设备、阳极、以及制造集成电路的方法

专利名称：设备、阳极、以及制造集成电路的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制造工艺，特别是涉及一种装置以及方法，提供 从阳极到晶圆的间隙(横越一晶圆的表面，间隙具有不同高度或是厚度)，通 过一湿工艺处理设备进行湿工艺处理。
背景技术：
半导体工艺中进行许多湿工艺处理程序，这些程序包括例如电化学电
镀(ECP)、电化学机械抛光(ECMP)、旋转涂布、清洁以及蚀刻。因此，许多 设备是设计来进行晶圆或是其他基板的湿工艺处理。
一种制式的湿工艺处理设备包括处理室，用以限制化学处理以及用以将 晶圆挟持于处理室的载具头，使晶圆通过处理室中或是引进处理室的化学物 质进行化学处理。在湿工艺处理设备中，例如是电化学电镀(ECP)设备、电 化学机械抛光(ECMP)设备，处理室包括固定形状的阳极。在处理程序中，阳 极通常设置为离晶圆有一段距离，使一立体(三维)空间形成于阳极与晶圆之 间。设置于或是随后引进于介于阳极与晶圆之间的空间的化学物质(例如是沉 积于基板包含金属离子的电解液)随着电场而改变，通过提供一个电位于阳极 与晶圆(相当于一个阴极)之间，可产生电场于化学物质中。在具有电解质的 化学物质中，电解质制造出电场使电解质中的金属离子可沉积于晶圆上，在 晶圆上形成一个金属层。
这些湿工艺处理设备的缺点，便是介于阳极以及晶圆间的立体空间的高 度，在横越整个晶圆时皆相同。因此，化学物质中电场强度的分布并不能被 控制或调整。当半导体晶圆的尺寸增加以及最小装置特征尺寸(device feature size)减少时，化学物质中电场强度的分布导致无法得知横越晶圆的装置特征， 或者无法选择性的调整横越晶圆的装置特征。
根据上述， 一种改良式的湿工艺处理设备以及方法是必要的，使介于阳 极以及晶圆间的立体空间中的化学物质中电场强度的分布可以被控制。

发明内容
本发明的目的在于提供一种改进的设备、阳极、以及制造集成电路的方 法，使介于阳极以及晶圆间的立体空间中的化学物质中电场强度的分布可以 被控制。
本发明提供一种设备，包括晶圆载具或是基板载具、处理室以及设置于 处理室中的阳极。处理室用以限制化学物质，阳极具有可调整的外形。在晶 圆载具或是基板载具所挟持的晶圆或是基板以及阳极之间形成一个空间。该 空间具有个高度，该高度可通过调整阳极的外形而可选择性的根据横越该晶 圆或基板而被调整。
如上所述的设备，其中该阳极由多个平板所形成。
如上所述的设备，其中该多个平板具有同一中心。
如上所述的设备，还包括滑动握持组件，可使该多个平板的至少一个平 板相对于该多个平板的另外一个平板移动或旋转。
如上所述的设备，其中该滑动握持组件移动或旋转该多个平板的至少一 个平板由第一平面到至少一个第二平面。
如上所述的设备，其中该滑动握持组件包括臂部，可使该多个平板的至 少一个平板相对于该多个平板的另外一个平板移动或旋转。
如上所述的设备，其中该多个平板的每一个单独被发电机(electrical frequency generator)所马区动。
本发明提供一种制造集成电路的方法，方法包括放置晶圆或基板于晶圆 或基板处理设备的处理室中，且处理室包括具有可调式外形的阳极；设定一 个空间于晶圆或基板以及阳极之间；调整阳极的外形，使横越晶圆或基板的 空间可具有不同的高度；以及运转设备以处理晶圆，可形成集成电路。
如上所述的方法，还包括在该运转步骤之前，于调整该阳极的外形之前 或之后，提供电位于该阳极以及该晶圆或该基板之间。
