金属膜及其制法、层叠型电子部件制法及层叠型电子部件的制作方法

专利名称：：金属膜及其制法、层叠型电子部件制法及层叠型电子部件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种金属膜及其制法、还有层叠型电子部件的制法及层叠型电子部件，特别是涉及以Ni为主成分的金属膜及其制法、还有将该金属膜作为导体层适用的层叠型电子部件的制法及层叠型电子部件。
背景技术：
：近年来，作为层叠型电子部件代表例的层叠陶瓷电容器，对于小型高容量化的要求，被谋求作为陶瓷层的电介质层的薄层化，同时谋求作为导体层的内部电极层的薄层化。例如，作为内部电极层的导体图案，其形成方法除了利用像溅射和蒸镀等这样的物理性薄膜形成法、或像无电解镀膜这样的化学性薄膜形成法形成在薄膜上的方法(例如，专利文献l)以外，作为适于批量生产的方法，还提出了利用使用了镍等的电解液的电镀法(例如，专利文献2)形成的方法。另外，近年来，本发明者们公开了在镀Ni图案中加入硫等添加物，能够提高陶瓷层上的镀膜的追随性，提高两层间的粘接力(例如，专利文献3)。专利文献1:特开2000—243650号公报专利文献2:特开2002—329634号公报专利文献3:特开2003—309037号公报根据上述方法，导体图案的薄层化能够容易进行。可是，这些薄膜中、特别是利用电镀法获得的镀膜，在该镀膜中含有硫等的情况下，烧成后的导体层中，偏析出熔点为640'C，几乎不固溶于Ni的Ni3S2等金属间化合物。图5是表示将现有金属膜作为半导体使用的层叠型电子部件的内部结构的模式图。该图5表示相对于在长方体状层叠型电子部件的对置位置具备的外部电极方向垂直切断。若像这样将偏析出Ni3S2等金属间化合物的金属膜作为导体图案采用，则如图5所示，在层叠陶瓷电容器内部形成的导体层55的端部收縮，在该端部和陶瓷层57之间容易形成空隙59，因此，存在的问题是由于该空隙而无法在耐热冲击试验中获得可靠性。另外，在采用了上述导体图案的层叠陶瓷电容器的制造中，当采用几乎没有温度分布的实验室级别的烧成炉时，即使是薄层化了的导体层也能够如上所述防止导体层的中断和结构缺陷等。可是，若采用像隧道型连续炉这样的工业用大型生产用烧成炉，同时大量烧成，则由于这种连续炉与实验炉相比炉内的温度差大，从而在烧成温度低的区域所烧成的试料，烧成后导体层端部的收縮降低，而在烧成温度高的区域所烧成的试料烧成后导体层端部的收縮变大，同时，容易发生导体层的中断和空隙等结构缺陷。从而，导体层的有效面积减少，其结果是存在导致批量生产的层叠陶瓷电容器的静电容量下降这样的问题。
发明内容本发明的目的在于，提供一种金属膜及其制法、还有由这样的金属膜形成的层叠型电子部件及其制法，即使是在采用大型生产用烧成炉时也能够抑制导体层端部的空隙的形成、且能够抑制导体图案的不连续部分的发生。本发明者们，为了解决上述课题进行反复的锐意研究，结果发现由以下构成形成的解决方案，直至完成本发明。艮口，本发明的金属膜，是以Ni为主成分的金属膜，该金属膜含有Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素，同时，与所述金属膜中央部相比周边部更高浓度地存在所述Mn和所述从周期表3A6A族元素组中选择的元素。另外，在上述金属膜中，优选是其金属膜周边部的Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素的总浓度与所述中央部上它们的总浓度相比在1.053倍的范围。优选是所述金属膜中Mn的含量为2X10一'5质量％。优选是所述金属膜中从周期表3A6A族元素组中选择的元素的含量为1X10—"3X10—'质量M。另外，所述金属膜中从周期表3A6A族元素组中选择的元素优选是硫、硼及磷。