专利名称：：电子零件封装的制作方法
技术领域：
：本发明涉及电子零件封装，更具体地涉及能够向外有效散热的电子零件封装。
背景技术：
：发光二极管(在下文中被称为LED)是能够提供不同颜色的半导体器件。LED的发光源由诸如GaAs、AlGaAs、GaN、InGaN和AlGalnP的不同的化合物半导体材料形成。目前，半导体器件已经广泛地应用于封装形式的电子元件。一般而言，用于确定LED器件性能的标准是颜色、亮度和亮度的强度范围。LED器件的性能由LED器件中使用的化合物半导体材料来确定。此外，性能受到芯片安装在其上的封装结构的显著影响。普通的灯型LED封装和表面安装型LED封装示于图1中。在图1A中所示的灯型LED封装10包括两个引线框3a和3b。具有杯形的金属电M面形成在引线框3b之上。LED器件5安*^引线框3b的上部。灯型LED封装10通过由透明模制树脂形成的半球壳7来封装。同时，示出在图1B中的表面安装型LED封装20提供有由模制环氧树脂形成的封装体ll。封装体ll包括具有预定倾角的空腔。该空腔形成在与LED器件15将要安装在其中的发光器件的安装区域相对应的区域中。LED器件15安装在封装体11的发光器件的安装区域中。LED器件15通过引线13连接到图案电极(未示出)。在灯型LED封装10中，半球壳7用作透镜以控制亮度分布。特别地，取决于壳7的形状,可以将亮度分布控制变窄。如果将亮度分布控制变窄，则可以以预定角度来增加亮度。此外，因为从发光源发射出的光在金属电M面上被^^射，所以可以增加亮度。同时，在表面安装型LED封装20中，亮度分布由于封装而变宽，并且亮度低。如上所述，亮度和亮度分布显著地受封装结构影响。如果高输出LED器件用于增加使用模制树脂的表面安装型LED封装的亮度，则散热量由于模制树脂的非常低的热导率而增加，从而负面影响封装。当高输出LED器件安装在封装中以增加亮度时，热导率比模制树脂的热导率高的陶瓷基底用作封装的基底。然而，在使用陶瓷基底的LED封装中，像使用模制树脂的表面安装型LED封装一样，难以控制亮度和亮度分布。即，诸如树脂模制的注入模制过程由于陶资基底材料的性质而不能应用到陶瓷基底。通过使用沖压过程、层压过程或切削过程来形成陶资基底。通常，因为陶乾基底的发光器件的安装区域通过冲压来形成以便具有槽形，所以难以形成具有预定^^射角的发光器件的安装区域的侧面。参考图2将给出关于此的说明。图2A是由陶瓷基底形成的公知LED封装的横截面视图。LED封装30由两个陶瓷基底21和22形成。陶瓷基底21和22中的每个具有多个陶瓷片被层压的结构。设置在LED封装下侧的陶瓷基底21在其上表面上具有LED器件25安装在其上的安装区域。通过引线27连接到LED器件25的电极23通过LED封装的两侧从安装区域延伸到封装的下表面。设置在LED封装的上侧的陶资基底22包括预定的空腔以包围LED器件25的安装区域。与此有关，因为LED器件25的安装区域的空腔通过4吏用冲压过程或切削过程来形成，所以如图所示，空腔的截面总是垂直地形成。由于上述特征，因为与由模制树脂形成的封装不同，空腔的截面是垂直地形成的，所以存在不可能形成极好的反射膜的问题。结果，在使用陶瓷基底的LED封装中，只有通过控制LED器件的安装区域的面积和构成LED封装侧壁的基底高度，才可以进行调整。因此，难以制造具有能够满足用户不同需要的亮度和亮度角分布的LED封装。然而，陶瓷基底在热导率和散热方面优于模制树脂基底。因此，具有良好热导率和散热的陶瓷基底在现有技术中用作封装的基底。此外，已经引入图2B所示的LED半导体封装以解决由因为制造工艺而必然形成的垂直结构所引起的调整亮度和亮度角分布的困难。目前，因为LED封装要求高亮度和高功率，所以功耗增加。当LED器件的功率增加时，从LED器件所产生的热量也增加。随着热量增加，有效散发从LED器件产生的热是非常重要的。因此，在将热从LED器件传导到从其散热的最终部分期间，减少热阻是最重要的。提高封装材料的热导率的方法可以用于减少热阻。在相关技术中，基底由塑料(具有大约0.3W/mK的热导率)、LTCC(具有大约4W/mK的热导率)或A1刀3(具有大约20W/mK的热导率)等制成。然而，用诸如A1N的陶瓷材料替代如图2B所示的下基底和上基底21和22的材料以提高封装材料的热导率。因为A1N具有极好的热导率和强度，所以可以4吏用A1N作为LED封装的材料。然而，当基底由A1N制成时，基底非常昂贵并且难以适当地形成控制LED封装中的光所需的倾角。如图3所示，基底21和22可以由LTCC或人1203制成，并且可以贯穿下基底21来形成散热片29以减少热阻
发明内容技术问题根据图3所示的结构，当以倒装芯片的形式来结合LED器件25时，不可能将阳极23a和阴极23b彼此绝缘。为此，不可能应用倒装芯片。根据图3所示的结构，对LED器件25进行Ag环氧树脂结合或共晶结合，并且从LED器件25所产生的热可以通过散热片29而直接散发到热沉(未示出)。然而，因为在Ag环氧树脂结合中使用的Ag环氧树脂具有低的热导率，所以散热效率下降。此外，LED封装的镀层(即LED器件25和散热片29之间的镀层)的平坦度应该调整为5pm以下以进行共晶结合。在共晶结合的情况下，由AuSn等制成的用于焊接的金属层形成在LED器件25的下表面上。在这种情况下，当LED封装的平坦度在5nm以上时，共晶结合被局部地进行。由于这个原因，不能适当地传导热。根据图3所示的结构，在Ag环氧树脂结合和共晶结合这两种情况下，LED器件25和散热片29之间的热膨胀系数的差大。由于这个原因，当封装IMt时，LED器件25的温度上升到120*C，其为结温。当LED器件25断开时，温度变为正常温度。正常温度在冬天可能为-401C。由于温差，LED器件25和散热片29之间的结合界面不能承受LED器件25和具有相对大的热膨胀系数的散热片29之间所产生的热应力。因此，在结合界面发生破裂，从而LED器件25被分离。此外，因为热阻由于破裂而增加，所以整个封装的热阻增加。因为LED器件25由于热阻的增加而恶化，所以LED器件25的亮度降低。结果，LED封装的可靠性恶化。此外，当散热片29插入到封装中时，散热片29因为金属插入的配合公差而倾斜。因为这个原因，当对LED器件25执行共晶结合时，缺陷的量增加。另外，即使适当地执行结合，LED器件25也会倾斜。因此，在LED器件25中发生光方向的改变。换言之，当执行共晶结合以将LED器件25结合到散热片29上时，通过将封装温度上升到350C来执行回流。在回流期间，由于散热片29的热膨胀，只有LED器件25在其下表面上的两端被偶尔结合。在这种情况下，热不从整个LED器件25散发出，而是热仅通过由共晶结合来结合到LED封装的LED器件的部分来传导。因为这个原因，不可能4吏共晶结合的效果最大化。图4是示出3W/mK和25W/mK的热导率下的包括lW的LED器件而不具有散热片(例如Cu片)的LED封装(陶瓷封装)(见图2B)和包括具有贯穿下基底的散热片的1W的LED器件的LED封装(见图3)的模拟结果的表格。图5是示出3W/mK和25W/mK的热导率下的包括3W的LED器件而不具有散热片(例如Cu片)的LED封装(陶瓷封装)(见图2B)和包括具有贯穿下基底的散热片的1W的LED器件的LED封装(见图3)的模拟结果的表格。在图4和图5中，结合温度指的是LED器件25的P-N结温度。金属PCB的温Jbl金属PCB(即LED封a面安装到其上的PCB;未示出)中的温度。在金属PCB(未示出)的下表面上提供散热板(未示出)。参考图4和图5所示的模拟结果，可以理解具有贯穿下基底的散热片的LED封装(见图3)是极好的。然而，在图3中示出的LED封装具有的问题在于如上所述的不适当地执行共晶结合，或者LED器件由于热膨胀系数的差而被分离。