电子结构及形成介质膜的方法

专利名称：电子结构及形成介质膜的方法
技术领域：
本发明涉及包括Si， C， O和H原子(SiCOH)或Si， C， N和H原 子(SiCHN)的介质膜的形成方法，这些介质膜具有增强的内聚强度(或 等价地，增强的断裂韧度或减小的脆性)，和增加的抗7jc侵蚀特性，例如 应力侵蚀破裂，Cu渗入以及其它关键特性。本发明还涉及作为在超大, 集成(ULSI)电路上的后段制程(BEOL)互连结构中的级内或级间介质 膜，介质覆层或硬掩撒抛光停止的介质膜的应用和相关的电子结构。本发 明还涉^JL明的介质材料在包括至少两个导体或电子传感结构的电子器件 中的应用。
背景技术：
近几年，在ULSI电路中利用的电子器件的尺寸持续缩小导致BEOL 金属化电阻增加以及层内介质和层间介质电容增加。此结合效应增加了 ULSI电子器件中的信号延迟。为了提高未来ULSI电路的开关性能，需要 低介电常数(K)绝缘体特别是那些K明显低于氧化硅的绝缘体以减小电 容。
甚大M^莫集成电路("VLSI")和ULSI芯片的大部分制造步骤是通 过等离子体增强化学或物理气相沉积技术完成的。从而，通过使用先前安 装并且可获得的工艺设备的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制 造低K材料的能力将简化其在制造工艺中的集成，减小制造成本，并且产 生更少的危险废物。受让给本发明的共同受让人的美国专利Nos. 6，147，009 和6,497,963，描述了由Si， C， O和H原子构成的低介电常数材料，该材 料具有不大于3.6的介电常数并且表现出很低的裂故扩展速度，通过参考
引入其整个内容。
受让给本发明的共同受让人的美国专利Nos. 6，312，793， 6,441,491和 6，479，110B2描述了由Si， C， O和H原子构成的基质组成的多相低K介 质材料，相主要由C和H构成，并具有不大于3.2的介电常数，通过参考 引入其整个内容。
同样，技术上已公知具有小于2.7 (优选小于2.3)的介电常数的超低 K介电材料。现有技术超低KSiCOH膜的关键问题包括，例如(a)它 们比较脆(即，低内聚强度，低断裂伸张度，低断裂韌度)；(b)液态水 和水蒸气进一步减小材料的内聚强度。称为"CS湿度图"的内聚强度CS 与水压，Ph2o或。/。湿度的圉，对每个K值和材料都具有特征斜率；(c) 它们倾向于拥有拉伸应力结合低断裂韌度，并且因此当膜高于一些临界厚 度时，与7jc接触时倾向于破裂；(d)它们当为多孔时可以吸收水和其它工 艺化学物质，这又导致在电场下增强的Cu电化学腐蚀，并且进入多孔介 质导致导体间的电泄漏和高电导率；以及(e)当C键合为Si-CH3基团时， 现有技术SiCOH介质容易与耐剥落等离子体，CMP工艺和其它集成工艺 反应，引起SiCOH介质的"损坏"，导致更亲水的表面层。
例如，硅酸盐和有机珪酸盐玻璃倾向于落在如图l示出的内聚强度对 介电常数的通用曲线上。此图包括常规氧化物(点A)，常规SiCOH介质 (点B)，常规K = 2.6 SiCOH介质(点C )和具有约2.2的K的常规CVD 超低K介质(点D)。主要通过Si-O键合的体积密度决定两者的数量的 事实能够解释它们之间的比例变化。它还表明具有超低介电常数(例如， K<2.4)的OSG材料在完全干燥环境中基本限制为具有约3J/m"或更小的 内聚强度。如果湿度增加，内聚强度进一步减小。
现有技术SiCOH膜的另 一个问M它们的强度倾向于被H20退化。 可以使用4点弯曲技术测量现有技术SiCOH膜的H20退化效应，例如， 在M. W. Lane， X.H. Liu， T.M. Shaw的"Environmental Effects on Cracking and Ddamination of Dielectric Films", IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 4， 2004， pp. 142-147中所描述的。图
2A取自此参考并且是描述H20对具有约2.9的K的介电常数的典型 SiCOH膜的强度的影响的图。通过在可以控制并改变7jC压(PH20)的室中 的4点弯曲技术测量数据。具体地，图2A示出了绘制的内聚强度与受控 室内水压的自然对数(In)的关系。在使用的单位内此图的斜率约是-1。 H20的压力增加，内聚强度降低。在图2A中线上的区域，阴影部分，表 示很难用现有技术SiCOH介质获得的内聚强度区域。
图2B同样取自上面引用的M. W.Lane参考，并且与图2A类似。具 体地，图2B是使用与图2A相同的程序测量的另一种SiCOH膜的内聚强 度图。现有技术SiCOH膜具有2.6的介电常数并且在使用的单位内此图的 斜率约是-0.66。在图2B线上的区域，阴影部分，表示很难用现有技术 SiCOH介质获得的内聚强度区域。
已知，Si-C键的极化小于Si-O键。另外，已知，有机聚合物介质具有 的断裂軔度高于有机法酸盐玻璃并且不倾向于应力腐蚀断裂(如Si-O基介 质的)。这说明，添加到SiCOH介质的有机聚合物的成份越多并且Si-C 键合越多，可以降低上述水退化效应并且增加如塑性的非线性能量扩散机 制。向SiCOH添加越多的有机聚合物成份，将导致介质具有增加的断裂 韧度和减小的环境灵敏度。
已知，在其它领域中， 一些材料例如有机弹性体的机械性能，可以通 过引入添加化学物种以引起和形成交联化学键的特定交^i^应提高。这可 以增加材料的弹性模量，玻璃转换温度和内聚强度，以及在一些情况下， 耐氧化性，耐吸水性，以及相关的退化。
