静电卡盘的制作方法

文档序号:7232577阅读:457来源:国知局
专利名称:静电卡盘的制作方法
技术领域
本发明涉及一种半导体晶片加工设备,尤其涉及一种晶片加工设备的静电卡盘。
背景技术
在集成电路(IC)制造工艺过程中,特别是刻蚀、物理气相沉积(PVD)及化学气相 沉积(CVD)过程中, 一般使用静电卡盘(Electro Static Chuck简称ESC)来固定、支撑 及传送晶片(Wafer),避免晶片在工艺过程中出现移动或错位现象。静电卡盘采用静电引 力的方式来固定晶片,与传统的机械卡盘和真空吸盘比较具有很多优点。静电卡盘减少了 在使用传统卡盘的过程中,由于压力、碰撞等机械原因对晶片造成的不合修复的损伤;由 于采用静电吸引没用机械固定,增大了晶片的有效加工面积;减少了由于机械碰撞产生的 颗粒污染;由于静电卡盘与晶片完全接触更加有力于进行热传导;并且克服了真空吸盘的 致命缺陷,可以在高真空反应腔室中使用。
在半导体工艺过程中,特别是刻蚀和PVD,对工艺均匀性的要求是非常严格的,无论 是温度分布还是吸引力分布上,对其均匀性的要求都非常严格。
如图l、图2所示,现有技术中的静电卡盘包括绝缘层2、铝基座3,直流电极层埋藏在 绝缘层2中,静电卡盘就是利用直流电极层与晶片l之间产生的静电引力达到固定晶片l的目 的。铝基座3用来支撑绝缘层2,导入射频电源(RF),形成RF偏压。 一般情况下,绝缘层2 与铝基座3之间采用硅粘结剂粘接。铝基座3上设有氦气进口4以及氦气通道,绝缘层2上设 有氦气沟道5和氦气孔6。
静电卡盘的主要作用为支撑固定晶片l以及对晶片l进行温度传递进而实现温度均匀分 布,支撑固定晶片l通过静电引力实现,温度均匀性分布一方面是通过绝缘层2与晶片1接触 进行热传递,另一方面氦气由氦气进口4进入铝基座3,再通过氦气孔6进入氦气沟道5;氦 气在氦气沟道5内均匀分布后再进入晶片1与绝缘层2之间的缝隙实现对晶片1的传热。
上述现有技术至少存在以下缺点
由于静电引力的存在,晶片1与绝缘层2的间隙很有限,不利于氦气对晶片l的热传 导,致使晶片l的表面温度分布不均匀。

发明内容
本发明的目的是提供一种有利于氦气对晶片l进行热传导的静电卡盘。 本发明的目的是通过以下技术方案实现的
本发明的静电卡盘,包括绝缘层,所述的绝缘层的上表面为凹凸状。
由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明所述的静电卡盘,由于绝缘层的上表 面为凹凸状,有利于氦气进入晶片与绝缘层之间的缝隙实现对晶片的传热,使晶片表面温 度分布均匀。


图l为现有技术中静电卡盘的结构示意图; 图2为图1的俯视图3为本发明的静电卡盘具体实施例一的平面结构示意图; 图4为本发明的静电卡盘具体实施例的立面结构示意图5为本发明的静电卡盘具体实施例二的平面结构示意图。
具体实施例方式
本发明的静电卡盘,其较佳的具体实施例一如图3、图4所示,包括绝缘层2,所述的 绝缘层2的上表面为凹凸状。
具体绝缘层2的上表面设有多个凸点7,凸点7之间形成凹面8,当绝缘层2上放置晶片1 时,晶片1与凸点7接触,凹面8与晶片1之间的间隙便成为氦气空间。氦气通过氦气通道进 入凹面8,氦气在凹面8内分布均匀。在绝缘层最外圈可以设置密封环9,对氦气起密封作用 (相对密封,不能完全密封,有泄漏)。氦气在凹面8范围内将绝缘层2的热量均匀的传递 给晶片l,使晶片l的温度分布均匀,改善工艺性能,提高产品均匀性。
所述多个凸点7均匀分布。可以采用矩阵式分布,所述多个凸点7中,每一个凸点7与 其相邻凸点7的之间的距离相等。
具体实施例二如图5所示,所述多个凸点7可以采用圆周分布,沿以绝缘层2中心为圆 心的多个圆周分布。
所述凸点7的表面形状为以下形状中的一种或多种圆形、方形、三角形、多边形。 所述凸点7的直径可以为3腿,间距可以为8腿,高度可以为0.04隱。具体应用中,所
述凸点7的直径可以为2 — 4mm,间距可以为6 —10mm,高度可以为O. 03 — 0. 05mm之间,可以
根据工艺的需要进行设置。
所述的绝缘层2由陶瓷材料(AL203、 ALN等)制作,加工制造时将直流电极层通过烧 结或喷涂的方式埋藏在绝缘层2中。所述的绝缘层2的上表面最好经过喷砂处理。
本实用新型将绝缘层的上表面设计为凹凸状,有利于氦气进入晶片与绝缘层之间的缝 隙实现对晶片的传热,使晶片表面温度分布均匀。主要应用在半导体刻蚀过程中,可提高 晶片刻蚀均匀性,也可以应用在其它的半导体加工工艺中。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式
,但本发明的保护范围并不局限于此,任 何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都 应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1、一种静电卡盘,包括绝缘层,其特征在于,所述的绝缘层的上表面为凹凸状。
2、 根据权利要求l所述的静电卡盘,其特征在于,所述的绝缘层的上表面设有多个凸点。
3、 根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述多个凸点均匀分布。
4、 根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述多个凸点呈矩阵式分布。
5、 根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述多个凸点中,每一个凸点与其 相邻凸点的之间的距离相等。
6、 根据权利要求2所述的静电卡盘,其特征在于,所述多个凸点沿以绝缘层中心为圆 心的多个圆周分布。
7、 根据权利要求2至6任一项所述的静电卡盘,其特征在于,所述凸点的表面形状为 以下形状中的一种或多种-圆形、方形、三角形、多边形。
8、 根据权利要求2至6任一项所述的静电卡盘,其特征在于,所述凸点的直径为2 — 4mra,间距为6—10咖,高度为O. 03 —0. 05,。
9、 根据权利要求1至6任一项所述的静电卡盘,其特征在于,所述的绝缘层由陶瓷材 料制作。
10、 根据权利要求9所述的静电卡盘,其特征在于,所述的绝缘层的上表面经过喷砂 处理。
全文摘要
本发明公开了一种静电卡盘,包括绝缘层,所述的绝缘层的上表面设有多个凸点,多个凸点呈矩阵式或圆周式均匀分布。有利于氦气进入晶片与绝缘层之间的缝隙实现对晶片的传热,使晶片表面温度分布均匀。主要应用在半导体刻蚀过程中,可提高晶片刻蚀均匀性,也可以应用在其它的半导体加工工艺中。
文档编号H01L21/683GK101339916SQ20071011850
公开日2009年1月7日 申请日期2007年7月6日 优先权日2007年7月6日
发明者彭宇霖 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1