专利名称：半导体产品的局部和全局布线的形成的制作方法
技术领域：
本发明通常涉及半导体装置的制造，更具体地涉及半导体产品的局部和 全局布线的形成方法。
背景技术：
在半导体装置制造期间，可以在单个半导体产品，即芯片或晶片上形成
许多不同的电路。各电路对于线后端(back-end-of_lme BEOL )布线可以具 有不同的要求，这包括用于缩放来自低层的布线的布线层。为了示出一传统 工艺，图1作为参考，这包括具有不同BEOL布线要求的两个电路(或芯片) A、 B的步骤表。电路A设计为包括6个1X "局部布线"(或"瘦布线") 加上4X "全局布线"(或"胖布线")，并且电路B设计为包括2个IX 局部布线加上2X全局布线而没有4X全局布线。"局部布线"是与具有宽 度X (这里，指定为IX)的第一金属层布线具有基本相同高度和宽度的任 何布线，并且在业界有时称为"瘦布线"，并且"全局布线"是比一大的例 如2X、 4X、 8X.，.等的多个第一金属层布线的任何布线，在业界有时称为"胖 布线"。因而，2X全局布线名义上是局部布线的高度和宽度的两倍，4X全 局布线名义上是局部布线的高度和宽度的四倍，等等。
如同在图1中所示出的，将两个电路A、 B置于相同的半导体产品的传 统方法需要处理总共11个双金属镶嵌铜(也可以是铝或其它金属)层，需 要11次金属沉积和11次化学机械抛光(CMP)步骤。实质上，必须处理电 路A需要的六个局部布线，接着处理电路B需要的4个2X全局布线，接着 处理电路A需要的一个4X全局布线。另外，在完成开始的两个局部布线之 后，电路B需要线路通过电路A需要的剩下的的4个局部布线以某种方式
"建高(carry up)"从而连接到首个2X全局布线。如果不进行重新设计， 则"建高"有可能通过一系列特殊的(垂直布线层)具有通孔和小的金属岛
(即垂直布线)的中间掩模(reticle)完成。在制造电路B的2X层时，也
需要垂直布线层中间掩模用于电路A，并且当制造电路A的4X层时，也需 要垂直布线层中间掩模用于电路B。
根据上述描述，由于涉及复杂的工艺，在相同的晶片上制造具有不同 BEOL布线的两个电路(芯片)是相当麻烦且昂贵的。除了成本效率低之外， 垂直布线因为所有不同的布线需要衬垫而增加了电阻和电容。
考虑到上述观点，在本领域中需要以成本效率高和性能改善的方式在相 同的晶片上形成不同电路(或芯片)的不同BEOL布线的方法。
发明内容
本发明包括在相同的半导体产品，即晶片或芯片上形成不同电路的不同 线后端(BEOL)布线的方法。在一实施例中，所述方法包括同时在第一介 电层内在第 一 电路上方使用双金属镶嵌结构形成BEOL布线，和在第 一介电 层内在第二电路上方使用单金属镶嵌通孔结构形成BEOL布线。然后，同时 在第二介电层内在第一电路上方使用双金属镶嵌结构形成BEOL布线，和在 第二介电层内在第二电路上方使用单金属镶嵌通孔结构形成BEOL布线。单 金属镶嵌通孔结构具有双金属镶嵌结构的通孔部大约两倍的宽度，并且单金 属镶嵌线布线结构具有双金属镶嵌结构的线布线部大约两倍的宽度。本发明 还包括具有不同电路的不同宽度的BEOL布线的半导体产品。
