专利名称：记忆卡及其制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体封装技术，特别是涉及一种记忆卡及其制法。
背景技术：
随着数码相机、行动电话、个人数字助理器、影音播放器等数字 产品的不断推陈出新，产品技术日渐成熟，使得消费者对于快闪记忆卡需求量只增不减。常见的快闪记忆卡产品大致分为CF(Compact Flash)卡、SMC (Smart Media Card) 、MMC (Mult i Media Card) 、 SD (Secure Digital)卡、MS(Memory Stick)卡等。由于内存容量不断地提升，所 能存取的数据量也提升数倍，相对地一旦破裂损坏，也代表使用者珍 贵的众多数据立即消失殆尽，因此厂商在研发扩充记忆卡容量的同时， 亦不断改进结构，使之虽薄但不易破损，并具有适当的防水效果。传统的记忆卡结构通常为二片式，即利用上下两片结构将电路板 夹设其中，再利用高周波熔接技术将上下两片接合在一起，形成一记 忆卡结构，但缺点是长时间多次抽取于电子产品时，容易使接合处破 裂而损坏，或是接合处容易产生极小的空隙。有关于记忆卡结构相关 技术已公开于例如美国专利第5， 677， 524号、第6,040,622号、第 6， 624， 005号以及日本专利62-239554号等。中国台湾专利公告第570294号公开了一种记忆卡的制造方法，是 在具有多个电路板单元的阵列式电路板中，对应各该电路板单元进行 芯片接置与电性连接，再于该整片电路板上形成一封装胶体，接着利 用钻石砂轮(Grinding wheel cutter)沿各该电路板单元进行切割，从 而通过成批方式制作出多个呈矩形方正的封装件，再将该封装件嵌入 至一外壳体之中。但是此需在芯片完成封装后，再额外封盖一外壳体， 如此，不仅将造成额外提供该外壳体及将该外壳体黏附于封装件上所 导致的成本及制程步骤的增加，而不符经济效益。为配合各式电子装置的轻、薄、短、小化发展，记忆卡的设计亦从画C演变至RS-丽C(Reduced Size Multi Media Card)及固C-Micro;以及由SD演变至mini SD及Micro-SD等 的发展应用，Sony公司更是推出Memory Stick Mirco (M2)，是以， 伴随着制程变化及产品的多样化，这些记忆卡的需求样式已非如前述 传统由直线所构成的方正矩形，而转变成具不规则的形状。然而，前 述制程中采用钻石砂轮的切割方式，仅可形成直线切割路径，实已无 法应付不规则形状如Micro-SD、醒C-Micro、 M2等记忆卡的卡式封装 件需求。美国专利第6,548,911号虽然公开一种不需使用外壳体的多媒体 电路卡制程技术，但是仅可提供应用于制造外型的记忆卡，仍旧 无法无法提供应用于制造诸如薩OMicro、以及Micro-SD等不规则外 型的记忆卡。美国专利公开US 2004/0259291则公开另一种不需使用外壳体且 可处理不规则记忆卡封装件的制程技术，其主要是在一具有多个电路 板单元的电路板上对应各电路板单元进行置晶及打线作业，再全面于 该电路板上进行封装胶体制程，接着再利用磨削、水刀或激光方式对 应所欲形成记忆卡的封装件外型进行切割，以形成多个具不规则形状 如Micro-SD、麗C-Micro、 M2等记忆卡的的卡式封装件。但是于前述制程中，对应切割不规则封装件所使用的水刀，是将 水经过超高压增压器，以将水增压至55000psi,然后通过直径仅0. 004 英吋的喷嘴喷出，藉以产生3000英呎/秒(约三倍音速)的高速水流， 同时另可添加高硬度细砂，以增强其切割能力，而可切割金属及硬质 材料。然而，该水刀制程的成本高，且于水刀的水柱内需加入细砂的 研磨材料(abrasive)，该细砂所产生的粉尘及渣料不仅会造成环境污 染，同时该研磨材料为抛弃式，于使用过一次后即需丢弃而无法重复 使用，相对提高制造成本。