内埋式的多功能整合型结构及其制作方法

专利名称：内埋式的多功能整合型结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多功能整合型结构及其制作方法，尤指一种内埋 式的多功能整合型结构及其制作方法。
背景技术：
未来的电子产品，将朝着具有轻、薄、短、小的功能，以使得电
子产品能更趋于迷你化。而被动元件(passive component)在电子产品 中所占的面积又是最庞大的，所以能够有效地整合被动元件，将使得 电子产品可以达到轻、薄、短、小的功能。
然而，公知被动元件的设计，皆以单一功能为主。因此，当电子 产品需要安装不同功能的被动元件来保护电子产品时，公知仅能设置 多数个单一功能的被动元件于电子产品内。因此公知的作法不仅耗费
制造的成本，更是占用电子产品整体的体积。
于是，本发明人有感上述缺陷的可改善之处，且依据多年来从事 此方面的相关经验，悉心观察且研究，并配合学理的运用，而提出一 种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明技术方案。

发明内容
本发明所要解决的技术手段，在于提供一种内埋式的多功能整合 型结构及其制作方法。本发明利用电路板多层设计的概念，将超过两 种以上的被动元件整合于一元件结构上，而完成的成品将以面黏着的 方式黏着于基板上。因此，本发明内埋式的多功能整合型结构能够同 时具有过电流保护、过电压的保护、以及含有抗电磁干扰及抗静电的 功能。所以，本发明可以有效地整合两个或多个以上的被动元件而增 加其功能性，再者本发明能有效地降低电路板上被动元件所占的积体， 并且减少焊点的数目。
为了解决上述技术手段，根据本发明的其中一种方案，提供一种
内埋式的多功能整合型结构包括 一上盖绝缘层、 一过电流保护层
(over-current protection layer)、 一中间绝缘层(middle insulating layer)、 一多功能保护层(multifunctional protection layer)、 一下盖绝缘层
(bottom cover insulating layer)、及 一 侦lj边导电单元(lateral conductive unit)。
其中，该上盖绝缘层具有至少一第一电源输入部。该过电流保护 层设置于该上盖绝缘层的下端，并且该过电流保护层具有一第二电源 输入部及一第二电源输出部。该中间绝缘层设置于该过电流保护层的 下端，并且该中间绝缘层具有一开口。该多功能保护层设置于该中间 绝缘层的下端，并且该多功能保护层具有一第三电源输入部、 一第三 电源输出部、及一电性连接于该第三电源输入部及该第三电源输出部
之间的多功能芯片单元(multifunctional chip unit),其中该多功能芯片 单元容置于该中间绝缘层的开口内。该下盖绝缘层设置于该多功能保 护层的下端，并且该下盖绝缘层具有一第四电源输出部及一第五电源 输出部。
再者，该侧边导电单元包括三层彼此绝缘的一第一侧边导电层、 一第二侧边导电层、及一第三侧边导电层，其中每一层侧边导电层由 上到下依序成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、 该多功能保护层、及该下盖绝缘层的侧边。因此，该第一电源输入部 与该第二电源输入部通过该第一侧边导电层以产生电性连接，该第二 电源输出部、该第三电源输入部与该第四电源输出部通过该第二侧边 导电层以产生电性连接，并且该第三电源输出部与该第五电源输出部 通过该第三侧边导电层以产生电性连接。
为了解决上述技术手段，根据本发明的其中一种方案，提供一种
内埋式的多功能整合型结构的制作方法，其步骤包括首先，提供一 上盖绝缘层，其具有至少一第一电源输入部；提供一过电流保护层
(over-current protection layer),其具有一第二电源输入部及一第二电 源输出部；提供 一 中间绝缘层(middle insulating layer)，其具有 一 开口 及 一 导电通道(conductive passage );提供 一 多功能保护层
(multifunctional protection layer),其具有一第三电源输入部、 一第三 电源输出部、及一电性连接于该第三电源输入部及该第三电源输出部 的间的多功能芯片单元(multifunctional chip unit),其中该多功能芯片
单元用于容置于该中间绝缘层的开口内；以及，提供一下盖绝缘层
(bottom cover insulating layer)，其具有一第四电源输出部及一第五电 源输出部。
紧接着，依序将该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、 该多功能保护层、及该下盖绝缘层堆栈地(stackedly)组合在一起；最 后，形成一侧边导电层、 一第二侧边导电层、及一第三侧边导电层， 其中每一层侧边导电层由上到下依序成形在该上盖绝缘层、该过电流 保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的侧边， 因此该第一电源输入部与该第二电源输入部通过该第一侧边导电层以 产生电性连接，该第二电源输出部、该第三电源输入部与该第四电源
输出部通过该第二侧边导电层以产生电性连接，并且该第三电源输出 部与该第五电源输出部通过该第三侧边导电层以产生电性连接。
