接触孔形成方法、布线基板、半导体装置和电光装置的制法的制作方法

专利名称：接触孔形成方法、布线基板、半导体装置和电光装置的制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及电路基板、半导体装置、包含液晶装置、有机EL装置、 电泳装置等的电光装置的制造方法，特别是涉及绝缘层的开口技术(接触 孔的形成方法)。
背景技术：
使用利用了有机半导体材料、有机绝缘材料、有机导电材料的有机晶 体管的半导体装置的开发正在进展。使用这样的有机材料的晶体管(以下 称作"有机晶体管")，例如通过在塑料基板上蒸镀或涂敷有机物而形成。 塑料基板和有机材料富于柔性，所以通过使用有机晶体管，具有能制作轻、 薄、可弯曲的电子器件的优点。
通过反复进行有机半导体材料、有机绝缘材料或有机导电材料的堆积 (涂敷)、图案化，形成该有机晶体管。在该制造工序中，为了进行导电 层相互间的布线连接，需要在作为层间绝缘层使用的有机绝缘材料中形成 接触孔。
可是，例如，在有机绝缘材料中形成接触孔时，如果使用光刻法或蚀 刻法，蚀刻掩模中使用的光致抗蚀剂是有机材料(聚合物)，所以在掩模 除去工序中，具有难以从基底的有机绝缘材料剥离光致抗蚀剂的问题。此 外，在曝光工序中，位于其下层的有机半导体材料发生光反应，产生劣化 等问题。
因此，作为不使用光刻法或蚀刻法的接触孔的形成方法，有专利文献 l或2中记载的方法。在专利文献l (特开2002-26362号公报)中公开了 使用加热后的冲头(punch)的层叠体的开孔加工方法。此外，在专利文 献2 (特开2006-41180号公报)中公开了一边在层间膜用针^l械地开孔， 一边通过针中含有的溶剂以化学方式溶解层间膜32来形成接触孔的方法。
可是，用针刺层间膜进行开口时，由于作为有机绝缘材料(聚合物) 的层间绝缘层的粘性高，并且具有延展性，所以在接触孔的周围容易残留
数^im左右的高的残渣。难以除去层间绝缘层的开口部分的有机绝缘材料。 此外，除去层间绝缘层后，难以判断基底的电极是否露出。特别在使用塑 料基板那样的刚性小的柔性基板时，难以进行该判断。这些成为基于形成 在接触孔中的导电材料的导电层(电极/布线)相互间的导通变得不可靠的 要因。

发明内容
本发明的一个目的在于，提供一种不易产生导通不良的接触孔的形成 方法(半导体装置的制造方法)。此外，本发明的另一个目的在于，提供 一种可靠性优异的半导体装置。
(1-1 )为了实现所述目的，本发明的具体形态的接触孔的形成方法包 括第一工序，在基板上形成作为电极或布线而被图案化的第一导电层； 第二工序，在所述基板和所述第一导电层上形成绝缘层；第三工序，对所 述电极或布线上的所述绝缘层，以从该绝缘层的面向上方5度 80度范围 内的角度插入切削器具；和第四工序，从所述绝缘层抽出所述切削器具， 在该绝缘层形成到达所述电极或布线的倾斜的开口部。
通过采用该结构，切削引起的绝缘层的残渣集中在倾斜的开口部边缘 的一侧(切削器具的前进方向一侧)，所以使用没有残渣的开口部边缘的 另一侧(切削器具的反前进方向一侧)形成电极或布线，能避免受到残渣 的影响。
(1-2)此外，希望还包括第五工序，继所述第三工序之后，使插入到 所述绝缘层的切削器具在所述电极或布线的延伸方向上移动。例如，在考 虑孔径的情况下，切削器具的移动量是10 50(Him左右。由此，能增大开 口部的开口直径，能避免由于(有机)绝缘层的延展性而开口部关闭(变 窄)。
(1-3)此外，希望还包括第六工序，继所述第四工序之后，与所述切 削器具的插入方向对应，由液滴喷出头相对扫描所述基板，在所述绝缘层 的倾斜的开口部内以及所述绝缘层上堆积导电材料，形成作为电极或布线
而被图案化的第二导电层。由此，通过液滴喷出法，利用没有残渣的开口 部边缘，在该开口部内和绝缘层上用液体导电材料形成导电图案，能避免 残渣引起的断线。
(1-4)此外，希望进行第七工序，在与所述绝缘层的开口部对应的 所述第一导电层的电极或布线上，实施降低与所述绝缘层的密接性的表面 处理。作为表面处理，例如，相应有降低与有机绝缘层(聚合物)的密接
性的涂氟、氟等离子体处理、SAM膜(自组织化膜)的形成等。由此， 容易由切削器具除去绝缘层。
(1-5)此外，希望在所述第三工序中加热所述基板。在由有机材料 构成绝缘层时，通过基板加热，降低绝缘层的硬度(变柔软)，能实现切 削的容易化，防止裂纹。此外，用有机材料构成所述基板时(聚合物基板)， 通过基板加热，降低基板的硬度，能防止在切削时，在基板产生裂纹。
(1-6)此外，更希望插入所述切削器具的角度是20度 60度的范围 内的角度。如果切削器具的插入角度在5度 80度左右的范围内，就能在 开口部的一侧单侧形成残渣，但是如果在20度 60度的范围内，(有机) 绝缘层的残渣更集中在开口部的一侧，向另一侧的残渣的发生更少。在80 度 90度的范围内，有机绝缘层材料堆积在开口部的周围，成为断线的原 因。
(1-7)此外，所述切削器具包含针或平刃中的任意一个。如果是针 状的切削器具，就能在微小图案的电极/布线上生成接触孔。
(1-8)此外，可根据所述切削器具和所述电极或布线之间的电常数 的变化，检测所述切削器具是否到达所述电极或^J线。作为电常数，例如 相应有电流值、电压值、电流/电压的信号波形、电阻值、阻抗值等。根据 电常数的变化，能判别切削器具到达电极或布线上。
(1-9)此外，希望所述切削器具附带对刃尖进行加热的发热体和使 刃尖振动的振动体中的至少任一个。作为发热体，相应有电热电阻(加热 器)、高频加热线圈，作为振动体，相应有供给高频驱动信号的超声波振 动体等。由此，加热刃尖，切削器具向(有机)绝缘层的插入变得容易。 此外，振动能量集中在刃尖，破碎绝缘层后，切削器具的插入变得容易。 此外，作为上述的切削器具的材料，能使用钨、不锈钢、金、钽等。
并不局限于这些材料，能适当选择。
此外，为了不易在上述切削器具的表面附着绝缘层的材料，也可进行 基于氟等的表面处理。
(1-10)此外，上述的接触孔的形成方法也能在制造电路基板(布线
基板)的电路基板的制造方法中使用。
(1-11)此外，上述的接触孔的形成方法也能在制造半导体装置的半 导体装置制造方法中使用。
(1-12)此外，本发明的接触孔的形成方法用于在至少具有基板、形 成在所述基板上的导电层、覆盖所述导电层而形成在所述基板的上层的绝 缘层的半导体装置中，从所述绝缘层的表面一侧使所述导电层的一部分露 出，至少包括在所述绝缘层的表面一侧，在形成所述接触孔的位置配置
切削器具的定位工序；将所述切削器具相对于所述绝缘层的表面侧，以规 定角度0插入所述绝缘层的工序；根据所述切削器具和所述导电层之间的 电常数的变化，检测所述切削器具是否到达所述导电层的工序；根据所述 检测结果，停止所述切削器具的插入的工序；从所述绝缘层拔出所述切削 器具的工序。
通过采用该结构，能自动挖掘到作为目标的导电膜来形成接触孔。所 述规定的角度9在5度 80度左右的范围内，更希望是20度 60度范围 内的角度。由此，能使残渣集中在接触孔边缘的单侧。
在停止所述切削器具的插入的工序之后，还包括使该切削器具在横向 上移动的工序。由此，能扩大接触孔的孔径。
(2-1)本发明的接触孔的形成方法包括在基板上形成作为电极或布 线而被图案化的第一导电性膜的工序；在所述基板和所述第一导电性膜上 形成绝缘膜的工序；通过所述绝缘膜，使内部具有空洞的中空针抵接到所 述第一导电性膜上的工序；通过使所述空洞内为减压状态，剥离所述空洞 内的所述绝缘膜的工序；和通过除去被剥离的所述空洞内的绝缘膜，在所 述第一导电性膜上形成开口部的工序。
根据该方法，能吸引空洞内的绝缘膜，减少开口部底部的绝缘膜残渣。 因此，能降低导通不良。此外，能提高具有该接触孔的装置的特性。
(2-2)优选在使所述中空针抵接的状态下，通过所述空洞对所述空
洞内的所述绝缘膜照射光。根据该方法，能通过光使空洞内的绝缘膜变质 (例如，分解)，能进一步减少开口部底部的绝缘膜残渣。
(2-3)优选在使所述中空针抵接的状态下，通过所述空洞向所述空 洞内的所述绝缘膜上注入溶解所述绝缘膜的液体。
(2-4)优选在使所述中空针抵接的状态下，通过所述空洞对所述空洞 内的所述绝缘膜照射光，使所述绝缘膜变质，再通过所述空洞将使所述变 质后的绝缘膜溶解的液体注入到所述空洞内。根据该方法，使空洞内的绝 缘膜变质，能进一步使其熔融，能进一步降低开口部底部的绝缘膜残渣。
(2-5)在使所述中空针抵接的状态下，加热所述中空针。根据该方 法，能热溶解空洞内的绝缘膜(至少与中空针的内壁接触的绝缘膜部)， 能进一步降低开口部底部的绝缘膜残渣。
(2-6)优选还包括在形成所述开口部之后，通过所述空洞使导电 性部件与所述开口部的底面接触，检查所述第一导电性膜和所述导电性部 件的导通状态的工序。根据该方法，能进一步降低导通不良。
(2-7)优选在形成所述开口部之后，用溶解所述绝缘膜的液体洗净 所述中空针的内部。根据该方法，能除去附着在中空针的内壁的绝缘膜残 渣(包含溶解、变质的部分)。
(2-8)所述绝缘膜例如由有机材料构成。这样，对于由有机材料构 成的绝缘膜，不用光刻工序，就能形成接触孔。
(2-9)本发明的布线基板的制造方法包括所述接触孔的形成方法， 还包括在包含所述开口部内的所述绝缘膜上形成第二导电性膜的工序。
根据该方法，可降低第一导电性膜与第二导电性膜的接触不良。因此， 可提高布线基板的特性。