再者，该水刀的切割宽度及路径受限于水 刀压力及研磨材的颗粒大小，因此极易于不规则封装件切割时，造成 切割路径不稳定现象而影响制程良率，且该水刀的喷口常为研磨材料 所阻塞，相对亦提高制程的不稳定性；另外由于其切割面常为细砂冲 刷，因而造成封装件切割面不平整问题。虽有业者尝试改以激光方式进行切割，但是于激光切割时亦会产生封装胶体及电路板边缘烧焦等问题，造成切割面不平整问题，同时切口亦会有毛边问题及粉尘污染等情况；另外，受限于激光照射角度 的影响，造成部分封装件的切割面有歪斜现象；再者该激光切割成本 (如激光切割设备、灯管耗材成本)亦过高，而不符经济效益。此外， 不论水刀或激光切割方式，由于其是利用细砂或具能量的光束自封装 胶体的上缘向下冲切，易造成封装胶体的崩缺(chip-out)或胶体裂损 (crack)等切割面不平顺问题，严重影响记忆卡封装件的外观及质量。 因此，如何有效解决前述现有技术所存在的问题，以提供一种可 简化制程、不需进行外型切割、縮短制程时间、提升制程良率、降低 制造成本的记忆卡其制法及结构，乃成目前业界所亟待解决的问题。发明内容鉴于以上所述背景技术的缺点，本发明的一目的是提供一种不需进行外型切割的记忆卡及其制法。本发明的另一目的是提供一种记忆卡及其制法，以简化制程。 本发明的次一 目的是提供一种记忆卡及其制法，以縮短制程时间。 本发明的再一目的是提供一种记忆卡及其制法，以提升制程良率与降低制造成本。为达成上述及其它目的，本发明提供一种记忆卡的制法，包括 提供具有间隔排列多个电路板单元的电路板，各该电路板单元呈记忆 卡预定形状且以连接部连接至该电路板，并接置与电性连接至少一芯 片；贴覆一薄膜于该电路板对应各该电路板单元未接置芯片的相对表 面；以模具罩覆该电路板与该薄膜而构成相同形状且尺寸大于该电路 板单元的模腔，经填充封装材料于该模腔而形成包覆该芯片及该电路 板单元外侧的封装胶体；以及移除该薄膜与切除该连接部，从而制得 预定形状的记忆卡。本发明复提供一种记忆卡，包括电路板单元，呈记忆卡预定形 状；至少一芯片，电性连接至该电路板单元；以及封装胶体，经转注 成型(Transfer Molding)具有相同于该电路板单元的形状及大于该电路板单元的尺寸，并包覆该芯片及该电路板单元的外侧。前述记忆卡的制法中，复可包括于各该电路板单元一侧形成倒角的步骤，从而制成预定形状且具倒角的记忆卡，所述形成倒角的步骤 因应记忆卡的型式而定，并非绝对必要，倒角型式或位置亦无特定限 制。于一实施例中，形成倒角的步骤是于形成封装胶体之后进行；于 另一实施例中，形成倒角的步骤是于移除该薄膜与切除该连接部之前 进行。该记忆卡的预定形状可为不规则形状，而所述不规则形状例如符 合Micro-SD、應C-Micro、或Memory Stick Mirco (M2)的形状，亦即 所述该记忆卡可为选自Micro-SD、丽C-Micro、及Memory Stick Mirco (M2)的其中一种卡式封装件。前述该电路板可具有多道开孔以隔开各 该电路板单元，该开孔的形状搭配该电路板单元的形状而无特定限制； 该芯片可通过覆晶、打线或其它方式电性连接至该电路板单元，亦无 特定限制；该薄膜的材料可为耐热材料。于一实施例中，该电路板的多个电路板单元可呈单排的排列结构， 各该电路板单元是以连接部连接至该电路板，并以开孔彼此间隔。于 另一实施例中，该电路板的多个电路板单元可呈多排的排列结构，同 一排的各该电路板单元是以开孔彼此间隔，非同一排的各该电路板单 元是以连接部彼此连接。较佳地，该连接部为连接杆(Connecting Bar)。各该电路板单元可具有用以接置该芯片的第一表面、相对于该第 一表面的第二表面、及贯穿该第一及第二表面的导电通孔。另外，该 电路板单元的第一表面可具有连接各该导电通孔的电路图案以供电性 连接该芯片，该第二表面可具有分别连接至各该导电通孔的电性端子 以供电性连接外部装置。所述的模具可包括一用以托抵该薄膜的下模、及一用以罩覆该电 路板与该薄膜的上模，通过该上模与该薄膜构成用以限制封装材料填 充空间的模腔，以防止封装材料向外溢漏。