因此，本发明的有益效果在于，内埋式的多功能整合型结构能够 同时具有过电流保护功能、过电压保护功能、以及含有抗电磁干扰及 抗静电的功能。所以，本发明可以有效地整合两个或多个以上的被动 元件而增加其功能性，再者本发明能有效地降低电路板上被动元件所 占的积体，并且减少焊点的数目。
为了能更进一步了解本发明为达成预定目的所采取的技术、手段 及功效，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目 的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而所附附图仅 提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。


图1A为本发明内埋式的多功能整合型结构的第一实施例的立体 分解图1B为本发明第一实施例的过电流保护层反面后的立体图1C为本发明第一实施例的下盖绝缘层反面后的立体图1D为本发明内埋式的多功能整合型结构的第一实施例的立体 组合图2A为本发明第二实施例的过电流保护层的立体图2B为本发明第二实施例的过电流保护层反面后的立体图3A为本发明第三实施例的多功能保护层的立体图3B为本发明第三实施例的下盖绝缘层的立体图4A为本发明多功能芯片单元的第一种排列方式的立体图4B为本发明多功能芯片单元的第二种排列方式的立体图4C为本发明多功能芯片单元的第三种排列方式的立体图5为本发明内埋式的多功能整合型结构的制作方法的流程以及
图6为本发明内埋式的多功能整合型结构被切割成单颗前的立体图。
主要元件附图标记说明
上盖绝缘层 1
第—-半穿孔10 a
第二半穿孔10 b
第三半穿孔10 c
第一电源输入部11
第一电源输出部12
11
过电流保护层 2
过电流保护层 2
中间绝缘层 M
多功能保护层 3
多功能保护层 3
接地部13
第一半穿孔20a
第二半穿孔20b
第三半穿孔20c
第一电极层2A
第二电极层2B
正温度系数材料层2C
第二电源输入部21
第二电源输出部22
第一绝缘部S1
第二绝缘部S2
第三绝缘部S3
第一电极层2A/
第二电极层2B/
正温度系数材料.层2C
第二电源输入部21
第二电源输出部22
第一绝缘部S1/
第二绝缘部S2/
第三绝缘部s3/
开口M10
第一半穿孔Ma
第二半穿孔Mb
第三半穿孔Mc
第一半穿孔30a
第二半穿孔30b
第三半穿孔30c
第三电源输入部31
第三电源输出部32
多功能芯片单元33
第三电源输入部31
第三电源输出部32
多功能芯片单元33
多功能芯片单元33A
功能芯片33a1
功能芯片332
功能芯片333
下盖绝缘层 4
下盖绝缘层 4 侧边导电单元 5
侧边贯穿槽单元6
多功能芯片单元33B
功能芯片33b1
功能芯片33b2
多功能芯片单元33C
功能芯片33c1
功能芯片33c2
功能芯片33c3
功能芯片33c4
第一半穿孔40
第二半穿孔40b
第三半穿孔40c
第四电源输出部41
第五电源输出部42
开口40/
第一侧边导电层51
第二侧边导电层52
第三侧边导电层53
第一侧边导电层51
第二侧边导电层52
第三侧边导电层53
电源输入端Vin
电源输出端Vout
接地端G
第一侧边贯穿槽61
第二侧边贯穿槽62
第三侧边贯穿槽6具体实施例方式
请参阅图1A至图1D所示，其分别为本发明内埋式的多功能整合 型结构的第一实施例的立体分解图、本发明第一实施例的过电流保护 层反面后的立体图、本发明第一实施例的下盖绝缘层反面后的立体图、 及本发明内埋式的多功能整合型结构的第一实施例的立体组合图。
由该等图中可知，本发明所提供的一种内埋式的多功能整合型结 构包括 一上盖绝缘层1 、 一过电流保护层(over-current protection layer) 2、 一中间绝缘层(middle insulating layer) M、 一多功能保护 层(multifunctional protection layer) 3、 一下盖绝缘层(bottom cover insulating layer) 4、及一侧边导电单元(lateral conductive unit) 5。
其中，该上盖绝缘层l、该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多 功能保护层3、及该下盖绝缘层4依序堆栈在一起，并且该侧边导电 单元5包括三层彼此绝缘的一第一侧边导电层5 1、 一第二侧边导电 层5 2、及一第三侧边导电层5 3
其中，该上盖绝缘层l的一侧边具有一第一半穿孔l 0 a，并且 该上盖绝缘层1的另一相反侧边具有一第二半穿孔1 0 b及一第三半 穿孔l 0 c。此外，该上盖绝缘层1具有至少一电性连接于该第一侧 边导电层5 l的第一电源输入部l 1、至少一电性连接于该第二侧边 导电层5 2的第一电源输出部(first power output portion) 1 2、及至 少一电性连接于该第三侧边导电层5 3的接地部(grounding portion) 13，并且该至少一第一电源输入部11成形于该上盖绝缘层1的上 表面的一侧端，该至少一第一电源输出部l2及该至少一接地部13 分别成形于该上盖绝缘层1的上表面的另一相反侧端。
