专利名称：：含有聚酰胺酸或聚酰亚胺的电极图案形成层、以及使用该电极图案形成层的电子器件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及通过溶液涂布来制作电子器件的电极时使用的图案形成层，进一步涉及利用该图案形成层制作的电极以及具有该电极的电子器件。
背景技术：
：如今，在电子器件的制造工序中，关于电极、功能性薄膜的图案形成，主要采用掩模蒸镀法、利用光刻的蚀刻法。在这些以往的方法中，存在基板难以实现大型化、工序繁杂等问题。近年来，针对上述问题，有人提出在功能性薄膜的图案形成中应用利用了液体润湿性差异的分涂技术的方案。该方法是在基板表面制作由易于在液体中润湿的区域和不易在液体中润湿的区域构成的图案形成层，然后在该图案形成层上涂布功能性薄膜形成材料的溶液并使其干燥，仅在易于在液体中润湿的区域形成功能性薄膜的方法。藉此成为制作有机EL(场致发光)元件、有机FET(场效应型晶体管)元件等电子器件的方法。作为上述功能性薄膜用的图案形成层，已知有介以掩模对含有二氧化钛和聚有机硅氧垸的光催化剂含有层照射紫外光得到的层(例如参照专利文献1)、对由染料等具有光吸收部位的化合物和含氟聚合物形成的层进行激光照射或介以掩模进行紫外光照射得到的层(例如参照专利文献2)等。另外，还有人提出介以掩模蒸镀氟类涂布剂的方法(例如参照专利文献3)。另一方面，上述图案形成层完成功能性薄膜的图案形成这一作用后残留在元件中。因此，该图案形成层需具备在其后的工序中的耐久性、即使存在于电子器件中也不对其特性产生不良影响的可靠性。图案形成层的这些必要特性根据制作的器件、图案形成层的使用位置的不同而不同，其中，作为电极的图案形成层，最重要的是电绝缘性。另外，至今为止所提出的方法，只将重点放在作为图案形成层的特性上。因此，例如在有机FET元件的源极和漏极的图案形成时，需要在图案形成层的下面另行准备栅极绝缘膜。另一方面，聚酰亚胺在耐热性、机械强度、电绝缘性、耐化学品性等方面优异，在各种电子器件中被使用。但是，关于将聚酰亚胺在上述的图案形成层中使用的例子还未见报道。专利文献1:日本专利特开2000-223270号公报专利文献2:日本专利特开2004-146478号公报专利文献3:日本专利特开2004-273851号公报发明的揭示本发明鉴于上述情况而完成，其目的是提供使用了作为电子材料的可靠性高的聚酰亚胺类树脂的电极图案形成层。本发明者为了达到上述目的，着眼于聚酰胺酸或聚酰亚胺进行潜心研究，结果发现对具有特定结构的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺进行紫外线曝光，无需使用特殊的添加剂即可用作电极图案形成层。g卩，本发明如下所述。1.电极图案形成层，它是用于利用电极形成液的润湿性的不同来制作任意形状的电极图案的电极图案形成层，通过在含有具有下述通式(1)表示的重复单元的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺的层上，以图案状照射紫外线而制得，<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage5</formula>式(1)中，A表示4价的有机基团，B表示2价的有机基团，A和B分别可以是l种或多种，n为正整数，但是A的至少l种是具有脂环结构的4价有机基团。2.上述1所述的电极图案形成层，在通式(1)中，A表示的具有脂环结构的4价有机基团是选自下式(2)(5)表示的结构的至少l种，<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage6</formula>式(2)中，R1、R2、R3、W分别独立地表示氢、氟或碳原子数14的有机基团。3.上述1或2所述的电极图案形成层，在通式(1)中，10100摩尔％的B是选自下式(6)或式(7)表示的结构的至少l种，<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage6</formula>式中，X分别独立地表示单键、醚键、酯键、硫醚键、酰胺键、可以具有碳原子数为15的支链结构的亚垸基或可以具有碳原子数为15的支链结构的亚垸二氧基，RS表示碳原子数4以下的垸基或全氟烷基，116表示具有碳原子数6以上的长链垸基或含氟长链烷基的l价有机基团，j表示0或l。4.上述13中任一项所述的电极图案形成层，在通式(1)中，A的20摩尔％以上是具有脂环结构的4价有机基团。5.上述14中任一项所述的电极图案形成层，在通式(1)中，B的20摩尔％以上是含有氟原子的2价有机基团或侧链具有烷基或氟化烷基的2价有机基团。6.上述15中任一项所述的电极图案形成层，相对于水或电极形成液的接触角，在紫外线未照射部为50°以上，在紫外线照射部为30°以下。7.电极图案形成层的制造方法，在上述1所述的含有具有通式(1)表示的重复单元的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺的层上，以图案状照射紫外线。8.上述6所述的电极图案形成层，在40J/cn^以下的紫外线的照射量下制成。9.图案电极，通过在上述1所述的电极图案形成层上涂布电极形成液而制得。10.电子器件，具有上述9所述的图案电极。11.有机FET，具有上述9所述的图案电极。本发明涉及的使用电极图案形成层的图案电极的形成方法，与掩模蒸镀法相比，可以形成高精细的图案，并且与光刻法相比，可以简化制造工序。此外，本发明涉及的电极图案形成层还具有优异的电绝缘性，因此可靠性高，可以作为有机FET的栅极绝缘层使用，同时可以大幅简化制造工序。对附图的简单说明图1表示实施例7中，利用由PI-1溶液得到的电极图案形成层制作的图案电极。图2表示实施例7中，利用由PI-2溶液得到的电极图案形成层制作的图案电极。图3表示实施例7中，利用由PI-3溶液得到的电极图案形成层制作的图案电极。图4表示实施例7中，利用由PI-4溶液得到的电极图案形成层制作的图案电极。图5表示比较例2中，使用由PI-7溶液得到的聚酰亚胺膜时的电极形状。图6表示实施例810中制作的有机FET的截面图。图7表示实施例8中利用由PI-3溶液得到的电极图案形成层形成的沟槽长50Mm的有机FET的Id-Vds特性。图8表示实施例9中利用由PI-3溶液得到的电极图案形成层形成的沟槽长25Mm的有机FET的Id-Vds特性。图9表示实施例10中利用由PI-3溶液得到的电极图案形成层形成的沟槽长5tai的有机FET的Id-Vds特性。符号说明1栅极2栅极绝缘膜3电极图案形成层4源/漏极5有机半导体层实施发明的最佳方式下面，进一步详细说明本发明。本发明涉及的电极图案形成层，利用紫外线照射部和未照射部的表面能之差，根据电极形成液的润湿性的不同，形成任意形状的电极。因此，该图案形成层必须通过紫外线的照射导致表面能发生变化的程度可使电极形成液的润湿性出现显著差异。