相比于现有技术，本发明所提供的记忆卡及其制法，只需切断各 该连接部11将各该电路板单元11相互分离，即可得到不规则形状例 如为Micro-SD、腿C-Micro或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封装件 的记忆卡，并无现有技术对应各电路板单元周围所形成的不规则切割 路径进行不规则胶体的切割工作，故而不需使用例如磨削、水刀、激 光等机具进行外型切割工作，相对可简化制程、縮短制程时间，同时因为不需使用磨削、水刀、激光等机具而可降低设备成本、提升制程 良率、降低制造成本，并可避免因为使用水刀、激光所造成的胶体崩 缺或胶体裂损等问题，显然克服现有技术的种种缺陷。
图1至图4是显示本发明记忆卡的制法实施例图，其中，图1是 显示电路板的俯视结构示意图，图2是显示沿图1中A-A剖线所绘制 的剖视图并贴覆一薄膜，图3是显示通过模具进行转注成型的示意图， 图4是显示完成转注成型之后的切割动作示意图；以及图5A及图5B是显示本发明记忆卡的结构实施例图，其中，第5A 图是显示记忆卡的侧剖示意图，第5B图是显示记忆卡的仰视示意图。 元件符号说明1电路板11电路板单元13连接部15开孔2心片3薄膜5模具50模腔51上模53下模6封装胶体7切削刀具具体实施方式
以下兹配合
本发明的具体实施例，以使本领域技术人员 可轻易地了解本发明的技术特征与达成功效。请参阅图1至图5A，是显示本发明所提供记忆卡的流程图。 如图1所示，首先提供一电路板1，该电路板1具有间隔排列的多 个电路板单元11，各该电路板单元11呈记忆卡预定形状且以连接部 13连接至该电路板1，并接置与电性连接至少一芯片2。于本实施例中，该呈记忆卡预定形状的电路板单元11具有相同于 预定形成诸如Micro-SD、画C-Micro、或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封装件的形状，但尺寸略小的，且各该电路板单元ll已完成线路 布局，并于背面设置有多个电性端子(Terminals)(未图示)以供与外 部装置电性连接，而所述的连接部13可为连接杆(Connecting Bar)。同时，本实施例中所示电路板1的多个电路板单元11可呈多排的 排列结构，即阵列结构，同一排的各该电路板单元11是以开孔15彼此间隔，非同一排的各该电路板单元11是以连接部13彼此连接，但 于其它实施例中，各该电路板单元11亦可为例如单排的排列结构或其 它排数的多排的排列结构，以因应批次制造需求，绝非仅以本实施例 所示者为限。例如于其它实施例中，该电路板1的多个电路板单元11 可呈单排的排列结构，各该电路板单元11是以连接部13连接至该电路板l，并以开孔15彼此间隔，由于这些数量上的变化应为电路板(或 基板)所属领域中技术人员所熟知，因此不予搭配另一实施例赘述的。各该电路板单元11可具有用以接置该芯片2的第一表面、相对于 该第一表面的第二表面、及贯穿该第一及第二表面的导电通孔(未图 示)。另外，该电路板单元11的第一表面可具有连接各该导电通孔的 电路图案(未图标)以供电性连接该芯片2，该第二表面可具有分别连接 至各该导电通孔的电性端子(未图示)以供电性连接外部装置。于本实 施例中的芯片2是以打线方式电性连接至该电路板单元11，并使该芯 片2电性导接至该电路板单元ll背面的电性端子；但，于其它实施例 中亦可利用覆晶或其它适当方式电性连接该芯片2至该电路板单元 11，且该芯片2的设置数量与设置位置亦非以本实施例所示者为限。 此外，若该芯片2有需要搭配外接的被动元件，则于此同时将所需的 被动元件藕接至各个电路板单元11上。接着，如图2所示，贴覆一薄膜3于该电路板1对应各该电路板 单元11未接置芯片2的相对表面，亦即于该电路板1底面贴覆一薄膜 3，以通过该薄膜3封闭各该开孔15的底端，并且保护各该电路板单 元ll第二表面(即底面)的电性接点，其中，该薄膜3的材料为耐热材 料，并且具有可挠曲的弹性变形特性。