抗外界静电冲击的高分子保护元件的制作方法

文档序号:7230440阅读:216来源:国知局
专利名称:抗外界静电冲击的高分子保护元件的制作方法
技术领域
本发明涉及一种抗外界静电冲击(ESD)的高分子保护元件。
背景技术
功能高分子材料是目前材料科学研究的热点,具有电压敏感特性的高分子压敏材料便是其中的佼佼者,迄今学术界产业界都在踊跃地对它进行研究开发。所谓的高分子压敏材料就是指这种复合高分子材料的电阻随两端电压变化而呈非线性变化,也就是说,当施加在其两端的电压小于某个特定电压值时,材料为绝缘体,电阻很大;当施加在其两端的电压大于这个特定电压值时,材料转变为导体,电阻很小。
集成电路(IC)技术的在电子领域得到越来越广泛的应用,但是这种半导体器件对外界影响敏感程度非常高,易于受到由外界静电冲击(ESD)引起的过电压损害。当集成电路(IC)受到高达数千伏的静电冲击时,将造成高达几十安培的瞬间放电尖峰电流。瞬间大电流会对IC造成严重损伤,从而导致整台电子设备的工作故障,带来重大经济损失。目前集成电路(IC)常用保护电路有箝位二极管,压敏电阻,稳压管,TVS二极管等。但是,由于ESD防护元件并联在电路中使用,这就要求其结电容要尽可能的小,尤其是对于高频线路中,较高的结电容会造成信号噪音,影响IC的正常工作。

发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种没有极性,安装简单,最主要的是结电容小,非常适合高频线路中应用的抗外界静电冲击的高分子保护元件及其制备方法。
为实现上述目的,本发明通过以下技术方案实现一种抗外界静电冲击的高分子保护元件,包括引出电极、基板,其特征在于,基板为多层结构,所述的基板包括密封在基板内部的高分子压敏材料。
其中,基板包括依次叠加的面层、高分子压敏材料层、电极层、底层,基板两端端部均设置有与面层、高分子压敏材料层、电极层、底层垂直的第三复合金属层。
其中,面层包括第一复合金属层、第一绝缘材料板和第一复合树脂板。
其中,第一复合树脂板包括高分子树脂、添加或不添加填充材料,所述第一复合金属层的组成为内层是铜层和外层是镍层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是金层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是锡层。
其中,所述第一绝缘材料板采用环氧树脂、聚酰胺、聚酯的任意一种。
其中,面层的第一绝缘材料板叠合在第一复合树脂板一板面上的中部,第一复合金属层叠合在第一复合树脂板一板面上的两端部并覆盖第一复合树脂板的两端头部分,第一复合金属层与第一绝缘材料层结合。
其中,高分子压敏材料层位于面层与电极层之间和/或电极层与底层之间。
其中,高分子压敏材料层包括高分子压敏材料板和第二复合树脂板。
其中,第二复合树脂板包括高分子树脂、添加或不添加填充材料构成。
其中,第二复合树脂板上设置有开孔,高分子压敏材料板位于第二复合树脂板的开孔中。
其中,面层与高分子压敏材料层之间还含有附加层。
其中,附加层包括绝缘树脂材料板和第三复合树脂板。
其中,第三复合树脂板包括高分子树脂、添加或不添加填充材料。
其中,绝缘树脂材料选自有机硅树脂、环氧树脂、聚酯或聚胺酯中的一种或几种,其固化后有一定的弹性。
其中,电极层由金属箔电极组成。
其中,电极层包括两片不相接触的金属箔电极,两金属箔电极中间有一狭缝。
其中,电极层的两金属箔电极中间狭缝是直线形、折线形或弧形。
其中,所述的第三复合金属层为圆弧形,椭圆弧形或直板形。
其中,底层包括第二复合金属层、第二绝缘材料板和第五复合树脂板。
其中,第五复合树脂板包括高分子树脂、添加或不添加填充材料构成,所述第二复合金属层的组成为内层是铜层和外层是镍层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是金层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是锡层。
其中,底层的第二绝缘材料板叠合在第五复合树脂板板面上的中部,第二复合金属层叠合在第五复合树脂板的板面上的两端部并覆盖第五复合树脂板的两端头部分,第二复合金属层与第二绝缘材料板结合。
其中,所述第二绝缘材料板采用环氧树脂、聚酰胺、聚酯的任意一种。
其中,所述的高分子树脂选自酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚四氟乙烯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、热固性聚苯醚类树脂、聚酯树脂中的一种;所述填充材料选自纸、玻璃纤维布、芳酰胺纤维非织布的任意一种。
其中,高分子压敏材料层包括高分子聚合物、导电填料、绝缘填料和半导体填料。
其中,高分子压敏材料层中的高分子聚合物选自有机硅树脂和环氧树脂中的一种或两种,高分子聚合物在高分子压敏材料层中的重量百分比为20%~80%。