这种金属膜的制法，具备以下工序采用含有Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素的镀Ni液，在电流密度4.520A/dn^的条件下，在基体材料上与Ni—起析出Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素的工序。上述金属膜在上述镀Ni液中含有的全部金属成分中，优选是Mn的含量为2X10—'5质量％，从周期表3A6A族元素组中选择的元素的含量为1X10—"3X10—)质量0/0。并且，采用上述金属膜所获得的本发明的层叠型电子部件的制法，包括以下工序在陶瓷生片上转印上述金属膜、形成在陶瓷生片上形成有导体图案的图案片的工序和层叠多个该图案片后进行烧成的工序。这样获得的本发明的层叠型电子部件，是具备陶瓷层及导体层交替层叠而成的电子部件本体的层叠型电子部件，所述导体层利用上述金属膜获得。发明效果根据本发明，在以Ni为主成分的金属膜的周边部，同时存在Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素，比该金属膜的中央部高浓度地偏析出来，从而，金属膜周边部的熔点高，因而能够抑制由于加热造成的收縮。另外，由在金属膜周边部偏析出来的Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素形成金属间化合物，因而，若作为电子部件等的导体层使用，能够抑制加热时的塑性变形和收縮等，因此，能够提高作为导体层的有效面积，能够提高与陶瓷层的粘接性。并且，若适用这种金属膜作为层叠型电子部件的导体层，导体层端部的收縮变小，能够减小与陶瓷层之间的空隙，从而能够提高相对于耐热冲击试验等的可靠性。再有，采用了这种金属膜的层叠型电子部件，即使在温度不均匀的批量生产炉中也能够抑制导体层的烧成收縮不均匀，抑制烧成后导体层的中断和空隙等结构缺陷，能够实现高容量化。另外，根据本发明的金属膜的制法，当在以Ni为主成分的金属膜中含有Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素的情况下，采用的是将这些元素溶解在镀Ni液中利用电镀析出的方法，从而与镀膜的中央部相比，能够容易在周边部偏析出这些元素。图1是本发明的金属膜的俯视图。图2是表示用以制作本发明的金属膜的镀Ni浴的模式图。图3是表示用以制作本发明的层叠陶瓷电容器的工序图。图4是本发明的层叠型电子部件的概略剖视图。图5是表示采用现有的金属膜作为导体层的层叠型电子部件的内部结构的模式图。具体实施例方式(金属膜)关于本发明的金属膜进行说明。图1是本发明的金属膜的俯视图。本发明的金属膜1以Ni为主成分，含有Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素(以下，称为"3A6A族元素")。另外，对于本发明的金属膜1而言，与所述金属膜1的中央部3相比在周边部5高浓度地析出Mn和3A6A族元素，这点很重要。在金属膜1的周边部不偏析上述Mn和3A6A族元素的金属膜1，不会提高其周边部5的熔点，因而很难抑制由于加热造成的收縮。还有，本发明中，与所述金属膜l的中央部3相比在周边部5高浓度地析出Mn和3A6A族元素的状态，与之相当的情况是关于Mn和3A6A族元素加在一起的浓度(总浓度)选取中央部3及周边部5各4处以上进行评价，周边部/中央部关系中的平均值的比率为1.05以上。在此，所述周边部5随着金属膜1的大小而不同，因此并没有特别限定，不过，在例如长边5mm、短边1.5mm的金属膜1中是指距其端缘0.10.7mm、优选是0.10.4mm的范围，另外，将由该周边部5包围的中心侧称为中央部3。艮P，本发明的金属膜l中，优选是其金属膜1的周边部5的Mn和S等添加元素的总和浓度是同一面的中央部3的1.053倍的范围。若周边部5的Mn和S等添加元素的总和浓度是中央部3的1.05倍以上，则能够设定与Mn和S等添加元素量少的中央部3的差，从而能够抑制烧成收缩、容易在端部形成空隙这些镀制金属膜1的周边部5的变形。