如上所述的方法，其中在调整该阳极的外形中，该阳极可调整成平面， 使该空间的该高度在横越该晶圆或该基板时，实质上不变，或者，该阳极调 整为凸面、凹面或是波浪形，使该空间的该高度在横越该晶圆或该基板时， 具有变化。本发明又提供用于湿工艺处理设备的阳极。阳极包括多个平板，以及至 少一平板可相对于另外一平板移动以调整阳极的外形。使用于湿工艺处理设 备的阳极与晶圆或是基板之间形成一个空间，通过调整阳极的外形，使空间 在横越晶圆或是基板时，具有可调整的高度。
如上所述的阳极，其中该多个平板具有同一中心。
如上所述的阳极，还包括滑动握持组件，可使该多个平板的至少一个平 板相对于该多个平板的另外一个平板移动或旋转。
如上所述的阳极，其中该滑动握持组件移动或旋转该多个平板的至少一 个平板由第一平面到至少一个第二平面。
如上所述的阳极，其中该滑动握持组件包括臂部，可使该多个平板的至 少一个平板相对于该多个平板的另外一个平板移动或旋转。
本发明所提供的设备、阳极及制造集成电路的方法，通过调整阳极的外 形，使横越晶圆或基板的空间具有了不同的高度，进而使介于阳极以及晶圆 间的立体空间中的化学物质中电场强度的分布可以被控制。
为让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举 出较佳实施例，并配合附图，作详细说明。


图1显示使用可调式阳极的电化学电镀设备的一实施例的剖面图； 图2A显示可调式阳极组件的一实施例的仰视图； 图2B显示图2A中可调式阳极组件的正视图； 图3显示图2A、图2B中可调式阳极组件中阳极的仰视图； 图4显示图2A、图2B中可调式阳极组件中线型可移动的滑动握持组件 的俯视图5A显示图2A、图2B中可调式阳极组件的部分正视图5B显示图2A、图2B中可调式阳极组件的另一实施例的部分正视图6A-图6C显示图2A、图2B中可调式阳极组件动作的正视图6D显示图5B中可调式阳极组件动作的正视图7A显示图6A中当阳极调整时，阳极与晶圆间的空间的示意图7B显示图6B中当阳极调整时，阳极与晶圆间的空间的示意图7C显示图6C中当阳极调整时，阳极与晶圆间的空间的示意图； 图7D显示图6D中当阳极调整时，阳极与晶圆间的空间的示意图； 图8A显示可调式阳极组件的另一实施例的仰视图8B显示图8A中可调式阳极组件的另一实施例的正视图； 图9显示图8A、图8B中可调式阳极组件中阳极的仰视图； 图10显示图8A、图8B中可调式阳极组件中可旋转的滑动式握持组件 的部分正视图11A显示图8A中V形区域的剖面图11B显示图11A中沿11B-11B切线的剖面图IIC显示图11A中沿11C-11C切线的剖面图IID显示凸轮槽的一个变化例的剖面图，类似图11C的视角；
图12A-图12D显示图8A、图8B中可调式阳极组件动作正视图；以及 图13显示利用可调式阳极组件于湿工艺处理设备的晶圆湿工艺处理方 法的流程图。
其中，附图标记说明如下
1000电化学电镀设备 3000处理室组件 3110扩散器 3130流体传送管 3230、 3330可调式阳极组件 3240a中心平板 3240d外平板 3252中心集中元件 3254a内部端 3256柱状连接件 3256b下端 3258长形开口 3330可调节阳极 3350旋转式滑动扶持组件 3362外环元件
2000载具头组件 3100电镀室 3120多孔垫 3135出口 3240圆形阳极 3240b、 3240c中间平板 3250可动式滑动扶持组件 3254臂元件 3254b外部端 3256a上端 3256a，、 3256b，连接件 3260固定阳极支撑结构 3340阳极 3360平板旋转装置 3362a凸缘
3364内环元件
3370倾斜线形凸轮沟槽
3371拱形止动装置
A 中心轴
H 高度
S 处理表面
SH2平面形状