然后如图3所示，以模具5罩覆该电路板1与该薄膜3而构成相 同形状且尺寸大于该电路板单元11的模腔50，经填充封装材料于该模 腔50而形成包覆该芯片2及该电路板单元11外侧的封装胶体6，由于 该模腔50的形状相同且尺寸大于该电路板单元11，因此经过填充封装 材料而转注成型(Transfer Molding)的封装胶体6将直接形成记忆卡 的预定形状。在本实施例中，所述的模具5包括一用以托抵该薄膜3的下模53、 及一用以罩覆电路板与该薄膜3的上模51，通过该上模51与该薄膜3 构成用以限制封装材料填充空间的模腔50。由于运用该薄膜3封闭各 该开孔15(未图示)的底端且保护各该电路板单元11第二表面(即底面) 的电性接点，并通过该薄膜3可弹性变形特性供该上模51与下模53 紧密压合，因此可防止封装材料向外溢漏。最后移除该薄膜3与切除各连接部13，而制得预定形状的记忆卡。 如图4所示，于各该电路板单元11完成转注成型封装胶体6之后，几 乎已经制成所需的卡式封装件，但是个别仍因为连接部13而连接于该 电路板3，同时因为利用开孔15隔开电路板单元11的设计，最后无需 进行纵向切割，只需延图示的虚线所示利用诸如锯片或切割刀的切削 刀具7横向切断各该连接部13，即可制得如图5A及图5B所示呈预定 形状的记忆卡。当然，移除该薄膜3与切除各该连接部13的步骤可视 制程状况而定，例如先移除该薄膜3之后再切除各该连接部13，亦可 先切除各该连接部13之后再个别移除该薄膜3，并无特定限制。相比于现有技术须对应各电路板单元周围所形成的不规则切割路 径进行不规则胶体的切割工作，本发明中只需切断各该连接部13将各 该电路板单元11相互分离，即可得到不规则形状例如为Micro-SD、 MMC-Micro或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封装件的记忆卡。故而 不需使用例如磨削、水刀、激光等机具进行外型切割工作，故可简化 制程、縮短制程时间，同时因为无需使用磨削、水刀、激光等机具而 可降低设备成本、提升制程良率、降低制造成本，并可避免因为使用 水刀、激光所造成的胶体崩缺或胶体裂损等问题。需特别说明的是，因应各式Micro-SD、丽C-Micro或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封装件的外型设计，于前述记忆卡的制法中，复可 包括于各该电路板单元11 一侧形成倒角的步骤，从而制成预定形状且 具倒角的记忆卡，当然，所述形成倒角的步骤是因应记忆卡的型式而 定，并非绝对必要，倒角型式或位置亦无特定限制。同时，形成倒角 的步骤亦无特定限制，可在形成封装胶体6之后进行，亦可在移除薄 膜3或切除连接部13之前进行。根据前述制法所制得的记忆卡，如图5A及图5B所示，该记忆卡包括呈记忆卡预定形状的电路板单元11、电性连接至该电路板单元11的至少一芯片2、以及包覆该芯片2及该电路板单元11外侧的封装胶 体6，其中，封装胶体6经转注成型(Transfer Molding)具有相同于该 电路板单元11的形状及大于该电路板单元11的尺寸。当然，该电路板单元11可具有接置该芯片2的第一表面、相对于 该第一表面的第二表面、及贯穿该第一及第二表面的导电通孔(未图 示)。另外，该电路板单元11的第一表面可具有连接各该导电通孔的 电路图案(未图标)以供电性连接该芯片2，该第二表面可具有分别连接 至各该导电通孔的电性端子以供电性连接外部装置，而所述封装胶体6 包覆该芯片2、该电路板单元11的外侧、及该第一表面，但未包覆该 第二表面。于本实施例中的芯片2是以打线方式电性连接至该电路板单元11，并使该芯片2电性导接至该电路板单元ll背面的电性端子；但，于其它实施例中亦可利用覆晶或其它适当方式电性连接该芯片2至该 电路板单元11，且该芯片2的设置数量与设置位置亦非以本实施例所 示者为限。此外，若该芯片2有需要搭配外接的被动元件，则于此同 时将所需的被动元件藕接至各个电路板单元11上。