再者，该过电流保护层2设置于该上盖绝缘层1的下端。该过电 流保护层2的一侧边具有一第一半穿孔2 0 a，并且该过电流保护层 2的另一相反侧边具有一第二半穿孔2 0 b及一第三半穿孔2 0 c。 另外，该过电流保护层2由一第一电极层(first electrode layer) 2A、 一第二电极层(second electrode layer) 2 B、及一正温度系数材料层 (positive temperature coefficient material layer) 2C所组成，并且该正 温度系数材料层2 C成形于该第一电极层2 A及该第二电极层2 B之 间。其中，该正温度系数材料层2 C可为一高分子正温度系数(Polymer Positive Temperature Coefficient, PPTC)材料层、电阻材料层、电容材 料层、或电感材料层。
再者，请配合图1B所示，该过电流保护层2具有一第二电源输 入部2 1及一第二电源输出部2 2 ，其中该第二电源输入部2 1为该 第二电极层2 B的一侧端，该第二电源输出部2 2为该第一电极层2 A的一侧端。此外，该第一电极层2 A具有一用于与该第一侧边导电 层5 1电性隔绝的第一绝缘部(first insulating portion) S 1及一用于 与该第三侧边导电层5 3电性隔绝的第二绝缘部(second insulating portion) S 2，该第二电极层2 B具有一用于与该第二侧边导电层5 2 及该第三侧边导电层5 3电性隔绝的第三绝缘部(third insulating portion) S 3。因此，该第一电极层2 A及该第二电极层2 B分别通过 该第二绝缘部S 2及该第三绝缘部S 3以与该第三侧边导电层5 3电 性隔绝。
此外，该中间绝缘层M设置于该过电流保护层2的下端，并且该 中间绝缘层M具有一开口M 1 0。并且，该中间绝缘层M的一侧边具 有一第一半穿孔M a ，并且该中间绝缘层M的另一相反侧边具有一第
二半穿孔M b及一第三半穿孔M c 。
再者，该多功能保护层3设置于该中间绝缘层M的下端。该多功 能保护层3的一侧边具有一第一半穿孔3 0 a，并且该多功能保护层 3的另一相反侧边具有一第二半穿孔3 0 b及一第三半穿孔3 Q c。 此外，该多功能保护层3具有一第三电源输入部3 1、 一第三电源输 出部3 2、及一电性连接于该第三电源输入部3 l及该第三电源输出 部3 2之间的多功能芯片单元(multifunctional chip unit) 3 3。
其中，该多功能芯片单元3 3容置于该中间绝缘层M的开口M 1 0内。在本实施例中，该第三电源输入部3 l及该第三电源输出部3 2皆成形于该多功能保护层3的上表面(top surface)。此外，该多功 能芯片单元3 3可为一功能芯片(functional chip)，并且该功能芯片可 为一过电压保护(Over-Voltage Protection, OVP)芯片、 一抗电磁干扰 (Anti-Electromagnetic Interference ， anti-EMI) 芯片、或一抗静电 (Anti-Electrostatic Discharge, anti-ESD)芯片。
此外，该下盖绝缘层4设置于该多功能保护层3的下端。该下盖 绝缘层4的一侧边具有一第一半穿孔4 0 a，并且该下盖绝缘层4的 另一相反侧边具有一第二半穿孔4 0 b及一第三半穿孔4 0 c 。另外， 请配合图1C所示，该下盖绝缘层4具有一第四电源输出部4 1及一第 五电源输出部4 2，并且该第四电源输出部4 l及该第五电源输出部 4 2皆成形于该下盖绝缘层4的下表面。
再者，请配合图1D所示，每一层侧边导电层(5 1、 5 2、 5 3 )由上到下依序成形在该上盖绝缘层1 、该过电流保护层2 、该中 间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝缘层4的侧边。其中， 该第一侧边导电层5 l为电源输入端(power input side) Vin，该第二 侧边导电层5 2为电源输出端(power output side) Vout，并且该第三 侧边导电层5 3为接地端(grounding side) G。
此外，该上盖绝缘层l的第一半穿孔l 0 a、该过电流保护层2 的第一半穿孔2 0 a、该中间绝缘层M的第一半穿孔Ma 、该多功能 保护层3的第一半穿孔3 0 a、及该下盖绝缘层4的第一半穿孔4 0 a迭合成一第一侧边贯穿槽61;该上盖绝缘层l的第二半穿孔l0 b、该过电流保护层2的第二半穿孔2 0 b、该中间绝缘层M的第二 半穿孔Mb、该多功能保护层3的第二半穿孔3 0 b、及该下盖绝缘 层4的第二半穿孔4 0 b迭合成一第二侧边贯穿槽6 2;该上盖绝缘 层1的第三半穿孔1 0 c 、该过电流保护层2的第三半穿孔2 0 c 、 该中间绝缘层M的第三半穿孔M c 、该多功能保护层3的第三半穿孔 3 0 c、及该下盖绝缘层4的第三半穿孔4 0 c迭合成一第三侧边贯 穿槽6 3 。
因此，该第一侧边贯穿槽6 1由多个分别成形在该上盖绝缘层l 、 该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖
绝缘层4的一侧的第一半穿孔(10a、20a、Ma、30a、4 0 a )所堆栈而成，该第二侧边贯穿槽6 2由多个分别成形在该上盖 绝缘层l、该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护层3、 及该下盖绝缘层4的另一相反侧边的第二半穿孔(1 0 b、 2 0 b、 M b 、 3 0 b 、 4 0 b )所堆桟而成，并且该第三侧边贯穿槽6 3由 多个分别成形在该上盖绝缘层1 、该过电流保护层2、该中间绝缘层 M、该多功能保护层3、及该下盖绝缘层4的该相反侧边的第三半穿 孑L(10c、 20c、Mc、 30c、 40c)所堆栈而成。