考虑到现有技术低和超低K SiCOH介质具有的上述缺点，存在对提 供具有约3.2或更小的介电常数的多孔SiCOH介质膜的形成方法的需要， 该介质膜具有位于图1限定的通用曲线之上的明显增加的内聚强度对K曲 线。对图1中的具体情况，断裂韌度和内聚强度相等。还存在对U形成 多孔SiCOH介质膜的方法的需要，该介质膜具有Si-C键合，增加的耐水 性，特别是在图2A和2B的阴影区域中，以及允许这样的膜用于ULSI器 件中的新应用的良好的机械性能。

发明内容
本发明提供一种低K介质材料，包括由元素Si, C， O和H原子构成 的基质(或基架(skeleton ))并且在此基质中有许多纳米尺寸的孔。这样 的介质材料以下称为SiCOH介质。
在本发明的一个实施例中，提供了一种低成本，简单的方法以微调或 调整在多孔SiCOH膜的基架中期望的键(即，Si-R-Si键)的浓度。通过 调整Si-R-Si键，提高了在50%湿度中的内聚强度，应力，耐综合破坏性 和其它类似的性质。在上述分子式中，R是-[CH2n-，其中n大于或等于1。 在优选实施例中，SiCOH介质包括Si-CH2n-Si，其中n为l-3。
因为前体的选择，形成多孔SiCOH介质膜的本方法比现有技术方法 更具制造性。另外，本发明提供当使用两种或三种前体时，在整个晶片上 沉积的SiCOH膜的均匀性问题的解决方法。
通常，本发明提供制造具有提高的和可调整的性能的多孔SiCOH介 质的方法，包括新Si-C键。制造提高的多孔SiCOH介质的现有技术方法 使用高成本前体，或高沸点前体，并且不允许调整或控制在多孔SiCOH 膜的基架中的期望的Si-C键的浓度。
概括地说，本发明的一种方法包括如下步骤
在反应室中提供衬底；
在所述反应室中流入至少一种前体，其中所述至少一种前体是环碳硅 烷(carbosilane)或氧碳珪烷(oxycarbosilane); 在所述衬底上沉积介质膜；以及
可选地执行能量处理步骤，以在所述衬底顶上提供多孑L介质膜。 概括地说，本发明的第二方法包括如下步骤 在反应室中提供至少第一前体和第二前体，其中所述前体的至少一种 是烃成孔剂并且所述前体的另 一种是环碳硅烷或氧碳硅烷； 沉积包括第一相和笫二相的膜；以及 从所述膜除去所述成孔剂以提供多孔介质膜。
除了以上所述，本申请的SiCOH介质材料具有内聚强度(CS)对％ 湿度的曲线，其显示对湿度的弱依赖。即，以给定的介电常数，本发明的 SiCOH介电材料具有比图2A和2B中示出的曲线更小的斜率，并且因此 在PH20的具体值的内聚强度在图2A或2B中的线上面的阴影区域中。通 过"弱依赖"意味着发明的SiCOH介质比现有技术材料具有更低的斜率。 在本发明中，通过减少反应点(Si-O-Si)的数目获得此性质。Cs对lnPH20 曲线的斜率由反应点Si-O-Si的密度决定。而减小Si-O-Si点的数目降低了 对湿度的敏感度，同样降低了线性依赖于Si-O-Si键密度的内聚强度。
另外，本申请的多孔SiCOH介质膜对H20蒸气(湿气)暴露稳定， 包括对晶片中裂紋形成的抵抗性。
本发明还提供了用作低KCu覆层的相关的常规成分SiCNH膜，和从 在环中包括Si， C和N的单环前体制备此膜的方法。这样的前体的实例为 2,25,5-四甲基-2，5-二硅杂-l-氮杂环戊烷或相关的氮杂环戊烷，其为具有两 个Si和两个C原子的五成员环中包含一个N原子的环分子。
本发明的SiCNH膜，典型地具有约6.0或更小的介电常数，利用下列 工艺步骤制备
在反应室中4^供衬底；
在所述反应室中流入至少一种前体，所述至少一种前体是在具有Si和 C原子的环结构中包含至少一个N原子的环化合物；以及
从所述至少一种前体沉积包括Si， C， N和H原子的介质膜。 本申请的SiCNH介质膜可以是致密的(即，无孔的)或多孔的。通过 包括作为前体的成孔剂并且沉积后从刚沉积膜除去成孔剂形成多孔 SiCNH介质膜。
在形成SiCNH介质的一些实施例中，向所述至少一种前体添加气体 流，所述气体包括NH3， CO， C02， 02， N20， 03， N2和惰性气体中的 至少一种。


图l是对现有技术介质的内聚强度对介电常数的通用曲线。
图2A-2B示出了对现有技术SiCOH介质，绘制的内聚强度对受控室 内水压的自然对数(In)。
图3示出了内聚强度对介电常数的通用曲线，包括图l示出的现有技 术介质以^JC明的SiCOH介质材料。
图4A-4B是包括Si-CH2-Si键的SiCOH膜的傅里叶变换红外(FTIR) 镨，并且示出了通过在1350-1370cm"之间的FTIR峰检测所述键。图4A 是全傳，而图4B是从0到1700cm-1的扩展镨。在图4A和4B的每个中， 谱(a)来自刚沉积的SiCOH介质膜，并且镨(b )来自430"C退火后的相 同膜。
图5是根据本发明的第二实施例制造的多孔SiCOH膜在430匸退火4 小时后的FTIR谱。1351cnT1处的峰对应Si-CH2-Si键的吸收率。
图6是本发明的电子器件的放大截面图，该器件包括发明的介质膜作 为级内介质层和级间介质层。
图7是图6的电子结构的放大截面图，该结构具有沉积在本发明的介 质膜顶上的另外的扩散阻挡介质覆盖层，所述扩散阻挡可以是本发明的膜 的一种(即，SiCOH或SiCHN)。
图8是图7的电子结构的放大截面图，该结构具有另外的RIE石更掩模 /抛光停止介质覆盖层和在抛光停止层顶上沉积的^h质覆盖扩散阻挡层，所 述介质覆盖扩散阻挡层可以是本发明的膜的一种。
图9是图8的电子结构的放大截面图，该结构具有沉积在本发明的介 质膜顶上的另外的RIE硬掩撒抛光停止介质层，
图10的图示表示(通过截面图)示出了包括至少两个导体和本发明的 介质材料的电子结构。
图11A-11B的图示表示(通过截面图)示出了包括传感元件和本发明 的介质材料的电子结构。
具体实施例方式
在本发明的一个实施例中，提供了多孔介质材料，包括在共价键合的
