专利名称：可插接的卷带式封装构造以及使用该构造的电子装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种巻带式封装构造,特别是涉及一种可插接的巻带式封装 构造以及使用该构造的电子装置。
背景技术：
现有习知的巻带式封装构造主要可区分为巻带承载封装构造(Tape Carrier Package,TCP )与薄膜覆晶封装构造(Chip-On-Film package, COF )， 皆是以巻带传输(reel-to-reel )—可挠性电路基板的方式进行半导体封装作 业。 一般而言，巻带式封装构造可封装的晶片为显示器驱动晶片，其是具有 高脚数的输出与输入端，并分别排列于可挠性电路基板的两侧。请参阅图l所示， 一种巻带式封装构造100为薄膜覆晶封装型态，其 包含一可挠性电路基板110、 一晶片120以及一封胶体130。该可挠性电路 基板IIO是具有一第一表面111与一第二表面112,其中该第一表面111上 形成有复数个引脚113。这些引脚113的内端是可供该晶片120的电极端 122(即凸块)接合，这些引脚113的外端是往该基板110的两侧延伸并区分 为复数个输入外接指114以及复数个输出外接指115。在这些输入外接指114 与这些输出外接指115之上形成有一薄的电镀锡117,该基板110的两侧分 别可借由ACF连接或焊接方式连接至印刷电路板与显示器面板。通常该基 板110是具有一防焊层116，其是局部覆盖这些引脚113。该晶片120的电 极端122是设置于该晶片120的主动面121。该封月交体130是形成于该基板 110与该晶片120之间。因此，现有习知的巻带式封装构造的应用方式是在 该基板110两端进行异方性导电连接(ACF connection)或焊接，可封装输出 与输入端分散在两侧的驱动晶片。因此，现有习知的巻带式封装构造在使用上是采用热固性黏接或焊接 方式接合至一电路载板，巻带式封装构造不可以由已接合的电路载板加以 分离，无法进行更换、整修与扩充。由此可见，上述现有的巻带式封装构造在结构与使用上，显然仍存在 有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关 厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发 展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关 业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的可插接的巻带式封装构图1:现有的薄膜覆晶封装基板的俯视示意图。 图2:现有的使用该基板的一薄膜覆晶封装构造的局部截面示意图。 图3:侬据本发明的第一具体实施例， 一种薄膜覆晶封装基板的俯视示 意图。图4:侬据本发明的第一具体实施例，使用该基板的一薄膜覆晶封装构 造的局部截面示意图。图5A与图5B:依据本发明的第一具体实施例，绘示该薄膜覆晶封装基 板内对位标记的形状可等效性变化的示意图。图6:侬据本发明的第二具体实施例，另一种薄膜覆晶封装基板的俯视 示意图。图7:像据本发明的第二具体实施例，使用该基板的一薄膜覆晶封装构 造的局部截面示意图。封胶体 封胶体 封胶体晶片覆盖区 内端 防焊层11:晶片 12 21:晶片 22 31:晶片 32 100:薄膜覆晶封装基板 110:可挠性介电层 111 120:驗 121 130:对位标记 140 200:薄膜覆晶封装基板 210:可挠性介电层 211 220:引脚 221 230:对位标记 240:防鲜层 300:薄膜覆晶封装基板 310:可挠性介电层 311:晶片覆盖区 320:引,脚 321:内端330:^位标记 331:虚置引脚 340:防焊层 341:开孔晶片覆盖区 内端 2 3 OA:对位标记 241:开孔13 23 33凸块 凸块 凸块141:开孔2 3 0B:对^f立标记具体爽沐方式为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下錄舍附圃及较佳实施例，对依据本发明提出的薄膜覆晶封装基板其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。在本发明的第一具体实施例中，揭示一种薄膜覆晶封装基板，如图3前述的巻带式封装构造，其中这些金手指为单排侧边排列。 前述的可插接的巻带式封装构造，其中这些金手指为双排交错排列或是多排交错排列。前述的巻带式封装构造，其中这些金手指为多排斜向排列。 