再者，上述三道彼此分离的第一侧边贯穿槽6 1、第二侧边贯穿 槽6 2及第三侧边贯穿槽6 3组合成一侧边贯穿槽单元(lateral penetrating groove unit) 6 ，并且该第 一 侧边导电层5 1成形于该第一 侧边贯穿槽6 l的内表面，该第二侧边导电层5 2成形于该第二侧边 贯穿槽6 2的内表面，并且该第三侧边导电层5 3成形于该第三侧边 贯穿槽6 3的内表面。
因此，该第一电源输入部l l与该第二电源输入部2 l通过该第 一侧边导电层5 l以产生电性连接，该第二电源输出部2 2、该第三 电源输入部3 l与该第四电源输出部4 l通过该第二侧边导电层5 2 以产生电性连接，并且该第三电源输出部3 2与该第五电源输出部4 2通过该第三侧边导电层5 3以产生电性连接。
请再一次参考图1A至图1C所示，该等图中的箭头代表电流的方 向。电流在每一层(从该上盖绝缘层1至该下盖绝缘层4 )的主要流 动路径如下所述
第一层(该上盖绝缘层l ):通过该第一侧边导电层5 1 ，电流从该上 盖绝缘层1的第一电源输入部1 1流到该过电流保护层2的第二 电源输入部2 1 。
第二层(该过电流保护层2):电流依序经过该第二电极层2 B、该正 温度数材料层2 C及该第一电极层2 A，而从该第二电源输入部 2 l流到该第二电源输出部2 2。因此，通过该正温度数材料层 2 C的特殊材料特性，以使得本发明具有过电流保护(Over-Current Protection, OCP)的功能。
第三层(该中间绝缘层M):通过该第二侧边导电层5 2，电流从该第 二电源输出部2 2流到该多功能保护层的第三电源输入部3 1 。
第四层(该多功能保护层3 ):依据该多功能芯片单元3 3的功能设定， 以决定电流的流向。因此，正常的电流可直接流向下一层；而不 正常的电流则从该第三电源输入部31经过该多功能芯片单元3
3而流向该第三电源输出部3 2。例如该功能芯片单元3 3为
一过电压保护(Over-Voltage Protection, OVP)芯片，并且假设该 过电压保护芯片所设定的负载为5伏特(volt)。因此，当电流少 于5伏特时，则正常地输出该电流；当电流大于5伏特时，则使 得该电流流过该过电压保护芯片并传送到接地端。 第五层(该下盖绝缘层4):通过该第二侧边导电层5 2，以使得正常 的电流从该第三电源输入部3 1流到该下盖绝缘层4的第四电源 输出部4 1;通过该第三侧边导电层5 3，以使得不正常的电流 从该第三电源输出部3 2流到该下盖绝缘层4的第五电源输出部 4 2并传送到接地端。
请参阅图2 A及图2 B所示，其分别为本发明第二实施例的过电流 保护层的立体图、及本发明第二实施例的过电流保护层反面后的立体 图。
由该等图中可知，该第二电源输入部2 1'为该第一电极层2A '的一侧端，该第二电源输出部2 2'为该第二电极层2B'的一侧 端，并且该第一电极层2A'具有一用于与该第二侧边导电层5 2 ' 及该第三侧边导电层5 3'电性隔绝的第三绝缘部(third insulating portion) S 3 '，该第二电极层2 B'具有一用于与该第一侧边导电层
5 1'电性隔绝的第一绝缘部(first insulating portion) S 1 '及一用 于与该第三侧边导电层5 3 '电性隔绝的第二绝缘部(second insulating portion) S2'，因此该第一电极层2 A '及该第二电极层
2 B'分别通过该第三绝缘部S 3 '及该第二绝缘部S 2 '以与该第 三侧边导电层5 3 '电性隔绝。
因此，第二实施例的第二层(该过电流保护层2')的电流路径 为电流依序经过该第一电极层2 A'、该正温度数材料层2C'及 该第二电极层2B'，而从该第二电源输入部2 1'流到该第二电源 输出部2 2'。
请参阅图3A及图3B所示，其分别为本发明第三实施例的多功能 保护层的立体图、及本发明第三实施例的下盖绝缘层的立体图。由该 等图中可知，该第三电源输入部3 1 '、该第三电源输出部3 2 '与 该多功能芯片单元3 3'皆成形于该多功能保护层3 '的下表面 (bottom surface),并且该下盖绝缘层4'具有一用于容置该多功能芯 片单元3 3 '的开口 4 0'。
因此，本发明亦能结合第一实施例与第三实施例，而使得该第三 电源输入部3 1 、该第三电源输出部3 2与该多功能芯片单元3 3皆 成形于一多功能保护层的上表面(如第一实施例所示)，并且同时使得 该第三电源输入部3 1 '、该第三电源输出部3 2'与该多功能芯片
单元3 3'皆成形于该多功能保护层的下表面(如第三实施例所示)。 换言之，该第三电源输入部可同时成形于该多功能保护层的上表面(t叩
surface)与下表面(bottom surface)，并且该第三电源输出部可同时成
形于该多功能保护层的上表面(top surface )与下表面(bottom surface)。 请参考图4A所示，其为本发明多功能芯片单元的第一种排列方
式的立体图。由图中可知，该多功能芯片单元33A由多个功能芯片 (33al、 33a2、 33a3)所组成，并且该等功能芯片分别