此夕卜，很大的可能性是LED封装的应用趋势以"电子器件的简单指示器^移动电话的闪光灯^LCDTV的间接照明器/背光灯单元力直接的照明器"的顺序来进行。因此，LED封装的功耗趋于不断增加。当考虑应用趋势时，单个的LED封装不能满足市场的需要。因此，需要开发阵列类型LED封装，以便满足高亮度。然而，因为阵列类型LED封装具有其中多个LED器件^:集成的结构，如何有效地将多个LED器件所产生的热散发到外部是非常重要的。此夕卜，因为多个LED器件被集成，所以存在下述问题应该将连接到LED芯片的电路中的静电、电涌和噪声有效去除。特别地，因为多个LED器件排列在阵列类型LED封装中，所以阵列类型LED封装在尺寸上大于单个的LED封装。另外，因为阵列类型LED封装还包括噪声去除电路，所以存在下述问题阵列类型LED封装由于附加部件的安装而大于单个的LED封装。本发明用于解决上述问题，并且本发明的目的是提供能够有效地将热歉殳到外部的电子零件封装。本发明的另一目的是提供能够改进光效率的电子零件封装。技术方案为了实现上述目的，根据本发明的实施例，电子零件封装包括发光器件；基底，其具有发光器件安装在其上的发光器件安装区域；以及散热部件，其埋在基底的发光器件安装区域之下，以便在垂直方向上与发光器件安装区域分开，并且暴露于基底的下表面。在上述结构中，传热部件形成在发光器件安装区域和散热部件之间。此外，传热部件具有比基底的热导率高的热导率。在上述结构中，传热部件在垂直方向上形成以^更具有大于或等于发光器件横截面尺寸的横截面尺寸。可替选地，传热部件可以在垂直方向上形成以便具有大于发光器件表面积的横截面尺寸，并且被分成多个区域。此夕卜，在发光器件下方可以提供多个区域中的具有大于发光器件尺寸的直径的一个区域。传热部件可以由陶瓷片层形成。另外，基底包括发光器件安装区域周围的空腔，并且反射器形成在空腔的内表面上。此夕卜，反射器连接到基底上形成的图案电极中的至少一个，并且图案电极电连接到发光器件。与反射器连接的图案电极与发光器件安装区域中形成的图案电极分开。上述结构还包括变阻器材料层，其形成在基底上；第一和第二内电极，其形成在基底中，并且以变阻器材料层插入其间的方式彼此部分地重叠；以及第一和第二外电极，其提供在基底中以便彼此分开。第一外电极电连接到第一内电极，并且第二外电极电连接到第二内电极。有益效果根据本发明，因为陶瓷基底具有有效的散热结构，所以从LED器件产生的热可以有效地歉良到外部。结果，可以稳定地操作LED器件。因为基底的热导率增加以致减少了LED器件和从其散良热的最终部分之间的热阻，所以可以将从LED器件产生的热g地散良到外部。因为可以保证基底的表面平坦度，所以可以执行倒装芯片结合或共晶结合。因为多个LED器件排列在基底上，并且由金属制成的散热板附着到基底的下表面，所以可以获得高亮度并有效执^lt热。因为用于去除静电和电涌的半导体器件与用于去除噪声的电路嵌入在基底中或表面安装在基底上，所以可以最大程度地利用封装的空间。因此，可以提供能够最大程度地减少其尺寸并有效地去,电和噪声的电子零件封装。图1是示出相关技术的LED封装结构的视图2和3^一相关技术的使用陶瓷基底的LED封装的横截面视图4和5是示出图2B所示的LED封装和图3所示的LED封装的模拟结果的表格。图6是根据本发明的第一实施例的电子零件封装的横截面视图7是根据本发明的第二实施例的电子零件封装的横截面视图8是根据本发明的第三实施例的电子零件封装的横截面视图9是根据本发明的第四实施例的电子零件封装的横截面视图IO是图示图9所示的内电极的例子的平面图ll是图示图9所示的内电极的另一例子的平面图12是根据本发明的第五实施例的电子零件封装的横截面视图13是图示图6至8所示的电子零件封装的问题的视图14是根据本发明的第六实施例的电子零件封装的横截面视图；图15是根据本发明的第七实施例的电子零件封装的横截面视图16是根据本发明的第八实施例的电子零件封装的横截面视图17是示出图14所示的电子零件封装和图15所示的电子零件封装的模拟结果的表格；图18是根据本发明的任一实施例的进行排列的电子零件封装的等效电路图19是根据本发明的任一实施例的进行排列的电子零件封装的平面图20是示出图19所示的修改的LED器件排列形状的视图；图21是示出图19中排列三个LED器件的部分的横截面图；图22是图21所示的金属翼片的修改的视图；以及图23是图示形成内电路图案的方法的视图。具体实施例方式在下文中，参考附图来描述才艮据本发明的优选实施例的电子零件封装。使用发光二极管的半导体封装亦即LED封装将作为电子零件封装的最佳实施例在下面进行描述。(第一实施例)图6是根据本发明的第一实施例的LED封装的横截面视图。图6所示的LED封装包括芯片型LED器件32;下陶资基底35，LED器件32安装在其上；上陶瓷基底40,其设置在下陶瓷基底35上，并且在与LED器件32安装在其中的区域相对应的区域中包括具有预定形状的空腔；图案电极34和36，其形成在下陶瓷基底35上；以;S^^射板44(可以被称为反射膜)，其提供在上陶资基底40中形成的空腔的内表面上，以致包围LED器件32。悬挂在上陶资基底40上端的突起44a形成在反射板44的上端。只要LED器件32可以密集地安装在基底上，下陶瓷基底35可以是任何基底。例如，下陶瓷基底35可以由氧化铝、石英、锆酸钓、镁皿石、SiC、石墨、熔融石英、多铝红柱石、堇青石、氧化锆、氧化铍、氮化铝、LTCC(低温共烧陶瓷)等制成。下陶瓷基底35的材料不限于特定材料。下陶瓷基底35由图6中的一个陶瓷片(绿色的片)形成，但是实际上可以通过层压多个陶瓷片来形成。上陶瓷基底40也可以由与下陶瓷基底35相同的材料制成。如图6所示，反射板44的突起44a在某种程度上悬挂在上陶瓷基底40的上表面上。这样做的原因是扩大暴露到外部的突起44a的面积，以便提高散热效果。突起44a可以以覆盖上陶瓷基底40的整个上表面的形状来形成。如上所述，考虑到散热效果和封装体的形状，可以用不同的方式修改突起44a的形状。此外，显然，上述修改落入本发明的范围内。上述反射板44可以用作通过突起44a来有效^iL从LED器件32所产生的热的装置。具有预定内倾角(例如10至45。的角度，其需要易于散热)的空腔在下陶资基底35的下表面(即与LED器件的安装区域相对应的部分)上形成。在下陶瓷^^底35的下表面上所形成的空腔可以具有不同的形状。优选地以锥形圆柱的形状来形成空腔。多个散热通孔50a、50b和50c形成在下陶瓷基底35的上表面上形成的发光器件安装区域和下陶资基底35的下表面上形成的空腔之间。多个散热通孔50a、50b和50c以垂直的方向形成并且彼此分开。由散热片制成的传热部件38(即38a、38b和38c)被填充在多个散热通孔50a、50b和50c中。多个散热通孔50a、50b和50c可以^L形成以具有圆形的、四边形的或多边形的横截面。虽然在图6中散热通孔50a、50b和50c的数目是3，但是散热通孔的数目可以是3以上，并被集成为一个孔。多个散热通孔50a、50b和50c中的中间散热通孔50b具有大于或等于LED器件32的尺寸的直径。因为从LED器件32所产生的热首先并主要被传导到散热通孔50b的位置，所以具有大于或等于LED器件32的尺寸的直径的散热通孔50b形成在LED器件32的下方。如果从LED器件32所产生的热不被^有效的M到外部，则LED器件32的温度增加，其引起LED器件32恶化。因此，发光效率降低，从而引起LED器件的寿命缩短。为此，散热通孔50b形成在LED器件32的下方以便iSi4散热。散热通孔50a和50c中的每个可以具有大于或小于LED器件32的尺寸的直径。