三维网络中的Si， C, 0和11元素并且具有约3.2或更小的介电常数的氢 氧化硅碳材料(SiCOH)基质。贯穿本申请使用的术语"三维网络"指包 括在x， y和z方向上互相连接并且互相关联的硅，碳，氧和氢的SiCOH 介质材料。
具体地，本发明提供SiCOH介质，该介质具有包括键合为Si-CH3的 C和键合为Si-R-Si的C的共价键合的三维网络结构，其中R是-CH2n-， 其中n大于或等于l，优选n是l-3。在本发明的一些实施例中，发明的介 质材料具有的键合为Si-R-Si的碳原子占整个碳原子的分数在0.01和0.99 之间。
本发明的SiCOH介质材料包括在约5和约40之间，更优选从约10 到约20原子百分比的Si;在约5和约50之间，更优选从约15到约40原 子百分比的C;在约0和约50之间，更优选从约10到约30原子百分比的 O;以及在约10和约55之间，更优选从约20到约45原子百分比的H。
在一些实施例中，本发明的SiCOH介质材料还可以包括F和/或N, 在本发明的另一个实施例中，SiCOH介质材料可以可选地具有由Ge原子 部分替代的Si原子。可以存在于本发明发明的介质材料中的这些可选元素 的量依赖于在沉积期间使用的包括可选元素的前体的量。
本发明的SiCOH介质材料包括直径在约0.3到约10纳米并且更优选 直径在约0.4到约5纳米的分子量级的空隙(即，纳米尺寸的孔)，其减 小了 SiCOH介质材料的介电常数。纳米尺寸的孔占的体积是材料的体积 的约0.5 %和约50 %之间。
图3示出了内聚强度对介电常数的通用曲线，包括如图1示出的现有 技术介质以M明的SiCOH介质材料。图3中的曲线显示，发明的SiCOH 介质比具有相等K值的现有技术介质具有更高的内聚强度。在图l和3中， K是相对介电常数。
本发明发明的SiCOH介质材料与现有技术SiCOH和pSiCOH介质的 Si-CH3键合特性相比具有更多键合在两个Si原子之间桥连的有机基团中
的碳。
另外，本发明的SiCOH介质材料是疏水的，具有大于70。优选大于 80°的7K接触角并iL^现出相对高的内聚强度。在图2A和2B的阴影部分 中图示了此SiCOH介质材料的特性。
优选使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积发明的SiCOH 介质材料。除了 PECVD以夕卜，本发明还旨在利用化学气相沉积(CVD)， 高密度等离子体(HDP)，脉沖PECVD,旋涂施加或其它相关方法形成 SiCOH介质材料。
在沉积工艺中，发明的SiCOH介质材料这样形成，通过向反应室提 供包括Si， C， O和H原子的至少环碳硅烷或氧碳珪烷前体(液体，气体 或蒸汽)和可选地如He或Ar的惰性栽气，优选反应室是PECVD反应室， 然后，利用对形成^^发明的SiCOH介质材料有效的条件，将源自所述环 碳硅烷或氧碳硅烷前体的膜沉积到合适衬底上。
在本发明的选定实施例中，刚沉积膜包括两个相。刚沉积膜的一个相 是包括C和H的牺牲烃相，而另一个相(即，稳定基架相)由Si， O， C 和H构成，本发明还向混合气M供可选地氧化剂如02， 03， N20, C02 或其组合，从而稳定反应室内的反应物并且提高沉积在衬底上的介质膜的 特性和均匀性。
在本发明中，环碳硅烷前体或氧碳硅烷包括至少一种下面的化合物 l，l-二甲基-l-硅杂环戊烷，1，3-二甲硅烷基环丁烷，甲基-l-珪杂环戊烷，硅 杂环戊烷，硅杂环丁烷，曱基硅杂环丁烷，硅杂环己烷，甲基硅杂环己烷， 四甲基-二硅杂-呋喃，二珪杂-呋喃，包含l、 2、 3或4曱基或其它烷基的 二硅杂-呋喃的衍生物，前述环前体的甲氧基矛汙生物，和相关的含Si-C分 子。
可选地，环碳硅烷可以包括不饱和环以使此前体在沉积等离子体(例 如，低能等离子)中更有活性，例如，l，l-二乙氧基-l-硅杂环戊烯，l，l-二曱基-3-硅杂环戊烯，1，1-二甲基-1-硅杂环戊-3-烯，l-硅杂-3-环戊烯，乙 烯基甲基硅杂环戊烯，硅杂环戊烯的甲氧基衍生物，珪杂环戊烯的其它衍生物，和相关的其它环碳硅烷前体。
下面示出了 一些优选环碳硅烷的结构以示出本发明期望的环化合物的
类型(然而，示出的结构没有以任何方式限制本发明)
Me Me
\ ,0、 Z Me一SiSi—Me
\_/
四甲基-二硅杂-呋喃或四甲基-二硅杂-氧杂环戊烷
Me、 ,Me Si
l,l-二甲基-l-硅杂环戊烷
H
Me、 I /Me Me—Si NSi一Me
2，2，5，5-四甲基-2，5-二硅杂-l-氮杂环戊烷
EtO OEt
1-二乙IU-l-硅杂环戊-3-烯
H H
\sz
l-硅杂环戊-3-烯
H3C\ ^= ;i、
乙烯基甲基硅杂环戊烷
本发明优选上述环化合物，因为这些前体具有相对低的沸点，并且它
们包括Si-CH2n-Si键合基团。
在本发明中使用的第二前体是烃(即，包括C和H原子和可选地N 和/或F的化合物份子，如在美国专利Nos. 6,147,009，6,312,793，6,441,491， 6,437,443， 6,541,398, 6,479,110 B2和6,497,963中描述的，在此引入其整 个内容作为参考。在本发明中烃分子用作成孔剂。氢前体可以是液体或气 体。
可选地，可以向反应室添加包括烷氧基珪烷或环硅氧烷前体的SiCOH 基架前体(例如，第三前体)。这样的SiCOH基架前体的实例包括，例 如，二乙氣基曱M杂，八甲基四硅氧烷，四甲基四硅氧烷，三甲^杂， 或任意其它普通烷M烷或烷^J^烷(环或线)分子。
可选地，还可以使用包括Ge的前体(气体，液体或气体)。 如下面实例中描述的其它官能团可以用于形成在两Si原子之间的桥连 基团。
上述具有氮的环碳硅烷前体还可以用于沉积SiCHN覆盖膜，通过添加 含氮(例如，NH3， N2或N2H2)的气体。因为两个Si原子之间N桥连的 存在，SiCHN膜将更加热稳定和对等离子体和其它类型的综合破坏更加稳 定。