(2-10)本发明的半导体装置的制造方法包括所述接触孔的形成方 法，还具有在比绝缘膜更下层的位置形成有机半导体膜的工序。
根据该方法，能降低接触孔部的导通不良。此外，不使用光刻工序就 能形成接触孔，能防止曝光引起的有机半导体膜的劣化。
(2-ll)本发明的半导体装置的制造方法包括所述接触孔的形成方法， 还具有在比绝缘膜更下层的位置形成将有机半导体膜作为构成要素的晶 体管的工序。
根据该方法，能降低接触孔部的导通不良。此外，不使用光刻工序就 能形成接触孔，能防止曝光引起的晶体管的劣化。
(2-12)本发明的电光装置的制造方法包括所述半导体装置的制造方 法。根据该方法，能提高电光装置的特性。
(3-1)本发明的接触孔的制造方法包括在基板上形成作为电极或布
线而被图案化的第一导电性膜的工序；在所述基板和所述第一导电性膜上 形成绝缘膜的工序；通过所述绝缘膜，使由第一针和第二针构成的双层中 空针抵接到所述第一导电性膜上的工序，所述第一针在内部具有第一空 洞，所述第二针包围所述第一针，即其内部具有位于所述第一空洞外周的 第二空洞；和向所述第一空洞内注入所述绝缘膜的溶解性液体，通过所述 第二空洞吸引溶解后的所述绝缘膜；或者，向所述第二空洞内注入所述绝 缘膜的溶解性液体，通过所述第一空洞吸引溶解后的所述绝缘膜的工序。 根据该方法，空洞内的绝缘膜被溶解、吸引，能降低开口部底部的绝 缘膜残渣。因此，能降低导通不良。此外，能提高具有该接触孔的装置的 特性。
(3-2)本发明的接触孔的形成方法包括在基板上形成作为电极或 布线而被图案化的第一导电性膜的工序；在所述基板和所述第一导电性膜 上形成绝缘膜的工序；通过所述绝缘膜，使由第一针和第二针构成的双层 中空针抵接到所述第一导电性膜上的工序，所述第一针在内部具有第一空 洞，所述第二针包围所述第一针，即其内部具有位于所述第一空洞外周的 第二空洞；和向所述第一空洞内注入所述绝缘膜的分解性气体，通过所述 第二空洞吸引分解后的所述绝缘膜；或者，向所述第二空洞内注入所述绝 缘膜的分解性气体，通过所述第一空洞吸引分解后的所述绝缘膜的工序。 根据该方法，空洞内的绝缘膜被分解、吸引，能降低开口部底部的绝 缘膜残渣。因此，能降低导通不良。此外，能提高具有该接触孔的装置的 特性。
(3-3)优选所述第一针的前端比所述第二针的前端后退一定距离。 根据该方法，能通过第一针(第一空洞)高效地对绝缘膜上供给溶解性液 体或分解性气体。
(3-4)优选所述绝缘膜的膜厚在所述一定距离以下。根据该方法，
通过第一针(第一空洞)或第二针(第二空洞)高效地对绝缘膜上供给溶 解性液体或分解性气体。
(3-5)优选所述分解性气体是氧化性气体。根据该方法，通过氧化 性气体能进一步分解绝缘膜。
(3-6)优选一边注入所述分解性气体， 一边对所述分解性气体照射 紫外线。根据该方法，通过紫外线能促进分解。
(3-7)例如，所述分解性气体是氧，通过所述紫外线，产生臭氧。 根据该方法，通过紫外线和臭氧，促进分解。
(3-8)优选所述绝缘膜由有机材料构成。这样，对于由有机材料构 成的绝缘膜，不使用光刻工序，就能形成接触孔。
(3-9)例如，包括如下工序在形成所述开口部之后，使所述第二 针或导电性部件与所述开口部的底面抵接，检查所述第一导电性膜与所述 第二针或导电性部件的导通状态。根据该方法，能进一步降低导通不良。
(3-10)本发明的布线基板的制造方法包括所述接触孔的形成方法， 还包括在包含所述开口部内的所述绝缘膜上形成第二导电性膜的工序。
根据该方法，能降低第一导电性膜和第二导电性膜的连接不良。因此， 能提高布线基板的特性。
(3-ll)本发明的半导体装置的制造方法包括所述接触孔的形成方法， 还包括在比所述绝缘膜更下层的位置形成有机半导体膜的工序。
根据该方法，能降低接触孔部的导通不良。此外，不使用光刻工序， 就能形成接触孔，能防止曝光引起的有机半导体膜的劣化。
(3-12)本发明的半导体装置的制造方法包括所述接触孔的形成方 法，还包括在比所述绝缘膜更下层的位置形成将有机半导体膜作为构成要 素的晶体管的工序。
根据该方法，能降低接触孔部的导通不良。此外，不使用光刻工序就 能形成接触孔，能防止曝光引起的晶体管的特性劣化。
(3-13)本发明的电光装置的制造方法包括所述半导体装置的制造方 法。根据该方法，能提高电光装置的特性。


图1是说明实施方式1的接触孔的形成方法的实施例的说明图。
图2是说明实施方式1的接触孔的形成方法的实施例的说明图。
图3是说明检测切削器具与电极或布线接触的例子的说明图。
图4是说明向绝缘层插入切削器具时对基板进行加热的例子的说明图。
图5是说明使用具有加热源的针作为切削器具的例子的说明图。
图6是说明使用具有超声波振动源的针作为切削器具的例子的说明图。
图7是说明使用具有吸引通路的针作为切削器具的例子的说明图。
图8是说明使用中空针作为切削器具的例子的说明图。
图9是说明使用平刃作为切削器具的例子的说明图。
图IO是说明使用具有吸引通路的平刃作为切削器具的例子的说明图。
图11是说明使用实施方式1的接触孔的形成方法的半导体装置的制
造工序的说明图。
图12是表示实施方式1的接触孔的形成方法的流程的程序流程图。 图13是说明使用实施方式1的接触孔的形成方法的半导体装置的制
造工序的其他例子的说明图。
图14是说明比较例的接触孔的形成方法的说明图。
图15是表示实施方式2的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方
法)的工序剖视图。
图16是表示实施方式2的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方
法)的工序剖视图。
图17是表示实施方式2的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方
法)的工序剖视图。
图18是表示实施方式2的其他半导体装置的制造方法(接触孔的形
成方法)的工序剖视图。
图19是表示实施方式2的其他半导体装置的制造方法(接触孔的形
成方法)的工序剖视图。
图20是表示实施方式2的其他半导体装置的制造方法(接触孔的形
成方法)的工序剖视图。
图21是表示实施方式3的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图22是表示实施方式4的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图23是表示实施方式5的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图24是表示实施方式6的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图25是表示实施方式7的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图26是表示双层中空针的构造的剖视图。
图27是表示实施方式7的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图28是表示实施方式7的其他半导体装置的制造方法(接触孔的形 成方法)的工序剖视图。
图29是表示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图30是表示实施方式8的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图31是示意性表示实施方式7和8的溶解性液体(或分解性气体) 与反应物(溶解溶液、分解物)的双层中空针100中的流动的图。
图32是表示实施方式9的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图33是表示实施方式10的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图34是表示实施方式11的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图35是表示实施方式11的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图36是表示实施方式11的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方法)的工序剖视图。
图37是表示实施方式11的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方
法)的工序剖视图。
图38是表示实施方式11的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图39是表示实施方式11的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图40是表示实施方式11的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
图41是表示实施方式11的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的俯视图。