本发明的第 一方面涉及一种在同 一晶片上形成不同电路的不同线后端 (B1':()L)布线的方法，所述方法包括的步骤是提供一结构，包括第一电 路和第二电路以及至少两个在其上方的金属布线层；在第一 BEOL介电层 内，第一电路上方形成具有通孔开孔宽度的第一双金属镶嵌结构；同时在第 二电路上方形成具有大约通孔开口宽度两倍的宽度的单金属镶嵌通孔结构； 在第一双金属镶嵌结构和单金属镶嵌通孔结构内形成金属；沉积包括帽层的 第二BEOL介电层；在第二BEOL介电层内，形成与第一双金属镶嵌结构的 金属接触并且在第 一电路上方的第二双金属镶嵌结构，其具有线布线开口宽 度，同时形成与单金属镶嵌通孔结构的金属接触并且在第二电路上方的单金 属镶嵌线布线结构，单金属镶嵌线布线结构具有第一线布线开口宽度大约两 倍的宽度；并且形成第二双金属镶嵌结构和单金属镶嵌线布线结构内的金 属。
本发明的第二方面包括一种在同 一晶片上形成不同电路的不同线后端(BEOL)布线的方法，所述方法包括的步骤是同时在第一介电层内在第 一电路上方使用双金属镶嵌结构形成线后端(BEOL)布线，和在第一介电 层内在第二电路上方使用单金属镶嵌通孔结构形成BEOL布线；并且同时在 第二介电层内在第一电路上方使用双金属镶嵌结构形成BEOL布线，和在第 二介电层内在第二电路上方使用单金属镶嵌线布线结构形成BEOL布线，其 中单金属镶嵌通孔结构具有双金属镶嵌结构的通孔部的大约两倍的宽度并 且单金属镶嵌线布线结构具有大约两倍的双金属镶嵌结构的线布线部的宽 度。
本发明的第三方面涉及包括第一电路和第二电路的半导体产品，所述产 品包括在第一电路上方的第一线后端(BEOL)介电层内的第一双金属镶 嵌金属结构，第一双金属镶嵌金属结构具有通孔开口宽度；在第一BEOL介 电层内并且在第二电路上方的单金属镶嵌金属通孔结构，单金属镶嵌通孔结 构具有所述通孔开口宽度大约两倍的宽度；在第二 BEOL介电层内第一
Bl':OL层上方和第一电路上方的第二双金属镶嵌金属结构，第二双金属镶嵌 金属结构具有线布线开口宽度；连接到第二电路上方的单金属镶嵌金属通孔 结构的单金属镶嵌线布线结构，单金属镶嵌线布线结构具有第一线布线开口 宽度大约两倍的宽度。
从下列对于本发明的实施例的更具体的描述中，本发明的前述和其它特 征将变得更为显见。
将参考下列附图详细地描述本发明的实施例，其中相似的标号指示相似 的元件，其中
图1示出了传统方法步骤的表。
图2-7示出了根据本发明的一个实施例。
图8示出了图2-7的方法的步骤的表。
具体实施例方式
参考附图，图2-7示出了在对于同一晶片上的不同电路形成不同的线 后端(BEOL)布线的方法的一个实施例。如同在图2中所示出的，第一步 包括提供包括第一电路102和第二电路104的结构100。此时，电路102、
104已经制造有初始的两个局部布线金属层106。结构100可以代表包括电 路102、 104的单芯片，或以不同芯片的形式的包括电^各102、 104的晶片。 这里使用的"电路"可以意指任何电路系统，并且"半导体产品"意指半导 体晶片或芯片。第一电路102和第二电路104对于BEOL布线具有不同的要 求，即在至少两个金属层106之后的布线。还示出了具有在金属层106上方 的例如氮化硅Si3N4的帽层112的第一BEOL介电层110。
图2-3示出了下一步骤，在第一BEOL介电层110内，在第一电^各102 上方形成具有第一通孔开口 124宽度X (图2)的第一双金属镶嵌结构120， 同时在第二电路104上方形成具有通孔开口 124宽度X的大约两倍宽度的 2X宽度(图2)的单金属镶嵌通孔结构126。该步骤可以包括对于第一电路 102形成具有第一通孔开口宽度X的的第一通孔开口 124,同时对于第二电 路104形成单金属镶嵌通孔结构126,并且对第一电路102形成连接到第一 通孔开口 124的第一线布线开口 130从而完成第一双金属镶嵌结构20。开 口形成步骤可以包括任何传统的工艺，例如沉积光致抗蚀剂，构图并且反应 离子蚀刻(RIE)第一 BEOL介电层110。其它的线布线结构(未示出)也 可以在第一BEOL介电层112内与第一线布线开口 130—起形成。
