专利名称：贴合晶圆制造方法、贴合晶圆及平面磨削装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及贴合晶圆的制造方法与利用此方法制造出来的贴合晶圆以及 用来形成薄膜的平面磨削装置。
背景技术：
作为具有在绝缘体上形成硅层的SOI (Silicon On Insulator)构造的SOI晶圆的制造方法，已知有将基底衬底(成为支持衬底)和结合衬底(形成SOI 层)的2枚硅单晶晶圆，隔着硅氧化膜，加以贴合来制作出贴合SOI晶圆的 方法。制作此种贴合晶圆的步骤，己知有例如在2枚晶圆之中的至少其中一 方的晶圆表面形成氧化膜，接着在使接合面上不存在异物的情况下，使2枚 晶圆互相密接后，以大约200—120(TC的温度，进行热处理来提高结合强度 的方法(参照日本特开平5-46086号公报)。利用进行上述热处理将强度提高的贴合晶圆结合，在之后的磨削与研磨 步骤中，利用磨削与研磨将结合晶圆薄化成所希望的厚度，借此能够形成要 用来形成半导体元件(device)的SOI层。在磨削结合晶圆时，使用平面磨削装置(例如参照日本特开平11-58227 号公报)。此平面磨削装置具备用以保持贴合晶圆的由陶瓷等所构成的夹 头、和用以平面磨削结合晶圆的表面的磨石。而且，将贴合晶圆保持在保持 夹头的顶面， 一边使其旋转一边将旋转的磨石按压在晶圆表面上来进行结合 晶圆的平面磨削。此时，在贴合前，预先测量基底晶圆的厚度，对基底晶圆进行标上用以 识别其厚度的激光标记(lasermark)等的操作。然后对贴合晶圆的整体厚度， 对应基底晶圆的厚度来设定磨削的目标厚度。平面磨削的时候， 一边测定贴 合晶圆的整体厚度一边进行磨削，整体厚度若达到规定的目标厚度，则停止 磨削，从而能得到一种贴合SOI晶圆，其在基底衬底上隔着氧化膜等形成具 有所希望的膜厚的硅单晶薄膜(SOI层)。 但是，以此种方法所得到的硅单晶薄膜的厚度偏差大，步骤也复杂，因 而无法对应近年来的品质要求。发明内容本发明的目的是提供一种贴合晶圆的制造方法与贴合晶圆，该方法能够 减少硅单晶薄膜的厚度偏差，高精度地形成所希望的膜厚；并提供一种平面 磨削装置，该平面磨削装置能够将硅单晶薄膜高精度地形成所希望的膜厚。为了达成上述目的，本发明提供一种贴合晶圆的制造方法，其特征为将成为支持衬底的基底晶圆与由硅单晶所构成的结合晶圆，隔着绝缘膜 或是直接贴合而形成贴合晶圆，再将上述结合晶圆薄化，而在上述基底晶圆 上形成由硅单晶所构成的薄膜的贴合晶圆的制造方法，其中上述结合晶圆的 薄化，是一边测定上述结合晶圆的厚度一边至少借助平面磨削来进行的，而 当上述结合晶圆的厚度达到目标厚度时，停止上述结合晶圆的平面磨削。如此，结合晶圆的薄化，若是一边直接测定上述结合晶圆的厚度一边至 少借助平面磨削来进行，而当上述结合晶圆的厚度达到目标厚度时，停止上 述结合晶圆的平面磨削，则不会受到基底晶圆的厚度的测定误差的影响，能 够更高精度地将硅单晶薄膜形成为目标厚度。此情况，上述结合晶圆的厚度测定，优选使用光学膜厚计来进行。如此，结合晶圆的厚度测定，若是使用光学膜厚计来进行，将能进行更 高精度的厚度测定，从而能够形成目标厚度的薄膜。此情况优选是在测定上述结合晶圆的厚度时，通过将水供给至上述要 被磨削的贴合晶圆和上述光学膜厚计之间来排除浊液，使得上述要被磨削的 贴合晶圆与上述光学膜厚计之间的区域处于光学透明状态，以进行更高精度 的厚度测定，从而能够更精密地形成目标厚度的薄膜。此外，在测定上述结合晶圆的厚度时，能够通过将空气供给至上述要被 磨削的贴合晶圆和上述光学膜厚计之间来排除浊液。如此，在测定上述结合晶圆的厚度时，若通过将空气供给至上述要被磨 削的贴合晶圆和上述光学膜厚计之间来排除浊液，则能够简便地排除浊液， 以进行更高精度的厚度测定，从而能够精密地形成目标厚度的薄膜。此外，优选使用硅单晶晶圆或绝缘性晶圆来作为上述基底晶圆。