另一方面，若周边部5的Mn和S等添加元素的总和浓度是中央部3的3倍以下，则能够接近以Ni为主成分的金属膜1的刚性，能够维持该金属膜1相对于粘接的构件的追随性，能够维持作为中央部3和周边部5的金属膜l的连续性。另夕卜，本发明的金属膜l中与中央部3相比高浓度偏析出上述Mn和3A6A族元素的周边部5的宽度，优选是至少大于相当于其金属膜1厚度尺寸的宽度。若使金属膜1的周边部5的宽度至少大于相当于其金属膜1厚度尺寸的宽度，则具有的优点是能够提高由于其周边部5中添加元素的高浓度层而产生熔点上升的效果。还有，本发明的金属膜l，Mn和3A6A族元素高浓度的区域也可以只剩下一部分中央部3，在几乎整个面上形成。若Mn和3A6A族元素高浓度的区域在金属膜1的几乎整个面上形成，则具有的优点是能够在整个面上抑制金属膜1由于加热造成的收縮。本发明的金属膜1中Mn的含量在抑制由于生成的金属间化合物而造成的金属膜l本身的熔融、确保要求的有效面积方面，优选为2X10一15质量％。若金属膜l中上述Mn的含量为2X10—i质量。/。以上，则用来提高Ni熔点的Mn添加效果提高、在抑制加热时的收縮上有利。另一方面，若金属膜l中上述Mn的含量为5质量M以下，则在能够提高以Ni为主成分的金属膜1的导电性、同时能够抑制由于Mn的添加而刚性增加从而维持向粘接的构件的追随性上有利。本发明的金属膜1在其膜中含有从3A6A族元素组中选择的元素的浓度。如果用元素符号表示，则作为周期表3A族元素，分别例示为B、Al、Ga、In，作为4A族元素，分别例示为C、Si、Ge、Sn、Pb，作为5A族元素，分别例示为P、As、Sb、Bi，作为6A族元素，分别例示为S、Se、Te、Po。作为3A6A族元素只要能够向镀浴中溶解，任意成分均能够采用，不过，从减少由于向陶瓷层固溶而对特性的影响这个理由来说，优选是硫(S)、硼(B)、磷(P)中的任意一种，特别是从即使添加3A6A族元素也抑制含Ni的镀浴的PH值和离子浓度等的变动这个理由来说，特别优选是硫(S)。若对以Ni为主成分添加有Mn的金属膜1再添加3A6A族元素，则由于在Mn和3A6A族元素间形成高熔点的金属间化合物，从而能够提高金属膜l的熔点。该金属膜1中的3A6A族元素含量在抑制由于生成的金属间化合物而造成的金属膜1本身的熔融、确保要求的有效面积方面，优选为1X10—}3X10—1质量％。若金属膜1中3A6A族元素的含量为1X10—1质量%以上，则所述元素成分在整个金属膜1上分散，形成合金的区域变多，对于形成更牢固的接合部有效。另一方面，若3A6A族元素的含量为3X10—1质量％以下，则这也与Mn同样能够提高以Ni为主成分的金属膜1的导电性、同时能够抑制刚性增加从而维持向粘接的构件的追随性。本发明的金属膜1作为以陶瓷层和有机树脂形成绝缘层的电子部件和配线基板用的导体层有用，特别是如上所述具有能够抑制在与绝缘层之间生成空隙、另外还提高加热后的粘接性的优点。从而，其厚度优选是能够在绝缘层上降低阶梯差这种程度的厚度，特别是作为适于层叠几百层的层叠陶瓷电容器等的厚度为lum以下，作为下限值从具有导电性、同时加热后也能够抑制由于烧成收縮造成的不连续层这个理由来说，优选为0.1lim以上。还有，本发明的金属膜1中金属成分的定量分析能够在将该金属膜1溶解在酸等中后利用ICP质量分光分析(ICP—MS)进行评价。另外，该金属膜1中Mn和3A6A族元素的分布能够利用飞行时间型2次离子质量分析装置(TOF—SIMS)进行评价。另外，金属膜1的厚度能够利用其金属膜1的截面的电子显微镜照片进行评价。(金属膜的制法)接下来，关于本发明的金属膜1的制法进行说明。图2(a)是表示用以制作本发明的金属膜l的镀Ni浴的模式图。本发明的制法中，首先准备含有Mn(Ml)和3A6A族元素(M2)的镀Ni液ll。