SH4波浪形状
3366 、 3368柱状连接件 3370，凸轮沟槽 3372凸轮从动件 AS 上表面 M 、 Ml、 M2传动器 SH,凸起形状 SH3凹入形状 SP立体空间
w半导体晶圆
具体实施例方式
本发明揭示一种可调式阳极组件，用于对半导体晶圆、其他晶圆以及基 板进行湿工艺处理的设备。可调式阳极组件可应用于使用阳极的任一湿工艺
处理或类似的设备，例如电化学电镀(ECP)设备以及电化学机械抛光(ECMP) 设备，但不限于此。为了便于描述可调式阳极组件，本发明利用电化学电镀 设备作为参照，并显示一实施例于图1中。电化学电镀设备1000大致包括 处理室组件3000以及载具头组件2000，可用以握持半导体晶圆W或是其他 晶圆或基板，使其可于处理室设备3000中进行湿工艺处理，以及在电镀或 反电镀时传送直流电力至晶圆W。
处理室组件3000形成容器或电镀室3100以限制电解质溶液。电解质溶 液包括可电化学沉积于晶圆W上的一种或多种金属包括铜(Cu)、铝(A1)、鸨 (W)、金(Au)以及银(Ag)。
处理室组件3000包括可调式阳极组件3230、 3330，设置于电镀室3100 中。扩散器3110以及多孔垫3120设置于处理室3100中，位于可调式阳极 组件3230、 3330之上。于一些实施例中，扩散器3110于处理室3100中支 撑多孔垫3120并提供电镀溶液由多孔垫3120至晶圆W的均匀分布。多孔 垫3120可具有离子传导性。于一些实施例中，金属离子电解质可通过流体 传送管3130供给至多孔垫3120，流体传送管3130具有出口 3135位于多孔 垫3120之上。于其他实施例中，多孔垫3120可设置于邻近于可调式阳极组 件3230、 3330的位置，或是直接与可调式阳极组件3230、 3330接触。
载具头组件2000以可移动的方式位于多孔垫3120之上。于一实施例中， 载具头组件2000包括Z形运转机构，可于垂直方向移动载具头组件2000， 使载具头组件2000相对于多孔垫3120移动。于其他实施例中，载具头组件 2000可包括倾斜运转机构，可使载具头组件2000相对于多孔垫3120倾斜， 或者是载具头组件2000可包括旋转运转机构，可使载具头组件2000相对于 多孔垫3120旋转。Z形运转机构、倾斜运转机构以及旋转运转机构已为公知， 因此上述机构的细部将不再赘述。载具头组件2000握持住晶圆W，使晶圆 W的处理表面S朝下面对多孔垫3120。载具头组件2000可握持不同尺寸的 晶圆，包括具有4英寸、5英寸、6英寸以及8英寸直径的半导体晶圆以及 其他晶圆或基板，但不限于此。于一较佳实施例中，具有大于12英寸半径 的半导体晶圆以及其他晶圆或基板为佳。
通过将处理表面S与多孔垫3120接触并提供一个电位于可调式阳极组 件3230、 3330以及晶圆W(相当于一个阴极)之间，可于电解质溶液中产生一 个电场于一个立体空间SP，其中立体空间SP形成于可调式阳极组件3230、 3330的上表面AS与晶圆W的处理表面S之间，使一个金属层沉积于晶圆 W朝下的水平表面S(处理表面)。至于关于电化学电镀更详细的构造以及操 作，请参阅美国专利US6,863,794。
可调式阳极组件3230、 3330的外形可于任何时间(在处理之前或是处理 中)依照特定的半导体处理程序进行调整，以于电解质溶液中提供一电场强度 分布，该电解质溶液符合处理程序必要条件，例如45nm与45nm以下处理 技术以及/或8英寸与8英寸以上的晶圆。提供一预定的电场强度分布于电解 质溶液的能力必须考虑到较宽的处理窗和/或更多处理控制。