本发明的方法还包括提供平行板反应室的步骤，反应室具有在约 85 112和约750cm2之间的村底卡盘的导电区域和在衬底和顶电极之间，在 约lcm和约12cm之间的间隙。向一个电极提供频率在约0.45MHz和约 200MHz之间的高频RF功率。可选地，向一个电极提供比第一RF功率频 率低的另外的RF功率。
沉积步骤使用的条件可以根据本发明的SiCOH介质材料期望的最终 介电常数改变。广义上，用于提供具有约3.2或更小的介电常数，小于 45MPa拉伸应力，从约2到约15GPa的弹性模量，以及从约0.2到约2GPa 的硬度的包括Si， C， O和H元素的稳定介质材料的条件包括设置村底 的温度在约100匸和约425匸之间；设置高频RF功率密度在约0.1W/cm2 和约2.0W/cm2之间；设置第一液体前体流速在约10mg/min和约 5000mg/min之间；可选地设置第二液体前体流速在约10mg/min到约 5000mg/min之间；可选地设置第三液体前体流速在约10mg/min到约 5000mg/min之间；可选地设置如氦(或/和氩)的惰性载气流速在约10sccm 到约5000sccm之间；设置反应室的压力在约1000mTorr和约10,000mTorr 之间；并且设置高频RF功率在约50W和约IOOOW之间。可选地，可以 向等离子体施加在约20W和约400W之间的超低频率功率。
当在本发明中使用氧化剂时，其以在约10sccm到约1000sccm之间的 流速流入PECVD反应室。
虽然在上述实例中使用液体前体，但是技术人员应该知道还可以使用 气相前体沉积。
由上述工艺导致的膜这里称为"刚沉积膜"。
根据本发明，制造本发明的稳定SiCOH介质材料要求结合几个步骤 在1"步骤中，在衬底上沉积材料，使用的沉积工具参数类似于下面在 工艺实施例中给出的参数，形成刚沉积膜；并且，然后
使用热，UV光，电子束照射，化学能量或其多于一种的组合固化或 处理该材料，形成具有期望的机械或这里描述的其它特性的最终的膜。例 如，沉积后，可以执行SiCOH膜的处理(使用热能和第二能源)以稳定 膜并且获得提高的性能。第二能源可以是电磁辐射(UV,微波，等等)， 带电粒子(电子或离子束)或可以是化学的(使用氢原子或其它反应气体， 在等离子体中形成)。本领域的技术人员很熟悉用于这些处理的^ft。
在优选处理中，将衬底(包括才艮据上述工艺沉积的膜)置入具有可控 环境(真空或具有低02和1120浓度的超纯惰性气体)的紫外(UV)处理
工具中。可以使用脉冲或连续uv源。
在本发明中，uv处理工具可以与沉积工具连接("串接")或者可
以是分离工具。
如技术上^〉知的，可以在本发明中，在可以串接到单处理工具上或者 两个室可以是分离的处理工具("非串接")的两个分离的处理室中，进
行两个工艺步骤。对于此多孔SiCOH膜的一些实施例，固化步骤可以包 括牺牲烃部分的除去。可以由碳硅烷前体或向沉积室添加的附加成孔剂前 体，沉积烃部分。可以在本发明中使用的合适的牺牲烃前体包括，但不仅 限于在美国专利Nos. 6,147,009， 6,312,793， 6,441,491， 6,437,443， 6,541,398， 6,479,110 B2和6,497,963中提到的第二前体，在此引入其整个内容作为参 考。优选烃前体包括二环庚二烯，己二烯和双官能二烯烃分子中的一种。
在本发明的多孔SiCOH膜的另一个实施例中，固化步骤可能会引起 膜结构的重排以制造更多的开口体积，并且因此降低介电常数而没有除去 牺牲部分或相。
在本发明的另一个实施例中，提供了常规成分SiCNH的介质膜。在本 发明的此实施例中，提供了包括在共价键合的三维网络中的Si， C， N和 H元素并且具有约6或更小的介电常数的致密或多孔介质材料。贯穿本申 请的术语"三维网络"指包括在x， y和z方向上互相连接并且互相关联的 硅，碳，氮和氢的SiCNH介质材料。
可以利用与上述条件基^目同的工艺条件形成本发明的SiCNH介质 膜。在沉积步骤中，使用在环结构中包括Si， C和N的单环前体。例如包 括但不仅限于2，2，5，5-四甲基-2,5-二硅杂-1-氮杂环戊烷，或相关的氮杂环 戊烷。
在典型的沉积工艺中，将衬底置入PECVD沉积室中，并且稳定在环 结构中包括Si， C和N的环前体的流速。在沉积步骤中使用的条件可以包 括，对所有的前体100-3000mg/m的前体流速，10-3000sccm的He气流速 并且可选地使用具有从10-lOOOsccm的流速的N2，所述流速稳定以佳反应 室压力到达l-10Torr。晶片卡盘温度典型地设定在100° -400匸之间，优
选具有300° -400'(:的范围。根据膜的期望密度，向喷头施加典型地在从
50-l，000W范围中的高频RF功率，并且可以使用在10-500W范围内的低 频RF (LRF)功率。
如技术上公知的，在本发明中可以调整每个上述工艺参数。例如，晶 片卡盘的温度可以在100° -450匸。如在技术上7^知的，可以添加如C02 的气体，并且可以用例如Ar， 03或N20或其它惰性气体的气体来替代He。 <:2114还可以用来形成发明的SiCNH介质材料。再次，如下面的实例中描 述的，可以用其它官能团形成在两个Si原子之间的桥连基团。
本发明的SiCOH介质材料包括在约5和约40之间，更优选从约10 到约20原子百分比的Si;在约5和约50之间，更优选从约15到约40原 子百分比的C;在约0和约50之间，更优选从约10到约30原子百分比的 N;以及在约10和约55之间，更优选从约20到约45原子百分比的H。
在一些实施例中，本发明的SiCNH介质材料还可以包括F。在本发明 的另 一个实施例中，SiCNH介质材料可以可选地具有由Ge原子部分替代 的Si原子。可以存在于本发明发明的介质材料中的这些可选元素的量依赖 于在沉积期间使用的包括可选元素的前体的量。