图42是表示应用了电泳装置的电子设备的具体例的立体图。 图43是表示极细中空针的加工方法的图。 图44是表示极细中空针的加工方法的图。
图中10—基板；12—电极/布线；12a 12d—导电性膜(导电膜)； 13—有机半导体膜；14一有机绝缘膜(绝缘层)；15—栅电极(栅极线)； 16—接触孔；17—保护膜；18—电极/布线；IOO—针(切削器具、中空针、 双层中空针)；100a—第一中空针；1001>~第二中空针；101—电极棒；141一 残渣；1000—电子书；1001—框架；1002—盖；1003—操作部；1004—显 示部；IIOO—手表；1101—显示部；1200—电子纸；1201—主体部；1202— 显示部；C1C、 Cld—接触孔；DL—数据线；GL—栅极线；Sa、 Sb—空洞。
具体实施例方式
下面，参照

本发明的实施方式。 (实施方式l)
图1 (A) 图1 (C)是说明本发明的接触孔的形成方法的工序的俯 视图。图2 (A)是说明本发明的接触孔的形成方法的工序的俯视图，图2 (B)是图2 (A)的x-x'方向的剖视图。
如图1 (A)所示，在玻璃等绝缘性基板10上形成第一导电膜即基于 金属膜的电极/布线12，由绝缘层14覆盖。选择塑料作为基板10时，能
使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、丙烯酸等。例如，成为基 底的塑料(基板10)的弯曲弹性为2000 4000MPa。基底塑料坚硬时， 切削器具(针)的后述的角度的应用范围扩大。电极/布线12例如通过蒸 镀或溅射等使铝等金属成膜并通过图案化而形成。将后述的绝缘性聚合物 通过旋涂法形成绝缘层14。
将针(切削器具)100以规定角度e插入这样形成的绝缘层14。另外， 在实施方式1中，将针IOO称作"切削器具"。
如果角度e从绝缘层14的上面朝向上方在5度 80度的范围内，则 在切削器具100前进(插入)方向一侧就会产生绝缘层14的残渣141。进 而，如果角度e为20度 60度左右的范围内的角度，则绝缘层14的残渣 141就进一步集中在切削器具100的一方侧(前进方向一侧)，在向另一侧 的残渣的发生也更少的状态下，使切削(插入)孔接近纵向孔。如果切削 器具100到达电极/布线12，就停止切削器具100的插入。如后所述，根 据切削器具100和电极/布线12之间的电常数的变化，来判断切削器具100 是否到达电极/布线12。此外，对切削器具100，通过弹簧等提供不穿透电 极/布线12程度的施加力，插入的切削器具100也可碰到电极/布线12后 停止。
接着，如图1B所示，使切削器具100的前刃在电极/布线12上沿横 向(电极/布线的延伸方向)移动。移动距离例如是10 500)im左右，但 是可根据所需的接触孔口径来适当设定。这样除去绝缘层14，扩大插入孔。
如图1 (C)所示，将切削器具100向上方拔出，将残渣141向单侧 扒出。其结果，取得扩大了切削器具100的插入孔(切削孔)'的接触孔16。
这样在电路基板上形成接触孔。
另外，也可以将切削器具100斜插入绝缘层14，然后，拉回切削器具 IOO而不在橫向上移动。
如图2所示，使用接触孔16的没有残渣141的倾斜面一侧，形成作 为第二导电层的电极/布线18。电极/布线18在接触孔16内与电极/布线12 连接，在绝缘层14上与未图示的电极或其他电路连接。电极/布线12例如 能由液滴喷出法(喷墨法)形成。
在液滴喷出法中，通过液滴喷出头(喷墨头)(未图示)、使液滴喷出
头和基板相对移动的移动机构(未图示)工作，能向绝缘层32的规定位 置喷出导电性材料。在该相对移动时，使用接触孔16的边缘的没有残渣 141的一侧(倾斜壁一侧)，进行导电图案的形成(电极/布线18)。
另外，根据液滴喷出装置(未图示)中存储的位案等电子数据， 形成喷出液体材料的图案，所以只通过制作电子数据，就能在所需的位置 涂敷液体材料。作为液体材料，釆用PEDOT (聚亚乙基二氧基噻吩)的 水分散液。此外，除了 PEDOT，还能使用金属胶体(colloid)。作为这些 分散液，将水作为主成分，但是也可以将添加了醇的液体作为液滴来形成 接点。
图14表示比较例。在图14中，对与图1对应的部分付与相同的符号， 省略有关的部分的说明。
在比较例中，以相对于绝缘层14成90度的角度插入切削器具(未图 示)。这时，在接触孔16的开口部分，绕开口缘一周产生残渣141。与此 相比，在本实施方式中，如图1和图2所示，只在接触孔16的单侧产生 残渣141。利用没有残渣141的部分形成布线连接，能避免残渣141引起 的布线18的断线。
图3是说明判别切削器具100的前刃是否到达电极/布线12的例子的 说明图。在图3中，对与图l对应的部分付与相同的符号，省略有关的部 分的说明。
如图3所示，如果切削器具100和电极/布线12接触，在切削器具100 和电极/布线12之间就构成电路的闭路。在电路中设置电流在闭路中流 动的电源E、和检测闭路的电常数值或其变化的电常数测定器200。作为 电常数，相应有电流、电压、电阻、阻抗(交流电阻)、电压/电流波形。 这时，电常数测定器200相应有电流计、电压计、电阻测定器、阻抗测定 器、示波器等。在电路的开路状态和闭路状态之间电常数不同，所以由电 常数测定器200测定电常数，能判断切削器具100和电极/布线12的接触。 适当地选择电常数。电常数测定器200可使用市场上出售的产品，所以省 略其说明。
图4表示将切削器具100向绝缘层14插入时，对基板10进行加热的 例子。在图4中，对与图l对应的部分付与相同的符号，省略有关的部分
的说明。
在该例子中，在安放基板10的台300内设置用于加热的温控的电加 热器。通过在将切削器具插入绝缘层时加热基板10，从而降低(有机)绝
缘层14的硬度，实现切削器具向绝缘层的插入容易化，防止裂纹。此外， 选择树脂(聚合物)基板作为基板10时，通过加热，使基板IO变得柔软， 防止切削器具100的加压引起的基板IO产生裂纹。
图5表示使用加热后的切削器具100的例子。在图5中，对与图1对 应的部分付与相同的符号，省略有关的部分的说明。
在图5中，在切削器具100的刃尖的中途设置发热体(热源)400。 该发热体400产生的热传递到切削器具100的刃尖。通过该热使有机绝缘 层14软化，使切削器具100的插入变得容易。此外，防止绝缘层14的裂 纹。作为发热体400，能使用通过电热电阻(加热器)、感应电流进行加热 的高频线圈等。
图6表示使用还进行超声波振动的切削器具100的例子。在图6中， 对与图l对应的部分付与相同的符号，省略有关的部分的说明。
在图6中，在切削器具100的后端部配置超声波振动体500。超声波 振动体500产生的振动在切削器具100内传播，集中在刃尖，振动能量加 强。切削器具100不仅通过尖锐的刃尖对绝缘层14进行切削，还通过刃 尖的微小振动进行绝缘层14的破碎，来形成接触孔。
图7表示使用设置了对回收的残渣进行吸引的吸引通路的切削器具的 例子。在该例子中，将^t状的切削器具100收容在筒状体内，设置从切削 器具100的前刃附近吸引残渣后使其向切削器具100的后端^侧(未图示) 移动的吸引通路110。从接触孔部排除残渣，从而能避免由残渣在开口缘 部产生突起。
图8 (A) (C)表示使用中空针作为切削器具IOO的例子。 图8 (A)是如注射针那样，切削器具100前端部(前刃)开口的例 子。如果使用这样的中空的切削器具100，就从前端部渗出有机绝缘膜的 溶剂，从而使切削器具100的插入变得容易。此外，能增大基于切削器具 100的插入口。
图8 (B)表示使用在图(A)的中空针结构的基础上还设置吸引通路
110的切削器具的例子。在该例子中，从刃尖的开口部渗出溶剂，溶解有 机绝缘膜，由回收通路110吸引残渣或多余的溶剂。由此，实现切削器具
的顺利的插入和残渣的除去。
图8 (C)表示在溶剂的供给和残渣的排出中使用中空针构造的切削 器具100的例子。中空的切削器具100的前刃部分成为开口部102，在切 削器具100的中途设置溶剂的供给口 104、残渣的排出口 106。在供给口 104和排出口 106分别设置未图示的遮断阀。在从前端的开口部102渗出 溶剂时，打开供给口 104—侧的阀门，关闭排出口 106—侧的阔门，溶剂 从供给口 104 —侧流向开口部102。在从顶端的开口部102吸收残渣时， 关闭供给口 104—侧的阀门，打开排出口 106—侧的阀门，残将渣和多余 的溶剂从开口部102—侧吸出到排出口 106—侧后除去。在切削器具100 向绝缘膜插入时，通过交替地反复进行这样的溶剂渗出和吸出，能实现切 削器具IOO的顺利的插入和防止(减轻)残渣的发生。
图9表示由平刃构成切削器具100的例子。图9 (A)是平刃的俯视 图。图9 (B)是平刃的侧视图。
例如，在基板上排列配置多个电极并在各电极上形成接触孔时，在一 条直线上存在多个接触孔。这时，如果使用刃尖为直线状的平刃的切削器 具100，则通过向有机绝缘层的一次插入，就能在多个电极上形成接触孔， 因而方便。
图IO表示还具有回收通路的平刃的切削器具100的例子。图10 (A) 是平刃的俯视图，图10 (B)是平刃的局部剖视图。将切削器具IOO相对 于绝缘层倾斜插入，从而残渣集中在平刃的上方一侧。通过配置在平刃的 上方的宽度宽的回收通路110吸出该残渣后使其向切削器具100的后方移 动。