如此，若是使用硅单晶晶圆或绝缘性晶圆来作为上述基底晶圆，则能够 利用热氧化或气相成长法等，容易地形成绝缘膜，并能够隔着该绝缘膜来贴 合结合晶圆。此外，按照用途，也可以使用石英、碳化硅、氧化铝、金刚石 等的绝缘性晶圆，将其与结合晶圆直接贴合。此外，本发明提供一种贴合晶圆，其特征为该贴合晶圆是利用上述任一种方法制造出来的贴合晶圆，其中在上述平 面磨削停止后所形成的薄膜的厚度相对于目标厚度的误差在士0.3pm以内。如此，利用上述任一种方法制造出来的贴合晶圆，其在上述平面磨削停 止后所形成的薄膜的厚度，可更高精度地达到目标厚度，由于相对于目标厚度，能够容易地使误差在士0.3pm以内，所以能够作出高成品率、低成本且 高品质的贴合晶圆。此外，本发明提供一种平面磨削装置，其特征为该平面磨削装置是利用平面磨削对在支持衬底上形成有薄膜的晶圆进行精加工的平面磨削装置，至少具备 夹头，用来保持上述晶圆； 磨石，用来平面磨削上述晶圆的表面； 膜厚计，用来测定上述支持衬底上的薄膜的厚度；以及 控制机构，当利用该膜厚计测定的上述薄膜的厚度达到目标厚度时，停止平面磨削。如此，上述利用平面磨削对在支持衬底上形成有薄膜的晶圆进行精加工 的平面磨削装置可至少具备夹头，用来保持上述晶圆； 磨石，用来平面磨削上述晶圆的表面； 膜厚计，用来测定上述支持衬底上的薄膜的厚度；以及 控制机构，当利用该膜厚计测定的上述薄膜的厚度达到目标厚度时， 停止平面磨削。由于直接测定薄膜的厚度，而当达到目标厚度则停止磨削， 所以上述平面磨削装置能够更高精度地将薄膜平面磨削至目标厚度。 在此情况下，上述膜厚计优选是光学膜厚计。如此，膜厚计若是光学膜厚计，则能进行更高精度的厚度测定，从而能 够形成目标厚度的薄膜。
在此情况下，优选在上述光学膜厚计与上述晶圆之间具备供水装置。如此，若在上述光学膜厚计与上述晶圆之间具备供水装置，则能够将光 学膜厚计和晶圆之间的区域保持在光学透明状态，以更高精度地进行薄膜的 厚度测定，从而能够形成目标厚度的薄膜。在此情况下，上述供水装置优选包括包围上述光学膜厚计的外周的圆筒， 并且水供给至该圆筒的内部。上述供水装置若包括包围上述光学膜厚计的外周的圆筒，并且水供给至 该圆筒的内部，则供水位置稳定，能够更确实地将光学膜厚计和晶圆之间的 区域保持在光学透明状态。此外，能够设置成在上述磨石与上述光学膜厚计之间具备障壁，该障 壁被配置成下端可以靠近上述晶圆的表面；上述供水装置将水供给至上述障 壁的磨石侧。如此，若设置成在磨石与光学膜厚计之间具备障壁，该障壁被配置成下 端可以靠近晶圆的表面；供水装置将水供给至上述障壁的磨石侧，则能够在节约水的同时将光学膜厚计与晶圆之间的区域保持在光学透明状态。 此外，能够在上述光学膜厚计与上述晶圆之间具备供气装置。 如此，若在上述光学膜厚计与上述晶圆之间具备供气装置，则能够简便地从光学膜厚计与晶圆之间排出浊液，以进行高精度的薄膜的厚度测定，从而能够形成目标厚度的薄膜。此外，优选还具备用来测定上述晶圆的整体厚度的晶圆厚度测定计。 如此，若具备用来测定上述晶圆的整体厚度的晶圆厚度测定计，则能够以更高精度将薄膜的厚度平面磨削至目标厚度，并能够利用测定来确认晶圆整体的厚度。根据本发明的贴合晶圆的制造方法，结合晶圆的薄化，若是一边测定结 合晶圆的厚度一边至少借助平面磨削来进行，而当结合晶圆的厚度达到目标 厚度时即停止结合晶圆的平面磨削，则不会受到基底晶圆的厚度的测定误差 的影响，故可降低偏差，从而能够更高精度地将硅单晶薄膜形成为目标厚度。此外，本发明的贴合晶圆在平面磨削停止后所形成的薄膜的厚度可更高精度地达到目标厚度，由于能够容易地使相对于目标厚度的误差在士0.3(im 以内，所以能够作出高成品率、低成本且高品质的贴合晶圆。此外，本发明的平面磨削装置可成为一种平面磨削装置，在平面磨削基 底晶圆的厚度之前，不用每次进行输入设定，并能够更高精度地将薄膜的厚 度平面磨削至目标厚度。