参考图4，下一步骤包括在第一双金属镶嵌结构120 (图3 )和单金属镶 嵌通孔结构126 (图3 )内形成金属140。该步骤可以包括传统工艺，例如开 口帽层112，沉积衬垫142，沉积金属140并且平坦化金属140，即通过化学 机械抛光(CMP)。
图5示出了用任何已知或将来研发的方法沉积包括其下的帽层152的第 二 BEOL介电层的下 一步骤。
图5-6示出了下一步骤，在第二BEOL介电层150内形成与第一双金 属镶嵌结构124的金属140接触并且在第一电路102上方的第二双金属镶嵌 结构220，同时形成与单金属镶嵌通孔结构126的金属140接触并且在第二 电路104上方的单金属镶嵌线布线结构160。如同在图5中所示出的，该步 骤可以包括对于第一电路102形成第二通孔开口 224，同时对于第二电^各104 形成单金属镶嵌线布线开口 160，并且随后对于第一电路102形成连接到第 二通孔开口 224的第二线布线开口 230，从而完成第二双金属镶嵌结构220。 其它的线布线结构(未示出)也可以在第二BEOL介电层150内与第二线布 线开口 230 —起形成。如同在图6中所示出的，单金属镶嵌线布线结构160
具有第一线布线开口 230的宽度Y大约两倍的宽度2Y。还应当理解单金属 镶嵌布线的宽度可以比2Y宽，并且第一线布线开口 230的宽度可以比宽度 Y宽。更具体地，惯例典型地允许大的线宽分布。因而，宽度Y和宽度2Y 是这两种类型布线的最小宽度， 一个是另一个的大约两倍高。
图7示出了所述方法的最后的步骤，包括形成第二双金属镶嵌结构220 和单金属镶嵌线布线结构160内的金属240。该步骤可以包括传统工艺，例 如开口帽层152，沉积衬垫242,沉积金属240并且平坦化金属240,即通过 化学机械抛光(CMP)。
应当理解可以变更形成的结构的宽度。例如，上述实施例采用对应于第 一金属层106布线X、 Y的宽度的通孔开口 124宽度X和线布线开口 230宽 度Y。但是，通孔开口 124宽度和线布线开口 230宽度可以对应于第一金属 层106布线X、 Y宽度的大约两倍，即2X、 2Y。因而，单金属镶嵌结构126， 160可以具有4X、 4Y的宽度。此外，通孔开口 124宽度和线布线开口 230 宽度可以对应于第一金属层106布线宽度X、 Y的四倍，即4X, 4Y。因而， 单金属镶嵌结构126、 160可以具有8X、 8Y的宽度。
还可以对于随后的层重复上述方法。
本发明还包括一种在同一晶片上形成不同电路的不同BEOL布线的方 法，所述方法包括的步骤是同时在第一介电层内使用双金属镶嵌结构在第 一电路上方形成线后端(BEOL)布线，和在第一介电层内使用单金属镶嵌 通孔结构在第二电路上方形成BEOL布线；并且同时在第二介电层内使用双 金属镶嵌结构在第一电路上方形成BEOL布线，和在第二介电层内使用单金 属镶嵌线布线结构在第二电路上方形成BEOL布线，其中单金属镶嵌通孔结 构具有双金属镶嵌结构的通孔部的大约两倍的宽度并且单金属镶嵌线布线 结构具有大约两倍的双金属镶嵌结构的线布线部的宽度。