图11是说明使用上述的接触孔的形成方法的半导体装置的制造方法 的说明图。
如图11 (A)所示，在绝缘性基板10上，用溅射法堆积作为金属膜 的铝，通过光刻法进行图案化，形成包含源电极12a、漏电极12b、布线 12c、布线12d等的电极/布线12。
接着，如图11 (B)所示，通过液滴喷出法对源电极12a和漏电极12b之间付与有机半导体材料，形成半导体层13。作为有机半导体材料，例如 可以举出萘、蒽、丁省、戊省、己省、酞菁、二萘嵌苯、腙、三苯基甲烷、 二苯基甲烷、芪、芳基乙烯基、吡唑啉、.三苯基胺、三芳基胺、低聚噻吩、 酞菁或它们的衍生物之类的低分子有机半导体材料；或者聚一N—乙烯基 咔唑、聚乙烯基芘、聚乙烯基蒽、聚噻吩、聚己基噻吩、聚(对亚苯基亚 乙烯基)、聚亚噻吩基亚乙烯基、聚芳基胺、芘甲醛树脂、乙基咔唑甲醛 树脂、芴一联二噻吩共聚物、芴一芳基胺共聚物或它们的衍生物之类的高 分子有机半导体材料，能组合使用它们中的1种或2种以上，尤其优选使 用高分子的有机半导体材料。
通过旋涂法在该基板10上涂敷有机绝缘材料.，形成绝缘层14。作为 有机绝缘材料，例如能使用聚乙烯基酚、酚醛树脂(别名酚醛清漆树脂)。 此外，能使用以聚甲基丙烯酸酯为首的丙烯酸系树脂、PC、聚苯乙烯、聚 烯烃、聚酰亚胺、氟系树脂等。
另外，通过溶液的涂敷来制作绝缘层14时，绝缘层14的溶液的溶剂 需要使半导体层13或基板10不膨润或溶解。当半导体层13自身在溶剂 中可溶时特别需要注意。半导体层13是包含芳香环的共轭性分子或共轭 性高分子，所以易溶于芳香系烃中。因此，在绝缘层14的涂敷中希望使 用除芳香系烃以外的烃、或者酮系、醚系、酯系的有机溶剂。此外，希望 绝缘层14对于后述的栅电极18的液体材料具有非溶解性的特性。因此， 为了使对于后面工序中形成的栅电极或布线18的润湿性或接触角良好， 在绝缘层14的上部形成接受层(未图示)。
接着，如图11 (C)所示，在绝缘层14形成接触孔。如上所述，将 切削器具100相对于电极12c、 12d倾斜插入，来形成接触孔。
切削器具的角度如上所述，适合为20度 50度范围内的角度，但也 可以是5度 80度范围内的角度。按照绝缘层的材质、膜厚、膜温度、其 他条件，设定为成为残渣少的状态等的角度。此外，切削器具100的插入 方向与形成后述的布线18的方向对应。由此，接触孔部的残渣集中在与 布线18的连接方向不同的方向上。
图12是表示接触孔的形成方法的流程的程序流程图。
由未图示的接触孔形成装置控制接触孔的形成(参照图1KC)、(D))。
这里，说明接触孔形成装置的动作的一个形态。
在步骤S1中，在绝缘层14上的形成接触孔的位置配置绝缘层14。另 外，接触孔的形成位置根据接触孔形成装置的计算机系统预先在存储装置 中存储的布线图案、接触孔的位置，相对地移动基板10来进行。
在步骤S2中，如图ii (c)所示，使切削器具ioo成规定的角度e
插入绝缘层14。
在步骤S3中，使用已经描述的电常数测定器200检测切削器具100 是否到达电极。在检测出到达时，进入步骤S4。未检测出到达时，继续步 骤S2的插入。
在步骤S4中，因为检测出切削器具100到达电极，所以停止切削器 具100的插入。
在步骤S5中，检测切削器具100的横向移动信号的有无。检测到横 向移动信号时，进入步骤S6。未检测到横向移动信号时，进入步骤S7。 另外，关于横向移动信号的有无和横向移动的长度，能用接触孔形成装置 设定。
在步骤S6中，按照设定的横向移动的长度，进行切削器具100的横 向移动。另外，为了使接触孔的形成变为可靠，也能设定为重复进行数次 横向移动。
在步骤S7中，确认是否达到预先设定的接触孔的形成的规定次数。 在达到规定次数时，结束动作。在未达到规定次数时，回到步骤S1，进入 接下来的接触孔的形成动作。
另外，规定次数能用接触孔形成装置预先设定，例如能根据切削器具 100的维护周期、基板10的接触孔总数设定。
另外，如上所述，能使用各种切削器具(参照图5 图10)，能加热 基板IO (参照图4)，能组合这些方式等。
然后，如图11 (D)所示，拔出切削器具100。这时，可斜向拔出切 削器具100，使接触孔16为与切削器具对应的孔径，也可以向上方拔出， 成为更大的开口直径。
接着，如图ll (E)所示，形成作为栅极和布线起作用的栅电极布线 18。栅电极布线18通过液滴喷出法对接触孔16、 16之间的绝缘层14上
喷出导电性材料而形成。这时，液滴喷出头往返运动，利用接触孔16、 16 的没有残渣的开口缘一侧，在接触孔内埋设导电材料。作为导电材料，例 如能使用金属微粒的分散溶液、PEDOT (聚亚乙基二氧基噻吩)的水分散 液。
进而，如图11 (F)所示，通过旋涂法在整个基板上涂敷有机绝缘材 料来形成保护层20。作为有机绝缘材料，例如能使用上述的聚乙烯基酚、 酚醛树脂(别名酚醛清漆树脂)、聚甲基丙烯酸甲酯等。
这样制造出半导体装置。
如上所述，在本实施例中，将切削器具(例如针)倾斜插入成为开口 对象的层中，从而倾斜形成接触孔，尽可能使该层的残渣只在接触孔的单 侧产生。使用接触孔的不产生残渣的一侧，形成连接接触孔底部的电极和 其他部分的布线。由此，能避免该布线的残渣引起的断线。
图13是说明使用上述的接触孔的形成方法的半导体装置的其他制造 方法的说明图。
在本实施例中，为了提高基于切削器具的绝缘层的剥离性，对接触孔 形成部分的电极/布线上进行表面处理。通过该表面处理，降低该电极/布 线与在其上形成的绝缘层的密接性。在图12中，对与图11对应的部分付 与相同的符号。
如图13 (A)所示，在绝缘性的基板10上用溅射法堆积作为金属膜 的铝，通过光刻法进行图案化，形成包含源电极12a、漏电极12b、布线 12c、布线12d等的电极/布线12。
接着，如图13 (B)所示，对布线12c、布线12d进行表面处理，形 成除去容易化层30。该表面处理例如通过旋涂法在基板上涂敷未图示的光 致抗蚀剂，进行掩模图案的曝光、显影，只露出应该形成接触孔的布线12c、 布线12d的部分。然后，通过未图示的等离子体CVD装置，使用氟系气 体(CF4)进行等离子体处理，在布线12c、布线12d的表面添加氟化合物。 然后，除去掩模，得到包含对布线12c、布线12d进行了氟处理的部分30 的基板。
作为其他表面处理，也可以形成具有与聚合物密接性低的官能团(氟) 的SAM (Self Assemble Monolayer)膜(F-SAM膜)。例如，能利用由DFm(CF2) n (CH2) 1S-OH (m、 n、 l是自然数)表示的硫醇化合物。硫醇化 合物容易化学吸附在作为电极、布线使用的金表面，形成致密且牢固的超 薄膜(单分子膜)。
接着，如图13 (C)所示，通过液滴喷出法对源电极12a和漏电极12b 之间付与有机半导体材料，形成半导体层13。作为有机半导体材料，能使 用已经描述的材料。
在该基板10上，通过旋涂法涂敷有机绝缘材料，形成绝缘层14。作 为有机绝缘材料，能使用已经描述的材料。另外，根据需要，在绝缘层14 的上部形成接受层(未图示)。
接着，如图13 (D)所示，在绝缘层14中形成接触孔。如上所述， 将切削器具100向电极12c、 12d相对于绝缘层14倾斜插入，从而进行接 触孔的形成。
切削器具100的插入角度如上所述，根据绝缘层14的材质、膜厚、 膜温度、其他条件，设定为成为残渣少的状态等的角度。此外，切削器具 100的插入方向与形成后述的布线18的方向对应。由此，将接触孔部的残 渣141集中在与布线18的连接方向不同的方向。
切削器具100由已经描述的接触孔形成装置(未图示)控制。接触孔 形成装置根据计算机系统预先在存储装置中存储的布线图案、接触孔的位 置，相对地移动基板10，进行切削器具100的定位。接着，将切削器具 10O以规定角度0插入绝缘层14。接着，在通过已经描述的电常数测定器 200，检测到切削器具100穿透绝缘层14、表面处理层30而到达电极/布 线(12c、 12d)的阶段，停止切削器具100的插入，进而，根据需要，使 切削器具100沿横向移动，增大接触孔。
以这样的工序顺序能形成接触孔。
另外，在本实施例中能使用已经描述的各种切削器具(参照图5 图 10)，能加热基板IO (参照图4)，能组合这些方式。
然后，如图13 (E)所示，拔出切削器具100。这时，可倾斜拔出切 削器具IOO，使接触孔16为与切削器具对应的孔径，也可以向上方拔出， 成为更大的开口直径。
接着，如图13 (F)所示，形成作为栅极和布线起作用的栅电极布线
18。通过液滴喷出法，对接触孔16、 16之间的绝缘层14上喷出导电性材 料，形成栅电极布线18。这时，使液滴喷出头往返运动，利用接触孔16、 16的没有残渣的开口缘一侧，在接触孔内埋设导电材料。作为导电材料， 例如能使用金属微粒的分散溶液、PEDOT (聚亚乙基二氧基噻吩)的水分 散液。
进而，通过旋涂法，在整个基板上涂敷有机绝缘材料，形成保护层20。 作为有机绝缘材料，能使用聚乙烯基酚、酚醛树脂(别名酚醛清漆树脂)、 聚甲基丙烯酸甲酯等。
这样制造出半导体装置。
在以上说明的实施例中，除了所述的实施例(图11)的优点之外，对 形成接触孔的电极/布线部分预先进行表面处理，降低绝缘层(聚合物)与 电极/布线的密接性，所以基于切削器具的绝缘层的除去更容易。
另外，作为形成接触孔的部分的电极/布线，使用难以氧化的贵重金属 类(金、铂、钯等)，或者在该部分的电极/布线表面形成贵重金属，从而 能降低有机材料(聚合物)等的密接力。