接下来，用该镀Ni液11，如图2(b)所示，在形成有抗蚀图案13的铁上镀膜的结构或不锈钢等金属构件15上，利用电镀法与Ni—起析出Mn和3A6A族元素，通过调整外加的电压和通电时间，从而形成在周边部5高浓度地析出Mn和S等添加元素的本发明的金属膜1。此时，镀膜条件采用电流密度为4.520A/dm2很重要。若电流密度为上述4.520A/dm2的范围中特别是5.515A/dm2的范围，则能够同时析出Mn和3A6A族元素，关于Mn和3A6A族元素的总和浓度，能够将金属膜1的周边部5相对于中央部3的浓度比调整在1.34倍的范围。若金属膜1的周边部5相对于中央部3的浓度比在1.34倍的范围，则能够提高金属膜1烧成后的有效面积，能够提高静电容量。另外，本发明的制法中，从形成更高结晶性且更高纯度的镀膜这个理由来说，由于添加的3A6A族元素不同而分别具有合适的范围，在镀Ni浴中添加有硫的物质中，其pH值优选是在3.55的范围内。接下来，根据需要，可以将在金属构件15上形成的以Ni为主成分的镀膜转印到涂布有粘结剂的聚酰亚胺和聚酯等有机树脂片等的基体材料上。本发明的金属膜l优选是在该状态下进行保存。(层叠型电子部件的制法)接下来，关于本发明的层叠型电子部件的制法进行说明。图3是作为本发明的层叠型电子部件的一例表示用以制作层叠陶瓷电容器的工序图。(a)首先，准备利用上述制法制作的金属膜21a。(b)将该金属膜21a转印到陶瓷生片21b上，形成图案片21。构成陶瓷生片21b的电介质材料在高介电常数这点上最好以钛酸钡为主成分，该电介质材料优选是含有各种添加剂和玻璃成分，以谋求介电特性以及烧结性的提高。陶瓷生片21b的厚度在高容量化这点上优选为3Pm以下，作为烧成后的电介质层的厚度优选为2um以下。(c)接下来，层叠多个图案片21，形成层叠成形体25，之后，(d)将层叠成形体25呈格子状切断(线22表示一部分切断部位)，形成电子部件本体成形体。该电子部件本体成形体层叠成使金属膜21a在每1层都露出于一方的端面。接下来，将该电子部件本体成形体进行烧成，形成电子部件本体。如上所述，本发明的金属膜21a以Ni为主成分，含有Mn和3A6A族元素，特别是与所述金属膜1的中央部3相比在周边部5更高浓度地偏析出Mn和3A6A族元素。如上述制法，若将这种金属膜21a与陶瓷生片21b同时烧成，则在烧成前与金属膜21a的中央部3相比在周边部5更高浓度地偏析出上述Mn和S等元素，经过烧成，在周边部5偏析出更多，由此能够扩展金属膜21a的周边部5的高熔点区域。再有，不仅是周边部5也向表面侧扩展存在，这样一来，添加元素存在于金属膜21a的周边部5和表面侧，从而能够进一步提高与邻接的陶瓷层之间的粘接性。作为在本发明的金属膜21a及烧成后的金属膜21a(导体层)中形成的金属间化合物，在含有例如Mn及硫(S)的情况下，在与作为镀膜主成分的Ni金属之间，都分散形成MnS等金属间化合物。此时，在导体层和陶瓷层的界面，与Ni金属材料单体相比较，上述金属间化合物容易与形成陶瓷层的陶瓷化合，因而能够提高导体层和陶瓷层的接合性。(层叠型电子部件)图4(a)是表示相对于在长方体状层叠型电子部件两端设置的外部电极的对置方向垂直的截面的横截面的模式图，图4(b)是表示同一层叠型电子部件上的外部电极的对置方向的截面的纵截面的模式图。本发明的层叠陶瓷电容器如图4所示，在长方体状电子部件本体41两端部形成外部电极43，该电子部件本体41交替层叠导体层45和陶瓷层47而构成。导体层45在电子部件本体41的对置两端面交替露出，与外部电极43交替电连接。在此，本发明的层叠型电子部件的导体层45以M为主成分，与所述金属膜1的中央部3相比在周边部5更高浓度地存在Mn和3A6A族元素，从而能够抑制导体层45端部形成空隙，且抑制导体图案发生不连续部分。并且，即使采用大型生产用烧成炉的情况下，因为金属膜21a的收缩不均匀降低，所以也能够抑制导体层45的有效面积的不均匀。另外，根据本发明，如果导体层45中含有Mn，且陶瓷层47中含有Si，就能够在导体层45和陶瓷层47的界面上形成Mn—Si的复合氧化物，基于该复合氧化物能够进一步提高它们两层间的粘接性，能够提高耐热冲击性。