电塑 胶、导电油墨、导电碳粉、或是金属等材质所构成；导电塑胶可以是聚苯 胺(polyaniline) (PAn)、聚吡咯(polypyrrole) (PPy)、对聚苯(poly-para-phenylene) (PPP)、聚噻吩(polythiophene) (PT)等，并可以喷镀 (spraying)、溅镀(sputtering)、蒸镀(evaporation)、沉禾只(deposition)、 涂布(coating)、或印刷(printing)等方式形成。接着，按照各切割道32 的位置进行切割处理，将各单元区域范围34A-34D予以切割分离成为独立 的封装结构，请参照图7，即是单元区域范围34B的封装结构。因此，如图7所示，根据本发明制造方法所得的封装结构，是在固定 电子零件的基底30边缘处设置有导电接点38B，后续在覆上包覆层40B时露 出导电接点38B的部分做接触部50，然后将导电层48覆盖于于包覆层40B的 表面，而与导电接点38B的接触部50成电性接触。由于导电接点38B是连接 于接地电位，故可将静电导出，获得静电防护的效果；又导电层48将全部 包覆层40C予以包覆，形成避免电磁干扰的屏蔽面，可获得电磁隔离的效 果；再又，利用导电层48电化氧化的形成，可使接触金属的表面部分不易 氧化，获得抗氧化的效果。
另外，图7所示的导电接点38B是属选择性组成要件，也可予以略去。据此，图3至图7中，关于导电接点38、 38A、 38B、 38C、 38D等的形成步骤， 即可予以省略。
权利要求
1. 一种封装结构，包括一基底；至少一零件，设置于所述基底上；一导电接点，设置邻近于所述基底边缘处；一包覆层，设置于所述基底上方以覆盖所述零件，并露出所述导电接点的一接触部；以及一导电层，设置于所述包覆层上。
2. 如权利要求l所述的封装结构，其特征在于，所述导电层的材质是选 自由导电塑胶、导电油墨、导电碳粉和金属所构成的群组。
3. 如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导电塑胶是选自由 聚苯胺、聚吡咯、对聚苯、以及聚噻吩所组成的群组。
4. 权利要求l所述的封装结构，其特征在于，所述导电层是与所述导电 接点的所述接触部呈电性耦接。
5. —种封装结构的制造方法，包括下列步骤提供一基底，按切割道区分为多个单元区域范围，每一所述单元区域范 围内设置有至少一零件；在所述切割道上设置一导电接点；在所述基底表面设置一包覆层，并覆盖所述零件和所述导电接点； 根据所述切割道定义所述包覆层形成沟槽，用以露出所述导电接点； 在所述包覆层上与所述沟槽内设置一导电层，使所述导电层与所述露出 的导电接点呈电性耦接。
6. 如权利要求5所述的封装结构的制造方法，其特征在于还包括根据所述切割道，区分出多个封装结构。
7. 权利要求5所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述导电层的材质是选自由导电塑胶、导电油墨、导电碳粉和金属所构成的群组。
8. 如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述导电塑胶是选自由聚 苯胺、聚吡咯、对聚苯、以及聚噻吩所组成的群组。
9. 权利要求5所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述导电层是 与所述导电接点的上述接触部呈电性耦接。
10. 权利要求5所述的封装结构的制造方法，其特征在于设置所述导电层 是以喷镀、溅镀、蒸镀、沉积、涂布、以及印刷方式之一形成。
11. 一种封装结构，包括 一基底；至少一零件，设置于所述基底上；一包覆层，设置于所述基底上方以覆盖所述零件；以及 一导电层，设置于所述包覆层上。
12. 权利要求ll所述的封装结构，其特征在于，所述导电层的材质是选 自由导电塑胶、导电油墨、导电碳粉和金属所构成的群组。
13. 如权利要求12所述的封装结构，其特征在于，所述导电塑胶是选自 由聚苯胺、聚吡咯、对聚苯、以及聚噻吩所组成的群组。
14. 一种封装结构的制造方法，包括下列步骤提供一基底，按切割道区分为多个单元区域范围，每一所述单元区域范 围内设置有至少一零件； 在所述基底表面设置一包覆层，并覆盖所述零件； 根据所述切割道定义所述包覆层形成沟槽；以及 在所述包覆层上与所述沟槽内设置一导电层。
15. 如权利要求14所述的封装结构的制造方法，其特征在于还包括根 据所述切割道，区分出多个封装结构。
16. 权利要求14所述的封装结构的制造方法，其特征在于，所述导电层 的材质是选自由导电塑胶、导电油墨、导电碳粉和金属所构成的群组。
17. 如权利要求16所述的封装结构，其特征在于，所述导电塑胶是选自 由聚苯胺、聚吡咯、对聚苯、以及聚噻吩所组成的群组。
18. 权利要求14所述的封装结构的制造方法，其特征在于设置所述导电 层是以喷镀、溅镀、蒸镀、沉积、涂布、以及印刷方式之一形成。
全文摘要
一种封装结构，包括一基底；至少一零件，设置于基底上；一导电接点，设置邻近于基底边缘处；一包覆层，设置于基底上方覆盖零件，并露出导电接点之接触部；以及，一导电层，设置于包覆层上，并与导电接点之接触部呈电性耦接。一种封装结构之制造方法，包括提供一基底，按切割道区分为复数单元区域范围，每一单元区域范围内设置有至少一零件；在切割道上设置导电接点；在基底表面设置一包覆层，并覆盖零件和导电接点；根据切割道形成沟槽，用以露出导电接点；以及，在包覆层上与沟槽内设置一导电层，使导电层与露出之导电接点呈电性耦接。导电层可以由金属、导电的油墨、塑胶、碳粉等导电材质构成，以可电磁屏蔽、抗氧化及直接的静电防护。
文档编号H01L25/00GK101211898SQ20061016759
公开日2008年7月2日 申请日期2006年12月25日 优先权日2006年12月25日
发明者郭士迪 申请人:郭士迪