例如，当排列多个LED器件32时，散热通孔50b和传热部件38b形成在每个LED器件32的下方。此外，散热通孔50a和50c与传热部件38a和38c提供在散热通孔50b和传热部件38b的周围，使得从LED器件32中的每个所产生的热i^地歉良到外部。图案电极34和36由彼此分开的阳极电极34和阴极电极36构成。阳极电极34形成在下陶资基底35的上表面上。阳极电极34与散热通孔50a的轮廓分开，使得阳极电极34与形成在LED器件的安装区域中的阴极电极36绝缘。阳极电极34还形成在下陶资基底35的下表面上。形成在下陶瓷基底35的下表面上的阳极电极34可以4下陶瓷基底35的上表面上形成的阳极电极34延伸。可替选地，如果可以电连接到在下陶瓷基底35的上表面上形成的阳极电极34，则在下陶瓷基底35的下表面上形成的阳极电极34可以与在下陶资基底35的上表面上形成的阳极电极34分开。阴极电极36在与阳极电极34相对的方向上形成。阴极电极36覆盖散热通孔50a、50b和50c的上开口以及在下陶乾基底35上形成的空腔的内表面。为此，根据第一实施例，LED器件32安装在阴极电极36上。LED器件32通过引线42电连接到阳极电极34和阴极电极36。虽然未示出，但是LED器件32可以通过绝缘材料与阴极电极36绝缘，并且诸如Ag环氧树脂的导电材料可以插入到LED器件32和阴极电极36之间。必要时阴极可以替代阳极电极34而阳极则可以替代阴极电极36。在这种情况下，驱动功率以反向施加到阳极和阴极。由诸如Cu或Al的导电材料形成的散热片46被填充在形成于下陶瓷基底35的下表面的空腔中。散热片46用作热沉。如果散热片46直接填充在由陶瓷制成的空腔中，则散热片46很难附着到空腔。为此，在下陶乾基底35的下表面上形成的空腔的内表面覆盖有阴极电极36。当在下陶资基底35的下表面上形成的空腔内表面覆盖有由金属材料制成的阴极电极36时，可以提高散热片46的粘附性。当在下陶瓷基底35的下表面上形成的空腔以锥形圆柱的形状形成时，空腔的内径Dl例如为1.Omm以上，并且空腔的外径D2例如为3.5咖以下。这些是针对具有5x5mm尺寸的LED器件的示例数据。根据要被安装的LED器件32的尺寸来修改空腔的形状和尺寸。对于具有3x3腿尺寸的LED器件32,在下陶乾基底35的下表面上形成的空腔的内径Dl可以例如为0.3mm以上，并且空腔的外径D2可以例如为2.Omm以下，以<更散热片46用作热沉。同时，反射板44的下端Mt与阳极电极34和阴极电极36分开。反射板44与图案电极34和36绝缘。优选地，反射板44与图案电极34和36之间的缝隙尽可能小，以防止从LED器件32的侧面发射出的光在上陶瓷基底40的主体中被吸收(泄漏)。随着缝隙变得更小，在上陶瓷基底40的主体中吸收的光量下降。结果，光的亮度增加。根据第一实施例，因为散热片和传热部件形成在下陶乾基底中，可以迅速散发从LED器件所产生的热。结果，LED器件的热应力被最小化，从而LED器件稳定运行。(第二实施例)图7是根据本发明的第二实施例的LED封装的横截面视图。当根据第二实施例的LED封装结构与根据第一实施例的LED封勤目比较时，第二实施例不同于第一实施例之处在于反射板44与阳极电极34连接。反射板44的下端连接到阳极电极34，以便防止从LED器件32发射出的光的损失。集成反射板44和阳极电极34的方法未被指定，并且对于本领域技术人员而言容易理解而不用另外i兌明。因为在图7中，反射板44的下端连接到阳极电极34，所以第二实施例在阳极电极34和阴极电极36的结构方面不同于第一实施例。参考图7,阳极电极34形成在下陶乾基底35的上表面的两端。阴极电极36在下陶瓷基底35的上表面上形成的LED器件的安装区域中形成。在下陶瓷基底35的上表面上形成的阴极电极36与在下陶瓷基底35的上表面上形成的阳极电极34分开。阴极电极36形成在空腔的内表面上，所述空腔在下陶瓷基底35的下表面上形成，并且在散热通孔50a、50b和50c的下方。才艮据第二实施例，可以获得与第一实施例相同的效果。此外，因为与第一实施例相比光损失降低，所以可以提高亮度。(第三实施例)图8是根据本发明的第三实施例的LED封装的横截面视图。当根据第三实施例的LED封装与根据第二实施例的LED封装比较时，第三实施例在阴极电极36的结构上不同于第二实施例，并且在LED封装中提^^r属部件52。参考图8，阴极电极36水平地形成在下陶资基底35的上表面上形成的LED器件的安装区域中。阴极电极36覆盖传热部件38的上表面。阴极电极36的一端在垂直方向上向下延伸到下陶瓷基底35中预定的长度，并且在水平方向上向下陶乾基底35的外表面延伸。然后，阴极电极36的一端沿着下陶资基底35的外表面向下延伸，以便形成在下陶瓷基底35的下表面上。参考图8，金属部件52形成在下陶瓷基底35的下表面上形成的空腔的内表面上。金属部件52的两端与在下陶乾基底35的下表面上形成的阳极电极34和阴极电极36分开。在这种情况下，与第一和第二实施例一样，金属部件52具有与下陶瓷基底35的下表面上形成的空腔的内表面上形成的阴极电极36相同的功能。虽然在图8中金属部件52与阳极电极34和阴极电极36分开，但是金属部件52可以连接到阳极电极34或阴极电极36。根据第三实施例，可以获得与第一实施例相同的效果。此外，因为与第一实施例相比光损失降低，所以可以提高亮度。(第四实施例)图9是根据本发明的第四实施例的LED封装的横截面视图。图10是图示图9所示的内电极的例子的平面图。图ll是图示图9所示的内电极的另一个例子的平面图。如图9所示的LED封装包括下陶资基底35和上陶瓷基底40。芯片型LED器件32安装在下陶资基底35的上表面上形成的发光器件安装区域中。第一外电极(阳极)34和第二外电极(阴极)36形成在下陶资基底35中，就像在第四实施例中一样。LED器件32安装在第二外电极36上。LED器件32通过引线42电连接到第一外电极34和第二外电极36。虽然未示出，但是LED器件32可以通过绝缘材料与第二外电极36绝缘。第一外电极34是阳极，且第二外电极36是阴极。当然，其极性也可以颠倒。上陶瓷基底40设置在下陶瓷基底35上。上陶资基底40在与安装LED器件32的区域相对应的区域中包括具有预定倾角的空腔。在上陶瓷基底40中形成的空腔的内表面上提供反射板44,以便包围LED器件32。下陶瓷基底35和上陶瓷基底40可以被称为基底。优选地，下陶资基底35由包括以Zn0为主要材料的变阻器材料制成。预定氧化物被加入到变阻器材料以形成下陶瓷基底35。Zn0的含量和要被加入的氧化物的类型和含量示出在表1和2中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>此外，当下陶资基底35分别由基于LTCC、Al203和ZnO的变阻器制成时，下陶瓷基底35的热导率和LED器件的下端的温度示出在表3中。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>如上所述，如果下陶乾基底35由包括以ZnO作为主要成分的变阻器材料制成，则可以由于变阻器的高热导率而迅速歉发来自下陶瓷基底的热。因此，可以降低根据本发明的电子零件封装的温度。特别地，根据第四实施例，下陶乾基底35由具有高热导率的变阻器片形成。由于这个原因，用于制造下陶瓷基底的过程被简化，并且与第一至第三实施例相比，其可以更i5tii地散热。通孔50形成在LED器件的安装区域下方的下陶资基底35中，以便具有比LED器件32的尺寸更大的尺寸。通孔50在垂直方向上贯穿下陶瓷基底35。由诸如金属的导电材料(例如Ag骨)制成的传热部件38填充在通孔50中。传热部件38填充在其中的通孔50可以被形成以具有圆形、四边形或多边形横截面。