图1是根据本发明的平面磨削装置的一例的概要图。图2是表示实施例1的贴合晶圆的薄膜厚度的相对于目标厚度的误差的 度数分布图。图3是表示比较例1的贴合晶圆的薄膜厚度的相对于目标厚度的误差的 度数分布图。图4是表示在根据本发明的平面磨削装置中，浊液发生的情况的概要图。 图5是表示在根据本发明的平面磨削装置中，具备供水装置的情况的一、图6是表示在根据本发明的平面磨削装置中，具备供水装置的情况的其 他例的概要图。图7是表示在根据本发明的平面磨削装置中，具备供水装置的情况的另 一其他例的概要图。图8是表示在根据本发明的平面磨削装置中，具备供气装置的情况的一具体实施方式
以下详细说明本发明。如上所述，在贴合晶圆的制造步骤中，在贴合之前，预先测定基底晶圆 的厚度，按照基底晶圆的厚度，针对贴合晶圆的整体厚度来设定磨削的目标 厚度。而且，当平面磨削时， 一边测定贴合晶圆的整体厚度一边进行磨削。 而且，若整体厚度到达规定的目标厚度，则停止磨削，而可以得到一种SOI 晶圆，其中在基底晶圆上，隔着氧化膜等，形成有所希望的硅单晶薄膜。但是，以往的方法，不但需要预先测定各个基底晶圆的厚度，然后按照 该厚度来设定每次磨削的目标厚度，并且为了要进行基底晶圆的厚度管理等， 而需要在基底晶圆上附加用来识别该厚度的激光标记等的操作，步骤繁杂。
不但如此，由于是从基底晶圆的厚度测定值和贴合晶圆整体的厚度值，间接 地求出要进行磨削的结合晶圆的厚度，所以基底晶圆的厚度的测定误差和贴 合晶圆整体的厚度的测定误差，会反映在最终所形成的薄膜厚度的误差上， 造成薄膜厚度发生偏差。另外，以往基底晶圆的厚度的测定误差水平为0.2一0.5pm，晶圆整体的厚度的测定误差为0.2—l^m。因此，本发明的发明人想出，若一边测定结合晶圆的厚度一边至少利用 平面磨削来实行结合晶圆的薄化，当结合晶圆的厚度达到目标厚度时，便停 止结合晶圆的平面磨削，则由于结合晶圆的厚度是直接测定的，所以不必用 计算来求出结合晶圆的厚度，消除了以往步骤的烦杂性，从而能够作出一种 贴合晶圆，其薄膜厚度可更高精度地达到目标厚度，而完成本发明。以下，使用附图来说明有关本发明的实施方案，但是本发明并非限定于 此实施方案。图1是根据本发明的平面磨削装置的一例的概要图。此平面磨削装置10例如至少具备可旋转的夹头2，用以保持贴合晶圆 1，该贴合晶圆1是将基底晶圆la和结合晶圆lb隔着硅氧化膜等绝缘膜lc 加以贴合而制作出来的，其中基底晶圆la将成为支持衬底，结合晶圆lb是 由硅单晶构成的；可旋转的磨石4，安装在磨石保持部3，用以平面磨削晶圆 的表面；膜厚计5，用来测定支持衬底上的薄膜(结合晶圆)的厚度；以及 控制机构6，当利用膜厚计5所测定的薄膜厚度达到目标厚度，则停止平面 磨削。平面磨削装置IO，利用这样的配置，而成为一种能够高精度地将薄膜的厚度平面磨削至目标厚度为止的平面磨削装置。夹头2、磨石保持部3、磨石4能够使用诸如迪思科(DISCO)公司制造 的DFG-840之类市面上贩卖的磨削盘所配置的部件。膜厚计5只要是能够高精度地测定膜厚的仪器即可，没有特别限定，优 选是光学膜厚计。作为光学膜厚计，能够采用市面上贩卖的反射分光式膜厚 计，但是并没有特别限定。上述膜厚计能够容易地直接测定膜厚，使膜厚测 定误差为0.01pm以下，与现有技术预先测定各个基底晶圆的厚度、然后再 按照该厚度通过计算来设定每次磨削的目标厚度的情况所产生的薄膜厚度的 误差的方式相比，可大幅降低测定误差。此外，平面磨削装置IO若还具有用来测定贴合晶圆1整体的厚度的晶圆