更具体地，调整可调式阳极组件3230、 3330的外形由一平面至一非平 面，例如是凹面、凸面或波浪形等，使电解质溶液中的电场强度分布可选择 性的作调整，使得处理规格，例如是沉积率、沉积剖面、选择性以及残余物， 也可选择性的沿着晶圆W的处理表面S作变化。这是因为可调式阳极组件 3230、3330的非平面外形提供一立体空间SP(位于可调式阳极组件3230、3330 的上表面AS以及晶圆W的处理表面S之间)，此一立体空间SP横越晶圆W 时具有多种不同的高度H。而立体空间SP的多种不同的高度H在电解质溶 液中提供相对的多种不同的电场分布，可改变横越晶圆W处理表面S的处
理规格。因此，可依需求控制横越晶圆W处理表面S处理规格的一致性。
图2A、图2B显示可调式阳极组件3230的一实施例的俯视图以及正视 图。可调式阳极组件3230包括一圆形阳极3240，圆形阳极3240由多个同心 平板以及一线型可动式滑动扶持组件3250所组成，可动式滑动扶持组件3250 使同心阳极平板定位于相同或不同水平以产生一多变厚度的间隙，该间隙于 化学物质(例如是电解质溶液)中提供符合工艺需求的一期望的电场强度分 布。于其他实施例中，可调式阳极可以是正方形、矩形、椭圆形等，以及/ 或者分为多个可调式平板，而该平板可为同心或是不同心，但平板可分别独 立的移动至不同的位置设置。
如图3中的仰视图所示，多个同心阳极平板由一碟形中心平板3240a、 两个圆形环状中间平板3240b、 3240c以及一圆形环状外平板3240d组成。 于其他实施例中，中心平板、环状中间平板和/或环状外平板不限于圆形，可 以是其他形状例如正方形、矩形以及椭圆形。多个同心阳极平板于其他实施 例中，根据不同的装置需求，包括多个以上任一数目的平板。于一些实施例 中，平板可以通过相对应的DC电源、脉冲、无线电频率或是微波发电机的 力量驱动和/或频率驱动。
如图4中俯视图所示，线形可动式滑动扶持组件3250包括一轴向移动 中心集中元件3252、 一个或二个或以上的臂元件3254以及多个柱状连接件 3256(参见图3以及图5A、图5B)。臂元件3254轴向延伸自中心集中元件 3252，柱状连接件3256连接臂元件3254与同心阳极平板3240a、 3240b、 3240c、 3240d。臂元件3254具有一内部端3254a以及一外部端3254b，内部 端3254a枢接于一中心集中元件，外部端3254b枢接于处理室组件3000中 的一固定阳极支撑结构3260(图2B)。
如图5A中部分正视图所示，其中左数第1、 2个向上箭头表示扶持组件 的滑动点(slide point oflifter)，最右边的向上箭头表示扶持组件的固定点(f1X point of lifter)。连接件3256下部延伸穿过臂元件3254的长形开口 3258(图 4)，上端3256a固定连接于同心阳极平板3240a、 3240b、 3240c、 3240d，加 大的下端3256b防止连接件3256由长形开口 3258中退出，以及从臂元件 3254脱离。当臂元件向上或向下枢转时，连接件3256分别在臂元件3254的 长形开口 3258中向外或向内滑动，因此当阳极3240的外形被调整时，使阳
极平板3240a、 3240b、 3240c、 3240d的上表面维持与晶圆W处理表面S平 行。于图2A、图2B、图3、图4、图5A、图6A-图6C的实施例中，每一阳 极平板3240a、 3240b、 3240c、 3240d通过至少一连接件3256与一个臂元件 3254连接。于其他实施例中， 一个或多个阳极平板被固定，因此仅有垂直移 动的阳极平板会通过连接件与臂元件连接。