其中,导电填料选自镍粉、铜粉、铝粉、银粉、不锈钢粉、炭黑、石墨、碳化钛导电粉末的其中之一或任意几种的混合物。
其中,半导体填料选自氧化锌和碳化硅中的一种或两种。
其中,绝缘填料选自二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氢氧化铝,氢氧化镁,碳酸钙,高岭土的任意一种或几种的混合物。
其中,元件两端端头开有半圆孔、半椭圆孔或是直型。
所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤步骤一,将高分子聚合物、导电填料、绝缘填料和半导体填料按一定的比例混合而成高分子压敏材料浆料;步骤二,在第三复合树脂板一侧的表面覆一层铜箔,在第三复合树脂板上打孔;步骤三,在铜箔上雕出需要的形状和一条狭缝,狭缝位置在圆孔的中央位置,并将刻好的图形两面棕化处理;
步骤四,在铜箔上再盖上一层第三复合树脂板的半固化片并打孔,使两块第三复合树脂板上的孔对齐,然后在两块第三复合树脂板的孔内印刷步骤一制备的高分子压敏材料浆料,并固化;步骤五,在步骤四的产品的其中一块第三复合树脂板上再盖一层打好孔的第二复合树脂板的半固化片,压合后再在第二复合树脂板的孔内填充可固化的液态绝缘树脂材料板;步骤六,在步骤五所得产品的上、下分别盖一层单面覆有铜箔的第一复合树脂板和覆有铜箔的第五复合树脂板,第一复合树脂板和第二复合树脂板的铜箔均朝外,热压复合;步骤七,将步骤六得到的产品两端的端部钻半圆孔,然后将半圆孔内表面利用化学方法镀铜,在半圆孔内表面再电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属,然后,在第一树脂板和第五树脂板的铜箔上电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属得到第一复合金属层和第二复合金属层;步骤八,然后用蚀刻工艺除去部分第一复合金属层并用第一绝缘材料板填充,用蚀刻工艺除去部分第二复合金属层并用第二绝缘材料板填充,然后使其固化;其中,打孔方式用激光。
其中,步骤三中在铜箔上雕刻出图形,采用蚀刻、激光切割或机械切割的方法。
其中,绝缘树脂或绝缘材料的固化是热固化、光固化或其它方式固化。
其中还可一次制得多个本发明产品,采用如下制备方法所述的步骤二中,将第三复合树脂板分为多个单元,在第三复合树脂板的每个单元一侧的表面覆一层铜箔,在第三复合树脂板的每个单元上分别打孔;步骤三,在每块铜箔上雕出需要的形状和一条狭缝,狭缝位置在圆孔的中央位置,并将刻好的图形两面棕化处理;步骤四,在铜箔上再盖上一层第三复合树脂板的半固化片并分为多个单元,在第三复合树脂板的每个单元上打孔,使两块第三复合树脂板相应单元上的孔对齐,然后在两块第三复合树脂板的孔内印刷步骤一制备的高分子压敏材料浆料,并固化;
步骤五,在步骤四的产品的其中一块第三复合树脂板上再盖一层打好孔的第二复合树脂板的半固化片,所述的第二复合树脂板分为相应的多个单元,并且每个单元上均打有孔,压合后再在第二复合树脂板的孔内填充可固化的液态绝缘树脂材料板;步骤六,将第一复合树脂板和第五复合树脂板分为相应的多个单元,并将每个单元覆有一层铜箔,再将第一复合树脂板和第五复合树脂板分别覆在步骤五所得产品的上下端,第一复合树脂板的铜箔和第五复合树脂板的铜箔均朝外,热压复合;步骤七,将步骤六得到的产品各个单元的端部钻半圆孔,然后将半圆孔内表面利用化学方法镀铜,在半圆孔内表面再电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属得到第三复合金属层,然后,在第一复合树脂板和第五复合树脂板的铜箔上再电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属得到第一复合金属层和第二复合金属层,;步骤八,然后用蚀刻工艺除去部分每个单元第一复合金属层并用第一绝缘材料板填充,用蚀刻工艺除去部分每个单元的第二复合金属层并用第二绝缘材料板填充,然后使其固化;步骤九,使用切片机将各个单元切开,制得多个抗外界静电冲击的高分子保护元件。
其中,制得的抗外界静电冲击的高分子保护元件长度0.8--5.0mm,宽度0.3-4mm,高度0.3-3.0mm。
与现有技术相比,本发明特点是保护元件没有极性,安装简单,最主要的是结电容小,非常适合高频线路中应用。


图1是本发明中抗外界静电冲击的高分子保护元件的立体图。
图2是本发明中抗外界静电冲击的高分子保护元件结构剖析图。
图3为一次制备的多个抗外界静电冲击的高分子保护元件分割前的立体图。
具体实施例方式
如图1和图2所示,一种抗外界静电冲击的高分子保护元件,包括引出电极、基板,基板包括依次叠加的面层13、高分子压敏材料层15、电极层16、底层17,基板两端端部均设置有与面层13、高分子压敏材料层15、电极层16、底层17垂直的第三复合金属层2。