如同图7中所示出的，本发明还包括半导体产品300，其包括第一电路 102和第二电路104，第一电路102上方的第一 BEOL介电层110内的第一 双金属镶嵌金属结构302，和在第一BEOL介电层110内并且在第二电路102 上方的单金属镶嵌金属通孔结构304。单金属镶嵌金属通孔结构306具有通 孔开口 124宽度X大约两倍的宽度(2X)(图2)。产品300还包括第二BEOL 介电层内第一 BEOL层112上方和第 一电路102上方的第二双金属镶嵌金属 结构308。第二双金属镶嵌金属结构308具有线布线开口 230宽度Y(图6 )。
产品300还包括连接到第二电路104上方单金属镶嵌通孔结构306的单金属 镶嵌金属线布线结构310。单金属镶嵌金属线布线结构310具有第一线布线 开口 230宽度(Y)大约两倍的宽度2Y (图6)。
如上所述，就宽度而言面，各双金属镶嵌金属结构302、 308的线布线 部130、 230具有对应于第一金属层布线的宽度Y。作为替代，各双金属镶 嵌金属结构302、 308的线布线部130、 230可以具有对应于第一金属层布线 大约两倍的宽度。因而，单金属镶嵌金属结构304、 310可以具有4X, 4Y 的宽度。此外，各双金属镶嵌金属结构302、 308的线布线部130、 230可以 具有对应于第一金属层布线大约四倍的宽度。因而，单金属镶嵌金属结构 304、 310可以具有8X, 8Y的宽度。
图8示出了图2-7的方法的步骤的表。图8示出了 CMP步骤的数量是 如何使用上述方法从11减小的(如同在图l-7中所示出的)。应当强调上 述步骤和结构仅是示意性的，并且可以使用本发明以与其它结构组合。此外， 以相似的方式，该工艺可以用"线先(line first)"集成方案。
除了允许具有不同要求的两个电路以成本效率高的方式置于同一晶片 上之外，本发明还可以通过允许在同 一芯片上的不同电3各以不同方式布线而
提高了布线效率。例如，对于进行全局布线之前使用四个局部布线(X)的 一特定电路，和仅在两个局部布线之后就进行2X全局布线更为有效的另一 电路，是有利的。这种情形更加可能出现，因为由于尺寸减小伴随着各项新 技术，金属线的电阻日益增大，并且在一些情形，在完成局部布线之后，尽 快地布线低电阻的路径变得重要。对于仅需要两个局部布线的电路的传统解 决方法是通过两个剩下的局部布线层通过1X通孔和1X线或岛"建高"信 号，但是该传统技术增加了对于电路的电阻(其可以损害性能)，将布线轨 道使用完(其可以损害密度并且甚至驱动对于更多金属层的需求)并且将全 局布线移动得与硅更远(可以对散热不利)。上述方法消除了这些问题。
个1X厚度布线替代一个2X厚度布线，对于第二电路104制造相同的2X布 线图案。在该情形，单金属镶嵌金属结构310 (图7)可以分为两个半高度 布线(都具有等于2X厚度布线的宽度)，其中之一在另一布线上方直接走线， 通过使用通孔中间掩模两次和线中间掩模两次采用大通孔在彼此顶部连接 (在这种情形通孔和线都具有2X宽度但具有1X高度)。但是，相对于该情
形，模型预测(对于适于45nm技术的尺寸的2X胖布线)上述实施例在电 阻(因为该结构产生较少的衬垫体积份额)和总电容方面提供了优越性。更 具体地， 一个2X高度的线比两个IX高度的线具有较小的衬垫份额(三条 线宽度都相同)，导致2X线与1X线对的并联电阻相比具有较低的电阻，因 为金属衬垫(钽)。
在不偏离本发明在所附权利要求中所界定的精神和范围的情况下，可以 进行变化。
工业实用性
本发明在半导体领域内，更具体地在半导体的线后端布线的领域内具有
工业适用性。
权利要求