本发明并不局限于所述实施方式，在不脱离本发明的宗旨的范围内， 当然能进行各种变更。
例如，在上述各实施例中，作为切削器具100，可适当选择图5 图 IO所示的切削器具(各种切削器具)，从而能减少残渣。在制造工序中能 追加图3 (接触的检测)和图4 (基板的加热)所示的例子。当然能适当 组合它们。
(实施方式2)
参照

本发明的实施方式2。另外，对具有同一功能的部分付 与相同或关联的符号，省略重复的说明。
图15 图17是表示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的 形成方法)的工序剖视图。
如图15 (A)所示，作为绝缘性的基板10,准备塑料基板，在其上部 形成导电性膜12a 12d。例如，在基板10上用溅射法堆积A1 (铝)等金 属膜，通过图案化，形成该导电性膜12a 12d。 g卩，在A1膜上形成光致
抗蚀膜，通过进行曝光、显影，使图案形成区域以外开口。接着，用残存
的光致抗蚀膜作为掩模，蚀刻A1膜，形成导电性膜12a 12d。接着，除 去导电性膜12a 12d上的光致抗蚀膜。除了 Al，也可以使用Au(金)等。 此外，除了溅射法，也可以使用印刷法或掩模蒸镀法。
导电性膜12a、 12b成为有机晶体管的源极、漏极电极。此外，导电 性膜12c、 12d成为与有机晶体管的栅电极连接的布线或焊盘。
接着，如图15 (B)所示，在导电性膜12a和12b之间形成有机半导 体膜13。例如通过液滴喷出法(喷墨法)，在导电性膜12a和12b之间滴 下有机半导体材料溶液，使其凝固来形成有机半导体膜13。
作为有机半导体材料，能使用实施方式l中详细说明的萘、蒽等。
这样，通过液滴喷出法等，对规定的位置喷出溶液，形成有机半导体 膜13，从而能省略图案化工序。此外，能防止曝光引起的有机半导体膜 13的变质。此外，不使用光致抗蚀膜，所以能降低光致抗蚀膜和有机半导 体材料的密接引起的光致抗蚀剂残渣。
接着，在基板10上，作为绝缘膜(聚合物)，例如形成有机绝缘膜14。 例如，通过旋涂法等涂敷有机绝缘膜材料溶液，使其凝固形成该有机绝缘 膜14。作为有机绝缘材料，如实施方式1所述，能使用酚醛树脂或丙烯酸 系树脂等。
这里，如实施方式l所述，通过溶液的涂敷，形成有机绝缘膜14时， 溶剂需要不使下层的半导体层13或基板IO膨润或溶解。
接着，如图15 (C)所示，在导电性膜12c和12d上形成接触孔Clc、 Cld。使用中空针(去芯针)IOO形成该接触孔，参照图16详细说明该形 成方法。另外，在实施方式2 6中，将针IOO称作"中空针"。
如图16 (A)所示，使中空针IOO对位在导电性膜12c上。该中空针 IOO是筒状部件，在内部具有近似圆柱形的空洞，越靠前端，其直径越小。 作为中空针100的材料，例如能使用铁(Fe)、不锈钢、鈦等金属、或者 合金、陶瓷、硬质树脂等。
此外，更希望使用将金属薄膜弄圆形成前端细的锥状的中空针100。 根据这样的方法，能形成极细的中空针，所以能形成更小的接触孔。关于 极细的中空针的结构，追加详细说明。
这样，通过使顶端细(锥形)，从而容易插入，容易吸引内部的膜。
通过有机绝缘膜14使该中空针100下降，与导电性膜12c抵接(图 16 (B))。这时，有机绝缘膜14进入中空针100的空洞内。
接着，吸引中空针IOO，使空洞内变为减压状态，从导电性膜12c剥 离、吸引除去空洞内的有机绝缘膜14 (图16 (C))。该吸引例如通过与中 空针100连接的真空泵进行。另外，吸引的有机绝缘膜14片例如由设置 在连接中空针IOO和真空泵的连接管的中途的回收部回收。
通过以上工序，在导电性膜12c上形成接触孔(开口部、开孔部)Clc。 然后，使用中空针IOO，同样在导电性膜12d上形成接触孔Cld (参照图 15 (C))。另外，也可以使用多个中空针100同时形成多个接触孔。
这样，根据本实施方式，使用中空针IOO挖通导电性膜上的绝缘膜后， 吸引除去挖通的部分，所以能降低接触孔内的绝缘膜残渣。
此外，无需在有机绝缘膜14上形成光致抗蚀膜，所以能降低有机绝 缘膜14和光致抗蚀膜的密接引起的抗蚀剂残渣的影响、光致抗蚀膜的过 蚀刻等引起的对有机绝缘膜14的损害。此外，能不便用光刻工序形成接 触孔Clc、 Cld，能防止曝光引起的有机半导体膜14的劣化。
接着，参照图17 图19，说明所述接触孔的形成方法的应用/变形例。 图17 图19是表示本实施方式的其他半导体装置的制造方法(接触孔的 形成方法)的工序剖视图。
在图16中，使中空针IOO与导电性膜12c抵接(图16 (B))，但是 通过检査它们的导通状态，能判断中空针100与导电性膜12c是否接触。 即，如图17所示，使中空针IOO下降至与导电性膜12c抵接后，例如， 通过电压计(V)确认中空针IOO和导电性膜12c的导通状态。它们之间 的电阻(阻抗)大时，中空针100与导电性膜12c不接触，需要进一步使 中空针100下降。另外，除了电压计，还可以通过电流计、示波器、或者 这些仪器的组合来判断导通状态。
此外，在图16中，中空针100的内部为平面，但是如图18所示，也 可以在其前端部分(相当于导电性膜上的绝缘膜的膜厚的部分)的内部设 置突起(返回、凹凸、折叠)。根据该结构，容易从导电性膜12c剥离空 洞内的有机绝缘膜14。
此外，在图16中，吸引除去了空洞内的有机绝缘膜14，但是如图19 所示，也可以通过吸引，从导电性膜12c剥离空洞内的有机绝缘膜14后， 在其内部保持有机绝缘膜14片的状态下使中空针100上升，形成接触孔 Clc。然后，对中空针100的内部加压，废弃内部的有机绝缘膜14片。
如上详述，在使用了中空针的接触孔的形成时，可进行各种应用/变形。
接着，参照图20，说明形成接触孔Clc、 Cld后的工序。图20是表 示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方法)的工序剖视 图。如图20 (A)所示，在包含接触孔Clc、 Cld内的有机绝缘膜14上形 成栅电极(栅极线、栅极布线)15。该栅电极15例如通过液滴喷出法喷 出导电性材料溶液而形成。即，从接触孔Clc上到C.ld上，在有机绝缘膜 14上一边使液滴喷出装置的喷嘴移动， 一边喷出导电性材料溶液，使该溶 液凝固而形成。作为导电性材料溶液，例如能使用金属微粒的分散溶液、 PEDOT (聚亚乙基二氧基噻吩)的水分散液。
这样，在本实施方式中，能降低接触孔内的绝缘膜残渣，所以能实现 导电性膜12c、 12d和栅电极15的良好连接。
接着，如图20 (B)所示，在栅电极15上形成成为保护膜17的绝缘 膜。该绝缘膜例如通过旋涂法涂敷有机绝缘材料溶液而形成。作为该有机 绝缘材料，例如能使用所述的聚乙烯基酚、酚醛树脂(别名酚醛清漆树脂)、 聚甲基丙烯酸甲酯等。
通过以上工序，制造出半导体装置。另外，在基板10上可以适当设 置其他布线层。此外，如果导电性膜12a 12d的一部分不设置在同层， 也可以配置在其他布线层，可根据需要适当变更半导体装置的结构。
(实施方式3)
在本实施方式中，在中空针与导电性膜抵接的状态下，通过中空针的 空洞对空洞内的绝缘膜照射光，从而使绝缘膜分解。以下，参照附图，说 明本实施方式。可是，除了接触孔Clc等的形成工序以外，与实施方式2 同样，所以省略重复的说明。
图21是表示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。与实施方式2同样，在基板IO上依次形成导电性膜
12c和有机绝缘膜14后，使中空针100在导电性膜12c上对位，使中空针 100下降，使导电性膜12c和中空针IOO抵接(图21 (A))。
接着，如图21 (B)所示，对中空针100的内部照射紫外线(UV.-Ultraviolet)。通过该UV，中空针100内部的有机绝缘膜14分解，气化或 变为粉状。这里，为了防止位于中空针100的外周的有机绝缘膜14的分 解，用不透光的材料形成中空针100。即只对中空针100的内部照射UV。
接着，与实施方式2同样，吸引除去由UV分解的有机绝缘膜。接着, 与实施方式2同样，在包含接触孔Clc、 Cld内的有机绝缘膜14上形成栅 电极15，再在栅电极15上形成保护膜17 (参照图20 (B))。
这样，根据本实施方式，对中空针100内部的有机绝缘膜14照射UV， 所以能降低接触孔内的绝缘膜残渣。因此，能实现导电性膜12c等和栅电 极15的良好的连接。
另外，在本实施方式中，以UV为例进行了说明，但是也可以使用其 它光(包含激光)，分解有机绝缘膜。此外，通过这样的光等的照射，使 有机绝缘膜14变质，变为容易进行剥离或吸引的状态。
例如，通过UV照射，对空洞中的氧进行臭氧化，通过该臭氧能分解 有机绝缘膜14。此外，也可通过UV照射，使有机绝缘膜14硬化(收縮)， 容易吸引。
此外，也可以将实施方式2中说明的应用/变形例(图17 图19)应 用到本实施方式中。
(实施方式4)
在本实施方式中，在使中空针与导电性膜抵接的状态下，通过中空针 的空洞，向空洞内的绝缘膜注射溶解该绝缘膜的液体(绝缘膜溶解性液体) 来溶解绝缘膜。以下，参照

本实施方式。其中，除接触孔Clc等 的形成工序以外与实施方式2同样，所以省略重复的说明。