厚度测定计7，则由于可利用测定来确认晶圆整体的厚度，所以是优选的。 作为晶圆厚度测定计，例如能够使用通用型的接触式测定头。可是对于磨削硅晶圆的平面磨削装置，例如由于是以0.1 — l(im/秒的切 削速度来进行磨削的，所以为了要实现士0.3pm的厚度精度，在加工时间上 即使出现0.1秒程度的响应误差，影响也是重大的。因此，要求确实地以低 于0.1秒的周期、优选是0.01秒以下的周期来进行厚度检测。也就是说，如 图4所示，大多是以高速旋转的磨石4使得切屑和磨削水混合而成的浊液11 飞散在晶圆1的表面和周边的环境下进行测定的。由于此浊液11的缘故，光 学膜厚计的测定误差容易变大。测定误差变大的原因，例如是由于浊液11 使得光学膜厚计无法正常地检测反射光，造成测定错误的频率变高。其结果 是，发生响应误差的频率变高，因而有可能使得结合晶圆磨削成目标厚度的 精度降低。因此，优选将晶圆1的表面和光学膜厚计5以及两者之间的区域维持在 光学透明状态，以提高有效的测定频率，使得光学膜厚计的测定误差变小。而且，为了要如上所述将晶圆1的表面和光学膜厚计5以及两者的间的 区域维持在光学透明状态，通过将水供给至光学膜厚计5和晶圆1之间的区 域便能够达成。作为这样的供水装置，例如图5所示，能够将喷嘴状的供水 装置12配置在光学膜厚计5与磨石4之间。此时，若供给的水13的温度过低，则会对加工表面温度造成影响，为了 要进行高精度加工，必须要设法抑制晶圆的变形。例如，优选将供水温度调 整成磨削水的温度加上因加工热而产生的预估温度上升量的温度。此外如图6所示，将水13供给至此光学膜厚计5与晶圆1之间的区域的 装置也可以设置成包围光学膜厚计的外周的圆筒17，以将水13供给至圆筒 17的内部。若设置成具有上述结构的供水装置，则供水位置稳定，能够更确实地将 光学膜厚计与晶圆之间的区域保持在光学透明的状态。此外，如图7所示，也可以设置成在磨石4与光学膜厚计5之间配置 障壁14，使得障壁14的下端可以靠近晶圆1的表面，供水装置12将水13 供给至障壁14的磨石4侧。此外，障壁14也可以配置成包围光学膜厚计5。若这样地构成平面磨削装置10，则大部分从磨石4往光学膜厚计5方向
流动的浊液11会被障壁14遮断。因此，由于可以减少用来排除浊液11的水 13的量，所以可以节省水。此外，例如在晶圆的磨削速度为0.1pm这样较低速度的情况下，即使将 空气供给至晶圆1的表面与光学膜厚计5之间的区域，也能够将晶圆1的表 面和光学膜厚计5以及两者之间的区域保持在光学透明的状态。这样的供气 装置并没有特别限定，例如可以是如图8所示配置于光学膜厚计5与磨石4 之间的喷嘴状的供气装置15。若是这样地构成平面磨削装置，则借助空气气流16，能够将浊液ll从 晶圆1与光学膜厚计5之间的区域排除。此时，由于发生水的气化而使得加工表面温度变化，为了要进行高精度 加工，需要设法抑制晶圆的变形。例如，优选进行温度调整，以补偿由于气 化热而造成的表面温度降低量。而且，将此贴合晶圆1的结合晶圆lb薄化，以形成在支持衬底上形成有 薄膜的晶圆，根据本发明，结合晶圆的薄化是一边使用膜厚计来测量结合晶 圆的厚度一边至少利用平面磨削来进行的，而当结合晶圆的厚度达到目标厚 度时，即利用从控制机构来的停止信号，停止对结合晶圆的平面磨削的切削 动作。