例如，当以圆柱形的形状形成通孔50时，才艮据通孔50的直径来改变LED器件32的温度，如表4所示。下面的表4示出当1W的电功率施加到其上的LED封装达到热平衡时的LED器件(即LED芯片)的下端的温度。因此，考虑到半导体封装的尺寸和光学特性，通孔50被形成以具有适当的直径。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>LED器件32所产生的大部分热首先传导到下陶资^&底35中的LED器件的安装区域下方的部分。因此，传热部件38形成在下陶瓷基底35中的LED器件的安装区域下方，使得可以i5^地lfciL从LED器件32所产生的热。例如，当排列多个LED器件32时，优选地传热部件38形成在每个LED器件32之下。下陶资基底35包括第一内电极52和第二内电极54。第一内电极52的一端连接到第一外电极34，并且第一内电极52的另一端设置朝向第二外电极36。第二内电极54的一端连接到第二外电极36,并且第二内电极54的另一端设置朝向第一外电极34。下陶资基底35中的变阻器电压与第一内电极52和第二内电极54之间的距离成比例地增加。下陶资基底35中的变阻器电容与第一内电极52与第二内电极54重叠的部分的面积成比例地增加。即，可以通过使用内电极52和54之间的距离来调整变阻器的特性。当内电极52和54的数目增加时，可以调整变阻器的电容。内电极52和54在图9中成对地形成。然而，内电极的数目不受P艮制，并且可以取决于变阻器的特性和电容而变化。在图9中，内电极52和54之间的距离优选地小于设置在内电极52和54上方或下方的外电极34和36之间的距离，以去除不希望有的寄生元件。由诸如玻璃的绝缘材料制成的绝缘层47形成在上陶资基底40的上表面上。绝缘层47还形成在第一外电极34和第二外电极36之间。当根据第四实施例的电子零件封装,&面安装在印刷电路板上时，预先镀印刷电路板以执行焊接。变阻器是半导体材料，并且在4t^Mt期间将变阻器的表面转变成导体。为此，镀层形成在第一外电极34和笫二外电极36之间的变阻器的表面上，这造成短路。因此，绝缘层47形成在上陶资基底40的表面上以及第一外电极34和第二外电极36之间以防止短路。绝缘层47可以由任何材料制成，只要绝缘层47很好地附着到下陶瓷基底35和上陶瓷基底40，并且在镀操作期间不被镀液腐蚀，而且对与从LED器件32所发出的ibf目对应的颜色显示没有影响。参考图10来描述第一内电极52和第二内电极54的结构。如图10A所示，在下陶乾基底35中，第一内电极52的一端连接到第一外电极(未示出)，并且朝向第二外电极(未示出)取向第一内电极52的另一端。第一内电极52的另一端被形成以包围通孔50。如图10B所示，在下陶乾基底35中，第二内电极54的一端连接到第二外电极(未示出)，并且朝向第一外电极(未示出)取向第二内电极54的另一端。第二内电极54的另一端被形成以包围通孔50。因此，当第一内电极52层压在第二内电极54上时，如图10C所示，第一内电极52的另一端和第二内电极54的另一端彼此交叠。在图10中，为了易于说明，通孔50被示出具有四边形横截面，并且内电极52和54的另一端中的每个被示出具有其中心处具有开口的四边形横截面。如果通孔50具有圆形横截面，则内电极52和54的另一端中的每个具有在其中心处具有开口的圆形横截面。内电极52和54的另一端中的每个的开口具有比通孔50的直径大的直径。参考图11来描述第一内电极52和第二内电极54的另一结构。如图IIA所示，在下陶瓷基底35中，第一内电极52的一端连接到第一外电极(未示出)，并且朝向第二外电极(未示出)取向第一内电极52的另一端。第一内电极52的另一端与通孔50分开。即，在片型变阻器材料层上将第一内电极52图案化。在图11A中，在变阻器材料层的一角处将第一内电极52图案化。如图11B所示，在下陶资基底35中，第二内电极54的一端连接到第二外电极(未示出)，并且朝向第一外电极(未示出)取向内电极54的另一端。第二内电极54的另一端与通孔50分开。即，在片型变阻器材料层上将第二内电极54图案化。在图IIB中，在变阻器材料层的一角处将第二内电极54图案化。只要第一和第二内电极52和54与通孔50分开，第一和第二内电极52和54中的每个可以具有与图11所示的形状不同的形状。当第一内电极52层压在第二内电极54上时，第一内电极52的另一端和第二内电极54的另一端彼此交叠，如图11C所示。当如图10和11所示的内电极52和54彼此比较时，如图IO所示的内电极52和54中的每个具有比如图11所示的内电极52和54中的每个的表面面积大的表面面积。因此，从如图10所示的内电极52和54所获得的电容比从如图11所示的内电极52和54所获得的电容大。如果内电极52和54太靠近通孔50，则当通过填充在通孔50中的传热部件38散热时，热对内电极52和54有影响。为此，在图10和图11所示的结构中，内电极52和54以预定距离与通孔50分开。如果由于从LED器件32所散发的热而使温度为60匸以上，则变阻器的IV特性显著恶化。为此，最优选的是，在第一内电极52和第二内电极54之间提供的层(反映变阻器电压的区域)被定位在由于从LED器件32所散发的热而使温度为60匸以下的位置。此外，由于从LED器件32所散发的热而使温度为60■€以下的位置可以通过使用传热模拟或热成像摄影机来确定。同时，优选地，上陶资基底40由与下陶瓷基底35相同的材料制成。在上述第四实施例中，传热部件38可以被形成以具有与第一至第三实施例的传热部件38相同的结构。在这种情况下，内电极52和54应当被修改，这可以由本领域技术人员容易地进行。根据第四实施例，因为封装由变阻器材料制成，所以封装具有变阻器的电特性。因为这个原因，从LED器件所散发的热由于传热部件和变阻器的热导率而i2^歉&到外部。因为基底具有变阻器的电特性，所以可以有效地防止静电而不需要分开的齐纳二极管或变阻器。下陶瓷基底和上陶瓷基底由相同的变阻器材料制成。为此，下陶瓷基底和上陶瓷基底在烘焙过程期间以相同的收缩比来收缩，并且彼此附着。结果，可以提高产品的可靠性。因为根据第四实施例的LED封装具有比根据第一至第三实施例的LED封装的结构更筒单的结构，所以制造根据第四实施例的LED封装的方法被简化。为此，可以提高产量并且减少制造成本。(第五实施例)图12是根据本发明的第五实施例的LED封装的横截面视图。根据第五实施例的LED封装基本上具有与根据第四实施例的LED封装相同的结构。因此，通it^目同的附图标记来指示与第四实施例的要素相同的要素，并且省略其详细的说明。根据第五实施例的下陶瓷基底35的内部结构与根据第四实施例的下陶瓷基底35的内部结构不同。根据第五实施例，具有预定内倾角(例如10至45。的角度，其要求易于散热)的空腔60形成在下陶资基底35的下表面(即与LED器件的安装区域相对应的部分)上。由诸如Cu或Al的导电材料形成的散热片46被填充(埋)在空腔中。传热部件38被提供在LED器件的安装区域和空腔60之间。图12所示的第一和第二内电极52和54中的每个具有与图IO或11所示的相同结构。即，在图12中，在与通孔50正交的方向上提供的第一和第二内电极52和54的另一端包围通孔50，与图10—样，或者与通孔50分开，与图11一样。此外，在图12中，在与空腔60正交的方向上提供的第一和第二内电极52和54的另一端包围空腔60，与图10—样，或者与空腔60分开，与图11一样。在图12中，可以仅在与通孔50正交的方向上形成内电极52和54。可替选地，可以仅在与空腔60正交的方向上形成内电极52和54。在上述的第五实施例中，传热部件38可以被形成以具有与第一至第三实施例的传热部件38相同的结构。在这种情况下，内电极52和54应当被修改，这可以由本领域技术人员容易地进行。