为一过电压保护(Over-Voltage Protection, OVP)芯片、 一抗电磁干扰 (Anti-Electromagnetic Interference ， anti國EMI) 芯片、及一抗静电 (Anti-Electrostatic Discharge, anti-ESD)芯片。再者，该等功能芯片 (33al、 33a2、 33a3)并联地(parallelly)电性连接于该
第三电源输入部3 l及该第三电源输出部3 2之间。
请参考图4B所示，其为本发明多功能芯片单元的第二种排列方
式的立体图。由图中可知，该多功能芯片单元3 3 B由多个功能芯片 (3 3 b 1 、 3 3 b 2 )所组成，并且该等功能芯片可为一过电压保
护 (Over-Voltage Protection ， OVP ) 芯片、 一 抗电磁干扰 (Anti-Electromagnetic Interference ， anti-EMI) 芯片、及一抗青争电 (Anti-Electrostatic Discharge, anti-ESD)芯片的任意选择。再者，i亥
等功能芯片(3 3 b 1 、 3 3 b 2 )串联地(seriesly)电性连接于该
第三电源输入部3 l及该第三电源输出部3 2之间。
请参考图4C所示，其为本发明多功能芯片单元的第三种排列方
式的立体图。由图中可知，该多功能芯片单元3 3 C由多个功能芯片 (33cl、 33c2、 33c3、 33c4)所组成，并且该等功
能芯片可为一过电压保护(Over-Voltage Protection, OVP)芯片、 一抗
电磁干扰(Anti-Electromagnetic Interference, anti-EMI)芯片、及一抗
静电(Anti-Electrostatic Discharge, anti-ESD)芯片的任意选择。再者，
该等功能芯片(33cl、 33c2、 33c3、 33c4)可同时
并联地(parallelly)及串联地(serially)电性连接于该第三电源输入部
3 l及该第三电源输出部3 2的间。
请参阅图5所示，其为本发明内埋式的多功能整合型结构的制作
方法的流程图。由流程图中可知，本发明所提供的一种内埋式的多功
能整合型结构的制作方法，其步骤包括
步骤S100:提供一上盖绝缘层，其具有至少一第一电源输入部。 步骤S102:提供 一 过电流保护层(over-current protection layer)，
其具有一第二电源输入部及一第二电源输出部。
步骤S104:提供一中间绝缘层(middle insulating layer),其具有 一开口及一导电通道(conductive passage)。步骤S106:提供一多功能保护层(multifunctional protection layer),
其具有一第三电源输入部、 一第三电源输出部、及一电性连接于该第
三电源输入部及该第三电源输出部之间的多功能芯片单元 (multifunctional chip unit)，其中该多功能芯片单元用于容置于该中间
绝缘层的开口内。
步骤S108:提供一下盖绝缘层(bottom cover insulating layer),其
具有一第四电源输出部及一第五电源输出部。
步骤S110:依序将该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘 层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层堆栈地(stackedly)组合在一起。
步骤S112:形成一侧边导电层、 一第二侧边导电层、及一第三侧 边导电层，其中每一层侧边导电层由上到下依序成形在该上盖绝缘层、 该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层 的侧边，因此该第一电源输入部与该第二电源输入部通过该第一侧边 导电层以产生电性连接，该第二电源输出部、该第三电源输入部与该 第四电源输出部通过该第二侧边导电层以产生电性连接，并且该第三 电源输出部与该第五电源输出部通过该第三侧边导电层以产生电性连 接。
再者，在该步骤步骤S112之前，本发明的制作方法更进一步包括 形成一第一侧边贯穿槽、 一第二侧边贯穿槽、及一第三侧边贯穿槽， 其中该等侧边导通槽借助钻孔或冲压的方式依序贯穿该上盖绝缘层、 该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层 所形成，并且该第一侧边导电层成形于该第一侧边贯穿槽的内表面， 该第二侧边导电层成形于该第二侧边贯穿槽的内表面，并且该第三侧 边导电层成形于该第三侧边贯穿槽的内表面。
请参阅图6所示，其为本发明内埋式的多功能整合型结构被切割 成单颗前的立体图。由图中可知，首先，借助钻孔(drilling)或冲压 (punching)的方式依序贯穿该上盖绝缘层1 、该过电流保护层2 、该 中间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖绝缘层4，以形成多个 贯穿孔H;然后，再将导电层由上到下依序成形在该上盖绝缘层1 、 该过电流保护层2、该中间绝缘层M、该多功能保护层3、及该下盖 绝缘层4的该等贯穿孔H的内表面，最后再将单颗的内埋式的多功能 整合型结构P切割下来(如图1D所示)，以使得本发明的制作方式一 次可同时完成多个内埋式的多功能整合型结构P。