本发明的SiCNH介质材料包括直径在约0.3到约10纳米并且更优选 直径在约0.4到约5纳米的分子量级的空隙(即，纳米尺寸的孔)，其减 小了 SiCNH介质材料的介电常数。纳米尺寸的孔占的体积是材料的体积的 约0.5 %和约50 %之间。通过在沉积工艺中包括一种上述成孔剂制造空隙。
上述本发明的SiCNH介质材料可以用于，例如，形成图7， 8和9中 示出的层62。此层是在构图金属导体层间的扩散阻挡/蚀刻停止。
下面是示出本发明的材料和工艺实施例的实例。
实例l;第一方法实施例
在此实例中，在两步工艺中制造具有介电常数K-2.4的多孔SiCOH 材料。在沉积步骤中，选定具有低沸点，低成本，并且提供形成Si-CH2n-Si 的键合的一种环碳硅烷或氧碳硅烷前体.具体地，使用l，l-二甲基-l-硅杂 环戊烷。在沉积步骤中使用的条件包括8sccm的碳硅烷l，l-二甲基-l-硅杂
环戊烷前体流速和0.5sccm的氧(02)。将衬底置7^应室中并且稳定前 体流速以使反应室压力达到0.5Torr。设置晶片卡盘的温度为约180"C。以 30W的功率施加13.6MHz频率的RF功率。沉积后，膜在430'C下退火4 小时，并且在150。C下测到2.4的介电常数。通常，其它高能后处理(或固 化)步骤可以引皿结构的重排以制造更多的开口体积，并且因此降低介 电常数而没有除去牺牲相。
如技术上7>知的，在本发明中可以调整每个上述工艺M。例如，晶 片卡盘的温度可以在100。 -4001;。如4支术上 i^知的，可以添加如He或 C02的气体，并且其可以用例如Ar或N20或其它惰性气体的气体替代。
例如在图4A和4B中示出了此SiCOH介质材料的FTIR镨。具体地， 图4A-4B是含Si-CH2-Si键的SiCOH膜的FTIR谱并且示出了通过在 1350-1370cnT1之间的FTIR峰检测所述键。图4A是全语，而图4B是从0 到1700cnT1的扩展i普。在图4A和4B的每个中，镨(a )来自刚沉积SiCOH 介质膜，并且语(b)来自退火后的相同的膜。
在图4A中，虚线1和2示出图4B中扩展镨的限制。特征标记3和4 是CHx烃物种的C-H伸缩振动的吸收峰。峰4相比峰3的强度减小表明一 些CHx物种(CHx部分)已通过热处理除去，以在膜内制造开口体积(小 范围多孔性)。注意，在此实施例中没有使用第二成孔剂前体.在图4B 中，特征标记11是Si-CH2-Si基团的吸收峰，此发明的SiCOH材料的一 种特征结构。
通常可以使用多种环碳硅烷前体，例如包括，l，l-二甲基-l-硅杂环戊 烷，甲基-l-硅杂环戊烷，硅杂环戊烷，硅杂环丁烷，甲基硅杂环丁烷，硅 杂环己烷，甲基眭杂环己烷，四甲基-二硅杂-吹喃，二珪杂-呋喃，上述环 前体的甲lL&衍生物，或包含l、 2、 3或4R基团的二硅杂-呋喃的衍生物， 其中R选自甲基，乙基，乙烯基，丙基，烯丙基，丁基。
实例2;第二方法实施例
在此实例中，在两步工艺中制造具有K-2.4的多孔SiCOH材料。在 沉积步骤中，使用两种前体。选定具有低沸点，低成本，并且提供形成
Si-CH山-Si的键合的环前体。使用的环碳硅烷前体是l，l-二甲基小硅杂环 戊烷。使用二环庚二烯(BCHD)作为第二前体并且在此方法中用作成孔 剂。在沉积步骤中使用的条件包括5sccm的l，l-二甲基-l-硅杂环戊烷前体 流速和2sccm的BCHD和0.5sccm的氧(02)。将衬底置入反应室中并且 稳定前体流速以偵反应室压力达到0.5 Torr。设置晶片卡盘的温度为约180 r。以50W的功率施加13.6MHz频率的RF功率。沉积后，膜在430"C下 退火4小时，并且收集图5的FTIR数据，并且在150t;下测到2.4的介电 常数。图5中示出的是在1351cm-1处的FTIR峰，其证明膜中存在Si-CH2-Si 物种。
如技术上公知的，在本发明中可以调蒼争个上述工艺参数。例如，晶 片卡盘的温度可以在100。 -400匸。如4支术上乂>知的，可以添加如He或 C02的气体，并且其可以用例如Ar或N20或其它惰性气体的气体替代。 通常，在沉积后使用高能后处理步骤，并且可以使用上面指定的第一实施 例中的所有环碳珪烷或氧碳硅烷。
实例3;第三方法实施例
在此实例中，在两步工艺中^(吏用三前体制造具有K大于或等于1.8， 并且具有在两个Si原子之间的增强的Si-R-Si桥连碳或其它有机官能桥连 的多孔SiCOH材料。这里，使用R表示如CH2 ， CH2- CH2, CH2- CH2- CH2
或更多常规[CH2n桥连有机基团。在沉积步骤中，使用三前体，其一为烃
成孔剂(根据技术上公知的方法使用)。成孔剂可以是二环庚二烯(BCHD )， 己二烯(HXD)或其它分子，例如在美国专利Nos. 6,147,009， 6,312,793, 6,441,491， 6,437,443， 6,441,491， 6，541，398， 6,479,110 B2和6，497，963中 描述的。在此实例中使用的另一个前体是SiCOH基架前体DEMS (二乙 氡基甲M烷)。选定的提供期望量的Si-CH2n-Si形式的键的第三前体 为l，l-二甲基小硅杂环戊烷，虽然可以使用其它环^1硅烷，包括甲基-l-硅 杂环戊烷，1，3-二甲硅烷基环丁烷，硅杂环戊烷，硅杂环丁烷，甲基硅杂环 丁烷，硅杂环己烷，甲基硅杂环己烷，四曱基-二硅杂-呋喃，二硅杂-呋喃， 上述环前体的甲氧基衍生物，或包含l、 2、 3或4R基团的二硅杂-呋喃的
衍生物，其中R选自曱基，乙基，乙烯基，丙基，烯丙基，丁基。
在发明的方法中，比率R1;L^应室中碳硅烷前体与SiCOH基架前体 的比率，比率R2 A^应室中成孔剂前体与SiCOH基架前体的比率。Rl 决定在最终的多孔SiCOH膜中Si-R-Si桥连碳的浓度。Rl可以在0.01到 100的范围内，但是一般在0.05-1的范围内。R2决定体积％多孔性并且因 此决定最终的多孔SiCOH膜的介电常数。R2可以在0.1到IO的范围内， 但是一般在0.5-2的范围内。