才艮据第五实施例，可以获得与第四实施例相同的效果，并且与第四实施例相比，可以更加迅速地散热。在描述其它实施例之前，将i兌明第一至第三实施例的问题。在如第一至第三实施例所描述的通孔38a、38b和38c形成在下陶瓷基底的结构中，难以在通孔填充期间保证基底的平坦度。即，Ag环氧树脂一般用于将LED器件结合到封装。因为Ag环氧树脂具有大约3W/mk的低热导率，所以Ag环氧树脂不适于结合大功率LED器件。另外，如果在通孔填充期间通孔没有充分地填充材料，则在通孔中形成空腔，如图13A所示，或者如果通孔被过多地填充材料，则材料从通孔突出，如图13B所示。因为第四和第五实施例中的每个具有其中用预定的材料填充通孔的结构，所以上述问艰良生在第四和第五实施例中。根据上述的通孔填充结构，基底中具有通孔部分的平坦度不适于执行共晶结合或倒装芯片结合。为此，在本发明的第六和第七实施例中提出能够i5^散热而没有通孔填充结构的结构。(第六实施例)图14是根据本发明的第六实施例的LED封装的横截面视图。根据第六实施例的LED封装通过焊接而M面安装在金属PCB(未示出)的电路图案(由铜等制成的薄图案)上。根据第六实施例的LED封装包括下陶资基底35和上陶瓷基底40。彼此分开的图案电极34和36形成在下陶瓷基底35上。LED器件32安装在下陶资基底35的LED器件安装区域上。用插入在其间的模片结合树脂(未示出)将LED器件32提供在图案电极34和36中的一个(在图14中为阴极电极36)上。下陶瓷基底35具有高的热导率(例如50至100W/mK)。下陶瓷基底由其中在A1N、BN和BeO中之一中添加用于LTCC的玻璃的材料制成，以具有上述的热导率。可替选地，下陶瓷基底可以由其中在基于ZnO的变阻器材料中添加A1N、BN和BeO中之一的材料制成。此外，下陶瓷基底可以由其中在基于Mg0的材料中添加A1N、BN和Be0中之一的材料制成。A1N具有180W/mK的热导率，并且应该在还原气氛中(以高的烧结温度)烧结。因此，如果在不添加用于LTCC的玻璃的情况下同时烧结A1N和Ag，则难以形成内电极。BN具有50W/mK的热导率，并且应该在还原气氛中(以高的烧结温度)烧结。因此，如果BN和Ag在没有添加用于LTCC的玻璃的情况下同时被烧结，则难以形成内电极。BeO具有210W/mK的热导率并且应该(以高的烧结温度)烧结。因此，如果BeO和Ag在没有添加用于LTCC的玻璃的情况下同时被烧结，则难以形成内电极。如果预定量的玻璃和预定量的A1N、BN或BeO彼此混合，则A1N、BN或BeO的烧结温度降低直到大约900匸。因此，可以同时烧结形成内电极的Ag和AlN、BN或BeO,并且下陶瓷基底具有50至100W/mK范围内的热导率。此外，如果AlN、BN和BeO中的一种加入到基于ZnO的变阻器材料中，则可以同时烧结形成内电极的AgPd和A1N、BN或BeO。基于ZnO的变阻器材料的主要成分是ZnO。此外，Bi力3或Sb203加入到基于ZnO的变阻器材料中作为烧结剂，以^更在大约IOOO"C烧结基于ZnO的变阻器材料。如果当A1N、BN和BeO中的一种加入到基于ZnO的变阻器材料中时，A1N、BN或BeO的含量大于预定临界值(例如60%)，则基于ZnO的变阻器材料的变阻器特性在烧结之后消失。为此，应该将A1N、BN或BeO的含量调整为小于预定临界值以便允许基于ZnO的变阻器材料具有50至100W/mK范围内的热导率和变阻器特性。同时，如果不需要允许基于ZnO的变阻器材料具有变阻器特性，则可以将A1N、BN或BeO的含量调整为大于预定临界值。用于制造下陶瓷基底35的过程类似于用于制造变阻器的常规过程。例如，诸如81203或SW)3的添加剂和A1N、BN和BeO中之一添加到ZnO粉末中以便将ZnO粉末的成分调整为所期望的成分。当水或酒精用作溶剂时，成分被调整为所期望成分的ZnO粉末被球磨研磨24个小时以准备原料粉末。相对于原*末大约为6wtW的用作添加剂的PVB粘合剂溶解在基于甲苯/酒精的溶液中，并且将该溶液混合到准备好的原料粉末中以制备成形片。此后，通过小的球磨机将溶解在溶液中的原料粉末和粘合剂研磨并混合24个小时以便制造浆液。通过使用刮刀法等来制造具有期望厚度的成形片。通过使用诸如丝网印刷的制造厚膜的方法或诸如'减射法、蒸发法、化学气相沉积法或溶胶凝胶涂敷法的制造薄膜的方法将诸如Ag、Pt或Pd的导电骨施加到成形片上，以l更制造内电极形成在其上的多个片。然后，顺序地层压和压缩多个片。此后，对片进行沖压、切削、烘焙和燃烧处理以制造具有期望厚度的下陶瓷基底35。用于形成下陶瓷基底35的片的数目取决于下陶瓷基底35的厚度。如上所述，原料通过使用刮刀法而被造型，然后根据用于制造变阻器的常规工艺来层压。结果，可以形成下陶瓷基底35。当原料被造型时，可以将厚度变化控制在0至lnm的范围内。因此，可以保证基底的表面平坦度，这使得可以执行倒装芯片结合或共晶结合。在LED器件32的下表面上使用诸如蓝宝石或SiC的材料。诸如蓝宝石或SiC的材料的热膨胀系数类似于下陶瓷基底35的热膨胀系数。因此,当如图3所示LED器件直接安^金属上时，与此相比较非常稳定。在下陶瓷基底35的下表面上的中心部分形成凹槽。金属散热片46插入到凹槽中。优选地，具有大约350W/mK的热导率的Cu片用作散热片46。散热片46附着到通过同时烧结下陶资基底35和上陶瓷基底40所形成的封装体。在这种情况下，封装体意味着具有空腔的上陶瓷基底40和没有散热片46的下陶瓷基底35彼此附着。虽然没有详细描述用于形成封装体的过程，但是对于本领域技术人员而言明显的是通过>^的制造过程形成封装体。为了将散热片46附着到封装体，首先在封装体的下表面(即下陶瓷基底35的下表面)上形成在其中插入散热片46的空间。然后，将散热片46插入到该空间中。在这种情况下，焊料被点在散热片46的上表面上，并且散热片46插入到该空间中。然后，加热散热片46和下陶瓷基底35以便彼此附着。焊料用于减少散热片46和下陶瓷基底35之间的结合强度以及其间界面的热阻。如果下陶资基底35不是由变阻器材料形成，而是由诸如氧化铝或LTCC的常规陶瓷材料形成，则将Ag镀在散热片46和下陶瓷基底35之间的接触表面上，以提高常规陶瓷基底与散热片46之间的结合性质，然后在其上镀Ni或Ag(Ni或Sn)，以提高对焊料的粘附性。另夕卜，因为如图14所示的散热片46是Cu片，所以散热片46对焊料粘附性不足。因此，使用Ni或Ag(Ni或Sn)来镀散热片46，然后再使用该散热片46。上陶瓷基底40设置在下陶瓷基底35上。上陶瓷基底40在与安装LED器件32的区域相对应的区域中包括空腔。反射板44提供在上陶瓷基底40中形成的空腔的内表面上。悬挂在上陶瓷基底40上端的突起44a形成在反射板44的上端。上陶瓷基底40由与下陶瓷基底35相同的材料制成。在第六实施例中，Cu片用作散热片46。具有大约1000W/mK的热导率的钻石片也可以用作散热片46。钻石片的热导率才艮据用于制造钻石片的技术而具有偏差。根据第六实施例，因为基底具有高的热导率，所以LED器件和从其散热的最终部分之间的热阻下降。因为这个原因，与第一至第五实施例相比，从LED器件散发的热更迅速地M到外部。此外，可以执行共晶结合和倒装芯片结合以便结合LED器件。(第七实施例)图15是根据本发明的第七实施例的LED封装的横截面视图。当根据第七实施例的LED封装与根据第六实施例的LED封*^目比较时，第七实施例在下陶瓷基底35的结构方面不同于第六实施例。在下面的第七实施例的说明中，仅描述下陶资基底35。其它说明与上述第六实施例的那些相同。才艮据第七实施例，下陶瓷基底35由两个以上的片层形成。在图15中，第一片层35a层压在第二片层35b上。