一种长寿命离子源的放电弧室的制作方法

文档序号:7219221阅读:277来源:国知局
专利名称:一种长寿命离子源的放电弧室的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种离子注入机的离子源,特别涉及一种长寿命离子源的放电弧室结构,属于半导体器件制造领域。
背景技术
现有半导体集成电路制造技术中,要求离子注入机具有整机可靠性好、生产效率高、低尘粒污染等功能和特征,而离子注入机这些性能与离子源稳定性、束流指标及使用寿命密切相关;在离子源中,放电弧室是离子源最关键的核心部分,其不仅影响离子源等离子体密度的产生和引出束流的大小,而且同时影响离子源的工作状态和稳定可靠性,因此放电弧室的设计及工作稳定性直接影响离子源的各个性能和指标;在以往离子源中,一般弧室结构往往采用镶嵌式结构,即由多块金属板镶嵌组成,这种方式的优点是可以降低离子源成本,减少弧室加工原材料成本;但同时带来如下问题离子源弧室工作一段时间后由于高温热膨胀效应及气体腐蚀作用导致各金属板之间的连接会产生结构变化,导致弧室的气体密封性不好,从而产生气体外漏现象使离子源的工作状态变坏,影响离子源的长期工作稳定性;发明内容本实用新型是针对原有离子源技术中离子源弧室工作一段时间后由于高温热膨胀效应及气体腐蚀作用导致各金属板之间的连接会产生移位变化问题,设计新型放电弧室结构,使离子源能长期处于良好的稳定工作状态,同时有效增加放电室有效电子密度和有效使用寿命。
本实用新型通过以下技术方案实现一种长寿命离子源的放电弧室,其为一四方形整体结构,包括一弧室腔体壁包围的弧室空腔,设有一个反射极连接孔和一个间热式阴极通过孔分别从两侧水平方向穿过弧室腔体壁与弧室空腔连通,二个固态原料蒸气送气孔和一个气体原料送气孔从纵向连通到弧室空腔内,弧室腔体壁四周还对称设置有四个拉杆连接孔、四个弧室固定孔、二个引出板固定孔。
本实用新型具有如下显著优点1.放电弧室采用整体设计结构,结构紧凑简单;2.整体结构的放电弧室稳定可靠,不因热变形和高温气体腐蚀作用而产生结构变化,保证离子源长期工作的稳定可靠性。


图1表示本实用新型一种长寿命离子源的放电弧室结构示意图。
具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步介绍,但不作为对本实用新型的限定。
如图1所示,一种长寿命离子源的放电弧室,放电弧室为一四方形整体结构,包括一弧室腔体壁1包围的弧室空腔9,其内产生等离子体;并有一个反射极连接孔2、一个间热式阴极通过孔6分别从两侧水平方向穿过弧室腔体壁1与弧室空腔9连通,所述的反射极连接孔2通过反射极连接螺杆,连接反射极;所述的间热式阴极通过孔6在弧室一段,间热式阴极组件通过该孔进入放电室中;二个固态原料蒸气送气孔5、一个气体原料送气孔8从纵向连通到弧室空腔9内,所述的二个固态原料蒸气送气孔5分别与坩埚两送气口连接,在离子源固态工作时使用;所述的一气体原料送气孔8,工作气体通过该孔进入放电弧室内;弧室腔体壁1四周还对称设置有四个拉杆连接孔3、四个弧室固定孔4、二个引出板固定孔7,所述的二引出板固定孔7,限位固定引出板,不使其移位变化;所述的四个拉杆连接孔3穿过拉杆固定引出板;所述的四个弧室固定孔4通过螺杆使弧室与离子源壳体连接。
这样的离子源放电弧室结构使整放电弧室设计于一整体,结构紧凑简单;同时整体结构的放电弧室稳定可靠,不因热变形和腐蚀作用而产生结构变化,保证离子源长期工作的稳定可靠性。
本实用新型的特定实施例已对本实用新型的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本实用新型精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本实用新型专利的侵犯,将承担相应的法律责任。
权利要求1.一种长寿命离子源的放电弧室,其特征在于放电弧室为一四方形整体结构,包括一弧室腔体壁(1)包围的弧室空腔(9),设有一个反射极连接孔(2)和一个间热式阴极通过孔(6)分别从两侧水平方向穿过弧室腔体壁(1)与弧室空腔(9)连通,二个固态原料蒸气送气孔(5)和一个气体原料送气孔(8)从纵向连通到弧室空腔(9)内,弧室腔体壁(1)四周还对称设置有四个拉杆连接孔(3)、四个弧室固定孔(4)、二个引出板固定孔(7)。
专利摘要本实用新型涉及一种离子注入机长寿命离子源的放电弧室结构,属半导体器件制造领域,针对原有离子源弧室工作一段时间后因高温热膨胀效应及气体腐蚀作用导致各金属板间连接会产生移位变化问题,提出一种长寿命离子源的放电弧室结构,其为一四方形整体结构,包括一弧室腔体壁包围的弧室空腔,有一个反射极连接孔、一个间热式阴极通过孔分别从两侧水平方向穿过弧室腔体壁与弧室空腔连通,二个固态原料蒸气送气孔和一个气体原料送气孔从纵向连通到弧室空腔内,弧室腔体壁四周还对称设置有四个拉杆连接孔、四个弧室固定孔、二个引出板固定孔,采用整体结构设计紧凑简单,不因热变形和高温气体腐蚀作用而产生结构变化,保证离子源长期工作稳定可靠。
文档编号H01L21/265GK2935461SQ200620113058
公开日2007年8月15日 申请日期2006年4月24日 优先权日2006年4月24日
发明者伍三忠, 戴习毛, 郭健辉, 彭立波 申请人:北京中科信电子装备有限公司
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