前述的巻带式封装构造，每一引脚的外端是形成有至少两金手指。 前述的巻带式封装构造，其中所述的基板是具有一防焊层，这些金手指的电镀高度是高于该防焊层。前述的巻带式封装构造，另包含有一补强板，其是贴设于该基板的第二表面。前述的巻带式封装构造，其中所述的晶片为DDR3记忆体晶片。 前述的巻带式封装构造，其中所述的基板为COF薄膜，且该晶片的这些电极端为凸块，以覆晶接合至该基板。前述的巻带式封装构造，其中这些金手指可为六角形或八角形。 前述的巻带式封装构造，其中所述的封胶体为底部填充胶，并使该晶片的背面为显露。本发明的目的及解决其技术问题另外还釆用以下技术方案来实现。依 据本发明提出的一种电子装置，包含 一电路载板，其是具有至少一插槽； 以及至少一可插接的巻带式封装构造，其是包含一可挠性电路基板、 一晶 片以及一封胶体，该基板是具有一第一表面与一第二表面，其中该第一表 面上形成有复数个引脚，该晶片是具有复数个电极端，该晶片是设置于该 基板的该第一表面上，并使这些电极端是电性连接至对应的引脚的内端,该 封胶体是形成于该基板与该晶片之间；其中，这些引脚的外端是排列在该 基板的同 一侧缘并电镀形成有复数个金手指，以供插接至该插槽。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的电子装置，其中所述的巻带式封装构造是直立插接至该电路载 板的该插槽。前述的电子装置，其中所述的电路载板为 一主机板或是一可携式电子装 置的电路板。前述的电子装置，其中这些金手指是包含有一电镀铜层与一镍金表面层。前述的电子装置，其中所述的晶片为DDR3记忆体晶片或记忆体时脉 超过500Mhz的高频晶片。经由上述可知，本发明一种可插接的巻带式封装构造以及使用该构造 的电子装置，该可插接的巻带式封装构造主要包含一可挠性电路基板、 一设置于该基板上的晶片以及一形成于该基板与该晶片之间的封胶体。该晶片 是具有复数个电极端，其是电性连接至该晶片的引脚内端。这些引脚的外端是排列在该基板的同 一侧缘并电镀形成有复数个金手指，以达可插接的 功效，扩大巻带式封装构造的用途与可封装晶片范围。使用该封装构造的 电子装置包含一电路载板以及至少一可插接的巻带式封装构造。借由上述技术方案，本发明可插接的巻带式封装构造以及使用该构造的电子装置至少具有下列优点一、 本发明的可插接的巻带式封装构造以及使用该构造的电子装置，能 扩大巻带式封装构造的应用范围到可插接电子元件，易于更换、整修与扩 充。二、 本发明的可插接的巻带式封装构造以及使用该构造的电子装置，以 低成本提供金手指在巻带上。三、 本发明的可插接的巻带式封装构造以及使用该构造的电子装置,可 使排列在巻带同 一侧边的金手指更加密集化。四、 本发明的可插接的巻带式封装构造以及使用该构造的电子装置,能 以COF制程机台封装DDR3记忆体晶片，并且具有可插接功能以达到模组 化与散热佳的功效。综上所述，本发明新颖的可插接的巻带式封装构造以及使用该构造的 电子装置具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆有 较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较 现有的可插接的巻带式封装构造具有增进的多项突出功效，从而更加适于 实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细说明如下。
图1: 一种现有习知巻带式封装构造的截面示意图。 图2:依据本发明的第一具体实施例， 一种可插接的巻带式封装构造的 截面示意图。图3:依据本发明的第一具体实施例,该巻带式封装构造的底面透视示 意图。图4:依据本发明的第一具体实施例,一种可插接装置可插接复数个巻 带式封装构造的示意图。图5:依据本发明的第二具体实施例，一种可插接的巻带式封装构造的 底面透视示意图。图6:依据本发明的第三具体实施例，一种可插接的巻带式封装构造绘示其金手指多排斜向排列的局部示意图。图7:依据本发明的第四具体实施例,一种可插接的巻带式封装构造绘 示其金手指多排斜向排列的局部示意图。