然而，必要时可以层压更多的片层。第一片层35a的热导率(例如在50至100W/mK的范围内)高于第二片层35b的热导率。下陶瓷基底35具有高的热导率(例如在50至100W/mK的范围内)。下陶瓷基底由其中用于LTCC的玻璃加入到A1N、BN和BeO中之一的材料制成，以具有上述热导率。可替选地，下陶乾基底可以由其中A1N、BN和BeO中之一加入到基于ZnO的变阻器材料中的材料制成。第六实施例中所描述的用于制造下陶瓷基底的过程用于制造第一片层35a。优选地，第一片层35a尽可能地薄，以保证^mC来自LED器件32的热以及执行共晶结合(或倒装芯片结合)所需的基底的表面平坦度。例如，在具有5x5mm尺寸的基底的情况下，优选的是第一片层35a的厚度在0.1至0.2mm的范围内。可以考虑的是第一片层35a变得更薄。然而，如果第一片层35a过薄，则在烧结期间不可能保证第一片层35a的强度和第一片层35a的平坦度。才艮据第七实施例，第一片层35a比第二片层35b薄，使得热更迅速地传导到第二片层35b的散热片46。原料通过使用刮刀法而被造型，然后根据用于制造变阻器的常规工艺来层压。结果，可以形成下陶乾基底35a。当原料被造型时，可以将片厚度变化控制在0至1|im的范围内。因此，可以保证基底的表面平坦度,其使得可以执行倒装芯片结合或共晶结合。特别地，在LED器件32的下表面上使用诸如蓝宝石或SiC的材料。诸如蓝宝石或SiC的材料的热膨胀系数类似于第一片层35a的热膨胀系数。此外，第一片层35a的热膨胀系数是金属的热膨胀系数的10%。因此，与如图3所示的LED器件直接安^fr金属上时的情况相比较，本实施例的情况非常稳定。散热片46贯穿第二片层35b的中心部分。优选地，具有大约250W/mK的热导率的Cu片用作散热片46。第二片层35b可以由氧化铝、石英、锆酸钩、镁皿石、SiC、石墨、熔融石英、多铝红柱石、堇青石、氧化锆、氧化铍、氮化铝、变阻器材料、LTCC(低温共烧陶瓷)等制成。在第六实施例中的附着散热片46的方法用作第七实施例中的附着散热片46的方法。在第七实施例中，Cu片用作散热片46。具有大约1000W/mK的热导率的钻石片也可以用作散热片46。钻石片的热导率才艮据用于制造钻石片的技术而具有偏差。在第七实施例中，下陶瓷基底35由第一片层35a和第二片层35b形成，以便通过使用具有高传导率的第一片层35a来保证基底的表面平坦度，并且将从LED器件32产生的热通过第二片层35b的散热片46i^it散发到外部。才艮据第七实施例，具有高热导率的第一片层由其中A1N、BN和BeO中之一加入到变阻器材料的材料制成。此外，第一片层形成在基底中，并且散热片插入在第一片层下方。因为这个原因，可以减少LED器件和从其散热的最终部分之间的热阻。结果，可以将从LED器件歉&的热i^il地散发到外部。另外，可以执行共晶结合或倒装芯片结合以便将LED器件结合到封装。(第八实施例)图16是根据本发明的第八实施例的电子零件封装的横截面视图。第八实施例是第六和第七实施例的修改。第八实施例不同于第六和第七实施例之处在于在LED器件的安装区域和散热片46之间提供钻石片49。纯钻石具有大约2000W/mK的热导率。用于第八实施例的钻石片49由工业钻石制成。在制造钻石片49的过程器件杂质被加入到钻石片49中，4吏得钻石片49由具有大约1000W/mK的热导率的CVD钻石形成。CVD钻石是多晶钻石，其通过使用诸如等离子体的加热源和诸如氢或甲烷的气体在高温下合成。如果钻石片49被应用，则热导率增加。结果，与其它实施例相比，可以将热更快地歉良到外部。同时，钻石片49具有大约3xl0-7匸的热膨胀系数。铜的热膨胀系数为16x1(T7r;。LED器件32的热膨胀系数大约为6x1(T7匸。如果使用Cu片而不是图16中的钻石片49，则存在下述问题如参考图3描述的那样，由于温度变化(差)，在LED器件32和Cu片的结合界面处会发生热膨胀和收缩。然而，钻石片49的热导率显著高于Cu片的热导率(铜的热导率大约为350W/mK)，并且钻石片49的热膨胀系数类似于LED器件32的热膨胀系数。为此，可以防止由于温度变化(差)而使LED器件32分开。才艮据第六实施例，用于LTCC的玻璃加入到昂贵的A1N、BN或BeO中以使用昂贵的A1N、BN或BeO，使得下陶瓷基底具有50至100W/mK范围内的热导率。根据第八实施例，因为使用不昂贵的工业钻石而不是用作珠宝的昂贵钻石，所以可以减少制造成本。根据第八实施例的钻石片49的热导率远大于根据上述实施例的传热部件38、第一片层35a和散热片(铜片)46的热导率。另夕卜，才艮据第八实施例的钻石片49的热膨胀系数类似于LED器件32的热膨胀系数。为此，钻石片49是具有最卓越的散热效率并可以防止LED器件分开的最好装置。根据第八实施例的钻石片49被制造如下如果诸如氢或甲烷的气体被吹入到室(未示出)中，并且然后在高温下将等离子体施加到该气体预定时间，则钻石片的种晶被形成。在高温下将等离子体连续施加到该气体预定时间，直到钻石片的种晶生长并具有所期望的厚度。然后，具有期望厚度的钻石片的上表面和下表面通过使用钻石工具来加工，并且通过使用激光器来切削钻石片以具有所期望的尺寸。例如，将钻石片切削以具有2x2x0.5大小的尺寸。所切削的钻石片用作根据第八实施例的钻石片49。因为通过使用常规加工技术将钻石片49的厚度变化控制到所期望的范围，所以可以保证基底的表面平坦度。具有与具有高热导率的LED器件的热膨胀系数类似的热膨胀系数的钻石片49设置在LED器件32的下方，这使得可以解决上述问题。钻石片49的制造不限于上述描述。即使当制造过程和杂质的含量不同时，只要材料具有所期望的热膨胀系数和热导率，任何材料都可以用作钻石片49。同时，当根据上述第六和第七实施例的散热片46由钻石片形成时，如上所述制造的钻石片49可以用作散热片46。下面描述用于制造根据第八实施例的电子零件封装的过程。因为在基底制造之后进行的LED器件32的安装和引线结合对于本领域技术人员而言已是众所周知，所以省略其说明。下陶瓷基底35由两个层压的基底形成。具有钻石片49插入其中的通孔的基底被称为中间基底，而具有散热片46插入其中的通孔的基底被称为下基底。可替选地，下陶瓷基底35可以由一个基底形成。在这种情况下，通孔可以在下陶瓷基底35的中心处形成，并且散热片46和钻石片49顺序地插入到通孔中。在图16中，散热片46的宽度大于钻石片49的宽度。即，在下陶瓷基底35中形成的通孔中形成台阶。这#^的原因是当散热片46插入到通孔中时散热片46易于与通孔配合。同时，散热片46的宽度可以等于钻石片49的宽度。然而，当散热片46的宽度容易地取决于钻石片49的宽度时，可以进一步提高工作效率。使用制造LTCC的众所周知的过程来层压多个陶瓷片，然后在与LED器件的安装区域相对应的片的部分中形成空腔，从而制造上陶资基底40。使用制造LTCC的众所周知的过程来层压多个陶瓷片，并且通过冲压而在片中形成钻石片49插入其中的孔，从而制造中间基底。IC#，将图案电极34和36印刷在中间基底的上表面上，以便彼此分开。在此，因为图案电极34和36的印刷对于本领域技术人员而言是众所周知的，所以省略其说明。使用制造LTCC的众所周知的过程来层压多个陶瓷片，并且通过冲压而在片中形成散热片46插入其中的孔，从而制造下基底。此后，将中间基底层压在下基底上，并且将上基底层压在中间基底上。然后层压的基底被烧结。随后，散热片46从下基底的下表面插入到孔中，并且钻石片49从中间基底的上表面插入到孔中，以便i^与散热片46接触。在这种情况下，Ti、Pt或Au层或者Ti、Pt或Ag层通过镀和溅射而形成在钻石片49的上表面和下表面中的每个上，以提高对金属的粘附性。如上所述完成根据第八实施例的电子零件封装。