在本发明的电极图案形成层中，通过紫外线照射引起表面能变化的是具有下述通式(1)表示的重复单元的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺，式(1)中，A表示4价的有机基团，B表示2价的有机基团，A和B分别可以是l种或多种，n为正整数，但是A的至少l种是具有脂环结构的4价有机基团。<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage8</formula>紫外线照射引起的上述表面能变化，认为主要由上述A中含有的脂环结构的裂解引起的。因此，上述式(1)的A中，具有脂环结构的4价有机基团的比例越多，表面能的变化越大，因此优选。式(1)的A中，具有脂环结构的4价有机基团的比例不受特殊限制，但优选20摩尔％以上，进一步优选50摩尔%以上，特别优选80摩尔％以上。另外，对上述具有脂环结构的4价有机基团的结构没有特殊限制，作为优选的具体例子，可列举下式(2)(5)，<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage8</formula>式(2)中，R1、R2、R3、W分别独立地表示氢、氟或碳原子数14的有机基团。在上述式(1)中，B的结构不受特殊限制，优选含有l种以上具有氟原子的2价有机基团或侧链具有垸基或氟烷基的2价有机基团。这些2价有机基团可以降低紫外线未照射部的表面能，提高电极形成液的接触角，从而可以形成更微细的图案的电极。式(1)的B中的上述用于降低表面能的2价有机基团的比例不受特殊限制，优选为B的10100摩尔％，进一步优选20摩尔％以上，更优选50摩尔％以上，特别优选70摩尔％以上。含有氟原子的2价有机基团或侧链具有垸基或氟化烷基的2价有机基团的优选具体例子如下所示，但本发明并不限于此，<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage9</formula>式中，X分别独立地表示单键、醚键、酯键、硫醚键、酰胺键、可以具有碳原子数为15的支链结构的亚垸基或可以具有碳原子数为15的支链结构的亚垸二氧基，RS表示碳原子数4以下的烷基或全氟烷基，RS表示具有碳原子数6以上的长链烷基或含氟长链垸基的1价有机基团，j表示0或1。具有上述通式(1)表示的重复单元的聚酰胺酸，可以通过含有至少l种具有脂环结构的四羧酸二酐的四羧酸二酐成分和二胺成分的反应来得到。此时，四羧酸二酐成分以及二胺成分可以分别是1种，也可以多种并用。作为具有脂环结构的四羧酸二酐，可列举l，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、1，2-二甲基-l，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、1，3-二甲基-l，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、1，2，3，4-四甲基-l，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、1，2，3，4-四氟-l，2，3，4-环丁垸四羧酸二酐、1，2，3，4-环戊垸四羧酸二酐、2，3，4，5-四氢呋喃四羧酸二酐、1，2，4，5-环己烷四羧酸二酐、3，4-二羧基-1-环己基琥珀酸二酐、3，4-二羧基-l，2，3，4-四氢-l-萘琥珀酸二酐、二环[3，3，0]辛烷-2，4，6，8-四羧酸二酐、3，3'，4，4'-二环己基四羧酸二酐、2，3，5-三羧基环戊基乙酸二酐、顺-3，7-二丁基环辛-l，5-二烯-l，2，5，6-四羧酸二酐、三环[4.2.1.02'5]壬烷-3，4,7，8-四羧酸-3，4:7，8-二酐、六环[6.6.0.12'7.03'6.19'14.01()'13]十六烷-4，5，11，12-四羧酸-4，5:11，12-二酐等。其中，可以得到上述式(2)的结构的有l，2，3，4-环丁垸四羧酸二酐、1，2-二甲基-l，2，3，4-环丁垸四羧酸二酐、1,3-二甲基-l，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐、1，2，3，4-四甲基-l，2，3，4-环丁垸四羧酸二酐、1，2，3，4-四氟-l，2，3，4-环丁烷四羧酸二酐。可以得到式(3)的结构的有二环[3，3，0]辛垸-2，4，6，8-四羧酸二酐。可以得到式(4)的结构的有3，4-二羧基-l，2，3，4-四氢-l-萘琥珀酸二酐，可以得到式(5)的结构的有2，3，5-三羧基环戊基乙酸二酐。除上述以外，作为可以并用的四羧酸二酐，可列举均苯四酸二酐、3，3'，4，4'-联苯四羧酸二酐、2，2'，3，3，-联苯四羧酸二酐、2，3，3，，4，-联苯四羧酸二酐、3，3，，4，4，-二苯甲酮四羧酸二酐、2，3，3，，4，-二苯甲酮四羧酸二酐、二(3，4-二羧基苯基)醚二酐、二(3，4-二羧基苯基)砜二酐、2，2-二(3，4-二羧基苯基)-1，1，1，3，3，3-六氟丙烷二酐、1，2，5，6-萘四羧酸二酐、2，3，6，7-萘四羧酸二酐、1，2，3，4-丁垸四羧酸二酐等。在式(1)的A中，为了使具有脂环结构的4价有机基团为任意的比例，只要使聚酰胺酸的合成反应中使用的四羧酸二酐成分中具有脂环结构的四羧酸二酐的比例符合目标比例即可。作为二胺成分的具体例子，可列举下述二胺。作为脂环式二胺的例子，可列举l，4-二氨基环己烷、1，3-二氨基环己烷、4，4'-二氨基二环己基甲烷、4，4，-二氨基-3，3，-二甲基二环己胺以及异佛尔酮二胺等。作为碳环式芳香族二胺类的例子，可列举邻苯二胺、间苯二胺、对苯二胺、二氨基甲苯类(例如2，4-二氨基甲苯)、1，4-二氨基-2-甲氧基苯、2，5-二氨基二甲苯类、1，3-二氨基-4-氯苯、1，4-二氨基-2，5-二氯苯、1，4-二氨基-3-异丙基苯、4，4'-二氨基二苯基甲烷、2，2'-二氨基芪、4，4，-二氨基芪、4，4，-二氨基二苯基醚、4，4，-二苯基硫醚、4，4，-二氨基二苯基砜、3，3'-二氨基二苯基砜、4，4，-二氨基苯甲酸苯酯、2，2，-二氨基二苯甲酮、4，4'-二氨基苄基-4-(4'-氨基苯基)苯胺、二(4-氨基苯基)氧化膦、二(3-氨基苯基)甲基氢氧化三烃基硫、二(4-氨基苯基)苯基氧化膦、二(4-氨基苯基)环己基氧化膦、N,N-二(4-氨基苯基)-N-苯胺、N,N-二(4-氨基苯基)-N-甲胺、4，4，-二氨基二苯基脲、1，8-二氨基萘、1，5-二氨基萘、1，5-二氨基蒽醌、二氨基芴类(例如2，6-二氨基芴)、二(4-氨基苯基)二乙基硅垸、二(4-氨基苯基)二甲基硅垸、二(4-氨基苯基)四甲基二硅氧烷、3，4'-二氨基二苯基醚、联苯胺、2，2'-二甲基联苯胺、二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜、4，4'-二(4-氨基苯氧基)联苯、1，4-二(4-氨基苯氧基)苯、1，3-二(4-氨基苯氧基)苯等。