专利名称：一种可避免出现蓝膜的凸点制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种可避免出现蓝膜的凸点制作方法。
背景技术：
为满足便携式电子产品对元器件短、小、轻、薄的要求，通常在晶圆芯片 的金属垫上制作凸点作为引出端，然后直接倒装焊接。现通常使用的凸点为铅 锡凸点或锡凸点。
凸点的制作通常包括以下步骤首先在已制作有金属垫和钝化层的晶圆上 涂布一层光刻胶，然后在光刻胶上光刻出凸点图形，之后将晶圆设置在电镀槽 内进行电镀以形成凸点，接着从电镀槽内取出晶圓并用去离子纯水清洗，然后 将晶圆设置在甩干机台中进行甩干，最后将晶圆设置在去胶机台中去除光刻胶。 但是，上述甩干后的晶圆或光刻胶上还残留有水分，该些残留的水分在去胶机 台中进行去胶时会在晶圆上形成难以去除的蓝膜，通过分析仪器对蓝膜处的成 分进行分析，发现蓝膜处含有大量的锡，疑为是残留的水分与凸点反应而在晶 圆上形成了蓝膜。
因此，如何提供一种可避免出现蓝膜的凸点制作方法以避免在制作凸点时 在晶圆上形成蓝膜，已成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可避免出现蓝膜的凸点制作方法，通过所述方 法制作凸点时不会再在晶圆上出现蓝膜。
本发明的目的是这样实现的 一种可避免出现蓝膜的凸点制作方法，该凸 点制作在具有金属垫和钝化层的晶圓上，该方法包括以下步骤a、在该晶圓上 涂布一层光刻胶；b、在该光刻胶上光刻出凸点图形；c、通过电镀工艺在该凸
3点图形中形成凸点；d、去除晶圆上的光刻胶；其中，该方法在步骤c和d之间 还具烘干工艺步骤。
在上述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法中，该烘千工艺的烘干温度范围 为60至100摄氏度，烘干时间范围为15至20分钟。
在上述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法中，该烘干工艺的烘干温度为80 摄氏度，烘干时间为20分钟。
在上述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法中，该步骤c包括以下步骤cl、 将晶圆设置在电镀槽内进行电镀以形成凸点；c2、从电镀槽内取出晶圓并用去 离子纯水清洗；c3、将晶圆设置在甩干机台中进行甩干。
在上述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法中，在步骤d中，在脱胶机台中 去除晶圆上的光刻胶。
在上述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法中，该凸点为锡凸点。
在上述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法中，该凸点为铅锡凸点。
与现有技术中在通过电镀工艺制作凸点后仅进行甩干无法彻底去除水分， 从而造成在脱胶机台中脱胶时在晶圆表面形成难以去除的蓝膜相比，本发明的 可避免出现蓝膜的凸点制作方法在甩干后还进行了烘干，从而避免了晶圆和光 刻胶上有水分残留，进而避免了在去胶机台中去胶时在晶圆上形成难以去除的 蓝膜。
本发明的可避免出现蓝膜的凸点制作方法由以下的实施例及附图给出。 图1为制作凸点前的晶圓的剖视图2为本发明的可避免出现蓝膜的凸点制作方法的实施例的流程图； 图3为完成图2中步骤S20后晶圓的剖视图； 图4为完成图2中步骤S21后晶圓的剖视图； 图5为完成图2中步骤S22后晶圓的剖视图； 图6为完成图2中步骤S26后晶圓的剖视图。
具体实施方式
以下将对本发明的可避免出现蓝膜的凸点制作方法作进一步的详细描述。 参见图1，其显示了进行本发明的可避免出现蓝膜的凸点制作方法前晶圓的
剖视图，如图所示，晶圆l上具有金属垫2和钝化层3，所述硅衬底上还具有半 导体器件及其互联金属层(为简化图示及说明，在此并未对其进行图示)。
参见图2，本发明的可避免出现蓝膜的凸点制作方法首先进行步骤S20，在 所述晶圆上涂布一层光刻胶。