实施例1关于本发明的金属膜21a及层叠型电子部件，制作层叠陶瓷电容器进行评价。首先，作为基体材料采用实施了镜面加工的不锈钢板制的基板，在其表面涂布感光性抗蚀树脂，形成抗蚀图案。抗蚀图案是将矩形状的图案排列成多个锯齿状。1个图案的大小是长边5mm、短边1.5mm。接下来，利用含有Mn和3A6A族元素的镀Ni液ll进行电镀，在不锈钢板制的基板上形成这些添加元素具有规定含量的厚度0.3um的镀Ni膜。此时，将例如含有3A6A族元素的硫酸离子溶解在镀浴中，Mn是溶解硫酸锰，与Ni阳极组合进行电解的。金属膜21a中各元素成分的浓度调整通过改变镀浴中的元素浓度及镀敷时的电流密度进行。另一方面，在以BaTi03为主成分的电介质粉末中混合规定量的有机粘结剂、可塑剂、分散剂及溶剂，利用振动研磨机，粉碎、混合，调制成生料后，利用金属型涂料机在由聚酯构成的载体薄膜上制作厚度2.4um的陶瓷生片。接下来，将上述以Ni为主成分的金属膜21a放置在陶瓷生片21b上，在8(TC、80kg/cr^的条件下，进行热压接转印，制作转印有导体图案的图案片21。层叠200个该图案片21，经由温度10(TC、压力200kgf7cm2的条件下的层叠冲压制作层叠成形体。之后，将该层叠成形体呈格子状切断，获得电子部件本体成形体，接下来，将该电子部件本体成形体在非氧化性气氛中、在30(TC50(TC下进行脱粘合剂(binder)处理，之后在相同气氛中在1170。C下烧成2小时，制作电子部件本体。最后，对于如此获得的电子部件本体，在露出导体层45的各端面涂布含有玻璃粉末的Cu膏剂后，在氮气氛中进行焙烧，再在该外部电极43表面形成镀Ni膜及镀Sn膜，制作具有与内部电极层电连接的外部电极43的层叠陶瓷电容器。如此获得的层叠陶瓷电容器的外形尺寸是宽度1.25mm、长度2.0mm、厚度1.25mm，夹在内部电极层间的电介质层的厚度为2um。设计成导体层45相对于陶瓷层47的占有面积达到70%。(试料No.110)在上述层叠陶瓷电容器的制作中，作为3A6A族元素，采用硫、硼及磷，这些元素和Mn的含量设定为表l所示的值，另外，镀敷时的电流密度设定为表l所示的值，制作试料No.110。(浓度测定)关于通过电镀获得的金属膜21a，采用TOF—SIMS用计数评价Mn和3A6A族元素的浓度分布。此时，关于镀敷后的金属膜21a，选择3个长边5mm、短边1.5mm、厚度0.3mm的金属膜21a，关于其各图案任选4处金属膜21a面的中央部3进行4点评价，另外，选择相同金属膜21a的4边的周边部5(距端缘0.2mm的地方)各1处进行4点评价，对它们进行平均化，求出中央部3和周边部5的浓度比。还有，求所述浓度比时的浓度是Mn和3A6A族元素加在一起的元素数的浓度(总浓度)。另外，金属膜21a中的金属元素含量利用ICP—MS进行评价。(静电容量测定)关于烧成后获得的层叠陶瓷电容器测定各IOO个初期静电容量(C)。测定是在基准温度25'C下进行，在频率l.OkHz、输入信号级别0.5Vrms的条件下进行测定。作为目标的静电容量值为4.7^F。(评价)关于上述获得的层叠陶瓷电容器的试料，进行耐热冲击试验，调查分层(delamination)的产生数从而进行评价。耐热冲击试验是通过设定钎料浴的温度为40(TC，将层叠陶瓷电容器的试料浸渍在该浴中，调查分层的产生数而进行的。表1表示结果。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>*号表示本发明范围以外的试料。注)由于镀敷时从基体材料剥离从而无法评价。如表l的结果所表明，采用含有本发明范围内的Mn和3A6A族元素的镀Ni液、在本发明范围内的电流密度的条件下制作的金属膜，与所述金属膜21a的中央部3相比在周边部5更高浓度地偏析出Mn和3A6A族元素(试料No.37、9、10)。