具有不同热导率的散热片46和钻石片49已经用于上述第八实施例。然而，可以插入钻石片49来>(义^^散热片46。即，钻石片可以用作由图16中的附图标记46和49所指示的部分。图17是示出当图14所示出的LED封装的热导率(例如陶瓷封装的基底的热导率)被设置成50W/mK和100W/mK时的模拟结果以及在图15所示的电子零件封装的第二片层35b的热导率被设置成25W/mK的同时将其第一片层35b的热导率i殳置成50W/mK和100W/mK时的模拟结果的表格。将LED器件中的每个的功耗假定成3W,并且将包围封装的空气的温度假定成25X:。假定在理想的热平衡下执行该模拟。参考图17，可以理解图14所示结构的LED器件和金属PCB(未示出)之间的热阻低于图15所示结构的热阻。即，图14所示的结构散热更快。然而，与图15所示的结构相比较，需要大量的诸如A1N、BN或BeO的材料来形成具有图14所示结构的基底。同时，诸如A1N、BN或BeO的材料是昂贵的，并且难以加工诸如A1N、BN或BeO的材料。为此，优选地采用图15所示的结构。图3所示的封装结构的热导率高于图14和15所示的封装结构的热导率。将图3所示的封装的热导率i殳置成25W/mK，并且其它条件与上面描述的相同，在进行模拟时，LED器件和金属PCB(未示出)之间的热阻大约为2.70"C/W。然而，根据图14所示的封装结构，LED器件和金属PCB(未示出)之间的热阻分别为大约4.73匸/W和3.671C/W。此外，根据图15所示的封装结构，LED器件和金属PCB(未示出)之间的热阻分别为大约5.5匸/W和3.8匸/W。这意^^未着与图14和15所示的封装结构相比，图3所示的封装结构可以更快地散热。然而，如上所述，图3所示的封装结构具有的问题在于不适合执行共晶结合或由于热膨胀系数的差异而使LED器件分开。因此，实际上，最好不采用图3所示的封装结构。为此，优选地采用图14或15所示的封装结构，其《具有热阻差，但是可以保证平坦度并且使用具有基本上与LED器件相同的热膨胀系数的材料。图18是根据本发明的任一实施例的进行排列的LED封装的等效电路图。七个LED器件Ll至L7提供在输入端子IN和输出端子OUT之间。彼此串联连接的两个LED器件Ll和L2被称为第一组。彼此串联连接的三个LED器件L3、L4和L5被称为第二组。彼此串联连接的两个LED器件L6和L7被称为第三组。组彼此并联连接。LED器件L1至L7可以不以组的形式彼此并联连接，而是可以分别彼此并联连接。一个变阻器VR在输入端子IN和输出端子OUT之间与第一至第三组的LED器件Ll至L7并联连接。齐纳二极管可以代替变阻器VR。噪声去除电i^供在输出端子OUT和接地端子GND之间。噪声去除电路包括彼此串联连接的电容器C和电阻器R。可替选地，噪声去除电路可以包括电感器L和电阻器R，或者可以包括电感器L和电容器C。此外，噪声去除电路可以提供在输入端子IN和接地端子GND之间。优选地，电阻器R是例如在10至200O的范围内微调的电阻器。可替选地，电阻器R可以是具有最优电阻的固定电阻器。图19是根据本发明的任一实施例的基于图18所示的等效电路图来排列的LED封装的平面图。在排列类型的LED封装IOO中，以蜂窝形式分开的七个区域被称为单元IIO。每个单元110是LED封装。每个单元110包括LED器件32。在每个单元110中提供的LED器件32主要用荧光物质和硅来模制(涂敷)。可以使用环氧树脂来代替硅。变阻器VR的一端通过导体116连接到输入端子112(V+)。变阻器VR的另一端通过导体116连接到输出端子114(V-)。环形内挡板118保持每个模制的LED器件32的形状以具有所期望的形状(例如半球形或平圆顶形)。环形外挡板120形成在排列的LED器件32周围。外挡板120保持模制LED器件32的形状以在整体上具有所期望的形状。硅或环氧树脂用于将所有的LED器件32模制为整体。内挡板118和外挡板120可以具有环形形状或多边环形形状。在图19中，未^:描述的附图标记122指示模制部分。反射板未示出在图19中。然而，反射板可以提供在每个单元110中的LED器件32周围。可替选地，所有的LED器件32被看作一个组，并且反射板可以提供在该组的周围。在图19中示范了七个LED器件32。LED器件32的数目可以增加或减少。如果LED器件32的数目可以增加或减少，则LED器件32的排列可以修改为如图20所示。即，可以以具有如图20A所示的一行和多列的形状或以具有如图20B所示的多行和多列的形状来修改LED器件32的排列。此外，当LED器件的数目为如图20C所示的五个时，外挡板可以形成为具有圆形。另外，当LED器件的数目是如图20D所示的七个时，外挡板可以形成为具有多边形的形状。只要是在考虑封装的光学特性的情况下来确定排列类型的电子零件封装的形状，则排列类型的电子零件封装的形状是不重要的。图21是示出在图19中排列三个LED器件(图17中的附图标记L3、L4和L5)的部分的横截面视图。图21所示的下陶瓷基底35被示例为图14所示的下陶资基底。图21所示的上陶瓷基底40被示例为图14所示的上陶瓷基底。在图21中，阳极电极34被示为彼此绝缘，并且阴极电极36被示为彼此绝缘。然而，阳极电极34实际上彼此连接，并且阴极电极36实际上彼此连接。虽然金属层未示出在图21中，但是优选地，金属层可以形成在下陶瓷基底35的下表面上，以提高下陶资基底35和金属板130之间的粘附性和热导率。包括多个金属翼片132的金属板130提供在下陶瓷基底35的下表面上。金属板130提高了散热效率。此外，当以如图22所示的波状形状来形成多个金属翼片132时，金属翼片132的表面面积增加。结果，可以进一步提高散热效率。LED器件32的最大温度取决于下陶瓷基底35的体积、金属板130的长度和厚度以及金属翼片132的长度和数目等而变化。防止静电和电涌的变阻器VR^V在下陶瓷基底35中或者表面安*4下陶瓷基底35上。去除由驱动下陶瓷基底35的上表面上排列的多个LED器件32所引起的噪声的噪声去除电路被印刷在下陶瓷基底35中。RC连接型去除电路用作图21中的噪声去除电路。然而，LC或RL连接型噪声去除电路可以用作噪声去除电路。在图21中，附图标记hl、h2和h3指示其中填充导电骨的通孔，并且附图标记Cl和C2指示在不同陶瓷片上形成的电极图案。在垂直方向上布置电极图案Cl和C2。两个电极图案Cl和C2形成电容器。在图21中，附图标记R指示在与电极图案Cl和C2形成在其上的陶瓷片不同的陶瓷片上形成的电阻图案。其一端连接到电阻图案R的通孔h3的另一端连接到下陶瓷基底35中的另一陶瓷片上形成的接地图案(未示出)。在上述描述中，电极图案C1和C2形成电容器，但是电极图案C1和C2可以形成变阻器。在这种情况下，只有片的材料被改变。如上所述，具有所期望功能的电路被印刷在陶瓷片上，并在制造过程中被层压，因此，部件不需要分开地安^4基底上。为此，可以容易地形成所期望的封装并可以减少封装的尺寸。最初模制进行排列的每个LED器件32。最初模制的部分被称为模制部分140。虽然未在图21中示出，最初模制的多个LED器件32和上陶瓷基底40的上表面g被模制成具有透镜的形状。在最初的模制中，用荧光物质和硅(或环氧树脂)来模制每个LED器件32。此外，在随后的模制中，使用硅或环氧树脂来模制每个LED器件32。在图21中，金属板130和下陶瓷基底35彼此结合以便彼此接触。从多个LED器件32散发的热通过具有高热导率的下陶乾基底35和金属板130iSit地散发到外部。金属板130抑制由于热所引起的LED器件32的恶化，使得芯片寿命增加。此外，金属板130抑制诸如树脂或硅的密封剂的恶化，所以提高了芯片的可靠性。图21所示的排列类型的电子零件封装通过下面的制造过程来制造。