再次参阅图2B，轴向移动中心集中元件3252可通过一传动器M沿着中 心轴A垂直移动(例如上或下)，传动器M可以是由一步进马达控制的线形传 动器。于其他实施例中，其他种类的传动器也可用于使轴向中心集中元件上 下移动以变化阳极3240的外形。
图5B与图6D分别显示图2A与图2B中可调式阳极组件的变化部分以 及完全的正视图。于第二实施例中，滑动扶持组件的中心集中元件与臂元件 被多个传动器M1、 M2所取代，传动器M1、 M2直接对连接件3256a'以及 3256b，动作，可垂直上下移动阳极平板3240b与3240c至不同水平面。外阳 极平板3240d于此实施例中是固定的，但是于其他实施例中，外阳极平板可 通过一传动器垂直移动。
于更多的实施例中(并未图示)如下，臂元件的中间部枢接于处理室组件 中一固定阳极支撑结构，以及当中心集中元件通过传动器垂直移动时，臂元 件的外部端可自由的上下移动。同样于其他实施例(并未图示)中，例如中心 集中元件与处理室组件中的固定阳极支撑结构连接，以及臂元件的外部端被 传动而移动(向上或向下)以改变阳极的外形。
参见图6A-图6C中的正视图，线形可动式滑动扶持组件3250运转，以 调整阳极3240的外形，通过传动器M的运转，中心集中元件3252可被上下 移动。中心集中元件3252的上下移动升高或降低阳极平板3240a、 3240b、 3240c至多种水平面，因此可改变阳极3240的外形，依次显示于图7A-图7C 中，横越晶圆W处理表面S的立体空间SP的高度H可变化，以于化学物质 中提供符合工艺需求的一期望的电场强度分布。图7A显示当图6A中的阳 极3240被调整至一凸起形状SHJ寸，立体空间SP的高度H如何沿着晶圆W 处理表面S改变。图7B显示当图6B中的阳极3240被调整至一平面形状SH2 时，立体空间SP的高度H如何沿着晶圆W处理表面S改变。图7C显示当 图6C中的阳极3240被调整至一凹入形状SH3时，立体空间SP的高度H如
何沿着晶圆W处理表面S改变。
如图5B、图6D所示，可调式阳极组件的传动器M1、 M2之一或两者皆 运转以升高或降低阳极平板3240b、 3240c至不同水平面，阳极3240的外形 可因此而改变。如前述实施例中，改变阳极3240的外形可改变横越晶圆W 处理表面S的立体空间SP的高度H。图7D显示当图6D中的阳极3240被 调整至一波浪形状SH4时，立体空间SP的高度H如何沿着晶圆W处理表面 S改变。
图8A中的仰视图以及图8B中的正视图共同显示另一实施例中的可调节 阳极，代表符号为3330。可调节阳极3330包括一阳极3340，阳极3340由 类似前述实施例中多个同心平板以及旋转式滑动扶持组件3350所组成，旋 转式滑动扶持组件3350可改变阳极的外形。
如图9中的仰视图所示，多个同心平板包括一碟形中心平板3340a、 一 圆形环状中间平板3340b以及一圆形环状外平板3340c。于一些实施例中， 平板可以通过相对应的DC电源、脉冲、无线电频率或是微波发电机的能量 驱动和/或频率驱动。
转动式滑动扶持组件3350包括如图10所示的平板旋转装置3360，用于 可选择的旋转一个或多个阳极平板3340a、 3340b、 3340c，以及图11A-图11D 所示的凸轮沟槽及从动件排列，当阳极平板3340a、 3340b、 3340c通过旋转 装置3340彼此相对旋转时，凸轮沟槽及从动件排列用于使阳极平板3340a、 3340b、 3340c上下垂直移动，进而使阳极平板3340a、 3340b、 3340c定位于 相同或不同的水平面以改变阳极3340的外形。