作为杂环式二胺类，可列举2，6-二氨基吡啶、2，4-二氨基吡啶、2，4-二氨基-s-三嗪、2，7-二氨基二苯并呋喃、2，7-二氨基咔唑、3，7-二氨基吩噻嗪、2，5-二氨基-l，3，4-噻二唑、2，4-二氨基-6-苯基-s-三嗪等。作为脂肪族二胺的例子，可列举二氨基甲垸、1，2-二氨基乙垸、1，3-二氨基丙烷、1，4-二氨基丁垸、1，6-二氨基己烷、1，7-二氨基庚垸、1，8-二氨基辛垸、1，9-二氨基壬垸、1，10-二氨基癸烷、1，3-二氨基-2，2-二甲基丙垸、1，4-二氨基-2，2-二甲基丁垸、1，6-二氨基-2，5-二甲基己垸、1，7-二氨基-2，5-二甲基庚垸、1，7-二氨基-4，4-二甲基庚烷、1，7-二氨基-3-甲基庚烷、1，9-二氨基-5-甲基壬烷、2，11-二氨基十二垸、1，12-二氨基十八烷、1，2-二(3-氨基丙氧基)乙烷等。另外，通过使用下式(8)或式(9)所示的二胺，作为通式(1)的B，可使其含有上式(6)或式(7)的结构，式中，X分别独立地表示单键、醚键、酯键、硫醚键、酰胺键、可以具有碳原子数为15的支链结构的亚烷基或可以具有碳原子数为15的支链结构的亚垸二氧基，W表示碳原子数4以下的烷基或全氟烷基，RS表示具有碳原子数6以上的长链烷基或含氟长链烷基的l价有机基团，j表示0或l。作为上述二胺的具体例子，可列举2，2-二(4-氨基苯基)丙烷、2，2-二(4-氨基苯基)六氟丙烷、2，2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙烷、4-十六垸氧基-l，3-二氨基苯、4-十八垸氧基-1，3-二氨基苯、4-[4-(4-庚基环己基)苯氧基]-l，3-二氨基苯等。在式(1)的B中，为了使特定结构的2价有机基团为任意的比例，只要使聚酰胺酸的合成反应中使用的二胺成分中与上述特定结构对应的二胺的比例符合目标比例即可。得到聚酰胺酸的聚合反应，可以通过使四羧酸二酐成分和二胺成分在有机溶剂中混合来进行。作为使四羧酸二酐成分和二胺成分在有机溶剂中混合的方法，可列举对有机溶剂中分散或溶解有二胺成分的溶液进行搅拌，直接添加四羧酸二酐成分或先分散或溶解在有机溶剂后再添加的方法；反之，在有机溶剂中分散或溶解有四羧酸二酐成分的溶液中添加二胺成分的方法；交替添加四羧酸二酐成分和二胺成分的方法等。另外，当四羧酸二酐成分或二胺成分由多种化合物形成时，可以先将这些多种成分混合，然后进行聚合反应，也可以分别依次进行聚合反应。使四羧酸二酐成分和二胺成分在有机溶剂中发生聚合反应时的温度，通常为-20150。C，优选08(TC。温度越高，聚合反应结束得越早，但过高时，有时无法得到高分子量的聚酰胺酸。另外，聚合反应虽然可以在任意的浓度下进行，但若浓度过低，则难以得到高分子量的聚合物，若浓度过高，则反应液的粘性过高，难以进行均匀的搅拌，所以优选150重量％，进一步优选530重量％。聚合反应初期在高浓度下进行，之后可以追加有机溶剂。上述反应中使用的有机溶剂，只要是生成的聚酰胺酸能溶解的有机溶剂即可，没有特殊限制，若列举其具体例子，可列举N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基己内酰胺、二甲亚砜、四甲基脲、吡啶、二甲砜、六甲亚砜、Y-丁内酯等。它们可以单独使用或混合使用。此外，即使是不溶解聚酰胺酸的溶剂，也可以在所生成的聚酰胺酸不析出的范围内与上述溶剂混合使用。另外，反应体系内的水分由于会阻碍聚合反应，进而成为导致所生成的聚酰胺酸水解的原因，所以有机溶剂尽量优选使用脱水干燥后的溶剂。此外，优选将反应体系置于氮气氛下，更优选在反应体系的溶剂中边进行氮鼓泡边进行反应。聚酰胺酸的聚合反应中使用的四羧酸二酐成分和二胺成分的比率，按摩尔比优选l:0.81:1.2，该摩尔比越接近l:1，得到的聚酰胺酸的分子量越大。本发明中使用的聚酰胺酸的分子量，从操作容易性和膜形成时的特性稳定性的观点出发，优选重均分子量为2000200000，进一步优选500050000。按上述操作得到的聚酰胺酸，可以在搅拌中的弱溶剂中加入反应液，通过使其再沉淀来精制。此时使用的弱溶剂没有特殊限制，可列举甲醇、丙酮、己垸、丁基溶纤剂、庚垸、甲乙酮、甲基异丁基酮、乙醇、甲苯、苯等。通过再沉淀得到的聚酰胺酸过滤回收后，可以在常压或减压下、在常温下或加热干燥来制成粉末。将该粉末进一步在良溶剂中溶解，反复进行210次再沉淀操作，则聚合物中的杂质减少，制成薄膜时的特性提高。另外，作为此时的弱溶剂，例如使用醇类、酮类、烃类等3种以上的弱溶剂，则可以进一步提高精制效率，因而优选。作为含有具有通式(1)表示的重复单元的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺的层的形成方法，较为简便的方法有将含有上述聚酰胺酸的涂布液在基板上涂布*烧结的方法，或将含有上述聚酰胺酸脱水闭环得到的可溶性聚酰亚胺的涂布液在基板上涂布烧结的方法。用以得到可溶性聚酰亚胺的脱水闭环(酰亚胺化)反应，通常为将上述得到的聚酰胺酸溶液直接加热的热酰亚胺化，或在聚酰胺酸的溶液中添加催化剂的化学酰亚胺化，因为不易引起所得到的可溶性聚酰亚胺的分子量的降低，所以优选较低温度下进行酰亚胺化反应的化学酰亚胺化。化学酰亚胺化可以通过将聚酰胺酸置于有机溶剂中，在碱性催化剂和酸酐的存在下搅拌1100小时来进行。作为碱性催化剂，可列举吡啶、三乙基胺、三甲基胺、三丁基胺、三辛基胺等。其中，因具有使反应进行的适度的碱性而优选吡啶。另外，作为酸酐，可列举乙酸酐、偏苯三酸酐、均苯四酸二酐等。其中，优选乙酸酐，因其在酰亚胺化结束后，所得到的聚酰亚胺的精制易于进行。作为有机溶剂，可以使用上述聚酰胺酸的聚合反应时使用的溶剂。聚酰亚胺的酰亚胺化率可以通过调节催化剂量和反应温度、反应时间来进行控制。此时的碱性催化剂用量优选为酰胺酸基的0.210倍摩尔，进一步优选0.55倍摩尔。另外，酸酐的量优选为酰胺酸基的130倍摩尔，进一步优选110倍摩尔。反应温度优选为-2025(TC，进一步优选0180°C。本发明中使用的可溶性聚酰亚胺的酰亚胺化率不必为100%，也可以是在相对于有机溶剂确保适度的溶解性的范围内部分酰亚胺化的产物。按上述操作得到的可溶性聚酰亚胺可以与上述聚酰胺酸同样地进行精制。含有聚酰胺酸或可溶性聚酰亚胺的涂布液，可以通过将上述聚合物在至少1种溶剂中溶解或均匀分散来得到。涂布液的浓度，作为聚合物成分，优选0.130重量％，进一步优选110重量％。对涂布液的溶剂不受特殊限制，优选使聚酰胺酸或聚酰亚胺溶解的溶剂，其例子可列举N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、2-吡咯烷酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基己内酰胺、二甲亚砜、四甲基脲、吡啶、Y-丁内酯等。它们可以单独使用或混合使用。此外，为了确保涂膜的平坦性、提高涂布液对基板的润湿性、调节涂布液的表面张力、极性、沸点等，也可以与其他溶剂混合。