面层13包括第一复合金属层1、第一绝缘材料板3和第一复合树脂板4。
其中,第一复合树脂板4包括高分子树脂、添加或不添加填充材料,所述第一复合金属层1的组成为内层是铜层和外层是镍层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是金层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是锡层。
第一绝缘材料板3采用环氧树脂、聚酰胺、聚酯的任意一种。
面层13的第一绝缘材料板3叠合在第一复合树脂板4一板面上的中部,第一复合金属层1叠合在第一复合树脂板4一板面上的两端部并覆盖第一复合树脂板4的两端头部分,第一复合金属层1与第一绝缘材料板3结合。
高分子压敏材料层15位于面层13与电极层16之间。
电极层16与底层17之间也可以有一高分子压敏材料层15,也可以没有。
高分子压敏材料层15包括高分子压敏材料板7和第二复合树脂板6。
其中,第二复合树脂板6包括高分子树脂、添加或不添加填充材料。
第二复合树脂板6上设置有开孔,高分子压敏材料板7位于第二复合树脂板的开孔中。
高分子压敏材料层15包括高分子聚合物、导电填料、绝缘填料和半导体填料。
其中,高分子压敏材料层中的高分子聚合物选自有机硅树脂和环氧树脂中的一种或两种,高分子聚合物在高分子压敏材料层中的重量百分比为20%~80%。
其中,导电填料选自镍粉、铜粉、铝粉、银粉、不锈钢粉、炭黑、石墨、碳化钛导电粉末的其中之一或任意几种的混合物。
其中,半导体填料选自氧化锌和碳化硅中的一种或两种。
其中,绝缘填料选自二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氢氧化铝,氢氧化镁,碳酸钙,高岭土的任意一种或几种的混合物。
面层13与高分子压敏材料层15之间还含有附加层14。
附加层14包括绝缘树脂材料板5和第三复合树脂板6。
第三复合树脂板6包括高分子树脂、添加或不添加填充材料。
其中,绝缘树脂材料选自有机硅树脂、环氧树脂、聚酯或聚胺酯中的一种或几种,其固化后有一定的弹性。
电极层16由两片不相接触的金属箔电极9组成,两金属箔电极9中间有一狭缝,两金属箔电极中间狭缝是直线形、折线形或弧形。
底层17包括第二复合金属层10、第二绝缘材料板12和第五复合树脂板11,其中,第五复合树脂板11包括高分子树脂、添加或不添加填充材料,所述第二复合金属层10的组成为内层是铜层和外层是镍层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是金层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是锡层。
底层的第二绝缘材料板12叠合在第五复合树脂板11板面上的中部,第二复合金属层10叠合在第五复合树脂板11的板面上的两端部并覆盖第五复合树脂板的两端头部分,第二复合金属层10与第二绝缘材料板12结合。
其中,所述第二绝缘材料板采用环氧树脂、聚酰胺、聚酯的任意一种。
其中,所述的高分子树脂选自酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚四氟乙烯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、热固性聚苯醚类树脂、聚酯树脂中的一种;所述填充材料选自纸、玻璃纤维布、芳酰胺纤维非织布的任意一种。
其中,元件两端端头开有半圆孔,所述的第三复合金属层2为半圆弧形。
本发明中的抗外界静电冲击的高分子保护元件的制备方法为高分子压敏材料成分如表一所示,表一

其中环氧树脂HUITIAN 6303
白炭黑CABOT,Cab-O-Sil碳化硅Saint-Gobain碳黑 CABOT,N660镍粉 INCO,N255将表一中各组分按比例混合,用机械搅拌机连续搅拌40分钟,得到高分子压敏材料浆料。
步骤二,在第三复合树脂板一侧的表面覆一层铜箔,铜箔厚度0.015mm,第三复合树脂板厚度0.05mm,按照一定的排列方式,用激光在第三复合树脂板上打出多个圆孔,圆孔的直径为0.25mm,不可以将铜箔打穿;步骤三,利用蚀刻的方法在铜箔上雕出需要的形状和一条狭缝,狭缝宽度为0.05mm,狭缝位置在对齐第三复合树脂板的圆孔的中央位置,并将刻好的图形两面棕化处理;步骤四,在铜箔上再盖上一层0.25mm厚的第三复合树脂板的半固化片并打圆孔,圆孔直径0.25mm,使两块第三复合树脂板上的圆孔对齐,然后在两块第三复合树脂板的圆孔内印刷步骤一制备的高分子压敏材料浆料,在100℃下固化1小时;步骤五,在步骤四的产品的其中一块第三复合树脂板上再盖一层打好孔的第二复合树脂板的半固化片,第二复合树脂板厚度0.05mm,孔径0.25mm,压合后再在第二复合树脂板的孔内填充硅胶,加热固化;步骤六,在步骤五所得产品的上、下分别盖一层单面覆有铜箔的第一复合树脂板和覆有铜箔的第五复合树脂板,第一复合树脂板和第