参见图10，旋转装置3360包括一外环元件3362，用以旋转中间平板 3340b，以及一内环元件3364，用以旋转中心平板3340a。外环元件3362具 有至少一凸缘3362a，用以容纳一柱状连接件3366的一端，该连接件3366 与中间阳极平板3340b固定连接。内环元件3364具有至少一交叉臂3364a， 用以容纳另一柱状连接件3368的一端，该柱状连接件3368与中间阳极平板 3340a固定连接。外环元件3362与内环元件3364可选择的被相对应的传动 器(位图式)旋转，例如是步进马达。于其他实施例中，其他传动器也可用于 旋转外环元件3362与内环元件3364。
凸轮沟槽及从动件排列使阳极平板3340a、 3340b、 3340c彼此连接，以
致于相邻的阳极平板可相对旋转，使其中之一平板依不同的旋转方向相对于 其他平板垂直向上或向下移动，进而相邻的平板可定位于相同或不同的水平面。
参见图11A-图IID，凸轮沟槽及从动件排列包括两个或以上的等间倾斜
线形凸轮沟槽3370以及相对应的等间凸轮从动件3372，倾斜线形凸轮沟槽 3370形成于每一外阳极平板3340c与中间阳极平板3340b的内周围表面，相 对应的凸轮从动件3372突出于中心阳极平板3340a与中间阳极平板3340b 的外周围表面。或者，凸轮从动件3372提供于每一外阳极平板3340c与中 间阳极平板3340b的内周围表面，而相对应的倾斜凸轮沟槽3370形成于中 心阳极平板3340a与中间阳极平板3340b的外周围表面。
图12D显示另一实施例，其中每一凸轮沟槽代表符号为3370'，配备一 拱形止动装置3371以提供数种分离阳极外形的调整机制。
旋转式滑动扶持组件3350可调整阳极3340的外形，通过传动器旋转内 环和/或外环元件3362、 3364。如图12A-图12D所示，外环元件3362使中 间阳极平板3340b相对于固定的外阳极平板3340c旋转，使中间平板3340b 垂直向上或向下相对于外阳极平板3340c移动。内环元件3364使中心阳极 平板3340a相对于中间阳极平板3340b旋转，使中心阳极平板3340a垂直向 上或向下相对于中间阳极平板3340b移动。当中心与中间阳极平板3340a、 3340b旋转时，凸轮从动件依不同的旋转方向于凸轮沟槽中向上或向下滑动 (图IIC)或阶梯式移动(图11D)，使中心阳极平板3340a与中间阳极平板3340b 依不同的旋转方向垂直向上或向下移动，进而改变阳极3340的外形。横越 晶圆W处理表面S的立体空间SP的高度H可因此而变化，以于化学物质中 提供符合工艺需求的一期望的电场强度分布。
可调式阳极组件的阳极可由任何电极材料所制成。于一些实施例中，阳 极可由形状记忆合金(SMA)或是其他具有可塑性及延展性的材料所制成。可 调式阳极组件的滑动扶持组件可由任何材料所制成，包括金属材料、陶磁材 料或与阳极相同的材料，但不限于此。
图13显示一晶圆湿工艺处理方法的步骤的流程图，该晶圆湿工艺处理 方法利用一可调式阳极组件于一湿工艺处理设备中。该方法可用于制造集成 电路。湿工艺处理设备可为一电化学电镀设备，例如为前述图1所示的设备。
于其他实施例中，湿工艺处理设备可以为一电化学机械抛光设备或是其他晶 圆或基板处理设备。
晶圆湿工艺处理方法开始于步骤4000:放置一晶圆于湿工艺处理设备的 载具头组件的握持件。
于步骤4010中，载有晶圆的握持件被放置于湿工艺处理设备的处理室 中，处理室中包括用于处理晶圆的化学物质。握持件被放置于处理室中，使 晶圆被其中的化学物质所浸没。
于步骤4020中， 一个空间被定义于晶圆与可调式阳极组件的阳极之间。 于步骤4030中，可调式阳极组件的外形被调整，使横晶圆与可调式阳 极组件的阳极间的空间呈多样式变化。