但，以上所述，仅为本发明最佳的具体实施例之一的详细说明与 附图，但本发明的特征并不局限于此，并非用以限制本发明，本发明 的保护范围应以权利要求书的范围为准，凡符合本发明权利要求书保 护范围的精神与其类似变化的实施例，皆应包含于本发明的范畴中，
任何本领域技术人员在本发明的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆 可涵盖在本案的保护范围之内。
权利要求
1、一种内埋式的多功能整合型结构，其特征在于，包括一上盖绝缘层，其具有至少一第一电源输入部；一过电流保护层，其设置于该上盖绝缘层的下端，并且该过电流保护层具有一第二电源输入部及一第二电源输出部；一中间绝缘层，其设置于该过电流保护层的下端，并且该中间绝缘层具有一开口；一多功能保护层，其设置于该中间绝缘层的下端，并且该多功能保护层具有一第三电源输入部、一第三电源输出部、及一电性连接于该第三电源输入部及该第三电源输出部之间的多功能芯片单元，其中该多功能芯片单元容置于该中间绝缘层的开口内；一下盖绝缘层，其设置于该多功能保护层的下端，并且该下盖绝缘层具有一第四电源输出部及一第五电源输出部；以及一侧边导电单元，其包括三层彼此绝缘的一第一侧边导电层、一第二侧边导电层、及一第三侧边导电层，其中每一层侧边导电层由上到下依序成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的侧边；其中，该第一电源输入部与该第二电源输入部通过该第一侧边导电层以产生电性连接，该第二电源输出部、该第三电源输入部与该第四电源输出部通过该第二侧边导电层以产生电性连接，并且该第三电源输出部与该第五电源输出部通过该第三侧边导电层以产生电性连接。
2、 如权利要求l所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征在 于，更进一步包括 一侧边贯穿槽单元，其包括三道彼此分离的一第 一侧边贯穿槽、 一第二侧边贯穿槽、及一第三侧边贯穿槽，其中该第 一侧边导电层成形于该第一侧边贯穿槽的内表面，该第二侧边导电层 成形于该第二侧边贯穿槽的内表面，并且该第三侧边导电层成形于该 第三侧边贯穿槽的内表面。
3、 如权利要求2所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征在 于该第一侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘层、该过电流保 护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的一侧的第 一半穿孔所堆栈而成，该第二侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝 缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖 绝缘层的另一相反侧边的第二半穿孔所堆栈而成，并且该第三侧边贯 穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘 层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的该相反侧边的第三半穿孔所 堆栈而成。
4、 如权利要求l所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征在 于该上盖绝缘层具有至少一电性连接于该第二侧边导电层的第一电 源输出部及至少一电性连接于该第三侧边导电层的接地部，并且该至 少一第一电源输入部成形于该上盖绝缘层的上表面的一侧端，该至少 一第一电源输出部及该至少一接地部分别成形于该上盖绝缘层的上表 面的另一相反侧端。
5、 如权利要求l所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征在 于该过电流保护层由一第一电极层、 一第二电极层及一正温度数材 料层所组成，并且该正温度数材料层成形于该第一电极层及该第二电 极层之间。
6、 如权利要求5所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征在 于该正温度系数材料层为一高分子正温度系数材料层、电阻材料层、 电容材料层、或电感材料层。
7、 如权利要求5所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征在 于该第二电源输入部为该第二电极层的一侧端，该第二电源输出部 为该第一电极层的一侧端，并且该第一电极层具有一用于与该第一侧 边导电层电性隔绝的第一绝缘部及一用于与该第三侧边导电层电性隔 绝的第二绝缘部，该第二电极层具有一用于与该第二侧边导电层及该 第三侧边导电层电性隔绝的第三绝缘部，因此该第一电极层及该第二 电极层分别通过该第二绝缘部及该第三绝缘部以与该第三侧边导电层 电性隔绝。
8、 如权利要求5所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征在于该第二电源输入部为该第一电极层的一侧端，该第二电源输出部 为该第二电极层的一侧端，并且该第一电极层具有一用于与该第二侧 边导电层及该第三侧边导电层电性隔绝的第三绝缘部，该第二电极层 具有一用于与该第一侧边导电层电性隔绝的第一绝缘部及一用于与该 第三侧边导电层电性隔绝的第二绝缘部，因此该第一电极层及该第二 电极层分别通过该第三绝缘部及该第二绝缘部以与该第三侧边导电层 电性隔绝。