10:电路载板11:插槽12:金手指100:巻带式封装构造110:可挠性电路基111:第一表面112:第二表面113:引脚114:输入外接指115:输出外接指116:防焊层117:电镜锡120:晶片121:主动面122:电极端130:封胶体200:可插接的巻带式封装构造210:可挠性电路基板211:第一表面212:第二表面213:引脚214:内端215:外端216:防焊层'217:侧缘220:晶片221:电极端230:封胶体240:金手指241:电镀铜层242:镍金表面层250:补强板310:可挠性电路基板311:引脚312:侧缘320:晶片321:电极端331:第一排金手指332:第二排金手指410:引脚421:第一排金手指422:第二排金手指423:第三排金手指430:侧缘510:引脚521:第一金手指522:第二金手指530:侧缘具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以 下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的可插接的巻带式封装构造 以及使用该构造的电子装置其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细 说明如后。在本发明的第一具体实施例中，揭示一种可插接的巻带式封装构造。图2为该巻带式封装构造的截面示意图，图3为该巻带式封装构造的底面透视 示意图。请参阅图2所示， 一种可插接的巻带式封装构造200主要包含一可挠 性电路基板210、 一晶片220以及一封胶体230。该可挠性电路基板210是 具有一第一表面211与一第二表面212，其中该第一表面211上形成有复数 个引脚213,每一引脚213具有一内端214(或可称为内引脚)与一外端215(或 可称为外引脚)。其中，请特别参阅图3所示，这些引脚213的外端215是 排列在该基板210的同一侧缘217并电镀形成有复数个金手指240(如图2 所示)。在本实施例中，这些金手指240为单排侧边排列。该晶片220是具有复数个电极端221,且该晶片220是设置于该基板 210的该第一表面211上，以使这些电极端221是电性连接至对应的引脚 213的内端214。该晶片220可为DDR3记忆体晶片或是更高频的晶片，其 记忆体时脉是可以超过500Mhz以上。由于覆晶接合与巻带的单层线路设 计，不会有电路径长导致讯号延迟的问题。在本实施例中，该基板210可 为COF薄膜，且该晶片220的这些电极端221为凸块，例如金凸块(Au bump),以覆晶接合至该基板210的引脚内端214,故能沿用既有的COF 制程机台进行封装。该封胶体230则是形成于该基板210与该晶片220之间，提供适当的 封装保护以防止电性短路、尘埃污染与应力集中。在本实施例中，该封胶 体230为底部填充胶(underfill material),并使该晶片220的背面为显露，有 助于晶片向的散热。在不同实施例中，该封胶体230亦可为异方性导电胶 膜(ACF)、非导电胶(NCP)等等。请再参阅图2所示，较佳地，这些金手指240是包含有一电镀铜层241 与一镍金表面层242,以降低金手指的成本。尤佳地，该镍金表面层242是 完全包覆该电镀铜层241的上表面与侧面，以不显露该电镀铜层241，以避 免该电镀铜层241的锈化。此外，该基板210是具有一防焊层216在该第 一表面211,以保护这些引脚213的中间区段。较佳地，这些金手指240的 电镀高度可高于该防焊层216,以增加对外插接的电接触机率。此外，该巻带式封装构造200另包含有一补强板250,可为硬质的金属 或塑胶材质。该补强板250是贴设于该基板210的第二表面211，以增加封 装产品的整体结构强度。请参阅图4所示，上述的至少一巻带式封装构造200可插接在一电路 载板10的对应插槽11，具有易于更换、整修与扩充的功效。另，如图4所 示，采用直立插接的方式有助于两面散导热。该电路栽板IO可为记忆体模 组板、显示卡的印刷电路板、主机板或可携式电子装置的电路板。在本实 施例中，该可插接装置10为记忆体模组板或显示卡的印刷电路板，并具有可 对外插接的金手指12,以组成一可扩充与更换记忆体容量的记忆体模组、显 示卡等电子装置。此夕卜,本发明不局限金手指在巻带侧边的排列型态。请参阅图5所示，第 二实施例揭示另一种巻带式封装构造，主要包含一可挠性电路基板310与 一晶片320。该晶片320是具有复数个电极端321，并接合至该基板310的 复数个引脚311的内端。这些引脚311的外端是往该基板310的同一侧缘 312延伸。并且，复数个金手指331与332是形成于这些引脚311的外端,以 达到巻带式封装构造可供插接的功效。较佳地，金手指为双排交错排列,可 区分为复数个第一排金手指331以及复数个第二排金手指332,可达到更密 集的排列。在本实施例中，这些金手指331与332可为六角形。本发明的第三实施例另揭示一巻带式封装构造，主要元件是与第一实 施例相同，不再赘述。