作为这样的溶剂的具体例子，可列举乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、乙基卡必醇、丁基卡必醇、乙基卡必醇乙酸酯等乙二醇衍生物；l-甲氧基-2-丙醇、l-乙氧基-2-丙醇、l-丁氧基-2-丙醇、l-苯氧基-2-丙醇、丙二醇单乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇-l-单甲基醚-2-乙酸酯、丙二醇-l-单乙基醚-2-乙酸酯、二丙二醇、2-(2-甲氧基丙氧基)丙醇、2-(2-乙氧基丙氧基)丙醇以及2-(2-丁氧基丙氧基)丙醇等丙二醇衍生物；乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸正丁酯、乳酸异戊酯等乳酸衍生物等。它们可以单独使用，也可以并用。从提高涂布液的保存性、涂膜的膜厚均匀性的观点出发，优选总溶剂量的2080重量％为选自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、Y-丁内酯及二甲基亚砜之中的至少1种溶剂。另外，为了提高含有聚酰胺酸或聚酰亚胺的层与基板之间的粘附性，还可以在涂布液中添加偶合剂等添加剂。其具体例子可列举3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、2-氨基丙基三甲氧基硅烷、2-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅垸、3-脲基丙基三甲氧基硅垸、3-脲基丙基三乙氧基硅烷、N-乙氧基羰基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-乙氧基羰基-3-氨基丙基三乙氧基硅垸、N-三甲氧基甲硅烷基丙基三乙烯三胺、N-三乙氧基甲硅垸基丙基三乙烯三胺、10-三甲氧基甲硅垸基-l，4，7-三氮杂癸烷、10-三乙氧基甲硅烷基-l，4，7-三氮杂癸烷、9-三甲氧基甲硅垸基-3，6-二氮杂壬基乙酸酯、9-三乙氧基甲硅烷基-3，6-二氮杂壬基乙酸酯、N-苄基-3-氨基丙基三甲氧基硅垸、N-苄基-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三乙氧基硅垸、N-二(氧乙烯基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-二(氧乙烯基)-3-氨基丙基三乙氧基硅垸、乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、三丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、1，6-己二醇二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、2，2-二溴新戊二醇二縮水甘油醚、1，3，5，6-四縮水甘油-2，4-己二醇、N，N，N',N，-四縮水甘油间苯二甲胺、1，3-二(N，N-二縮水甘油氨基甲基)环己烷、N，N,N，，N，-四縮水甘油-4，4，-二氨基二苯基甲烷等。上述含有官能性硅烷的化合物或含有环氧基的化合物的含量，相对于涂布液中的总聚合物重量，优选0.130重量％，进一步优选120重量％。上述涂布液的涂布，可以采取浸渍法、旋涂法、转印印刷法、辊涂法、喷墨法、喷雾法、刷毛涂布等来进行，分别可以形成均匀的薄膜。作为将涂布液涂布于基板后的烧结方法，没有特殊限制，可以使用热板或烘箱，在适宜的气氛下，即在大气、氮等惰性气体、真空等中进行。烧结温度只要可以使溶剂蒸发即可，没有特殊限制，优选在4025(TC下进行。为了进一步提高涂膜的均匀性，并促进基板上的酰亚胺化反应，可以设置2个阶段以上的温度变化。当涂布液含有聚酰胺酸时，有时由于上述烧结而脱水闭环变成聚酰亚胺，当涂布液含有未完全酰亚胺化的聚酰亚胺时，有时由于上述烧结而提高酰亚胺化率。对于本发明的电极图案形成层，可以只含有聚酰胺酸，但从耐溶剂性以及减少极性高的酰胺酸基的观点出发，以酰亚胺化率高为宜。按照上述操作得到的含有聚酰胺酸或聚酰亚胺的层，当过薄时，紫外线照射后的图案形成性降低，而当过厚时，有损表面的均一性。因此，其膜厚优选5nm1000nm，进一步优选10nm300nm，最优选20nm100nm。另外，本发明的电极图案形成层，当绝缘性充分高时，可以单独作为绝缘膜起作用，此时，该电极图案形成层例如可以在有机FET元件中，直接配置在栅极上作为栅极绝缘膜使用。此时，为了确保绝缘性，该电极图案形成层优选比上述情况厚。其膜厚优选20nm1000nm，进一步优选50nm800nm，最优选100腿500應。对本发明的电极图案形成层以图案状照射紫外线的方法不受特殊限制，例如介以绘制有电极图案的掩模进行照射的方法，用激光绘制电极图案的方法等°作为上述掩模，其材质、形状不受特殊限制，只要在必须为电极的区域紫外线可以透过、而此外的区域紫外线不能透过即可。作为所使用的紫外线的波长，通常在100nm400nm的范围内，特别优选根据使用的聚酰亚胺的种类，通过滤光器等选择适宜的波长。本发明的电极图案形成层，通过紫外线照射，其表面能逐渐上升，照射足够量后达到饱和。该表面能的上升使电极形成液的接触角下降，其结果是提高在紫外线照射部的电极形成液的润湿性。因此，如果在本发明的电极图案形成层上涂布电极形成液，则能够沿着电极图案形成层上作为表面能之差而绘制的形状，电极形成液自行形成图案，得到任意图案形状的电极。因此，作为对于电极图案形成层的紫外线的照射量，必须照射使电极形成液的接触角充分变化的量的紫外线，但从能源效率和縮短制造工序的时间的观点出发，优选40J/cn^以下，进一步优选30J/cn^以下，最优选20J/cm2以下。另外，在电极图案形成层的紫外线照射部和未照射部，电极形成液的接触角之差越大，越易形成图案，可以将电极加工成复杂的图案或微细的图案形状。因此，紫外线照射引起的接触角的变化优选在10°以上，进一步优选在30。以上，最优选在50°以上。基于同样的理由，优选电极形成液的接触角在紫外线未照射部为50。以上，在紫外线照射部为30°以下。现在，由于电极形成液的溶剂多采用水，所以也可以将上述电极形成液的接触角简单地用水的接触角来取代。本发明中的电极形成液是指在基板上涂布后通过使其中含有的溶剂蒸发而可以作为电极使用的涂布液。其例子可列举电荷输送性物质至少在1种溶剂中溶解或均匀分散而得的电极形成液。这里，电荷输送性与导电性同义，表示空穴输送性、电子输送性、空穴以及电子的双电荷输送性的任一种。作为上述电荷输送性物质，只要具有能输送空穴或电子的导电性即可，没有特殊限制。其例子可列举例如金、银、铜、铝等金属微粒子，炭黑、富勒烯类、碳纳米管等无机材料等，聚噻吩、聚苯胺、聚吡咯、聚芴以及它们的衍生物等有机7l共轭聚合物等。另外，为了提高电荷输送物质的电荷输送能力，还可以添加电荷接受性物质或电荷提供性物质作为掺杂剂。