在沉积步骤中使用的条件包括，对所有的前体100-3000mg/m的前体 流速，10-3000sccm的He气流速以及约50-3000mg/m的成孔剂流速并且 可选地从10-lOOOsccm的02流速，稳定所述流速以使反应室压力到达 0.1-20Torr，优选l-10Torr。晶片卡盘温度设定在100° -400^:之间，优选 具有200° -300n的范围。向喷头施加在50-1,000W范围内的高频RF功率， 并且低频RF (LRF)功率为0W这样以便不向衬底施加LRF。膜沉积速 率在200到10，000A/min。
如技术上公知的，可以在本发明中调整每个上述工艺^lt。例如，晶 片卡盘的温度可以在100° -350X:。如技术上公知的，可以添加如COz的 气体，并且可以用如Ar， 03或N20或其它惰性气体的气体替代He。
沉积后，在高能后处理步骤中处理膜，其包括热，紫外光，电子束或 其它能源的至少一种。此步骤制造多孔膜。
实例4;第四方法实施例
在第四实施例中，使用类似于第一实施例的工艺(碳硅烷l，l-二甲基 -l-硅杂环戊烷和氧气02工艺)，但是环碳硅烷前体选自l，l-二甲基-l-硅 杂环戊烷，甲基-l-硅杂环戊烷，硅杂环戊烷，硅杂环丁烷和甲基珪杂环丁 烷，硅杂环己烷和甲基硅杂环己烷，四甲基-二硅杂-呋喃，二硅杂-呋喃， 包含l、 2、 3或4甲基基团的二硅杂-呋喃的衍生物，上述环碳硅烷的曱氧 基衍生物，以及相关的含Si-C的分子。可选地，碳硅烷可以包括不饱和环 以使此前体在沉积等离子体(例如低能等离子体)中更有活性，例如l，l-二乙氧基-l-硅杂环戊烯，1，1-二甲基-3-硅杂环戊烯，l-硅杂-3-环戊烯，乙
烯基甲基硅杂环戊烯，这些不饱和环碳硅烷的甲氧基衍生物，以及相关的 其它环碳硅烷前体。
在沉积步骤中使用的条件包括，对所有的前体100-3000mg/m的前体 流速，10-3000sccm的He气流速以及约50-3000mg/m的成孔剂流速并且 可选地从10-lOOOsccm的氧流速，稳定所述流速以j吏反应室压力到达 l-10Torr。晶片卡盘温度设定在100。 -350"€之间，优选具有250° -300匸 的范围。向喷头施加在从50-l，000W范围内的高频RF功率，并且低频RF (LRF)功率为OW这样以便不向衬底施加LRF。膜沉积速率在200到 10，000A/min。沉积后，使用高能后处理步骤制造最终的多孔介质膜。
如技术上公知的，可以在本发明中调整每个上述工艺^lt。例如，晶 片卡盘的温度可以在100° -400 "C。如技术上公知的，可以添加如CO2的 气体，并且可以用如Ar， 03或N20或其它惰性气体的气体替代He。此实 施例的膜的成分通常为SiCH，具有可选的少量O成分。
实例5:第五方法实施例
在第五实施例中，使用一种工艺，该工艺使用如2，2，5，5-四甲基-2，5-二 硅杂-l-氮杂环戊烷或相关的氮杂环戊烷的包括氮的环前体沉积SiCNH成 分膜。
在沉积步骤中使用的条件包括，对所有的前体100-3000mg/m的前体 流速，10-3000sccm的He气流速以及约50-3000mg/m的成孔剂流速。对 SiCNH成分的此膜，以从10-1000sccm的流速可选地添加NH3 (氨)。稳 定所述流速以使反应室压力到达l-10Torr。晶片卡盘温度设定在100。 -400 C之间，优选350'C。向喷头施加在从50-l,000W范围内的高频RF功率， 并且低频RF (LRF)功率为0W这样以便不向衬底施加低频RF (LRF) 功率。膜沉积速率在200到10,000A/min范围内。沉积后，^^用高能后处 理步骤制造最终的介质膜，但不必须。
如技术上公知的，可以在本发明中调整每个上述工艺参数。例如，晶
片卡盘的温度可以在ioo。 -400 x:。如技术上公知的，可以添加如N2的气
体，并且可以用如Ar或其它惰性气体的气体替代He。此实施例的膜的成 分通常为SiCNH。 电子器件
图6-9示出了包括发明的SiCOH或SiCNH介质的电子器件。注意， 在图6-9中示出的器件仅是本发明的示意性实例，通过本发明的新方法还 可以形成大量其它器件。注意，在这些图中，本发明的SiCNH膜仅用于层 62，不用于层38或44。
在图6中，示出了在硅衬底32上建立的电子器件30。在硅衬底32顶 上，首先形成绝缘材料层34，第一金属区域36嵌入其中。在第一金属区 域36上进行CMP工艺后，在第一绝缘材料层34和第一金属区域36的顶 上沉积本发明的SiCOH介质膜38。第一绝缘材料层34适合由硅氧化物， 氮化硅，这些材料的掺杂种类，或任何其它合适的绝缘材料形成。然后在 接着蚀刻的光刻工艺中构图SiCOH介质膜38并且其上沉积导体层40。在 进行第一导体层40上的CMP工艺后，在第一 SiCOH介质膜38和第一导 体层40上，通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积第二层发明的SiCOH 膜44。沉积的导体层40可以是金属材料或非金属导电材料。例如，铝或 铜的金属材料，或者氮化物或多晶硅的非金属材料。第一导体层40与第一 金属区域36电连接。
然后，在SiCOH介质膜44上进行光刻工艺接着蚀刻以及随后用于第 二导体材料的沉积工艺后，形成第二导体区域50。第二导体区域50还可 以沉积金属材料或非金属材料，类似于在沉积第一导体层40中使用的。第 二导体区域50与第一导体区域40电连接，并且嵌入第二 SiCOH介质膜 层44中。第二 SiCOH介质膜层与第一 SiCOH介质材料层38紧密接触。 在此实例中，第一 SiCOH介质膜层38是级内介质材料，而第二SiCOH 介质膜层44是级内和级间介质。基于发明的SiCOH介质膜的低介电常数， 可以通过第一绝缘层38和第二绝缘层44获得好的绝缘性能。