该巻带式封装构造是具有复数个多排斜向排列的金手 指。请参阅图6所示,这些金手指分为复数个第一排金手指421、复数个第 二排金手指422以及复数个第三排金手指423。这些第一排金手指421、第 二排金手指422、第三排金手指423是电镀形成于一可挠性电路基板的复数 个引脚410的外端，并以不同间距方式排列在该基板的同一侧缘430，以达 到金手指的高密度排列。本发明的第四实施例另揭示一巻带式封装构造，主要元件是与第一实 施例相同，不再赘述。该巻带式封装构造是具有复数个多排交错排列的金 手指。请参阅图7所示，每一引脚510的外端是形成有至少两金手指，分 别为第一金手指521与第二金手指522，以增加电性接触机率。在本实施例 中，这些金手指521与522可为八角形。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用 上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是 未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作 的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1. 一种可插接的卷带式封装构造，其特征在于其包含一可挠性电路基板，其是具有一第一表面与一第二表面，其中该第一表面上形成有复数个引脚；一晶片，其是具有复数个电极端，该晶片是设置于该基板的该第一表面上，并使这些电极端是电性连接至对应的引脚的内端；以及一封胶体，其是形成于该基板与该晶片之间；其中，这些引脚的外端是排列在该基板的同一侧缘并电镀形成有复数个金手指。
2、 根据权利要求1所述的可插接的巻带式封装构造,其特征在于其中这 些金手指是包含有一电镀铜层与一镍金表面层。
3、 根据权利要求2所述的可插接的巻带式封装构造，其特征在于其中 所述的镍金表面层是完全包覆该电镀铜层的上表面与侧面，以不显露该电 镀铜层。
4、 根据权利要求1所述的可插接的巻带式封装构造,其特征在于其中这 些金手指为多排斜向排列或是多排交错排列。
5、 根据权利要求1所述的可插接的巻带式封装构造,其特征在于其中所 述的基板为COF薄膜，且该晶片的这些电极端为凸块，以覆晶接合至该基板。
6、 一种电子装置，其特征在于其包含 一电路载板，其是具有至少一插槽；以及至少一可插接的巻带式封装构造，其是包含一可挠性电路基板、 一晶 片以及一封胶体，该基板是具有一第一表面与一第二表面，其中该第一表 面上形成有复数个引脚，该晶片是具有复数个电极端，该晶片是设置于该 基板的该第 一表面上，并使这些电极端是电性连接至对应的引脚的内端,该 封胶体是形成于该基板与该晶片之间；其中，这些引脚的外端是排列在该基板的同 一侧缘并电镀形成有复数 个金手指，以供插接至该插槽。
7、 根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于其中所述的巻带式封 装构造是直立插接至该电路载板的该插槽。
8、 根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于其中所述的电路载板 为 一主机板或是一可携式电子装置的电路板。
9、 根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于其中这些金手指是包 含有一电镀铜层与一镍金表面层。
10、 根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于其中所述的晶片为 DDR3记忆体晶片或记忆体时脉超过500Mhz的高频晶片。
全文摘要
本发明是有关于一种可插接的卷带式封装构造以及使用该构造的电子装置，该可插接的卷带式封装构造主要包含一可挠性电路基板、一设置于该基板上的晶片以及一形成于该基板与该晶片之间的封胶体。该晶片是具有复数个电极端，其是电性连接至该晶片的引脚内端。这些引脚的外端是排列在该基板的同一侧缘并电镀形成有复数个金手指，以达可插接的功效，扩大卷带式封装构造的用途与可封装晶片范围。使用该封装构造的电子装置包含一电路载板以及至少一可插接的卷带式封装构造。
文档编号H01L23/48GK101231990SQ200710002640
公开日2008年7月30日 申请日期2007年1月24日 优先权日2007年1月24日
发明者刘光华 申请人:南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司