若是这样配置，则由于薄膜厚度是直接测定的，所以不会受到基底晶 圆的厚度测定误差的影响，因而能更高精度地将硅单晶薄膜形成为目标厚度。 另外，如前所述，优选用光学膜厚计来进行结合晶圆的厚度测定，平面磨削 的停止能够利用控制机构来进行。此外，如前所述，优选将水或空气供给至贴合晶圆1的表面与光学膜厚 计5之间的区域，借此来排除浊液ll，从而能将贴合晶圆1的表面和光学膜 厚计5以及两者之间的区域维持在光学透明的状态。其结果是，能够使光学 膜厚计的测定误差变小，并能更正确地控制膜厚。作为基底晶圆，例如能够使用硅单晶晶圆、石英、碳化硅、氧化铝、金 刚石等绝缘性晶圆。基底晶圆若是绝缘性晶圆，也可以将其与结合晶圆直接 贴合，来制作贴合晶圆。此外，如上所述进行平面磨削而制造出来的贴合晶圆，在平面磨削停止 后所形成的薄膜的厚度可更高精度地达到目标厚度，相对于目标厚度的误差 能够容易地在土0.3pm以内。也就是说，本发明的贴合晶圆由于是一边直接
测定结合晶圆的厚度一边进行制造而形成的，所以不会发生如现有技术的基 底晶圆的厚度的测定误差和贴合晶圆的整体厚度的测定误差，反映在最终所 形成的薄膜厚度的误差而产生的薄膜厚度的偏差上，由于仅结合晶圆的厚度 的测定误差会反映在薄膜厚度的误差上，所以薄膜厚度能够更高精度地达到 目标厚度。因此，能够作出高成品率、低成本且高品质的贴合晶圆。以下，利用本发明的实施例与比较例来具体地说明本发明，但是本发明 并非限定于这些实施例。 (实施例1)将直径200mm的硅单晶的基底晶圆与其表面己形成有硅氧化膜的硅单 晶的结合晶圆加以贴合，而制作出265枚贴合晶圆。接着，组合迪思科 (DISCO)公司制造的磨削盘DFG-840、通用型的反射分光式膜厚计和规定 的控制机构，来设置成所使用的平面磨削装置，粗磨石采用陶瓷#325、精加 工磨石采用树脂弁2000，对贴合晶圆的结合晶圆进行平面磨削以使其薄化。 平面磨削是一边利用反射分光式膜厚计测定结合晶圆(薄膜)的厚度一边进 行的。此外，同时也利用通用型接触式测定头来测定贴合晶圆整体的厚度。 此时，将薄膜的目标厚度设为65pm。当薄膜厚度达到目标厚度时，利用控 制机构来停止结合晶圆的平面磨削。此时，贴合晶圆整体的厚度为740)am的 程度。图2是示出如上所述制作出来的贴合晶圆的薄膜厚度相对于目标厚度的 误差的度数分布图。在本实施例中，制作出来的贴合晶圆的90%以上的薄膜 厚度相对于目标厚度的误差在土0.3pm以内，能高精度地将结合晶圆平面磨 削成目标厚度的薄膜，确认可使成品率变高。(比较例1)以与实施例1同样的方式，制作出1636枚贴合晶圆。此时，预先测定结 合晶圆的厚度，并将用以识别此厚度的激光标记附加在基底晶圆上。接着， 使用通常的只能够测定晶圆整体厚度的平面磨削装置，将贴合晶圆的结合晶 圆平面磨削来使其薄化。平面磨削是利用通用型的接触式测定头， 一边测定 贴合晶圆整体的厚度一边进行的。按照基底晶圆的厚度，将贴合晶圆整体的 目标厚度设定为740pm左右。另外，此时薄膜的目标厚度设为65pm。而且， 当贴合晶圆整体的厚度达到目标厚度时，停止结合晶圆的平面磨削。然后， 利用反射分光式膜厚计，测定这样形成的薄膜的厚度。图3是示出如上所述制作出来的贴合晶圆的薄膜厚度相对于目标厚度的 误差的度数分布图。在本比较例中，贴合晶圆的薄膜的厚度相对于目标厚度的误差在士0.3pm以内的薄膜，不仅是只有整体的60%程度，而且还超过士 lpm以内的范围，偏差大，无法高精度地将结合晶圆平面磨削成目标厚度的 薄膜。另外，本发明不限定于上述实施方案。上述实施方案只是例示性的，只 要是具有与被记载于本发明所公开的范围中的技术思想实质上相同的配置， 能得到同样作用效果的方案均应包含在本发明的技术范围内。例如在上述实施例中，是使用硅单晶晶圆来作为基底晶圆，但也可以使 用石英、碳化硅、氧化铝、金刚石等的绝缘性晶圆作为基底晶圆，将其与硅 单晶的结合晶圆直接贴合；此外，也能够不隔着绝缘膜而将结合晶圆直接贴 合在基底晶圆上，然后将其薄化。