图22是表示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。与实施方式2同样，在基板10上依次形成导电性膜 12c和有机绝缘膜14等后，使中空针100在导电性膜12c上对位，使中空 针100下降，使导电性膜12c和中空针100抵接。接着，向中空针100的
内部注入溶解有机绝缘膜14的液体(溶解性液体)(图22 (A)、 (B))。 作为溶解的液体(溶解性液体)，例如能使用氯仿、甲苯、二甲苯等。
这里，通过中空针100的内部的有机绝缘膜14和溶解性液体接触， 有机绝缘膜14溶解。与实施方式2同样地除去该溶解液(图22 (C))。 接着，与实施方式2同样，在含有接触孔Clc、 Cld内的有机绝缘膜14 上形成栅电极15，在栅电极15上形成保护膜17 (参照图20 (B))。
这样，根据本实施方式，对中空针100内部的有机绝缘膜14注入该 有机绝缘膜14的溶解性液体，所以能降低接触孔内的绝缘膜残渣。因此， 能实现导电性膜12c等和栅电极15的良好的连接。
另外，在本实施方式中，可以使中空针100内部的有机绝缘膜14完 全溶解，但是也可以是使中空针100的内壁和有机绝缘膜14的接触部或 导电性膜12c和有机绝缘膜14的接触部溶解的程度。此外，除了溶解性 液体，也可以使用使有机绝缘膜14变质为容易进行剥离或吸引的状态的 溶液或液体。这里，中空针100优选使用相对于这些溶液耐性高的材料。 此外，为了除去在中空针100中残存的绝缘膜残渣或溶解物，可以洗净有 机绝缘膜14并用溶解性液体洗净其内部。
此外，也可以将实施方式2中说明的应用/变形例(图17 图19)应 用到本实施方式中。
(卖施方式5)
在本实施方式中，在使中空针与导电性膜接触的状态下，加热中空针， 熔融空洞内的绝缘膜。以下，参照

本实施方式。其中，除接触孔 Clc等的形成工序以外与实施方式2同样，所以省略重复的说明。
图23是表示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。与实施方式2同样，在基板IO上依次形成导电性膜 12c和有机绝缘膜14后，使中空针100在导电性膜12c上对位，使中空针 100下降，使导电性膜12c和中空针100抵接。接着，加热中空针100， 熔融中空针100内部的有机绝缘膜14 (图23 (A)、图23 (B))。与实施 方式2同样地吸引除去该熔融液(图23 (C))。接着，与实施方式2同样， 在含有接触孔Clc、 Cld内的有机绝缘膜14上形成栅电极15，进而在栅
电极15上形成保护膜17 (参照图20 (B))。
这样，根据本实施方式，对中空针100内部的有机绝缘膜14通过中 空针100加热，所以能降低接触孔内的绝缘膜残渣。因此，能实现导电性 膜12c等和栅电极15的良好的连接。
另外，在本实施方式中，可以使中空针100内部的有机绝缘膜14完 全熔融，但是也可以是使中空针100的内壁和有机绝缘膜14的接触部熔 融的程度。此外，也可以通过加热，使有机绝缘膜14变质为容易进行剥 离或吸引的状态。这里，中空针100优选使用热导电性高的材料。尤其是， 优选在其内侧为热传导性良好的材料。例如，也可以是用绝缘材料涂敷金 属性的中空针100的外周，将热传导到更内侧的结构。
此外，这里，通过中空针100进行加热，但是也可以通过实施方式3 中说明的光照射进行加热。此外，也可以将实施方式2中说明的应用/变形 例(图17 图19)应用到本实施方式中。
(实施方式6)
在本实施方式中，说明检查接触孔内的导通(非导通)的方法。
图24是表示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
即，形成接触孔Clc等后，使中空针100下降到接触孔Clc内。接着， 在其内部使电极棒101下降到导电性膜12c上。
接着，通过连接在电极棒101和导电性膜12c之间的电压计(V)，测 定它们之间的电阻(阻抗)。在电阻大时，可知在接触孔Clc的底部残存 有机绝缘膜14的残渣。因此，再度进行实施方式2 5中详细说明的使用 中空针100的吸引等，使接触孔Clc为良好的接触孔。
另外，除了电压计，还可以通过电流计、示波器、或者这些仪器的组 合来判断导通状态。这里，在中空针100具有导电性时，为了防止电极棒 101和中空针100的短路，对中空针100的内壁进行绝缘涂敷。或者，优 选电极棒101的前端部只使导电性部露出，对有可能与中空针100的内侧 接触的电极棒101的外侧进行绝缘涂敷。
这样，在本实施方式中，能检查接触孔内的导通状态(残渣的有无)，
所以能实现导电性膜12c等和栅电极15的良好的连接。 (实施方式7)
图25、图27和图28是表示本实施方式的半导体装置的制造方法(接 触孔的形成方法)的工序剖视图。图26是表示双层中空针的构造的剖视 图。
如图25 (A)所示，作为绝缘性的基板IO，准备塑料基板，在其上部 形成导电性膜12a 12d。该导电性膜12a 12d例如与实施方式2同样形成。
接着，如图25 (B)所示，在导电性膜12a与12b之间形成有机半导 体膜13。该有机半导体膜13例如与实施方式2同样地形成。
接着，如图25 (C)所示，在导电性膜12c和12d上形成接触孔Clc、 Cld。使用双层中空针100形成该接触孔，参照图26和图27，详细说明 该形成方法。另外，在实施方式7以后，将针100称作"双层中空针"。
首先，图26表示双层中空针100的结构。如图所示，第一中空针(内 针)100a配置在第二中空针(外针)100b的大致中央部。将该第一中空 针100a的内部作为空洞Sa，将第二中空针100b的内部的空洞作为Sb(不 包含Sa)。 g卩，空洞Sb是位于空洞Sa的外周的空洞。
此外，第一中空针100a的前端从第二中空针100b的前端后退距离D。 第一中空针100a和第二中空针100b例如由铁(Fe)等金属构成。此外， 第二中空针100b越靠前端，其直径越小。因此，容易向膜插入。这样的 中空针能将金属薄膜弄圆形成顶端细的锥形。根据该方法，能形成极细的 中空针，所以能形成更小的接触孔。关于极细的中空针的结构，追加详细 说明。
通过使用所述结构的双层中空针100，向第一中空针100a (空洞Sa) 内导入(注入)有机绝缘膜14的溶解性液体(蚀刻液)或分解性气体(蚀 刻气体)，能通过空洞Sb吸引反应物。因此，能以高精度形成接触孔Clc、 Cld。以下，说明接触孔的形成方法。
首先，如图27 (A)所示，使双层中空针100在导电性膜12c上对位。 通过有机绝缘膜14使双层中空针100下降。第二中空针(外针)100b与
导电性膜12c接触(图27 (B))。这时，有机绝缘膜14进入第二中空针 (外针)100b的空洞(Sa和Sb)内。
接着，在第一中空针(内针)100a的内部(空洞Sa)注入有机绝缘 膜14的溶解性液体(蚀刻液)(图32 (B))。作为溶解性液体，例如能使 用氯仿、甲苯、二甲苯等。
这里，通过双层中空针100的内部的有机绝缘膜14与溶解性液体接 触，有机绝缘膜14溶解。通过空洞Sb吸引除去该溶解液(图27 (C))。 结果，可降低接触孔内的绝缘膜残渣，可形成良好的接触孔Clc、 Cld。
进而，距离D设定为在有机绝缘膜14的膜厚T以上，所以溶解性液 体容易浸透到有机绝缘膜14。因此，能高效进行接触孔的形成。可上下移 动地配置该第一中空针(内针)100a，也可以根据有机绝缘膜14的膜厚 来调整其前端的位置。
该吸引例如通过与空洞Sb连接的真空泵进行。另外，被吸引的有机 绝缘膜14的溶解性液体例如由设置在连接空洞Sb和真空泵的连接管的中 途的回收部回收。
另外，在本实施方式中，也可完全溶解有机绝缘膜14，但是也可以残 存可吸引程度的固体。这里，第一中空针(内针)100a优选使用针对所述 溶解性液体耐性高的材料。
通过以上的工序，在导电性膜12c上形成接触孔(开口部、开孔部) Clc。然后，使用双层中空针100，同样在导电性膜12d上形成接触孔Cld。 另外，也可以使用多个双层中空针100，同时形成多个接触孔。
这样，根据本实施方式，使用双层中空针100，对第一中空针(内针) 100a的内部注入有机绝缘膜14的溶解性液体，吸引第二中空针(外针) 100b的内部的空洞Sb，所以能减少接触孔内的绝缘膜残渣。
尤其是，因为能随时吸引除去反应物(溶解液)，所以未反应部分露 出，进而，对该露出部供给溶解性液体，所以能更有效除去有机绝缘膜14。
此外，无需在有机绝缘膜14上形成光致抗蚀膜，所以能降低有机绝 缘膜14和光致抗蚀膜的密接引起的光致抗蚀剂残渣的影响、光致抗蚀膜 的过蚀刻引起的对有机绝缘膜14的损害。此外，不使用光刻工序也能形 成接触孔Clc、 Cld，所以能防止曝光引起的有机绝缘膜14的劣化。
接着，参照图28，说明所述接触孔的形成方法的应用/变形例。图28 是表示本实施方式的其他半导体装置的制造方法(接触孔的形成方法)的 工序剖视图。
在图27中，使双层中空针100的第二中空针(外针)100b与导电性 膜12c抵接(图27 (B))，但是也可以通过检查它们的导通状态，判断第 二中空针(外针)100b与导电性膜12c是否接触。gp，如图28所示，将 第二中空针(外针)100b下降为与导电性膜12c抵接后，例如，通过电压 计(V)确认第二中空针(外针)100b和导电性膜12c的导通状态。它们 之间的电阻(阻抗)大时，第二中空针(外针)100b与导电性膜12c不接 触，需要进一步使第二中空针(外针)100b下降。另外，除了电压计，还 可以通过电流计、示波器、或者这些仪器的组合，判断导通状态。