图7示出了本发明的电子器件60,其类似于图6示出的电子器件30， 但是具有在第一绝缘材料层38和第二绝缘材料层44之间沉积的附加介质 覆盖层62。适合通过此发明的第五实施例形成包括SiCNH的介质覆盖层
62。附加介质覆盖层62用作扩散阻挡层用于防止第一导体层40扩散进第 二绝缘材料层44或更下面的层中，特别是ii/v层34和32。
图8中示出了本发明的另一可选实施例的电子器件70。在电子器件70 中，使用了用作RIE掩模和CMP (化学机械抛光)抛光停止层的两个附 加介质覆盖层72和74。在第一超低K绝缘材料层38顶上沉积第一介质覆 盖层72并且用作RIE掩才莫和CMP停止，因此在CMP后第一导体层40 和层72基本共面。第二介质层74的功能与层72类似，然而在平整化第二 导体层50中利用了层74。抛光停止层74可以沉积如硅氧化物，硅氮化物， 硅氧氮化物，珪碳化物，硅碳氧化物(SiCO)以及它们的氢化物的合适的 介质材料。对层72或74的优选抛光停止层成分是SiCH或SiCOH或 SiCNH。可以在第二SiCOH介质膜44顶上添加第二介质层，用于相同的 目的。
图9中示出了本发明的另一个可选实施例的电子器件80。在此可选实 施例中，沉积介质材料附加层82并且因此将第二绝缘材料层44分为两个 分开层84和86。因此，由发明的超低K材料形成的级内和级间介质层44 在过孔92和互连94之间的界面处分为级间^h质层84和级内^h质层86。 还在上^^质层74顶上沉积附加扩散阻挡层96。由此可选实施例电子结构 80提供的另外的益处是，介质层82用作RIE蚀刻停止，提供好的互连深 度控制。因此，选择层82的成分以提供关于层86的蚀刻选择性。
其它可选实施例还可以包括一种电子结构，该电子结构具有在布线结 构中作为级内或级间介质的绝缘材料层，布线结构包括预处理半导体衬底， 该电子结构具有嵌入第 一绝缘材料层中的第一金属区域，嵌入第二绝缘材 料层中的第 一导体区域，其中第二绝缘材料层与第 一绝缘材料层紧密接触， 并且第一导体区域与第一金属区域电连接，第二导体区域与第一导体区域 电连接并且嵌入第三绝缘材料层中，其中第三绝缘材料层与第二绝缘材料 层紧密接触，第 一介质覆盖层在第二绝缘材料层和第三绝缘材料层之间并 且第二介质覆盖层在第三绝缘材料层顶上，其中第 一和第二介质覆盖层由 本发明的SiCOH介质膜形成.
本发明的其它可选实施例包括一种电子结构，该电子结构具有在布线 结构中作为级内或级间介质的绝缘材料层，布线结构包括预处理半导体衬 底，该电子结构具有嵌入第一绝缘材料层中的第一金属区域，嵌入第二绝 缘材料层中的第 一导体区域，其中第二绝缘材料层与第 一绝缘材料层紧密 接触，并且第一导体区域与第一金属区域电连接，第二导体区域与第一导 体区域电连接并且嵌入第三绝缘材料层中，第三绝缘材料层与第二绝缘材 料层紧密接触，在绝缘材料的第二和第三层的至少一个上沉积由本发明的 介质膜形成的扩散阻挡层。
还是其它可选实施例包括一种电子结构，该电子结构具有在布线结构 中作为级内或级间介质的绝缘材料层，布线结构包括预处理半导体衬底， 该电子结构具有嵌入第 一绝缘材料层中的第 一金属区域，嵌入第二绝缘材 料层中的第 一导体区域，其中第二绝缘材料层与第 一绝缘材料层紧密接触， 第一导体区域与第一金属区域电连接，第二导体区域与第一导体区域电连
接并且嵌入第三绝缘材料层中，第三绝缘材料层与第二绝缘材料层紧密接
触，在第二绝缘材料层顶上的反应离子蚀刻(RIE)硬掩^/抛光停止层， 和在RIE硬掩4勤抛光停止层顶上的扩散阻挡层，其中RIE硬掩才^/抛光停 止层和扩散阻挡层由本发明的SiCOH或SiCNH介质膜形成。
还是其它可选实施例包括一种电子结构，该电子结构具有在布线结构 中作为级内或级间介质的绝缘材料层，布线结构包括预处理半导体村底， 该电子结构具有嵌入第 一绝缘材料层中的第一金属区域，嵌入第二绝缘材 料层中的第一导体区域，其中第二绝缘材料层与第一绝缘材料层紧密接触， 第一导体区域与第一金属区域电连接，第二导体区域与第一导体区域电连 接并且嵌入第三绝缘材料层中，第三绝缘材料层与第二绝缘材料层紧密接 触，在第二绝缘材料层顶上的第一RIE硬掩^/抛光停止层，在RIE硬掩 才勤抛光停止层顶上的第一扩散阻挡层，在第三绝缘材料层顶上的第二RIE 硬掩才勤抛光停止层，和在第二 RIE硬掩 /抛光停止层顶上的第二扩散阻 挡层，其中RIE硬掩撒抛光停止层和扩散阻挡层由本发明的SiCOH或 SiCNH介质膜形成。
还是本发明的其它可选实施例包括一种电子结构，该结构具有在布线 结构中作为级内或级间介质的绝缘材料层，该电子结构类似于上面刚描述
的电子结构，但是还包括由本发明的SiCOH或SiCNH介质材料形成的位 于级间介质层和级内介质层之间的介质覆盖层。
在一些实施例中，例如图IO所示，电子结构包括至少两个金属导体元 件(如标号97和101标记的)和SiCOH或SiCNH介质材料(如标号98 标记的)。可选地，使用金属接触95和102与导体97和101电接触。发 明的SiCOH或SiCNH介质98提供电隔离和两个导体之间的低电容。使 用本领域的技术人员公知的常规技术制造电子结构，例如在美国专利 No.6，737，727中描述的，在此引入其整个内容作为参考。
至少两个金属导体元件构图为包括，如感应器，电阻器，电容器或谐 振器的无源或有源电路元件的功能要求的形状。