9、如权利要求l所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征在 于该第三电源输入部成形于该多功能保护层的上表面，并且该第三 电源输出部成形于该多功能保护层的上表面。
10、如权利要求l所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征 在于该第三电源输入部成形于该多功能保护层的下表面，并且该第 三电源输出部成形于该多功能保护层的下表面。
11、如权利要求l所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征 在于该第三电源输入部成形于该多功能保护层的上表面与下表面， 并且该第三电源输出部成形于该多功能保护层的上表面与下表面。
12、如权利要求1所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征 在于该多功能芯片单元为一功能芯片。
13、如权利要求l 2所述的内埋式的多功能整合型结构，其特 征在于该功能芯片为一过电压保护芯片、 一抗电磁干扰芯片、或一 抗静电芯片。
14、如权利要求1所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征 在于该多功能芯片单元由多个功能芯片所组成。
15、如权利要求l 4所述的内埋式的多功能整合型结构，其特 征在于该等功能芯片分别为一过电压保护芯片、 一抗电磁干扰芯片、 及一抗静电芯片。
16、如权利要求l 4所述的内埋式的多功能整合型结构，其特 征在于该等功能芯片并联地电性连接于该第三电源输入部及该第三 电源输出部之间。
17、如权利要求l 4所述的内埋式的多功能整合型结构，其特 征在于该等功能芯片串联地电性连接于该第三电源输入部及该第三 电源输出部之间。
18、如权利要求l 4所述的内埋式的多功能整合型结构，其特 征在于该等功能芯片同时并联地及串联地电性连接于该第三电源输 入部及该第三电源输出部之间。
19、如权利要求l所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征 在于该第四电源输出部成形于该下盖绝缘层的下表面，并且该第五 电源输出部成形于该下盖绝缘层的下表面。
20、如权利要求l所述的内埋式的多功能整合型结构，其特征在于该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保 护层、及该下盖绝缘层依序堆栈在一起。
21 、 一种内埋式的多功能整合型结构的制作方法，其特征在于， 包括下列步骤提供一上盖绝缘层，其具有至少一第一电源输入部；提供一过电流保护层，其具有一第二电源输入部及一第二电源输 出部；提供一中间绝缘层，其具有一开口及一导电通道；提供一多功能保护层，其具有一第三电源输入部、 一第三电源输 出部、及一电性连接于该第三电源输入部及该第三电源输出部之间的 多功能芯片单元，其中该多功能芯片单元用于容置于该中间绝缘层的 开口内；提供一下盖绝缘层，其具有一第四电源输出部及一第五电源输出部；依序将该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功 能保护层、及该下盖绝缘层堆栈地组合在一起；以及形成一侧边导电层、 一第二侧边导电层、及一第三侧边导电层， 其中每一层侧边导电层由上到下依序成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的侧边， 因此该第一电源输入部与该第二电源输入部通过该第一侧边导电层以 产生电性连接，该第二电源输出部、该第三电源输入部与该第四电源 输出部通过该第二侧边导电层以产生电性连接，并且该第三电源输出 部与该第五电源输出部通过该第三侧边导电层以产生电性连接。
22、如权利要求2 l所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于上述形成该等侧边导电层的步骤前，更进一步包 括形成一第一侧边贯穿槽、 一第二侧边贯穿槽、及一第三侧边贯穿 槽，其中该等侧边导通槽借助钻孔或冲压的方式依序贯穿该上盖绝缘 层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝 缘层所形成，并且该第一侧边导电层成形于该第一侧边贯穿槽的内表 面，该第二侧边导电层成形于该第二侧边贯穿槽的内表面，并且该第 三侧边导电层成形于该第三侧边贯穿槽的内表面。
23、如权利要求2 2所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该第一侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘 层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝 缘层的一侧的第一半穿孔所堆栈而成，该第二侧边贯穿槽由多个分别 成形在该上盖绝缘层、该过电流保护层、该中间绝缘层、该多功能保 护层、及该下盖绝缘层的另一相反侧边的第二半穿孔所堆栈而成，并 且该第三侧边贯穿槽由多个分别成形在该上盖绝缘层、该过电流保护 层、该中间绝缘层、该多功能保护层、及该下盖绝缘层的该相反侧边 的第三半穿孔所堆栈而成。