这些采用金属膜21a的试料No.37、9、10，在层叠陶瓷电容器的截面观察中在内部的导体层45端部没有发现空隙，能够实现静电容量9.5uF以上，另外，在耐热冲击试验中分层产生数为1/100以下，也是良好结果。另一方面，镀Ni膜中不含有Mn的试料No.1及采用即使含有Mn和S金属膜21a的中央部3和周边部4也不具有浓度差的金属膜21a的试料No.2，烧成后的静电容量值低或在耐热冲击试验中产生4/100个以上的不良分层。另外，电流密度设定为30A/dn^的试料No.8，在镀敷时金属膜21a从基体材料剥离，无法制作层叠陶瓷电容器。实施例2接下来，关于实施例l中试料No.27的层叠陶瓷电容器在表2所示的烧成温度范围内进行烧成，制作试料，进行同样的评价。表2表示结果。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>*号表示本发明范围以外的试料。作为采用本发明的金属膜21a的试料的No.1216，烧成温度为11501200°C，显示与117(TC下的特性同等程度的静电容量，耐热冲击试验中的不良率也在1/100个以下。另一方面，采用本发明外的复合金属粉末的试料No.ll，烧成温度为1150120(TC，静电容量低到9yF以下，或者耐热冲击试验中的分层产生数多，另外，随着烧成温度不同还产生差异。权利要求1.一种金属膜，是以Ni为主成分的金属膜，其特征在于，该金属膜含有Mn和从周期表3A～6A族元素组中选择的元素，同时，与所述金属膜的中央部相比周边部更高浓度地存在所述Mn和所述从周期表3A～6A族元素组中选择的元素。2.根据权利要求1所述的金属膜，其特征在于，所述金属膜周边部的Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素的总浓度与它们在所述中央部的总浓度相比在1.053倍的范围内。3.根据权利要求1所述的金属膜，其特征在于，所述金属膜中Mn的含量为2X10—'5质量％。4.根据权利要求l所述的金属膜，其特征在于，所述金属膜中从周期表3A6A族元素组中选择的元素的含量为1X10一'3X10—"质量0/0。5.根据权利要求1所述的金属膜，其特征在于，所述金属膜中从周期表3A6A族元素组中选择的元素从由硫、硼及磷构成的组中选择。6.—种金属膜的制法，其特征在于，具备以下镀敷工序采用含有Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素的镀Ni液，在电流密度4.520A/dr^的条件下，在金属构件上与Ni—起析出Mn和从周期表3A6A族元素组中选择的元素。7.根据权利要求6所述的金属膜的制法，其特征在于，在所述镀Ni液中含有的全部金属成分中，Mn的含量为2X10—55质量％，从周期表3A6A族元素组中选择的元素的含量为1X10—]3X10—'质量。/。。8.—种层叠型电子部件的制法，其特征在于，包括以下工序在陶瓷生片上转印权利要求15中任意一项所述的金属膜、从而形成在陶瓷生片上形成有导体图案的图案片的工序和层叠多个该图案片后进行烧成的工序。9.一种层叠型电子部件，其具备陶瓷层及导体层交替层叠而成的电子部件本体，其特征在于，所述导体层由权利要求1所述的金属膜构成。全文摘要本发明提供一种金属膜，含有Mn和从周期表3A～6A族元素组中选择的元素，同时，将与所述金属膜的中央部相比周边部更高浓度地存在该Mn和从周期表3A～6A族元素组中选择的元素的以Ni为主成分的金属膜用作导体层，由此提高金属膜周边部的熔点，从而能够抑制加热引起的收缩。因而，若将所述金属膜用作电子部件等的导体层，则能够抑制加热时的塑性变形及收缩，所以能够提高作为导体层的有效面积，能够提高与陶瓷层的粘接性。文档编号H01G4/12GK101688321SQ20068003094公开日2010年3月31日申请日期2006年8月21日优先权日2005年8月29日发明者山口胜义申请人:京瓷株式会社