另外，可以在电子传感结构中使用发明的SiCOH或SiCNH，其中由 发明的SiCOH或SiCNH介质材料层包围图11A或11B中示出的光电传感 元件(探测器)。使用本领域的技术人员公知的常规技术制造电子结构。 参考图IIA，示出了 p-i-n二极管结构，其可以是用于IR信号的高速Si 基光电探测器。n+衬底是110，并且此上是本征半导体区域112,并且在 区域112中形成p+区域114，顺序完成p-i-n层。层116是用于将金属接 触118与衬底隔离的介质(例如Si02)。接触118提供到p+区域的电连接。 整个结构由发明的SiCOH或SiCNH介质材料120覆盖。此材料在IR区 域中透明，并且用作钝化层。
在图IIB中示出了第二光传感结构，这是一个简单的p-n结光电二极 管，其可以是高速IR光探测器。参考图11B，到衬底的金属接触是122， 并且在其顶上是n型半导体区域124，并且在此区域中形成p+区域126， 完成p-n结结构。层128是介质(例如Si02)用于将金属接触130与衬底 隔离。接触130提供到p+区域的电连接。整个结构由发明的SiCOH或 SiCNH介质材料132覆盖。此材料在IR区域透明，并且用作钝化层。
虽然以示意性方式描述了本发明，应该明白，使用术语旨在以自然的
语言描述而不是限制。另外，虽然根据优选和几个可选实施例描述了本发 明，应该认识到本领域的技术人员可以容易地将这些教导应用到本发明的 其它可能的变化中。
权利要求
1.一种形成包括Si，C，H和O原子的介质膜的方法，包括在反应室中提供衬底；在所述反应室中流入至少一种前体，其中所述至少一种前体是环碳硅烷或氧碳硅烷；以及在所述衬底上沉积介质膜。
2. 根据权利要求l的方法，还包括向所述至少一种前体添加气体流， 所述气体包括02， NH3， CO, C02， N20， 03， N2和惰性气体中的至少 一种。
3. 根据权利要求l的方法，其中所述衬底包括由金属导体区域和介质 区域构成的顶表面。
4. 根据权利要求l的方法，其中所述环碳硅烷或氧碳硅烷包括l，l-二曱基-l-硅杂环戊烷，1，3-二甲硅烷基环丁烷，甲基-l-硅杂环戊烷，硅杂 环戊烷，硅杂环丁烷，甲基硅杂环丁烷，硅杂环己烷，甲基珪杂环己烷， 四甲基-二硅杂-呋喃，二硅杂-呋喃，上述环前体的甲氧基衍生物，或包含 1、 2、 3或4R基团的二硅杂-呋喃的衍生物，其中R选自甲基，乙基，乙 烯基，丙基，烯丙基和丁基。
5. 根据权利要求l的方法，其中所述环碳硅烷包括不饱和环并且包括 l,l-二乙氧基-l-硅杂环戊烯，1，1-二甲基-3-硅杂环戊烯，l，l-二甲基-l-珪杂 环戊-3-烯，l-硅杂-3-环戊烯或乙烯基甲基眭杂环戊烯，或上述环前体的甲 ^J^衍生物。
6. 根据权利要求l的方法，还包括添加烃前体流。
7. 根据权利要求6的方法，其中所述烃前体包括二环庚二烯，己二烯 和双官能二烯烃分子中的 一种。
8. 根据权利要求1的方法，还包括选自烷氧基硅烷和环硅氧烷的 SiCOH基架前体。
9. 根据权利要求8的方法，其中在反应室中的碳硅烷或氧碳硅烷前体与SiCOH基架前体的比率Rl决定SiCOH膜中Si-R-Si桥连碳的浓度，并 且Rl在从0.01到100的范围内。
10. 根据权利要求l的方法，还包括在所述沉积步骤后执行高能处理 步骤，所述高能处理包括热能，UV光，电子束辐射，化学能或其组合。
11. 一种形成包括Si， C， H和O原子的介质膜的方法，包括 在反应室中提供至少第一前体和第二前体，其中所述前体的至少一种是烃成孔剂并且所述前体的另 一种是环碳珪烷或氧碳硅烷； 沉积包括第一相和第二相的膜；以及 从所述膜除去所述成孔剂以提供多孔介质膜。
12. —种形成包括Si， C, N和H原子的介质膜的方法，包括 在反应室中提供衬底；在所述反应室中流入至少一种前体，所述至少一种前体是在具有Si和 C原子的环结构中包含至少一个N原子的环化合物；以及从所述至少一种前体沉积包括Si， C， N和H原子的介质膜。
13. 根据权利要求12的方法，还包括向所述至少一种前体添加气体流， 所述气体包括NH3， CO， C02， 02, N20， 03， N2和惰性气体中的至少 一种。
14. 根据权利要求12的方法，其中所述环前体是2，2，5，5-四甲基-2，5-二硅杂-l-氮杂环戊烷或相关的氮杂环戊烷。
15. 根据权利要求12的方法，还包括添加液体或气体烃前体流。
16. 根据权利要求15的方法，其中所述烃前体包括二环庚二烯，己二 烯和双官能二烯烃分子中的一种。
17. 根据权利要求12的方法，还包括利用热能，UV光，电子束辐射， 化学能或其组合执行高能处理步骤。
18. 根据权利要求12的方法，其中所述SiCNH膜包括在约5和约40 原子百分比之间的Si;在约5和约50原子百分比之间的C;在0和约50 原子百分比之间的N;以及在约10和约55原子百分比之间的H。
19. 一种电子结构，包括位于介质材料上的介质覆层，所述介质覆层包括Si， C， N和H原子并且具有位于两个Si原子之间的N桥连。
20.根据权利要求19的电子结构，其中所述介质材料包括具有共价键 合的三维网络的Si， C， O和H原子，其包括键合为Si-CEb的C以及键 合为Si-R-Si的C,其中R是-CH2Lr， n大于或等于1。
全文摘要
本发明提供了形成包括Si，C，O和H原子(SiCOH)或Si，C，N和H原子(SiCHN)的介质膜的方法，该介质膜具有增强的内聚强度(或等价地，增强的断裂韧度或减小的脆性)，和增加的抗水侵蚀特性，例如应力侵蚀破裂，Cu渗入以及其它关键特性。本发明还提供了包括上述材料的电子结构。
文档编号H01L23/52GK101101875SQ200710126919
公开日2008年1月9日 申请日期2007年7月3日 优先权日2006年7月5日
发明者A·格里尔, G·J-M·迪布瓦, R·D·米勒, S·M·盖茨, S·V·恩古源, V·V·帕特尔, V·Y-W·李 申请人:国际商业机器公司