权利要求
1.一种贴合晶圆的制造方法，其特征为将成为支持衬底的基底晶圆与硅单晶所构成的结合晶圆隔着绝缘膜贴合或是直接贴合而形成贴合晶圆之后，将上述结合晶圆薄化，而在上述基底晶圆上形成硅单晶所构成的薄膜的贴合晶圆的制造方法，其中上述结合晶圆的薄化是一边测定上述结合晶圆的厚度一边至少借助平面磨削来进行的，而当上述结合晶圆的厚度达到目标厚度时，停止上述结合晶圆的平面磨削。
2. 如权利要求1所述的贴合晶圆的制造方法，其中上述结合晶圆的厚度 测定是使用光学膜厚计来进行的。
3. 如权利要求2所述的贴合晶圆的制造方法，其中在测定上述结合晶圆 的厚度时，通过将水供给至上述要被磨削的贴合晶圆与上述光学膜厚计之间 来排除浊液，以使得上述要被磨削的贴合晶圆与上述光学膜厚计之间的区域 成为光学透明状态。
4. 如权利要求2所述的贴合晶圆的制造方法，其中在测定上述结合晶圆 的厚度时，通过将空气供给至上述要被磨削的贴合晶圆与上述光学膜厚计之 间来排除浊液。
5. 如权利要求1至4中任一项所述的贴合晶圆的制造方法，其中使用硅 单晶晶圆或绝缘性晶圆来作为上述基底晶圆。
6. —种贴合晶圆，其特征为其为利用权利要求1至5中任一项所述方法制造出来的贴合晶圆，其中 在上述平面磨削停止后所形成的薄膜的厚度相对于目标厚度的误差在士 0.3(mi以内。
7. —种平面磨削装置，其特征为是利用平面磨削对在支持衬底上形成有薄膜的晶圆进行精加工的平面磨 削装置，至少具备夹头，用来保持上述晶圆；磨石，用来对上述晶圆的表面进行平面磨削；膜厚计，用来测定上述支持衬底上的薄膜的厚度；以及控制机构，当利用该膜厚计测定的上述薄膜的厚度达到目标厚度时，停止平面磨削。
8. 如权利要求7所述的平面磨削装置，其特征为 上述膜厚计是光学膜厚计。
9. 如权利要求8所述的平面磨削装置，其中在上述光学膜厚计和上述晶 圆之间，具备供水装置。
10. 如权利要求9所述的平面磨削装置，其中上述供水装置，具备包围上述光学膜厚计的外周的圆筒，并将水供给至该圆筒的内部。
11. 如权利要求9所述的平面磨削装置，其中在上述磨石和上述光学膜厚 计之间，具备障壁，该障壁被配置成其下端可以靠近上述晶圆的表面；上述 供水装置，将水供给至上述障壁的上述磨石侧。
12. 如权利要求8所述的平面磨削装置，其中在上述光学膜厚计和上述晶 圆之间，具备供气装置。
13. —种平面磨削装置，是针对权利要求7至第12中任一项所述的平面 磨削装置，其特征为更具备用来测定上述晶圆整体的厚度的晶圆厚度测定计。
全文摘要
一种贴合晶圆的制造方法，其中通过将成为支持衬底的基底晶圆与硅单晶所构成的结合晶圆隔着绝缘膜贴合或直接贴合来形成贴合晶圆之后，将上述结合晶圆薄化，而在上述基底晶圆上形成由硅单晶构成的薄膜。上述贴合晶圆的制造方法特征在于，其中结合晶圆的薄化是一边测定上述结合晶圆的厚度一边至少借助平面磨削来进行的，而当上述结合晶圆的厚度达到目标厚度时，停止上述结合晶圆的平面磨削。因此提供了用以提供具有高精度所需膜厚的硅单晶薄膜的贴合晶圆制造方法、贴合晶圆以及能制成具有高精度所需膜厚的硅单晶薄膜的平面磨削装置。
文档编号H01L21/304GK101151713SQ20068001078
公开日2008年3月26日 申请日期2006年3月29日 优先权日2005年4月4日
发明者冈部启一, 吉泽重幸, 宫崎进, 武井时男, 立川胜一 申请人:信越半导体股份有限公司