作为电极形成液的溶剂，只要是使上述电荷输送性物质或掺杂剂溶解或均匀分散的溶剂即可，没有特殊限制。但是，从得到正确的电极图案的观点出发，相对于电极图案形成层的紫外线未照射部，优选显示充分大的接触角且对本发明的电极图案形成层的损害少的溶剂，因此优选水、各种醇类。另外，N，N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、2-吡咯垸酮、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基己内酰胺、二甲亚砜、四甲基脲等极性溶剂对于有机类电荷输送性物质的溶解性也很优异，且相对于电极图案形成层的紫外线未照射部显示充分大的接触角，所以从上述观点出发成为优选，它们在对本发明电极图案形成层损害少的范围内优选使用。电极形成液中电荷输送性物质的浓度优选0.0130重量％，进一步优选0.110重量％，最优选15重量％。本发明涉及的电荷输送性清漆的具体例子，可列举BaytronP(商品名，Bayer公司制)等。本发明涉及的电极，可通过在本发明的电极图案形成层上涂布上述电极形成液，形成图案后，使溶剂蒸发来制作。对溶剂的蒸发方法没有特殊限制，可以使用热板或烘箱，在适宜的气氛下，即在大气、氮等惰性气体、真空等中进行蒸发，从而得到均匀的成膜面。使溶剂蒸发的温度不受特殊限制，优选在4025(TC下进行。从进行更精密的图案形成、呈现更高均匀成膜性等的观点出发，可以设置2个阶段以上的温度变化。由该电极形成液制作的电极，不仅可作为连接电子器件之间的配线使用，还可作为场效应晶体管、双极晶体管、各种二极管、各种传感器等电子器件的电极等使用。本发明涉及的电子器件具有上述本发明的电极。下面，以有机FET元件为例说明电极图案形成层的使用方法，但本发明不限于此。作为基板，准备高掺杂型n型硅基板。基板优选先用洗剂、醇、纯水等进行液体洗涤，净化，在使用前进行臭氧处理、氧-等离子体处理等表面处理。在基板上将Si02、Ta205、Al203等用热酸化、溅镀、CVD、蒸镀等方法进行成膜，形成栅极绝缘膜。栅极绝缘层的膜厚，根据有机FET的用途不同而不同，从兼顾驱动电压和电绝缘性的观点出发，优选在30nm1000nm的范围。然后，在绝缘膜上，如上所述那样形成含有具有上述通式(1)表示的重复单元的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺的层。层的膜厚最优选为20nm100nm。然后，通过以图案状照射紫外线，形成电极图案形成层。接着，将使用水等极性溶剂的电极形成液涂布于电极图案形成层表面。涂布的电极形成液被疏水部(紫外线未照射部)排斥而在亲水部(紫外线照射部)迅速展开并稳定化，通过干燥，形成图案化源极和漏极。电极形成液的涂布方法如旋涂法、流延法等，没有特殊限制，优选易于控制液量的喷墨印刷法、喷雾涂布法。最后，使作为有机FET活性层的并五苯、聚噻吩等有机半导体材料成膜来完成制作。有机半导体材料的成膜方法不受特殊限定，可列举真空蒸镀、溶液旋涂法、流延法、喷墨印刷法、喷雾涂布法等。以上制作的有机FET，其制造工序可大幅减少，而且与掩模蒸镀法相比，可以制作沟槽更短的有机FET，所以即使作为活性层采用低迁移度的有机半导体材料，也可以得到大电流。另外，通过本发明的方法得到的电极图案形成层，由于还具有优异的电绝缘性，所以还可以作为栅极绝缘层使用，制造工序进一步简化。实施例下面，列举实施例和比较例，进一步具体说明本发明，但本发明不限于下述实施例。另外，在下述合成例中，聚酰胺酸或聚酰亚胺的分子量通过装有GPC柱(KD-803/KD-805，夕3々夕^公司制)的GPC装置(SSC-7200，七>-〉二一科学公司制)进行测定。柱温50°C洗脱液N,N-二甲基甲酰胺[作为添加剂，溴化锂一水合物(LiBr'H20)30mmol/L、磷酸无水结晶(o-磷酸)30mmol/L、四氢呋喃(THF)lOml/L]流速1.0ml/分钟校正曲线制作用标准样品Tosoh公司制TSK标准聚环氧乙烷(分子量约900000，150000，100000，30000)以及PolymerLaboratories公司制聚乙二醇(分子量约12000，4000，1000)。另外，关于可溶性聚酰亚胺的酰亚胺化率，将该聚酰亚胺溶解在d6-DMSO(二甲亚砜-d6)中，测定^-NMR，由质子峰的累积值求出未酰亚胺化而残留的酰胺酸基的比率。实施例和比较例中的紫外线照射，采用以高压汞灯为光源的紫外线照射装置(尼康制)，介以使波长254nm附近的紫外线透过的滤光器来进行。另外，关于紫外线的照射量，采用在254nm具有感度的照度计(ORC制UV-M02)，每次测定照度，将该照度乘以照射时间即可算出。另外，该紫外线照射装置产生的波长254nm的照度为3.85.4mW/cm2。水接触角的测定如下所述。即，在恒温高湿环境(25°C±2°C，50%RH±5%)中，使用全自动接触角计CA-W(协和界面化学公司制)，以3wL的液量着液后静止5秒再测定。<合成例1>聚酰胺酸(PI-1)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入4，4'-二氨基二苯基醚(以下简称DDE)8.01g(0.040mol)，使其溶解在N-甲基-2-吡咯烷酮(以下简称NMP)87.6g中后，加入l，2，3，4-环丁垸四羧酸二酐(以下简称CBDA)7.45g(0.038mol)，将其在23。C下搅拌5小时进行聚合反应，进一步用NMP稀释，得到聚酰胺酸(PI-1)的6重量a/。溶液。所得聚酰胺酸(PI-l)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mi^14000，Mw=32600。<合成例2>聚酰胺酸(PI-2)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入对苯二胺1.29g(0.012mol)和4-[4-(4-庚基环己基)苯氧基]-l，3-二氨基苯10.66g(0.028mo1)，使其溶解在NMP111.7g中后，加入CBDA7.77g(0.040mol)，将其在23T下搅拌5小时进行聚合反应，进一步用NMP稀释，得到聚酰胺酸(PI-2)的4重量％溶液。所得聚酰胺酸(PI-2)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mn=14000，Mw=29000。<合成例3>聚酰胺酸(PI-3)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入2，2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷16.42g(O.(HOmol)，使其溶解在NMP135.3g中后，加入CBDA7.45g(0.038mol),将其在23°。