1.一种对于在同一晶片上的不同电路形成不同的线后端(BEOL)布线的方法，所述方法包括的步骤是提供一结构，包括第一电路(102)和第二电路(104)以及至少两条在其上的金属布线层；在第一BEOL介电层(110)内在第一电路(102)上方形成具有通孔开口宽度的第一双金属镶嵌结构(124)，同时在第二电路(104)上方形成具有所述通孔开口宽度的大约两倍宽度的单金属镶嵌通孔结构(126)；在所述第一双金属镶嵌结构(124)和单金属镶嵌通孔结构(126)内形成金属；沉积包括帽层的第二BEOL介电层(150)；在所述第二BEOL介电层(150)内，形成与第一双金属镶嵌结构(124)的金属接触并且在第一电路(102)上方的具有线布线开口宽度的第二双金属镶嵌结构(220)，同时形成与所述单金属镶嵌通孔结构(126)的金属接触并且在第二电路(104)上方的单金属镶嵌线布线结构(160)，所述单金属镶嵌线布线结构(160)具有所述第一线布线开口宽度大约两倍的宽度；并且在所述第二双金属镶嵌结构(220)和单金属镶嵌线布线结构(160)内形成金属。
2. 根据权利要求1的方法，其中所述第一双金属镶嵌结构(124)和单 金属镶嵌通孔结构(126)的形成步骤包括对于第一电路(102)形成具有所述通孔开口宽度的第一通孔开口，同 时对于第二电路(104)形成单金属镶嵌通孔结构(126);并且对于第一电路(102)形成连接到第一通孔开口的第一线布线开口从而 完成第一双金属镶嵌结构(124)。
3. 根据权利要求1的方法，其中所述第二双金属镶嵌结构(220)和单 金属镶嵌线布线结构(160)的形成步骤包括对于第一电路(102)形成第二通孔开口同时对于第二电路(104)形成 单金属镶嵌线布线开口；并且对于第一电路(102)形成连接到第二通孔开口的第二线布线开口从而 完成第二双金属镶嵌结构(220)。
4. 根据权利要求l的方法，其中M属形成步骤包括 开孔所述帽层；沉积衬垫；沉积所述金属；并且 平坦化所述金属。
5. 根据权利要求1的方法，其中所述通孔宽度和线布线开口宽度对应 于第一金属层布线的宽度。
6. 根据权利要求1的方法，其中所述通孔宽度和线布线开口宽度对应 于第一金属层布线宽度的大约两倍。
7. 根据权利要求1的方法，其中所述通孔开口宽度和线布线开口宽度 对应于第 一金属层布线宽度的四倍。
8. 根据权利要求l的方法，还包括对于随后的层重复所述方法的步骤。
全文摘要
公开了一种对于同一半导体产品，即晶片或芯片上的不同电路形成不同的线后端(BEOL)布线的方法，所述方法包括同时在第一介电层(110)内在第一电路(102)上方使用双金属镶嵌结构(124)形成BEOL布线，和在第一介电层(110)内在第二电路(104)上方使用单金属镶嵌通孔结构(126)形成BEOL布线。然后，同时在第二介电层(150)内在第一电路(102)上方使用双金属镶嵌结构(220)形成BEOL布线，和在第二介电层(150)内在第二电路(104)上方使用单金属镶嵌线布线结构(160)形成BEOL布线。所述单金属镶嵌通孔结构具有双金属镶嵌结构的通孔部的大约两倍的宽度并且所述单金属镶嵌线布线结构具有双金属镶嵌结构的线布线部大约两倍的宽度。此外还公开了对于不同电路具有不同的BEOL宽度的半导体产品。
文档编号H01L21/4763GK101176196SQ200680016656
公开日2008年5月7日 申请日期2006年5月19日 优先权日2005年5月19日
发明者斯蒂芬·E·格雷科, 西奥多勒斯·E·斯坦达尔特 申请人:国际商业机器公司