五复合树脂板厚度为0.05mm,铜箔厚度为0.015mm,铜箔朝外,热压复合;步骤七,将步骤六得到的产品两端钻半圆孔,然后将半圆孔内表面利用化学方法镀铜,镀铜厚度为0.01mm,步骤八,用蚀刻工艺分别除去第一复合树脂板和第五复合树脂板上的部分铜箔,然后,在第一复合树脂板和第五复合树脂板的铜箔表面再电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属得到第一复合金属层和第二复合金属层,在半圆孔内表面再电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属可得到第三复合金属层;在第一复合树脂板和第五复合树脂板上除去铜箔的部位印刷环氧树脂绿油,加热100℃固化1小时;本发明的实施例没有穷举,本领域技术人员在公开内容的启发下,将产品中的绝缘树脂材料区域、高分子压敏材料区域变形为矩形、椭圆形、多边形等其他形状是容易的,那些方案也属于本发明的保护范围。
如图3所示,本发明中的抗外界静电冲击的高分子保护元件的制备方法,也可以采用面积比较大的第一复合树脂板、第二复合树脂板、第三复合树脂板、第五复合树脂板,将其分割成多个单元,使用前述方法将第一复合树脂板的各个单元制成面层,将第二复合树脂板的各个单元分别制成高分子压敏材料层,将第三复合树脂板的各个单元分别制成附加层,将第五复合树脂板的各个单元分别制成底层,并在制备过程中将电极层安装在指定的层之间,制作完成后使用切片机将各个单元切下即可制得多个抗外界静电冲击的高分子保护元件。
上述实施例仅用于对本发明进行说明,并不构成对权利要求范围的限制,本领域技术人员可以想到的其他替代手段,均在本发明权利要求范围内。
权利要求
1.一种抗外界静电冲击的高分子保护元件,包括引出电极、基板,其特征在于,基板为多层结构,所述的基板包括密封在基板内部的高分子压敏材料。
2.根据权利要求1所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,基板包括依次叠加的面层、高分子压敏材料层、电极层、底层,基板两端端部均设置有与面层、高分子压敏材料层、电极层、底层垂直的第三复合金属层。
3.根据权利要求2所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,面层包括第一复合金属层、第一绝缘材料板、第一复合树脂板。
4.根据权利要求3所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,第一复合树脂板包括高分子树脂添加或不添加填充材料,所述第一复合金属层的组成为内层是铜层和外层是镍层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是金层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是锡层。
5.根据权利要求3或4所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,所述第一绝缘材料板采用环氧树脂、聚酰胺、聚酯的任意一种。
6.根据权利要求3所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,面层的第一绝缘材料板叠合在第一复合树脂板一板面上的中部,第一复合金属层叠合在第一复合树脂板一板面上的两端部并覆盖第一复合树脂板的两端头部分,第一复合金属层与第一绝缘材料板结合。
7.根据权利要求2所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,高分子压敏材料层位于面层与电极层之间和/或电极层与底层之间。
8.根据权利要求7所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,高分子压敏材料层包括高分子压敏材料板和第二复合树脂板。
9.根据权利要求8所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,第二复合树脂板包括高分子树脂、添加或不添加填充材料。
10.根据权利要求8所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,第二复合树脂板上设置有开孔,高分子压敏材料板位于第二复合树脂板的开孔中。
11.根据权利要求7所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,面层与高分子压敏材料层之间还含有附加层。
12.根据权利要求11所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,所述的附加层包括绝缘树脂材料板和第三复合树脂板。
13.根据权利要求12所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,第三复合树脂板包括高分子树脂、添加或不添加填充材料。