下搅拌5小时进行聚合反应，进一步用NMP稀释，得到聚酰胺酸(PI-3)的6重量。/。溶液。所得聚酰胺酸(PI-3)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mr^16000，Mw=35000。<合成例4>聚酰胺酸(PI-4)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入2，2-二[4-(4-氨基苯氧基)苯基]六氟丙垸20.74g(0.040mo1)，使其溶解在NMP159.8g中后，加入CBDA7.45g(0.038mol)，将其在23。C下搅拌5小时进行聚合反应，进一步用NMP稀释，得到聚酰胺酸(PI-4)的6重量％溶液。所得聚酰胺酸(PI-4)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mn^15000，Mw=33100。<合成例5>聚酰亚胺(PI-5)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入DDE7.01g(O.035mol)，使其溶解在NMP88.35g中后，加入二环[3.3.0]-辛垸-2，4，6，8-四羧酸二酐8.58g(0.034mol)，将其在8(TC下搅拌3小时进行聚合反应。将得到的聚酰胺酸溶液用NMP稀释到7重量％。在50g该溶液中添加作为酰亚胺化催化剂的乙酸酐3.0g、吡啶2.3g，在室温下搅拌30分钟后，加热至120。C进一步反应2小时，得到聚酰亚胺溶液。将该溶液投入到大量甲醇中，将得到的白色沉淀过滤、干燥，得到白色的聚酰亚胺粉末。通过^-NMR证实该聚酰亚胺粉末有97%酰亚胺化。将该粉末4g溶解在NMP49.24g和丁基溶纤剂13.43g的混合溶剂中，得到聚酰亚胺(PI-5)的6重量％溶液。所得聚酰亚胺(PI-5)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mi^14500，Mw=31000。<合成例6>聚酰亚胺(PI-6)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入对苯二胺4.86g(0.045mol)、4-十六烷氧基-1，3-二氨基苯1.74g(0.005mol)，使其溶解在NMP122.5g中后，加入3，4-二羧基-l，2，3，4-四氢-l-萘琥珀酸二酐15.01g(0.050mol)，将其在室温下搅拌10小时进行聚合反应。将得到的聚酰胺酸溶液用NMP稀释到8重量％。在50g该溶液中添加作为酰亚胺化催化剂的乙酸酐10.8g、吡啶5.0g，在5(TC下反应3小时，得到聚酰亚胺溶液。将该溶液投入到大量甲醇中，将得到的白色沉淀过滤、千燥，得到白色聚酰亚胺粉末。通过iH-NMR证实该聚酰亚胺粉末有90%酰亚胺化。将该粉末4g溶解在Y-丁内酯52.67g和丁基溶纤剂10g的混合溶剂中，得到聚酰亚胺(PI-6)的6重量％溶液。所得聚酰亚胺(PI-6)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mn=18000，Mw=54000。<比较合成例1>聚酰胺酸(PI-7)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入DDE8.01g(0.040mol)，使其溶解在NMP91.9g中后，加入均苯四酸二酐8.20g(0,038mol)，将其在23。C下搅拌2小时进行聚合反应，进而用NMP稀释，得到聚酰胺酸(PI-7)的6重量%溶液。所得聚酰胺酸(PI-7)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mi^11500，Mw=25200。<实施例1>在具有工TO的玻璃基板(2.5cm四方，厚O.7mm)上，将合成例1中调制的PI-1溶液用装有0.2Wn孔过滤器的注射器进行滴加，利用旋涂法进行涂布。然后，在大气压下，用8(TC的热板加热5分钟，使有机溶剂挥发，接着用230"C的热板烧结15分钟，得到膜厚约lOOrnn的聚酰亚胺膜。测定该聚酰亚胺膜的水接触角，结果为59°。在同样操作得到的聚酰亚胺膜表面，在10J/cra2、20J/cm2、30J/cm2、40J/cm2的条件下照射紫外线，分别测定水接触角。其结果为，以40J/cra2照射紫外线，接触角下降至10。，在电极形成液的图案形成中显示出充分的接触角的变化(49°)。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表l所示。.<实施例2>用合成例2中调制的PI-2溶液，与实施例l同样操作，制作聚酰亚胺膜，分析紫外线照射量和水接触角的关系。但是，在聚酰亚胺膜形成时，有机溶剂挥发后的烧结在21(TC下进行30分钟。其结果是，水接触角在紫外线未照射时为92°，在以40J/cn^照射紫外线时为22。，在电极形成液图案形成中显示出充分的接触角的变化(70°)。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表1所示。<实施例3>用合成例3中调制的PI-3溶液，与实施例l同样操作，制作聚酰亚胺膜，分析紫外线照射量和水接触角的关系。但是，在聚酰亚胺膜形成时，有机溶剂挥发后的烧结在23(TC下进行15分钟。其结果是，水接触角在紫外线未照射时为73°，在以40J/ci^照射紫外线时为9°，在电极形成液图案形成中显示出充分的接触角的变化(64°)。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表1所示。<实施例4>用合成例4中调制的PI-4溶液，与实施例l同样操作，制作聚酰亚胺膜，分析紫外线照射量和水接触角的关系。但是，在聚酰亚胺膜形成时，有机溶剂挥发后的烧结在25CTC下进行30分钟。其结果是，水接触角在紫外线未照射时为84。，在以40J/cm、照射紫外线时为19°，在电极形成液图案形成中显示出充分的接触角的变化(65°)。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表1所示。<实施例5>用合成例5中调制的PI-5溶液，与实施例l同样操作，制作聚酰亚胺膜，分析紫外线照射量和水接触角的关系。其结果是，水接触角在紫外线未照射时为63°，在以40J/cm"照射紫外线时为13°，在电极形成液图案形成中显示出充分的接触角的变化(50°)。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表1所示。<实施例6>用合成例6中调制的PI-6溶液，与实施例1同样操作，制作聚酰亚胺膜，分析紫外线照射量和水接触角的关系。其结果是，水接触角在紫外线未照射时为76。，在以40J/cn^照射紫外线时为13°，在电极形成液图案形成中显示出充分的接触角的变化(63°)。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表1所示。