此外，第一中空针(内针)100a是导电性材料时，为了防止第一中空 针(内针)100a和第二中空针(外针)100b的短路，也可以对第二中空 针(外针)100b的内壁或第一中空针的外壁进行绝缘涂敷。当然，保证第 一中空针100a和第二中空针100b的距离，在不短路时，无需进行涂敷。
接着，参照图29说明形成接触孔Clc、 Cld以后的工序。图29是表 示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方法)的工序剖视 图。
如图29 (A)所示，在包含接触孔Clc、 Cld内的有机绝缘膜14上形 成栅电极(栅极线、栅极布线)15。该栅电极15例如与实施方式2同样 地形成。
这样，在本实施方式中，能减少接触孔内的绝缘膜残渣，所以能实现 导电性膜12c、 12d和栅电极15的良好的连接。
接着，如图29 (B)所示，在栅电极15上形成成为保护膜17的绝缘 膜。该绝缘膜例如与实施方式2同样地形成。
通过以上工序，制造出半导体装置。另外，在基板10上也可以适当 设置其它布线层。此外，也可以将导电性膜12a 12d的一部分不设置在 同层，也可以配置在其他布线层，根据需要，适当变更半导体装置的结构。
(实施方式8)
在实施方式7中，对第一中空针(内针)100a的内部注入有机绝缘膜 14的溶解性液体，但是也可以注入有机绝缘膜14的分解性气体。以下， 参照

本实施方式。可是，除接触孔Clc的形成工序以外与实施方 式7相同，所以省略重复的说明。
图30是表示本实施方式的其他半导体装置的制造方法(接触孔的形 成方法)的工序剖视图。与实施方式7同样，在基板10上依次形成导电 性膜12c和有机绝缘膜14等后，将双层中空针100在导电性膜12c上对 位(图30 (A))，使双层中空针100下降，使导电性膜12c和双层中空针 100的第二中空针(外针)100b抵接。
接着，如图30 (B)所示，向第二中空针(外针)100b内部导入有机 绝缘膜14的分解性气体(蚀刻气体)。通过该分解性气体，分解双层中空 针100内部的有机绝缘膜14,气化或成为粉状。另外，在采用由有机分子 构成的膜时，通过蚀刻气体而几乎分解、气化。作为分解性气体，能使用 臭氧(03)等氧化性气体。与实施方式7同样，通过空洞Sb吸引除去分 解后的有机绝缘膜(图30 (C))。接着，与实施方式7同样，在包含接触 孔Clc、 Cld内的有机绝缘膜14上形成栅电极15，进而，在栅电极15上 形成成为保护膜17的绝缘膜(参照图29 (B))。
这样，根据本实施方式，使用双层中空针100向第一中空针(内针) 100a的内部导入有机绝缘膜14的分解性气体，吸引第二中空针(外针) 100b的内部的空洞Sb，所以能减少接触孔内的绝缘膜残渣。
尤其是，可随时吸引除去反应物(分解物)，所以未反应部分露出， 对该露出部供给分解性气体，所以能更有效除去有机绝缘膜14。因此，能 实现导电性膜12c等和栅电极15的良好的连接。
另外，也可以将实施方式7中说明的应用/变形例(图28)应用到本 实施方式中。
图31示意性表示实施方式7和8的溶解性液体(或分解性气体)和 反应物(溶解溶液、分解物)在双层中空针100中的流动。
(实施方式9)
在本实施方式中，向第一中空针(内针)100a的内部注入有机绝缘膜14的分解性气体，再进行紫外线(UV: Ultraviolet)照射。以下，参照附 图说明本实施方式。可是，除接触孔Clc的形成工序以外，与实施方式7 相同，所以省略重复的说明。
图32是表示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。与实施方式7和9同样，在基板10上依次形成导电 性膜12c和有机绝缘膜14等后，将双层中空针100在导电性膜12c上对 位，使双层中空针100下降，使导电性膜12c和双层中空针100的第二中 空针(外针)100b接触。
接着，如图32(A)所示，向第二中空针(外针)100b内部导入氧(02)， 作为有机绝缘膜14的反应气体(蚀刻气体)。进而，通过双层中空针100 的空洞Sa或Sb照射UV。通过UV照射，氧成为臭氧气体。通过该臭氧 气体，分解有机绝缘膜14。与实施方式7同样，将分解后的有机绝缘膜通 过空洞Sb吸引除去(图32 (B))。接着，与实施方式7同样，在包含接 触孔Clc、 Cld内的有机绝缘膜14上形成栅电极15，进而，在栅电极15 上形成保护膜17 (参照图29 (B))。
这样，根据本实施方式， 一边导入反应气体， 一边照射UV，产生臭 氧，所以能进行有机绝缘膜14的分解。因此，与实施方式8同样，能降 低接触孔内的绝缘膜残渣，此外，能实现导电性膜12c和栅电极15的良 好的连接。
作为UV照射的方法，除了通过双层中空针100的空洞Sa或Sb进行 UV照射之外，在用透光性材料(例如，石英、透明导电性膜等)构成第 二中空针(外针)100b时，也可以从双层中空针100的外部进行UV照射 (图32(C))。这里，双层中空针100能使用对臭氧的耐性高的材料，换言 之，由臭氧难以氧化的材料，例如可使用Pt (白金)等贵重金属。此外， 如果是无机物，则在表面部分以外不进行氧化，所以也可以用无机物构成 针。此外，也可在金属的表面涂敷无机物。
另外，在本实施方式中，使用氧作为反应气体，但是也可以使用其它 氧化性气体。此外，在本实施方式中，说明基于臭氧的有机绝缘膜14的 分解，但是有机绝缘膜14的分解反应也可以组合有机绝缘膜14的氧化、 该氧化物的基于臭氧的分解等各种反应。此外，也可以将实施方式7中说明的应用/变形例(图2S)应用到本实施方式中。 (实施方式10)
在本实施方式中，说明检査接触孔内的导通(非导通)的方法。
图33是表示本实施方式的半导体装置的制造方法(接触孔的形成方 法)的工序剖视图。
艮P，在形成接触孔Clc等后，使双层中空针100下降到接触孔Clc 内。接着，使其内部的第一中空针(内针)100a下降到导电性膜12c上。 另外，在使第一中空针(内针)100a的前端下降到与第二中空针(外针) 100b的前端相同的位置的状态下，使双层中空针100下降。
接着，通过连接在第一中空针(内针)100a和第二中空针(外针)100b 之间的电压计(V)，测定它们之间的电阻(阻抗)。在电阻大时，可知在 接触孔Clc的底部残存有有机绝缘膜14的残渣。因此，再度进行实施方 式7 9中详细说明的使用双层中空针100的吸引等，使接触孔Clc为良 好的接触孔。
另外，除了电压计之外，还可以通过电流计、示波器、或者这些仪器 的组合，判断导通状态。这里，在第一和第二中空针(100a、 100b)双方 具有导电性时，为了防止它们的短路，例如优选对第二中空针100b的内 壁进行绝缘涂敷。当然，也可以用陶瓷等无机绝缘材料构成第二中空针 聽自身。
另外，在本实施方式中，使用第一中空针100a检查导通状态，但是 代替第一中空针100a，也可以插入电极棒(导电性材料棒、导电性部件)， 与导电性膜12c接触，来检查导通状态。
这样，在本实施方式中，能检查接触孔内的导通状态(残渣的有无)， 所以能实现导电性膜12c和栅电极15的良好的连接。
(实施方式ll)
在本实施方式中，具体说明向电泳装置的应用例。另外，对与实施方 式7具有同一功能的部分付与相同或关联的符号，省略详细的说明。
图34 图41是表示本实施方式的电泳装置的制造方法的工序剖视图
或俯视图。
如图34和图35所示，作为绝缘性的基板IO，准备塑料基板，与实施 方式7同样，在基板10上形成导电性膜12a 12d。导电性膜12b是像素 电极E的一部分。像素通过晶体管T而被配置在后述的数据线DL与栅极 线GL的交点处(参照图41)。导电性膜12d构成焊盘(焊盘电极)。DL 表示数据线。该数据线DL例如配置在比导电性膜12a 12d更下层的层(在 图34中未图示)，通过接触部与导电性膜12a连接(参照图35)。
接着，如图36和图37所示，在导电性膜12a和12b之间形成有机半 导体膜13。与实施方式7同样，通过液滴喷出法(喷墨法)在导电性膜 12a和12b之间滴下有机半导体材料溶液，从而形成该膜。接着，在基板 10上，与实施方式7同样形成作为绝缘膜的有机绝缘膜14。该有机绝缘 膜14在有机半导体膜13上发挥栅极绝缘膜的作用，此外，在导电性膜 12a 12d上发挥层间绝缘层的作用。
接着，如图38和图39所示，在导电性膜12d上形成接触孔Cld。如 实施方式7 11中详细说明的那样，使用双层中空针100形成该接触孔。 或者，如实施方式2 6中详细说明的那样，使用中空针100形成该接触 孔。
接着，如图40和图41所示，在包含接触孔Cld内的有机绝缘膜14 上，与实施方式7同样地形成栅电极(栅极线、栅极布线)15。例如，按 照连接在x方向(与数据线DL正交的方向)上排列的有机半导体膜13, 一边使液滴喷出装置的喷嘴(或者基板10自身)移动， 一边喷出导电性 材料溶液，使该溶液凝固来形成栅电极15。如图41所示，栅电极15成为 在x方向延伸的栅极线GL。
接着，与实施方式7同样在栅电极15上形成成为保护膜的绝缘膜(未 图示)。
通过以上工序，形成像素电极E和晶体管T。