14.根据权利要求12所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,绝缘树脂材料选自有机硅树脂、环氧树脂、聚酯或聚胺酯中的一种或几种,其固化后有一定的弹性。
15.根据权利要求2所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,电极层由金属箔电极组成。
16.根据权利要求15所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,电极层包括两片不相接触的金属箔电极,两金属箔电极中间有一狭缝。
17.根据权利要求16所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,电极层的两金属箔电极中间狭缝是直线形、折线形或弧形。
18.根据权利要求2所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,所述的第三复合金属层为圆弧形,椭圆弧形或直板形。
19.根据权利要求2所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,底层包括第二复合金属层、第二绝缘材料板和第五复合树脂板。
20.根据权利要求19所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,第五复合树脂板包括高分子树脂、添加或不添加填充材料,所述第二复合金属层的组成为内层是铜层和外层是镍层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是金层;或内层是铜层、中间层是镍层和外层是锡层。
21.根据权利要求19所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,底层的第二绝缘材料板叠合在第五复合树脂板板面上的中部,第二复合金属层叠合在第五复合树脂板的板面上的两端部并覆盖第五复合树脂板的两端头部分。
22.根据权利要求19所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,所述第二绝缘材料板采用环氧树脂、聚酰胺、聚酯的任意一种。
23.根据权利要求4、9、13或20任一权利要求所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,所述的高分子树脂选自酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚四氟乙烯树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂、热固性聚苯醚类树脂、聚酯树脂中的一种;所述填充材料选自纸、玻璃纤维布、芳酰胺纤维非织布的任意一种。
24.根据权利要求1所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,高分子压敏材料层包括高分子聚合物、导电填料、绝缘填料和半导体填料。
25.根据权利要求24所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,高分子压敏材料层中的高分子聚合物选自有机硅树脂和环氧树脂中的一种或两种,高分子聚合物在高分子压敏材料层中的重量百分比为20%~80%。
26.根据权利要求24所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,导电填料选自镍粉、铜粉、铝粉、银粉、不锈钢粉、炭黑、石墨、碳化钛导电粉末的其中之一或任意几种的混合物。
27.根据权利要求24所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,半导体填料选自氧化锌和碳化硅中的一种或两种。
28.根据权利要求24所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,绝缘填料选自二氧化硅、氧化铝、氧化钛、氢氧化铝,氢氧化镁,碳酸钙,高岭土的任意一种或几种的混合物。
29.根据权利要求1所述抗外界静电冲击的高分子保护元件,其特征在于,两端端头开有半圆孔、半椭圆孔或是直型。