<比较例1>用比较合成例1中调制的PI-7溶液，与实施例1同样操作，制作聚酰亚胺膜，分析紫外线照射量和水接触角的关系。其结果是，水接触角在紫外线未照射时为69°，在以40J/cr^照射紫外线时为62°，在电极形成液图案形成中未显示出充分的接触角的变化。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表1所示。(表l)紫外线照射量和水接触角未照射、10J/cm2、20J/cm2、30J/cm2、40J/cm2实施例159°60。47。23。10。实施例292。83。67。46。22。实施例373。58。22。ir90实施例484。74045。24。19。实施例563。56。34°23。13。实施例676。61。46024。13。比较例169。67。65。63。62。<实施例7>与实施例15同样操作，由PI-lPI-5溶液制作聚酰亚胺膜。在这些聚酰亚胺膜上，介以间隔约0.17mm的间隙配置lcmx0.5cm四方的孔的形状的掩模，图案照射紫外线40J/cm2，制作电极图案形成层。仅在该电极图案形成层上的紫外线照射部，作为电极形成液将BaytronP(型号AI-4083，Bayer公司帝ij)用纯水稀释至5倍的溶液分别滴加20W4(M。此时，电极形成液在紫外线照射部迅速润湿展开，在紫外线未照射部溶液被排斥，即使是宽0.17mm的间隙，溶液也未连接。然后，在大气下，用8(TC的热板干燥60分钟，得到图1图4所示的图案电极。<比较例2>与比较例1同样操作，由PI-7溶液制作聚酰亚胺膜。用该聚酰亚胺膜，与实施例7同样地图案照射紫外线。仅在聚酰亚胺膜的紫外线照射部，作为电极形成液将BaytronP(型号AI-4083，Bayer公司制)用纯水稀释至5倍的溶液分别滴加20W40W。但是，电极形成液未润湿并展开，停留在滴加位置。另外，即使增加液量，也不形成图案，在宽0.17mm的间隙液体连接。然后，在大气下用8(TC的热板干燥60分钟，如图5所示，没有得到图案电极。<实施例8>为了确认电极图案形成层的效果，制作图6所示结构的有机FET。制作顺序如下戶万示。有机FET的栅极l使用n型高掺杂硅基板(4英寸、厚O.5mm)，通过将该n型高掺杂硅基板热氧化，形成厚220nm的SiOj莫，将其作为栅极绝缘膜2。此时，Si02在n型高掺杂硅基板的背面也形成，所以通过在Si02腐蚀剂(HF:H20:NH4F=30ml:180ml:120g)中浸渍15分钟，除去背面的Si02。此时，为了保护n型高掺杂硅基板表面的Si02不受Si02腐蚀剂影响，用旋涂法涂布OFPR-800(东京应化公司制)，用85'C的热板加热，使溶剂挥发，形成表面保护膜。将该n型高掺杂硅基板切成2.5cra四方，接着用剥离剂除去保护膜，用纯水洗涤。将合成例3中调制的PI-3溶液在栅极绝缘膜2上用具有0.2陶孔过滤器的注射器进行滴加，利用旋涂法进行涂布。然后在大气下，用8CTC的热板加热5分钟，使有机溶剂挥发，接着用23(TC的热板进行烧结60分钟，得到膜厚150nm的聚酰亚胺膜。在该聚酰亚胺膜上，介以2个2mmx5mm四方形的开口部间隔50Wn的间隙配置的形状的光掩模，图案照射紫外线40J/cm2，得到电极图案形成层3。仅在该电极图案形成层3的紫外线照射部，作为电极形成液将BaytronPHCV4(H.C.Starck制)用乙醇稀释至1.43倍的溶液分别滴加0.5l.(M。此时，电极形成液在紫外线照射部迅速润湿展开，在紫外线未照射部溶液被排斥。然后，在大气下，于室温放置，直至溶液干燥，然后在12(TC的真空烘箱内加热30分钟，使残留溶剂完全干燥，制作电极。将该电极作为有机FET的源/漏极4。在具有该源/漏极4的电极图案形成层3上，用真空蒸镀装置(Aoyama工程公司制)，将50nm的并五苯(黑金化成公司制)在室温、1(^Pa以下的条件下以每分钟2nm的速度蒸镀，将其作为有机半导体层5。然后，将电极上以及沟槽部以外的不需要的并五苯在不损害Si02膜的前提下削除，制得有机FET。关于制得的有机FET的电特性，为了消除并五苯膜中的水分、氧等杂质的影响，在10"Pa以下的真空中长时间充分放置后，用HP4156C(Agilent公司制)在维持真空的状态下测定。有机FET的漏极电流Io和漏极电压VDS的特性(以下记为Id-Vds特性)的评价如下所述。g卩，在源极接地、向栅极外加-40V栅极电压V(3的状态下，测定在漏极上以-2V为单位外加从0V-40V的漏极电压时源/漏电极之间流动的漏极电流ID，同样地测定当栅极电压Vc为-30V、-20V、-IOV、OV时的漏极电流Io，进行评价。另外，在以漏极电流ID的绝对值的平方根为纵轴，以栅极电压Vc为横轴而绘制的曲线的斜率大致一定的部分作切线，从切线的斜率算出并五苯的迁移度。此时，漏极电流lD的绝对值的平方根采取将漏极电压VDS定于-40V，以-lV单位外加从+20V-40V栅极电压V(3时的值。有机FET的沟槽长用光学显微镜测定，大致为50Pm。另外，电极的形状与光掩模的图案一致。测定该有机FET的ID-VDS特性，得到如图7所示的特性，证实可作为有机FET正常工作。此外，以沟槽长50Pm、沟槽宽5mm、Si02和电极图案形成层的层积膜的静电容量为8.3x10—9F/cm2，算出并五苯的迁移度，结果为0.14cm2/Vs。<实施例9>除了将光掩模的开口部之间的宽度定为25tai外，其他均与实施例8同样操作，制得有机FET。有机FET的沟槽长用光学显微镜测定，结果为约25Pm。测定该有机FET的Id-Vds特性，得到如图8所示的特性，证实可作为有机FET正常工作。此外，关于并五苯的迁移度，除了将沟槽长定为25Pm外，其余均与实施例8同样进行计算，结果为0.11cm"Vs。<实施例10>除了将光掩模的开口部之间的宽度定为5Pm夕卜，其他均与实施例8同样操作，制作有机FET。有机FET的沟槽长用光学显微镜测定，结果为约5^m。测定该有机FET的lD-VDs特性，得到如图9所示的特性，证实可作为有机FET正常工作。此外，关于并五苯的迁移度，除了将沟槽长定为5tol、使漏极电压VDs为-80V外，其余均与实施例8同样进行计算，结果为0.09cm2/Vs。如上所述证实，本发明公开的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺可用作电极图案形成层。<合成例7>聚酰胺酸(PI-8)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入DDE7.41g(0.037mol)，使其溶解在NMP84.06g中后，加入CBDA0.726g(0.0037mol)和均苯四酸二酐6.70g(0.0307mol)，将其在23。C下搅拌5小时进行聚合反应，进一步用NMP稀释，得到聚酰胺酸(PI-8)的6重量n/。溶液。