24、如权利要求2 1所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该上盖绝缘层具有至少一电性连接于该第二侧边 导电层的第一电源输出部及至少一电性连接于该第三侧边导电层的接 地部，并且该至少一第一电源输入部成形于该上盖绝缘层的上表面的 一侧端，该至少一第一电源输出部及该至少一接地部分别成形于该上 盖绝缘层的上表面的另一相反侧端。
25、如权利要求2 l所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该过电流保护层由一第一电极层、 一第二电极层 及一正温度数材料层所组成，并且该正温度数材料层成形于该第一电 极层及该第二电极层之间。
26、如权利要求2 5所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该正温度系数材料层为一高分子正温度系数材料 层、电阻材料层、电容材料层、或电感材料层。
27、如权利要求2 5所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该第二电源输入部为该第二电极层的一侧端，该 第二电源输出部为该第一电极层的一侧端，并且该第一电极层具有一 用于与该第一侧边导电层电性隔绝的第一绝缘部及一用于与该第三侧 边导电层电性隔绝的第二绝缘部，该第二电极层具有一用于与该第二 侧边导电层及该第三侧边导电层电性隔绝的第三绝缘部，因此该第一 电极层及该第二电极层分别通过该第二绝缘部及该第三绝缘部以与该 第三侧边导电层电性隔绝。
28、如权利要求2 5所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该第二电源输入部为该第一电极层的一侧端，该第二电源输出部为该第二电极层的一侧端，并且该第一电极层具有一 用于与该第二侧边导电层及该第三侧边导电层电性隔绝的第三绝缘 部，该第二电极层具有一用于与该第一侧边导电层电性隔绝的第一绝 缘部及一用于与该第三侧边导电层电性隔绝的第二绝缘部，因此该第 一电极层及该第二电极层分别通过该第三绝缘部及该第二绝缘部以与 该第三侧边导电层电性隔绝。
29、如权利要求2 1所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该第三电源输入部成形于该多功能保护层的上表 面，并且该第三电源输出部成形于该多功能保护层的上表面。
30、如权利要求2 l所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该第三电源输入部成形于该多功能保护层的下表 面，并且该第三电源输出部成形于该多功能保护层的下表面。
31、如权利要求2 1所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该第三电源输入部成形于该多功能保护层的上表 面与下表面，并且该第三电源输出部成形于该多功能保护层的上表面 与下表面。
32、如权利要求2 l所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该多功能芯片单元为一功能芯片。
33、如权利要求3 2所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该功能芯片为一过电压保护芯片、 一抗电磁干扰 芯片、或一抗静电芯片。
34、如权利要求2 1所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该多功能芯片单元由多个功能芯片所组成。
35、如权利要求3 4所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该等功能芯片分别为一过电压保护芯片、 一抗电磁干扰芯片、及一抗静电芯片。
36、如权利要求3 4所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该等功能芯片并联地电性连接于该第三电源输入 部及该第三电源输出部之间。
37、如权利要求3 4所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该等功能芯片串联地电性连接于该第三电源输入 部及该第三电源输出部之间。
38、如权利要求3 4所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该等功能芯片同时并联地及串联地电性连接于该 第三电源输入部及该第三电源输出部之间。
39、如权利要求2 l所述的内埋式的多功能整合型结构的制作 方法，其特征在于该第四电源输出部成形于该下盖绝缘层的下表面， 并且该第五电源输出部成形于该下盖绝缘层的下表面。
全文摘要
一种内埋式的多功能整合型结构及其制作方法，其利用电路板多层设计的概念，将超过两种以上的被动元件整合于一元件结构上，而完成的成品将以面黏着的方式黏着于基板上。因此，本发明内埋式的多功能整合型结构能够同时具有过电流保护功能、过电压保护功能、以及含有抗电磁干扰及抗静电的功能。所以，本发明可以有效地整合两个或多个以上的被动元件而增加其功能性，再者本发明能有效地降低电路板上被动元件所占的积体，并且减少焊点的数目。
文档编号H01L21/02GK101378049SQ20071014803
公开日2009年3月4日 申请日期2007年8月29日 优先权日2007年8月29日
发明者李文志, 黄建豪 申请人:佳邦科技股份有限公司