综前所述，本发明所提供的记忆卡及其制法，只需切断各该连接 部11将各该电路板单元11相互分离，即可得到不规则形状例如为 Micro-SD、醒C-Micro或Memory Stick Mirco (M2)等卡式封装件的记 忆卡，并无现有技术对应各电路板单元周围所形成的不规则切割路径 进行不规则胶体的切割工作，故而不需使用例如磨削、水刀、激光等 机具进行外型切割工作，相对可简化制程、縮短制程时间，同时因为 不需使用磨削、水刀、激光等机具而可降低设备成本、提升制程良率、 降低制造成本，并可避免因为使用水刀、激光所造成的胶体崩缺或胶 体裂损等问题。是故，本发明所提供的记忆卡及其制法可解决现有技 术的缺陷上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制 本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下， 对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应以 权利要求书的范围为依据。
权利要求
1.一种记忆卡的制法，包括提供具有间隔排列多个电路板单元的电路板，各该电路板单元呈记忆卡预定形状且以连接部连接至该电路板，并接置与电性连接至少一芯片；贴覆一薄膜于该电路板对应各该电路板单元未接置芯片的相对表面；以模具罩覆该电路板与该薄膜而构成相同形状且尺寸大于该电路板单元的模腔，经填充封装材料于该模腔而形成包覆该芯片及该电路板单元外侧的封装胶体；以及移除该薄膜与切除该连接部，从而制得预定形状的记忆卡。
2. 根据权利要求1所述的记忆卡的制法，其中，该薄膜的材料为 耐热材料。
3. 根据权利要求1所述的记忆卡的制法，其中，该模具包括一用 以托抵该薄膜的下模、及一用以罩覆该电路板与该薄膜的上模，通过 该上模与该薄膜构成用以限制封装材料填充空间的模腔，以防止封装 材料向外溢漏。
4. 根据权利要求1所述的记忆卡的制法，其中，该记忆卡的预定 形状为不规则形状。
5. 根据权利要求1所述的记忆卡的制法，其中，该连接部为连接杆。
6. 根据权利要求1所述的记忆卡的制法，其中，该电路板的多个 电路板单元呈单排的排列结构，各该电路板单元是以连接部连接至该 电路板，并以开孔彼此间隔。
7. 根据权利要求1所述的记忆卡的制法，其中，该电路板的多个 电路板单元呈多排的排列结构，同一排的各该电路板单元是以开孔彼 此间隔，非同一排的各该电路板单元是以连接部彼此连接。
8. 根据权利要求1所述的记忆卡的制法，其中，该记忆卡为选自 Micro-SD、醒C-Micro、及Memory Stick Mirco (M2)的其中一种卡式 封装件。
9. 一种记忆卡，包括 电路板单元，呈记忆卡预定形状； 至少一芯片，电性连接至该电路板单元；以及封装胶体，经转注成型具有相同于该电路板单元的形状及大于该 电路板单元的尺寸，并包覆该芯片及该电路板单元的外侧。
10. 根据权利要求9所述的记忆卡，其中，该电路板单元具有接置 该芯片的第一表面、相对于该第一表面的第二表面、及贯穿该第一及 第二表面的导电通孔，而该封装胶体包覆该芯片、该电路板单元的外 侧、及该第一表面，但未包覆该第二表面。
全文摘要
本发明公开了一种记忆卡及其制法，是使用呈记忆卡预定形状的电路板单元接置与电性连接至少一芯片，并于该电路板单元未接置芯片的相对表面贴覆一薄膜，再以模具罩覆该电路板单元与该薄膜而构成相同形状且尺寸大于该电路板单元的模腔，复经填充封装材料于该模腔而形成包覆该芯片及该电路板单元外侧的封装胶体，由此可一体制得预定形状的记忆卡，不需现有技术于后续利用水刀或激光进行切割外型的作业，故可降低制造成本并提升制程良率。
文档编号H01L23/31GK101325163SQ200710108989
公开日2008年12月17日 申请日期2007年6月11日 优先权日2007年6月11日
发明者蔡铭松, 许谢蔚 申请人:联测科技股份有限公司