所得聚酰胺酸(PI-8)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mn43192，Mw=31854。<合成例8>聚酰胺酸(PI-9)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入DDE3.60g(0.018mol)，使其溶解在NMP40.70g中后，加入CBDA0.657g(0.00335mo1)和均苯四酸二酐2.92g(0.0134mol)，将其在23'C下搅拌5小时进行聚合反应，进一步用NMP稀释，得到聚酰胺酸(PI-9)的6重量。/。溶液。所得聚酰胺酸(PI-9)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mn-13363，Mw=35809。<合成例9>聚酰胺酸(PI-10)的合成氮气流下，在200mL的四口烧瓶中加入DDE3.60g(0.018mol)，使其溶解在NMP40.07g中，然后加入CBDA1.64g(0.00837mol)和均苯四酸二酐1.83g(0.00837mol)，将其在23。C下搅拌5小时进行聚合反应，进一步用NMP稀释，得到聚酰胺酸(PI-10)的6重量％溶液。所得聚酰胺酸(PI-10)的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)分别为Mn-13037，Mw=32243。<实施例11>在具有ITO的玻璃基板(2.5cm四方，厚0.7mm)上，将合成例7中调制的PI-8的溶液用具有0.2tai孔过滤器的注射器进行滴力B，利用旋涂法进行涂布。然后在大气下，用80'C的热板加热5分钟，使有机溶剂挥发，接着用23(TC的热板烧结60分钟，得到膜厚约200nm的聚酰亚胺膜。测定该聚酰亚胺膜的水接触角，结果为69°。在同样操作得到的聚酰亚胺膜表面，各在20J/cm2、40J/cn^的条件下照射紫外线，分别测定水接触角。其结果为，通过照射40J/cn^的紫外线，接触角下降至51°，在电极形成液图案形成中显示出充分的接触角的变化(18°)。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表2所示。<实施例12>用合成例8中调制的PI-9溶液，与实施例11同样操作，制作聚酰亚胺膜，分析紫外线照射量和水接触角的关系。其结果为，水接触角在紫外线未照射时为68°，在照射40J/cn^的紫外线时为39。，在电极形成液图案形成中显示出充分的接触角的变化(29°)。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表2所示。<实施例13>用合成例9中调制的PI-10溶液，与实施例11同样操作，制作聚酰亚胺膜，分析紫外线照射量和水接触角的关系。其结果为，水接触角在紫外线未照射时为66°，在照射40J/cn^的紫外线时为20°，在电极形成液图案形成中显示出充分的接触角的变化(46°)。另外，各紫外线照射量下的水接触角的测定结果如下表2所示。(表2)紫外线照射量和水接触角<table>complextableseeoriginaldocumentpage23</table>产业上利用的可能性本发明的电极图案形成层可以在各种电子器件的图案电极形成中应用。另外，在此引用2005年6月20日提出申请的日本专利申请2005-179210号以及2005年9月7日提出申请的日本专利申请2005-258620号的说明书、权利要求书、附图以及摘要的全部内容作为本发明的说明书的揭示。权利要求1.电极图案形成层，它是用于利用电极形成液的润湿性的不同来制作任意形状的电极图案的电极图案形成层，其特征在于，通过在含有具有下述通式(1)表示的重复单元的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺的层上，以图案状照射紫外线而制得，式(1)中，A表示4价的有机基团，B表示2价的有机基团，A和B分别可以是1种或多种，n为正整数，但是A的至少1种是具有脂环结构的4价有机基团。2.如权利要求1所述的电极图案形成层，其特征在于，在通式(1)中，A表示的具有脂环结构的4价有机基团是选自下式(2)(5)表示的结构的至少1种，<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage2</formula>(4)式(2)中，R1、R2、R3、W分别独立地表示氢、氟或碳原子数14的有机基团。3.如权利要求1或2所述的电极图案形成层，其特征在于，在通式(1)中，10100摩尔。/。的B是选自下式(6)或式(7)表示的结构的至少l种，<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，X分别独立地表示单键、醚键、酯键、硫醚键、酰胺键、可具有碳原子数15的支链结构的亚烷基或可具有碳原子数15的支链结构的亚烷二氧基，RS表示碳原子数4以下的垸基或全氟垸基，W表示具有碳原子数6以上的长链烷基或含氟长链烷基的1价有机基团，j表示0或1。4.如权利要求13中任一项所述的电极图案形成层，其特征在于，在通式(1)中，A的20摩尔。/。以上是具有脂环结构的4价有机基团。5.如权利要求14中任一项所述的电极图案形成层，其特征在于，在通式(1)中，B的20摩尔％以上是含有氟原子的2价有机基团或侧链具有烷基或氟化烷基的2价有机基团。6.如权利要求15中任一项所述的电极图案形成层，其特征在于，相对于水或电极形成液的接触角，在紫外线未照射部为50°以上，在紫外线照射部为30°以下。7.电极图案形成层的制造方法，其特征在于，在权利要求l所述的含有具有通式(1)表示的重复单元的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺的层上，以图案状照射紫外线。8.如权利要求6所述的电极图案形成层，其特征在于，在40J/cr^以下的紫外线的照射量下制成。9.图案电极，其特征在于，通过在权利要求1所述的电极图案形成层上涂布电极形成液而制得。10.电子器件，其特征在于，具有权利要求9所述的图案电极。11.有机FET，其特征在于，具有权利要求9所述的图案电极。全文摘要本发明提供用于根据电极形成液的润湿性的不同来制作任意形状的电极图案的电极图案形成层，它采用了作为电子材料的可靠性高的聚酰亚胺类树脂。用于根据电极形成液的润湿性的不同来制作任意形状的电极图案的电极图案形成层，通过在含有具有上述通式(1)表示的重复单元的聚酰胺酸或该聚酰胺酸脱水闭环得到的聚酰亚胺的层上，以图案状照射紫外线而制得，式(1)中，A表示4价的有机基团，B表示2价的有机基团，A和B分别可以是1种或多种，n为正整数，但是，A的至少1种为具有脂环结构的4价有机基团。文档编号H01L21/28GK101199041SQ20068002179公开日2008年6月11日申请日期2006年6月19日优先权日2005年6月20日发明者前田真一,小野豪申请人:日产化学工业株式会社