参见图3，结合参见图1，图3显示了完成步骤S20后晶圆的剖视图，如图 所示，光刻胶4沉积在金属垫2和钝化层3上。
接着继续步骤S21，在光刻胶上光刻出凸点图形。
参见图4,结合参见图l和图3，图4显示了完成步骤S21后晶圆的剖视图，
如图所示，光刻胶4上具有凸点图形40。
接着继续步骤S22，将晶圓设置在电镀槽内进行电镀以形成凸点。在本实施
例中，所述凸点为锡凸点或铅锡凸点。
参见图5，结合参见图1、图3和图4，图5显示了完成步骤S22后晶圆的
剖视图，如图所示，凸点5设置在光刻胶4上的凸点图形(未图示)中。 接着继续步骤S23,从电镀槽内取出晶圆并用去离子纯水清洗。 接着继续步骤S24，将晶圆设置在甩干机台中进行甩干。 接着继续步骤S25，进行温度范围为60至IOO摄氏度，烘干时间范围为15
至20分钟的烘干。在本实施例中，所述烘干步骤的烘千温度为80摄氏度，烘
干时间为20分钟。
接着继续步骤S26,去除晶圆上的光刻胶。在本实施例中，在脱胶机台中去 除晶圆上的光刻胶。
参见图6,结合参见图1、图3至图5，图6显示了完成步骤S26后晶圓的 剖视图，如图所示，凸点5直接设置在金属垫2和钝化层3上。
实验表明，使用本发明的可避免出现蓝膜的凸点制作方法的晶圆上未再出 现蓝膜。
综上所述，本发明的可避免出现蓝膜的凸点制作方法在甩干后还进行了烘 干，从而避免了晶圆和光刻胶上有水分残留，进而避免了在去胶机台中去胶时 在晶圓上形成难以去除的蓝膜。
权利要求
1、一种可避免出现蓝膜的凸点制作方法，该凸点制作在具有金属垫和钝化层的晶圆上，该方法包括以下步骤a、在该晶圆上涂布一层光刻胶；b、在该光刻胶上光刻出凸点图形；c、通过电镀工艺在该凸点图形中形成凸点；d、去除晶圆上的光刻胶；其特征在于，该方法在步骤c和d之间还具烘干工艺步骤。
2、 如权利要求1所述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法，其特征在于，该烘干工艺的烘干温度范围为60至100摄氏度，烘干时间范围为15至20分钟。
3、 如权利要求2所述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法，其特征在于，该烘干工艺的烘干温度为80摄氏度，烘干时间为20分钟。
4、 如权利要求l所述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法，其特征在于，该步骤c包括以下步骤cl、将晶圆设置在电镀槽内进行电镀以形成凸点；c2、从电镀槽内取出晶圆并用去离子纯水清洗；c3、将晶圆设置在甩干机台中进行甩干。
5、 如权利要求1所述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法，其特征在于，在步骤d中，在脱胶机台中去除晶圆上的光刻胶。
6、 如权利要求l所述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法，其特征在于，该凸点为锡凸点。
7、 如权利要求l所述的可避免出现蓝膜的凸点制作方法，其特征在于，该凸点为铅锡凸点。
全文摘要
本发明提供一种可避免出现蓝膜的凸点制作方法，该凸点制作在具有金属垫和钝化层的晶圆上。现有的凸点制作方法在电镀形成凸点后仅进行甩干就将晶圆设置在去胶机台中去除光刻胶易导致去完胶的晶圆上出现蓝膜。本发明的可避免出现蓝膜的凸点制作方法先在该晶圆上涂布一层光刻胶；再在该光刻胶上光刻出凸点图形；接着通过电镀工艺在凸点图形中形成凸点；然后进行烘干；最后去除晶圆上的光刻胶。采用本发明的方法可避免在制作凸点时出现蓝膜。
文档编号H01L21/02GK101465304SQ20071017242
公开日2009年6月24日 申请日期2007年12月17日 优先权日2007年12月17日
发明者孙支柱, 王重阳, 章剑名, 杰 陈 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司