1)将金属板130附着到基底。(称为第一过程)2)排列多个LED器件32。(称为第二过程)3)结合引线42。(称为第三过程)4)模制每个单元中的LED器件32。(称为第四过程)5)将所有的单元的LED器件32模制为整体。(称为第五过程)下面将更加详细地描述示意性的过程。第二至第五过程按照这个顺序来顺序地执行，然后可以最后执行第一过程。(第一过程)首先，制造金属板130和基底。通过使用模片等来制造金属板130。此外，如参考图14所描述的那样来制it^底。上陶瓷基底40和散热片46插入到其中的下陶资基底35被称为基底。用于制造下陶瓷基底35的过程包括用于在陶瓷片上印刷内部电路图案(例如诸如电感器、电阻器、变阻器、电容器、阳极和阴极之类的图案)的过程。当执行用于印刷内部电路图案的过程时，形成图18所示的RC连接型噪声去除电路。即，如图23A所示，用于形成电容器的电极图案分别形成在不同陶瓷片CS的一个表面上。此外，如图23B所示，电阻图案R形成在另一陶瓷片CS上。通孔(未示出)形成在电极图案C1和C2与电阻图案R中。另外，电极图案C1和C2与电阻图案R可以具有如图23A和23B所示的形状，也可以具有其它形状。金属板130附着到如上所述制造的基底的下表面(即下陶瓷基底35的下表面)上。焊膏或电介质骨用于将金属板130与基底附着在一起。在这种情况下，因为金属不能直接结合到陶瓷，所以预先进行在金属板130的上表面和下陶瓷基底35的下表面上形成金属层的过程。即，在金属层形成在下陶瓷基底35的下表面上并且金属层形成在金属板130的上表面上之后，焊骨或电介质骨插入到要彼此接触的金属层的接触表面之间，然后执行回流。结果，金属板130和下陶瓷基底35坚固地彼此附着。可以用众所周知的技术来形成金属层。(第二过程)共晶结合法、使用Ag骨的结合法或倒装结合法可以用作将LED器件结合到阴极电极36的方法。根据共晶结合法，在包括大约250至350匸范围内的温度、大约40至80g范围内的重量和大约5至30ms范围内的时间的情况下，每个LED器件32的下表面和每个阴极电极36彼此共晶结合。根据使用Ag骨的结合法，在将Ag骨施加到LED器件32附着到其上的部分之后，每个LED器件32附着到每个阴极的Ag骨部分。然后，将LED器件和阴极加热到大约120至180X:范围内的温度。根据倒装结合法，球形凸块提供在LED器件32和下陶瓷基底35的LED器件安装区域之间，并且执行结合。当使用倒装结合法时，不需要执行作为l^过程的引线结合过程。(第三过程)结合到每个阴极电极36的LED器件32通过使用引线42而电连接到相应的阳极电极34和阴极电极36。此外，因为一个单元的电极34和36与相邻单元的电极34和36之间的串联或并联连接对于本领域技术人员而言是众所周知的，所以省略其描述。(第四过程)在完成引线结合之后，使用荧光材料和硅(或环氧树脂)来均匀,制(涂敷)每个LED器件32。即，在内挡板118形成在每个LED器件32的周围之后，荧光物质和珪(或环氧树脂)通过分配器注入到内挡板118中。在这种情况下，要被注入的荧光物质的重量处在3至30wtX的范围内，并且硅或环氧树脂的浓度为大约2000cps。当使用注入的荧光物质或硅(或环氧树脂)而模制的模制部分140具有所期望的形状(例如半球形状或平圆顶形状等)时，停止荧光物质和硅(或环氧树脂)的注入，并且在150匸的温度下将注入的材料硬化三个小时。因此，完成模制部分140的形状。上面提到的荧光物质的重量、硅或环氧树脂的浓度以及硬化温度和时间仅是例子。因此，上述条件不需要一定被满足，并且必要时可以改变条件。(第五过程)当完成第四过程的最初模制时，通过使用外挡板24来将所有的单元的LED器件32模制为整体。即，在基底上形成外挡板120，并且具有高粘性的硅或环氧树脂通过分配器注入到外挡板120的内部部分中。当使用注入的硅或环氧树脂所模制的模制部分122已具有从其获得预期方位角的预期形状(例如透镜的形状)时，停止硅或环氧树脂的注入，并且硬化注入的材料。因此，在封装的上表面(即整个表面)上完成具有透镜形状的模制部分122。模制上ii^制部分122的方法是注模法。使用粉末的转移模制法可以用作模制所述^莫制部分122的方法。如上所述，因为阵列类型的LED封装通过使用第一至第五过程来制造，所以可以将来自多个LED芯片的热有效地散发到外部。此外，去,电和电涌的半导体器件与去除噪声的电路嵌入在基底中或表面安*^基底上。结果，可以以最大程度地减少封装的尺寸，并且可以提供其静电、电涌和噪声被去除的排列类型的半导体封装。此外，因为硅或环氧树脂涂敷在基底的上表面上以便具有透镜的形状，所以不需要分开的透镜或单独的透镜。如上所迷，因为通过采用才艮据第一至第八实施例中任何一个的封装可以形成如图21所示的阵列类型的LED封装，所以容易理解的是，阵列类型的LED封装落入权利要求的范围和边界内，而不用在权利要求中专门公开。本发明的范围不限于上述实施例，因此落在权利要求的范围和界限内或者落在这种范围和界限的等价物内的所有改变和修改旨在被权利要求所覆盖。权利要求1.一种电子零件封装，包括发光器件；基底，其具有所述发光器件安装在其上的发光器件安装区域；以及散热部件，其埋在所述基底的所述发光器件安装区域之下，以便在垂直方向上与所述发光器件安装区域分开，所述散热部件暴露于所述基底的下表面。2.根据权利要求l所述的电子零件封装，其中，传热部件形成在所述发光器件安装区域和所述散热部件之间。3.根据权利要求2所述的电子零件封装，其中，所述传热部件具有比所述基底的热导率高的热导率。4.根据权利要求3所述的电子零件封装，其中，所述传热部件在垂直方向上形成，以〗更具有大于或等于所^J^光器件的横截面尺寸的横截面尺寸。5.根据权利要求3所述的电子零件封装，其中，所述传热部件在垂直方向上形成，以〗更具有大于所iOL光器件的表面积的横截面尺寸，并且被分成多个区域，以及所述多个区域中的具有大于或等于所述发光器件的尺寸的直径的一个区域提供在所述发光器件之下。6.根据权利要求3所述的电子零件封装，其中，所述传热部件由陶瓷片层形成。7.根据权利要求3所述的电子零件封装，其中，所述传热部件由钻石制成。8.根据权利要求7所述的电子零件封装，其中，所述散热部件由钻石制成。9.根据权利要求l所述的电子零件封装，其中，所述基底包括围绕所述发光器件安装区域的空腔，反射器形成在所述空腔的内表面上，所述反射器连接到所^底上形成的图案电极中的至少一个，以及所述图案电极电连接到所iiJL光器件。10.根据权利要求9所述的电子零件封装，其中，所述与反射器连接的所述图案电极与所述发光器件安装区域中形成的图案电极分开。11.根据权利要求2所述的电子零件封装，其中，所述发光器件由LED器件形成。12.根据权利要求l所述的电子零件封装，还包括变阻器材料层，其形成在所述基底上；第一和第二内电极，其形成在所U底中，所述第一和第二内电极以所述变阻器材料层插入其间的方式而彼此部分地重叠；以及第一和第二外电极，其提供在所ii^底中以便彼此分开，所述第一外电极电连接到所述第一内电极，并且所述第二外电极电连接到所述第二内电极。全文摘要本发明涉及能够有效散热的电子零件封装。散热部件埋在基底的发光器件安装区域之下，以便在垂直方向上与发光器件安装区域分开，并且暴露于基底的下表面。具有比基底的热导率高的热导率的传热部件形成在发光器件安装区域和散热部件之间。因此，因为基底包括有效的散热结构，所以可以迅速地散发从发光器件所产生的热。文档编号H01L33/00GK101317277SQ200680042763公开日2008年12月3日申请日期2006年10月27日优先权日2005年11月18日发明者朴淙远,李永一,赵允旻申请人:阿莫先思电子电器有限公司