30.权利要求1至29所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件的制备方法,其特征在于包括以下步骤步骤一,将高分子聚合物、导电填料、绝缘填料和半导体填料按一定的比例混合而成高分子压敏材料浆料;步骤二,在第三复合树脂板一侧的表面覆一层铜箔,在第三复合树脂板上打孔;步骤三,在铜箔上雕出需要的形状和一条狭缝,狭缝位置在圆孔的中央位置,并将刻好的图形两面棕化处理;步骤四,在铜箔上再盖上一层第三复合树脂板的半固化片并打孔,使两块第三复合树脂板上的孔对齐,然后在两块第三复合树脂板的孔内印刷步骤一制备的高分子压敏材料浆料,并固化;步骤五,在步骤四的产品的其中一块第三复合树脂板上再盖一层打好孔的第二复合树脂板的半固化片,压合后再在第二复合树脂板的孔内填充可固化的液态绝缘树脂材料板;步骤六,在步骤五所得产品的上、下分别盖一层单面覆有铜箔的第一复合树脂板和覆有铜箔的第五复合树脂板,第一复合树脂板的铜箔和第五复合树脂板的铜箔均朝外,热压复合;步骤七,将步骤六得到的产品两端的端部钻半圆孔,然后将半圆孔内表面利用化学方法镀铜,在半圆孔内表面再电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属得到第三复合金属层,然后,在第一复合树脂板和第五复合树脂板的铜箔上再电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属得到第一复合金属层和第二复合金属层,;步骤八,然后用蚀刻工艺除去部分第一复合金属层并用第一绝缘材料板填充,用蚀刻工艺除去部分第二复合金属层并用第二绝缘材料板填充,然后使其固化;制得抗外界静电冲击的高分子保护元件。
31.根据权利要求30所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件的制备方法,其特征在于,打孔方式用激光。
32.根据权利要求30所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件的制备方法,其特征在于,步骤三中在铜箔上雕刻出图形,采用蚀刻、激光切割或机械切割的方法。
33.根据权利要求30所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件的制备方法,其特征在于,绝缘树脂或绝缘材料的固化是热固化、光固化或其它方式固化。
34.根据权利要求30所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件的制备方法,其特征在于,所述的步骤二中,将第三复合树脂板分为多个单元,在第三复合树脂板的每个单元一侧的表面覆一层铜箔,在第三复合树脂板的每个单元上分别打孔;步骤三,在每块铜箔上雕出需要的形状和一条狭缝,狭缝位置在圆孔的中央位置,并将刻好的图形两面棕化处理;步骤四,在铜箔上再盖上一层第三复合树脂板的半固化片并分为多个单元,在第三复合树脂板的每个单元上打孔,使两块第三复合树脂板相应单元上的孔对齐,然后在两块第三复合树脂板的孔内印刷步骤一制备的高分子压敏材料浆料,并固化;步骤五,在步骤四的产品的其中一块第三复合树脂板上再盖一层打好孔的第二复合树脂板的半固化片,所述的第二复合树脂板分为相应的多个单元,并且每个单元上均打有孔,压合后再在第二复合树脂板的孔内填充可固化的液态绝缘树脂材料板;步骤六,将第一复合树脂板和第五复合树脂板分为相应的多个单元,并将每个单元覆有一层铜箔,再将第一复合树脂板和第五复合树脂板分别覆在步骤五所得产品的上下端,第一复合树脂板的铜箔和第五复合树脂板的铜箔均朝外,热压复合;步骤七,将步骤六得到的产品各个单元的端部钻半圆孔,然后将半圆孔内表面利用化学方法镀铜,在半圆孔内表面再电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属得到第三复合金属层,然后,在第一复合树脂板和第五复合树脂板的铜箔上再电镀锡层,或者电镀镍层,或者镀镍层后再镀金或其它金属得到第一复合金属层和第二复合金属层,;步骤八,然后用蚀刻工艺除去部分每个单元第一复合金属层并用第一绝缘材料板填充,用蚀刻工艺除去部分每个单元的第二复合金属层并用第二绝缘材料板填充,然后使其固化;步骤九,使用切片机将各个单元切开,制得多个抗外界静电冲击的高分子保护元件。
35.根据权利要求30或34所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件的制备方法,其特征在于,制得的抗外界静电冲击的高分子保护元件长度0.8--5.0mm,宽度0.3-4mm,高度0.3-3.0mm。
全文摘要
本发明公开了一种抗外界静电冲击的高分子保护元件及其制备方法,所述的抗外界静电冲击的高分子保护元件包括引出电极、基板,其特征在于,基板为多层结构,所述的基板包括密封在基板内部的高分子压敏材料。与现有技术相比,本发明中的抗外界静电冲击的高分子保护元件没有极性,安装简单,最主要的是结电容小,非常适合高频线路中应用。
文档编号H01C17/00GK101083163SQ200710093840
公开日2007年12月5日 申请日期2007年5月29日 优先权日2007年5月29日
发明者权秀衍, 福田昆之 申请人:上海神沃电子有限公司
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