于歩骤4040中，湿工艺处理设备运转以湿工艺处理晶圆。 虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何 本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动 与润饰，因此本发明的保护范围当视随附的权利要求所界定的范围为准。
权利要求
1.一种设备，包括晶圆载具或基板载具；处理室，用以限制化学物质；以及阳极，具有可调整的外形，并设置于处理室中；其中一个空间形成于该晶圆载具或是基板载具所挟持的晶圆或是基板以及该阳极之间，该空间具有一个高度，该高度通过调整该阳极的外形而可选择性的根据横越该晶圆或基板而被调整。
2. 如权利要求l所述的设备，其中该阳极由多个平板所形成。
3. 如权利要求2所述的设备，其中该多个平板具有同一中心。
4. 如权利要求2所述的设备，还包括滑动握持组件，可使该多个平板 的至少一个平板相对于该多个平板的另外一个平板移动或旋转。
5. 如权利要求4所述的设备，其中该滑动握持组件移动或旋转该多个 平板的至少一个平板由第一平面到至少一个第二平面。
6. 如权利要求4所述的设备，其中该滑动握持组件包括臂部，可使该 多个平板的至少一个平板相对于该多个平板的另外一个平板移动或旋转。
7. 如权利要求2所述的设备，其中该多个平板的每一个单独被发电机 所驱动。
8. —种制造集成电路的方法，该方法包括放置晶圆或基板于晶圆或基板处理设备的处理室中，该处理室包括阳 极，该阳极具有可调整的外形；在该晶圆或基板以及该阳极之间设定一个空间；调整该阳极的外形，使横越该晶圆或该基板的该空间可具有不同的高 度；以及运转该设备以处理该晶圆，以形成该集成电路。
9. 如权利要求8所述的方法，还包括在该运转步骤之前，于调整该阳 极的外形之前或之后，在该阳极以及该晶圆或该基板之间提供一个电位。
10. 如权利要求8所述的方法，其中在调整该阳极的外形中，该阳极可 调整成平面，使该空间的该高度在横越该晶圆或该基板时，实质上不变，或者，该阳极调整为凸面、凹面或是波浪形，使该空间的该高度在横越该晶圆 或该基板时，具有变化。
11. 一种用于湿工艺处理设备的阳极，包括 多个平板；以及该多个平板的至少一个平板可相对于该多个平板的另外一个平板移动 以调整该阳极的外形；其中使用于该湿工艺处理设备的该阳极与晶圆或是基板之间形成一个 空间，通过调整该阳极的外形，使该空间在横越该晶圆或是该基板时，具有 可调整的高度。
12. 如权利要求ll所述的阳极，其中该多个平板具有同一中心。
13. 如权利要求11所述的阳极，还包括滑动握持组件，可使该多个平板的至少一个平板相对于该多个平板的另外一个平板移动或旋转。
14. 如权利要求13所述的阳极，其中该滑动握持组件移动或旋转该多 个平板的至少一个平板由第一平面到至少一个第二平面。
15. 如权利要求14所述的阳极，其中该滑动握持组件包括臂部，可使 该多个平板的至少一个平板相对于该多个平板的另外一个平板移动或旋转。
全文摘要
一种设备、阳极、以及制造集成电路的方法。该阳极为用于湿工艺处理设备的可调式阳极组件，在设备中可选择地调整湿工艺处理化学物质中的电场强度的分布，当设备在处理晶圆时，横越晶圆的处理表面，可调式阳极组件依次可选择地变化不同的处理规格。该可调式阳极组件包括阳极，阳极可分为数个平板，其中至少一个平板可由第一平面移动至至少一个第二平面。
文档编号H01L21/00GK101192509SQ20071010884
公开日2008年6月4日 申请日期2007年6月5日 优先权日2006年11月27日
发明者余振华, 汪青蓉, 萧义理, 许呈锵 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司