这样，在本实施方式中，能减少接触孔内的绝缘膜残渣，所以能实现 导电性膜12d和栅电极(栅极线)15的良好的连接。
此外，在有机绝缘膜14上无需形成光致抗蚀膜，所以能降低有机绝 缘膜14与光致抗蚀膜的密接引起的光致抗蚀剂残渣的影响、光致抗蚀膜
的过蚀刻等引起的对有机绝缘膜14的损害。此外，不使用光刻工序也能
形成接触孔Cld，所以能防止曝光引起的有机绝缘膜14的劣化。因此， 能提高晶体管T的特性。
然后，在基板10和形成对置电极的其他基板之间通过粘合剂固定微 容器(kapsd)，电泳装置大致完成。在微容器中封入有电泳微粒和电泳分 散液。
另外，在所述实施方式7 11中，对第一中空针(内针)100a的内部 的空洞Sa导入溶解性液体或分解性气体，通过第二中空针(外针)100b 的内部的空洞Sb吸引，但是也可以将它们颠倒。即对第二中空针(外针) 100b的内部的空洞Sb导入溶解性液体或分解性气体，通过第一中空针(内 针)100a的内部的空洞Sa吸引。考虑溶解性液体或分解性气体的性质(例 如，粘度)或流量等、反应物的性质等，决定向何处导入溶解性液体或分 解性气体。此外，也可根据使用的溶解性液体或分解性气体的性质或流量、 反应物的性质，适当调整空洞Sa和Sb-Sa的截面积比(导入一侧的截面 积和吸引一侧的截面积比)。
(中空针的结构)
说明所述实施方式2 11中使用的极细的中空针的构成例。通过图43 和图44所示的加工，能形成这样的极细的中空针。图43和图44是表示 极细中空针的加工方法的图。
如图43所示，例如，对厚度50nm、宽度60(Him左右的梯形的不锈 钢板(铁板)120进行压力加工，变为前端细的(锥状的)筒状，能形成 极细的中空针。
例如，通过具有弯曲部的模具130A、 130B，对图44 (A)所示的不 锈钢板120施加压力，在不锈钢板120形成曲面，再通过具有筒状的弯曲 部模具140A、 140B进行压力加工，能形成极细的中空针(参照图44(B) (D))。
根据利用了金属的延展性的压力加工，能形成最小内径例如为100nm 左右的中空针。另外，除了不锈钢之外，还能使用A1、 Cu、 Ti、 Ni、 Co、 Mo、 Pt、或它们的合金。
进而，如图44 (F)所示，通过形成直径不同的中空针，并内置直径 小的中空针，从而能形成双层中空针。根据所述方法，能形成直径小的内 针。
<电子设备>
下面，说明应用了电泳装置的电子设备的具体例。图42是应用电泳 装置的电子设备的具体例的立体图。
图42 (A)是表示电子设备的一个例子即电子书的立体图。该电子书 1000具有书形状的框架1001、设置为相对于该框架1001可自由旋转的 (可开闭的)盖1002、操作部1003、由本实施方式的电泳装置构成的显 示部1004。
图42 (B)是表示电子设备的一个例子即手表的立体图。手表1100 具有由本实施方式的电泳装置构成的显示部1101。
图42 (C)是表示电子设备的一个例子即电子纸的立体图。该电子纸 1200具有由具有与纸同样的质感和柔软性的可改写的薄片构成的主体部 1201、由本实施方式的电泳装置构成的显示部1202。
通过对所述显示部组合本发明的电泳装置，能提高电子设备的特性。 此外，能制造特性良好的电子设备。
另外，能应用电泳装置的电子设备的范围并不局限于此，包含利用了 伴随着带电粒子的移动的视觉上的变化的装置。例如，除了所述装置之外， 还相当于粘贴了电泳薄膜的壁面等属于不动产的装置、属于车辆、飞行体、 船舶等移动体的装置。
另外，在本实施方式中，以电泳装置为例进行说明，但是本发明还广 泛应用于其他装置例如液晶装置或有机EL装置等电光装置、或使用它们 的电子设备等中。
此外，在所述实施方式1 11中，以栅电极的接触部为例进行了说明， 但是本发明能广泛应用于布线的接触部。例如能应用于布线基板上形成的 布线和其下层的元件或布线的接触部。
此外，通过所述发明的实施方式说明的实施方式或应用例可根据用途 适当组合，或变更或加以改良，本发明并不局限于上述的实施方式的记载。
权利要求
1.一种接触孔的形成方法，包括第一工序，在基板上形成作为电极或布线而被图案化的第一导电层；第二工序，在所述基板和所述第一导电层上形成绝缘层；第三工序，对所述电极或布线上的所述绝缘层，以从该绝缘层的面向上方5度～80度范围内的角度插入切削器具；和第四工序，从所述绝缘层抽出所述切削器具，在该绝缘层形成到达所述电极或布线的倾斜的开口部。
2. 根据权利要求1所述的接触孔的形成方法，还包括 第五工序，继所述第三工序之后，使插入到所述绝缘层的切削器具在所述电极或布线的延伸方向上移动。
3. 根据权利要求1或2所述的接触孔的形成方法，还包括 第六工序，继所述第四工序之后，与所述切削器具的插入方向对应，由液滴喷出头相对扫描所述基板，在所述绝缘层的倾斜的开口部内以及所 述绝缘层上堆积导电材料，形成作为电极或布线而被图案化的第二导电 层。
4. 根据权利要求1 3中的任一项所述的接触孔的形成方法，还包括: 第七工序，继所述第一工序之后，在与所述绝缘层的开口部对应的所述第一导电层的电极或布线上，实施降低与所述绝缘层的密接性的表面处 理。
5. 根据权利要求1 4中的任一项所述的接触孔的形成方法，其中 在所述第三工序中，加热所述基板。
6. 根据权利要求1 5中的任一项所述的接触孔的形成方法，其中插入所述切削器具的角度是20度 60度范围内的角度。
7. —种接触孔的形成方法，包括在基板上形成作为电极或布线而被图案化的第一导电性膜的工序； 在所述基板和所述第一导电性膜上形成绝缘膜的工序； 通过所述绝缘膜，使内部具有空洞的中空针抵接到所述第一导电性膜 上的工序；通过使所述空洞内为减压状态，剥离所述空洞内的所述绝缘膜的工 序；禾口通过除去被剥离的所述空洞内的绝缘膜，在所述第一导电性膜上形成 开口部的工序。
8. 根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其中 在使所述中空针抵接的状态下，通过所述空洞对所述空洞内的所述绝缘膜照射光。
9. 根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其中-在使所述中空针抵接的状态下，通过所述空洞向所述空洞内的所述绝缘膜上注入溶解所述绝缘膜的液体。
10. 根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其中 在使所述中空针抵接的状态下，通过所述空洞对所述空洞内的所述绝缘膜照射光，使所述绝缘膜变质，再通过所述空洞将使所述变质后的绝缘 膜溶解的液体注入到所述空洞内。
11. 根据权利要求7所述的接触孔的形成方法，其中在使所述中空针抵接的状态下，加热所述中空针。
12. 根据权利要求7 11中的任一项所述的接触孔的形成方法，包括在形成所述开口部之后，通过所述空洞使导电性部件抵接到所述开口 部的底面，检查所述第一导电性膜与所述导电性部件的导通状态的工序。
13. —种接触孔的形成方法，包括在基板上形成作为电极或布线而被图案化的第一导电性膜的工序； 在所述基板和所述第一导电性膜上形成绝缘膜的工序； 通过所述绝缘膜，使由第一针和第二针构成的双层中空针抵接到所述 第一导电性膜上的工序，所述第一针在内部具有第一空洞，所述第二针包 围所述第一针，即其内部具有位于所述第一空洞外周的第二空洞；和向所述第一空洞内注入所述绝缘膜的溶解性液体或分解性气体，通过 所述第二空洞吸引溶解或分解后的所述绝缘膜；或者，向所述第二空洞内 注入所述绝缘膜的溶解性液体或分解性气体，通过所述第一空洞吸引溶解 或分解后的所述绝缘膜的工序。
14. 根据权利要求13所述的接触孔的形成方法，其中 所述第一针的前端比所述第二针的前端后退了一定距离。
15. 根据权利要求14所述的接触孔的形成方法，其中 所述绝缘膜的膜厚在所述一定距离以下。
16. 根据权利要求13所述的接触孔的形成方法，其中 所述分解性气体是氧化性气体。
17. 根据权利要求13所述的接触孔的形成方法，其中 一边注入所述分解性气体， 一边对所述分解性气体照射紫外线。
18. —种布线基板的制造方法，包括权利要求1 17中的任一项所述 的接触孔的形成方法；还包括在包含所述开口部内的所述绝缘膜上形成第 二导电性膜的工序。
19. 一种半导体装置的制造方法，包括权利要求1 17中的任一项所 述的接触孔的形成方法；还包括在比所述绝缘膜更下层的位置形成有机半 导体膜的工序。
20. —种电光装置的制造方法，包括权利要求19所述的半导体装置 的制造方法。
全文摘要
本发明提供一种接触孔的形成方法，包括在基板上形成作为电极或布线而被图案化的第一导电层的第一工序；在基板和第一导电层上形成绝缘层的第二工序；对电极或布线上的绝缘层，从该绝缘层的面向上方，以5度～80度的范围内的角度插入切削器具的第三工序；从绝缘层抽出切削器具，在该绝缘层形成到达电极或布线的倾斜的开口部的第四工序。由此，提供在使用针等的物理的接触孔的形成中，不易产生导通不良的接触孔的形成方法、使用该方法的电路基板、半导体装置的制造方法。
文档编号H01L21/70GK101179049SQ20071016589
公开日2008年5月14日 申请日期2007年11月7日 优先权日2006年11月9日
发明者佐伯勇久, 保刈宏文, 原田光明, 奥山智幸, 守谷壮一, 川濑健夫, 青木敬 申请人:精工爱普生株式会社